CN103915363A - 基板处理设备 - Google Patents

Abstract

一种基板处理设备包括：处理室，用于处理基板；屏蔽件，位于处理室的内壁；以及连接件，使屏蔽件附着到处理室的内壁。连接件包括分别位于处理室内壁的和屏蔽件的相对表面上的凹槽和突起。

Description

基板处理设备

本申请要求于2013年1月9日在韩国知识产权局（KIPO）提交的第2012-0002504号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的多个方面涉及一种基板处理设备。

背景技术

基板处理设备可以用于处理诸如玻璃基板的基板以制造平板显示装置。例如，基板处理设备可以包括用于在其中执行等离子体处理的处理室和用于去除将被沉积在处理室的内壁上的颗粒的屏蔽构件。

传统的屏蔽构件可以通过诸如螺栓的固定构件附着在处理室的内壁上。螺栓可以贯穿屏蔽构件以被结合到处理室的内壁上的螺纹，使得屏蔽构件附着在处理室的内壁上。此外，可以设置螺栓帽以覆盖螺栓。

然而，随着平板显示装置变得更大，增大了处理室的尺寸，因此，增加了屏蔽构件的尺寸和屏蔽构件的数量。另外，会增加诸如螺栓和螺栓帽的固定部件的数量。因此，由于通过诸如螺栓的固定部件固定屏蔽构件，因此在处理室的内壁上的屏蔽构件的附着和拆卸将更耗时。此外，固定构件可能因不同的固定构件的热膨胀系数的差异而更容易被损坏。此外，在等离子体蚀刻工艺期间可能因屏蔽构件和处理室的内壁之间的间隙而发生等离子体电弧

发明内容

示例实施例提供了一种包括能够可拆卸地附着到处理室的内壁的屏蔽构件的基板处理设备。

根据示例实施例，基板处理设备包括：处理室，用于处理基板；屏蔽件，位于处理室的内壁；以及连接件，使屏蔽件附着到处理室的内壁。连接件包括分别位于处理室内壁的和屏蔽件的相对表面上的凹槽和突起。

在示例实施例中，连接件的凹槽可以包括沿着屏蔽件的表面延伸的楔形榫槽，连接件的突起可以包括沿着处理室的内壁延伸的与楔形榫槽相对应的楔形榫头。

在示例实施例中，楔形榫头可以具有相对于处理室的内壁形成小于90度的角的外侧壁。

在示例实施例中，连接件可以包括被构造为使楔形榫头结合到处理室的内壁的固定构件。

在示例实施例中，屏蔽件可以包括具有第一厚度的突起部分和具有小于第一厚度的第二厚度的凹陷部分，楔形榫槽可以在屏蔽件的突起部分中。

在示例实施例中，第一厚度可以在10mm至6mm的范围内，第二厚度可以在大约6mm至大约3mm的范围内。

在示例实施例中，连接件的凹槽可以包括沿着处理室的内壁延伸的楔形榫槽，连接件的突起可以包括沿着屏蔽件延伸的与楔形榫槽相对应的楔形榫头。

在示例实施例中，屏蔽件可以包括位于处理室的上内壁的上屏蔽件和位于处理室的下内壁的下屏蔽件。

在示例实施例中，屏蔽件可以包括铝。

在示例实施例中，基板处理设备还可以包括被构造成支撑基板的基板台。

在示例实施例中，连接件的凹槽可以从屏蔽件的下表面沿着第一方向延伸，连接件的突起可以从处理室的底表面突起。

在示例实施例中，连接件可以使屏蔽件可拆卸地附着到处理室的内壁。

在示例实施例中，凹槽和突起可以可滑动地彼此安装。

根据实施例，作为双屏蔽的屏蔽件可以通过滑动安装的方法装配到室或者从室拆卸下来，而不需要诸如螺栓的传统的固定部件。因此，可以减少清理屏蔽件所需要的时间，并且可以减少制造成本。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，示例实施例将能被更清楚地理解。图1至图7描绘了这里所描述的非限制性的示例实施例。

图1是示出根据示例实施例的基板处理设备的剖视图。

图2是示出附着到图1中的基板处理设备的处理室的内壁的屏蔽构件的透视图。

图3是用图2中的虚线圈“A”标记的部分的剖视图。

图4是示出图2中的处理室的内壁上的楔形榫头的透视图。

图5是示出根据示例实施例的基板处理设备的屏蔽构件的透视图。

图6是示出根据示例实施例的基板处理设备的屏蔽构件的局部剖视图。

图7是示出根据示例实施例的维护基板处理设备的方法的透视图。

具体实施方式

在下文中将参照附图更充分地描述各个示例实施例，在附图中示出了示例实施例。然而，可以以许多不同的方式实施示例实施例，并且示例实施例不应被解释为限于这里阐述的示例实施例。相反，提供这些示例实施例是为了使得该公开彻底和完全，并且将示例实施例的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接“在”所述另一元件或层“上”、直接“连接到”或“结合到”所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。同样的标号始终表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任意和所有组合。

将理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。

为了便于描述，在这里可以使用诸如“在......之下”、“在......下方”、“下面的”、“在......上方”、和“上面的”等空间相对术语，来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意在包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果将附图中的装置翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后位于其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在......下方”可包含在......上方和在......下方两种方位。该装置可被另外定位（例如，旋转90度或在其他方位）并相应地解释这里使用的空间相对的描述。

这里使用的术语仅出于描述特定的示例实施例的目的，而不意图限制示例实施例。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个（种）”“该”也意图包括复数形式。进一步将理解的是，本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

这里将参照作为理想化的示例实施例（和中间结构）的示意图的剖视图来描述示例实施例。这样，预计将出现例如由制造技术和/或公差引起的示出的形状的变化。因此，示例实施例不应被解释为局限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如由制造所造成的形状上的偏差。附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际的形状，也不意图限制示例实施例的范围。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与示例实施例所属的领域中的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。进一步将理解的是，除非这里明确这样定义，否则术语（例如在通用的词典中定义的术语）应被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思相一致的意思，而将不以理想的或过于正式的含义来解释它们的意思。

在下文中，将参照附图详细地解释示例实施例。

图1是示出根据示例实施例的基板处理设备的剖视图。图2是示出附着到图1中的基板处理设备的处理室的内壁的屏蔽构件的透视图。图3是示出基板处理设备的用图2中的字母“A”标注的部分的剖视图。图4是示出形成在图2中的处理室的内壁上的楔形榫头（燕尾榫）状突起的透视图。

参照图1至图4，基板处理设备100可以包括：处理室110，用于处理基板S；基板台120，用于在处理室110内支撑基板S；屏蔽件（或屏蔽构件）200，被设置成覆盖处理室110的内壁；以及连接件（或连接部件）300，用于使屏蔽构件200可拆卸地附着到处理室110的内壁。

在示例实施例中，基板处理设备100可以在处理室110中对诸如显示面板的基板S执行等离子体处理。基板处理设备100可以包括用于向穿过门116载入的基板S提供处理气体的喷头或分散器130。例如，沉积的气体或蚀刻气体可以通过气体供应线132流动，喷头130可以使处理气体基本均匀地分散到处理室110中。

为了在处理室110中利用处理气体产生自由基的等离子体，可以在处理室110的上部和基板台120中设置等离子体电极（未示出）以提供高频电源。

在示例实施例中，处理室110可以包括组合或结合在一起以形成真空空间的上室112和下室114。屏蔽构件200可以包括覆盖上室112的内壁的上屏蔽构件210和覆盖下室114的内壁的下屏蔽构件220。

除了上屏蔽构件210和下屏蔽构件220的安装位置和尺寸以外，上屏蔽构件210和下屏蔽构件220可以基本彼此相同。屏蔽构件200可以包括涂覆有陶瓷的铝板或阳极化处理的铝板。

如图2中所示，上屏蔽构件210可以通过连接部件300可拆卸地附着（或结合）到上室112的内壁。此外，根据上室112和上屏蔽构件210的尺寸和形状，可以将两个上屏蔽构件210附着到上室112的每个侧壁，使得总共八个上屏蔽构件可以附着（或结合）到上室112的整个内壁（例如，两个上屏蔽构件210可拆卸地附着（或结合到）内壁的每个面）。然而，上屏蔽构件的数量不应限于此，上屏蔽构件的数量可以根据上室112的尺寸和形状而改变。同样地，下屏蔽构件220可以通过连接部件300可拆卸地附着到或结合到下室114的内壁。可拆卸地附着到或结合到下室114的下屏蔽构件220的数量可以根据下室114的尺寸和形状而改变。

连接部件300可以包括分别设置在屏蔽构件200和处理室110的内壁相对表面上并彼此可滑动地安装的凹槽和突起。如图2至图4中示出的，连接部件300的凹槽可以是沿着第一方向延伸的楔形榫槽310，第一方向沿着屏蔽构件200的表面。连接部件300的突起可以是沿着上室112的内壁延伸的与楔形榫槽310相对应的楔形榫头320。

如图3和图4中所示，楔形榫头320可以包括沿着第一方向延伸的插入部分322。第一方向可以与处理室110的竖直方向平行。楔形榫头320的插入部分322可以具有相对的外侧壁324和连接外侧壁324（或结合在外侧壁324之间）的上表面。外侧壁324可以相对于上室112的内壁形成小于90度的角。

连接部件300可以包括用于使插入部分322固定在上室112的内壁上的固定构件326。固定构件326可以包括固定螺栓。固定构件326的上表面可以低于楔形榫头320的插入部分322的上表面（例如，相对于楔形榫头320的插入部分322的上表面竖直偏移）。可选择地，插入部分322可以与处理室110的内壁一体地形成。在这种情况下，可以利用室110形成多个楔形榫头320。

上屏蔽构件210可以通过连接部件300利用滑动榫卯方法连接到上室112。楔形榫头320可以沿第一方向可滑动地安装到楔形榫槽310，使得上屏蔽构件210附着在上室112的内壁上。可以沿相反方向使楔形榫头320从楔形榫槽310取出，使得上屏蔽构件210从上室112的内壁拆卸下来。因此，上屏蔽构件210可以通过连接部件300可拆卸地附着到上室112的内壁。

楔形榫槽310可以形成为稍带锥度，这使得楔形榫槽310朝着楔形榫槽310的后部略紧，从而可以使楔形榫头320容易滑入上屏蔽构件210中，但是当到达最终位置时连接处变得更紧。即，楔形榫槽310的相对的侧壁之间的间隙在楔形榫槽310的最深处可以更宽，而在楔形榫槽310的开口处更窄。

因此，作为双屏蔽的屏蔽构件200可以通过滑动安装的方法装配到室或者从室拆卸下来，而不需要诸如螺栓的传统的固定部件。因此，可以减少清理屏蔽构件所需的时间，并且可以减少制造成本。

如图2至图4中所示，楔形榫槽310可以形成在屏蔽构件200中，楔形榫头320可以形成在处理室110的内壁中。可选择地，楔形榫槽310可以形成在处理室110的内壁的表面中，楔形榫头320可以形成在屏蔽构件200的对应于楔形榫槽的表面中。

图5是示出根据示例实施例的基板处理设备的屏蔽构件的透视图。除了屏蔽构件的突起形状之外，屏蔽构件与参照图1描述的屏蔽构件基本相同。因此，将利用相同或相似的参考标号来表示相同或相似的元件，并且将省略关于上面的元件的任何重复的说明。

参照图5，上屏蔽构件210可以通过连接部件300可拆卸地附着到上室112的内壁。上屏蔽构件210可以包括突起部分212和凹陷部分214。突起部分212可以具有第一厚度t1，凹陷部分214可以具有小于第一厚度t1的第二厚度t2。例如，第一厚度t1可以从10mm至6mm，第二厚度t2可以从6mm至3mm。

楔形榫槽310可以沿着上屏蔽构件210的突起部分212延伸。楔形榫头320可以沿着上室112的与楔形榫槽310对应的内壁的表面延伸。

图6是示出根据示例实施例的基板处理设备的屏蔽构件的局部剖视图。除了屏蔽构件的固定类型之外，屏蔽构件与参照图1描述的屏蔽构件基本相同。因此，将利用相同或相似的参考标号来表示相同或相似的元件，并且将省略关于上面的元件的任何进一步重复的说明。

参照图6，下屏蔽构件220可以通过连接部件300可拆卸地附着到下室114的内壁。下屏蔽构件220可以包括从下屏蔽构件的面对室110的底面的下表面延伸的凹槽311。凹槽311可以从下表面沿着第一方向（即，室110的竖直方向）延伸特定的深度（例如，预设的深度）。突起321可以从室110的底面突起或延伸，并且可以被构造为插入到凹槽311中。

因此，突起321可以被构造为沿着竖直方向插入到下屏蔽构件200的沟槽311中，以覆盖下室114的内壁。

在下文中，将解释维护图1中的基板处理设备的方法。

图7是示出根据示例实施例的维护基板处理设备的方法的透视图。

参照图1和图7，当在处理室中重复地执行处理工艺时，不期望的颗粒或污染物可以沉积在处理室110的内壁上的屏蔽构件200上形成薄层。为了防止或减少该薄层的层离，可以利用图7中的装备来清理屏蔽构件200。

具体地，可以将处理室110拆分成图7中的框架10上的上室112和下室114。然后，可以沿着插入方向相反的方向从楔形榫槽310取出楔形榫头，使得上屏蔽构件210和下屏蔽构件220可以从上室112的内壁和下室114的内壁拆卸下来。因此，可以使屏蔽构件同时从处理室110拆卸下来。

然后，可以通过清理工艺清理分离的屏蔽构件。例如，可以通过湿法清理工艺清理屏蔽构件。

在清理工艺之后，可以使楔形榫头可滑动地插入到楔形榫槽中，使得上屏蔽构件210和下屏蔽构件220可以附着在上室112和下室114的内壁上。因此，可以使屏蔽构件同时装配到处理室110。

然后，可以通过驱动图7中的部件20a、20b使上室112旋转180度、沿着引导轨16a、16b传输并位于下室114上。可以装配上室112和下室114以共同构成处理室110。

本发明可以应用于用于处理基板（例如，用于平板显示装置的玻璃基板或半导体晶片）的基板处理设备。

前述是示例实施例的举例说明，且不被解释为限制示例实施例。尽管已经描述了一些示例实施例，但本领域技术人员将容易理解的是，可在没有实质地背离本发明的新颖性教导和优点的情况下在示例实施例中进行多种修改。因此，在如权利要求中限定的示例实施例的范围中意图包括所有这样的修改。在权利要求中，装置加功能的条款意图覆盖执行所述功能的在这里描述的结构，并且不仅意图覆盖结构等同物而且意图覆盖等同的结构。因此，将理解的是，前述是各个示例实施例的举例说明，并且不被解释为限制于公开的具体示例实施例，在权利要求及其等同物的范围内意图包括对公开的示例实施例所做的修改以及其他示例实施例。

Claims (13)

1.一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：

处理室，用于处理基板；

屏蔽件，位于处理室的内壁；以及

连接件，使屏蔽件附着到处理室的内壁，连接件包括分别位于处理室内壁的和屏蔽件的相对表面上的凹槽和突起。

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，连接件的凹槽包括沿着屏蔽件的表面延伸的楔形榫槽，连接件的突起包括沿着处理室的内壁延伸的与楔形榫槽相对应的楔形榫头。

3.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，楔形榫头具有相对于处理室的内壁形成小于90度的角的外侧壁。

4.如权利要求3所述的基板处理设备，其中，连接件包括被构造为使楔形榫头结合到处理室的内壁的固定构件。

5.如权利要求2所述的基板处理设备，其中，屏蔽件包括具有第一厚度的突起部分和具有小于第一厚度的第二厚度的凹陷部分，楔形榫槽在屏蔽件的突起部分中。

6.如权利要求5所述的基板处理设备，其中，第一厚度在10mm至6mm的范围内，第二厚度在6mm至3mm的范围内。

7.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，连接件的凹槽包括沿着处理室的内壁延伸的楔形榫槽，连接件的突起包括沿着屏蔽件延伸的与楔形榫槽相对应的楔形榫头。

8.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，屏蔽件包括位于处理室的上内壁的上屏蔽件和位于处理室的下内壁的下屏蔽件。

9.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，屏蔽件包括铝。

10.如权利要求1所述的基板处理设备，所述基板处理设备还包括被构造成支撑基板的基板台。

11.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，连接件的凹槽从屏蔽件的下表面沿着第一方向延伸，连接件的突起从处理室的底表面突起。

12.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，连接件使屏蔽件可拆卸地附着到处理室的内壁。

13.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，凹槽和突起可滑动地彼此安装。