CN103904144B - 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极 - Google Patents

晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极 Download PDF

Info

Publication number
CN103904144B
CN103904144B CN201410138125.0A CN201410138125A CN103904144B CN 103904144 B CN103904144 B CN 103904144B CN 201410138125 A CN201410138125 A CN 201410138125A CN 103904144 B CN103904144 B CN 103904144B
Authority
CN
China
Prior art keywords
main gate
gate line
section
line
millimeters
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410138125.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103904144A (zh
Inventor
白海赞
胡中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Environmental Natural Chemicals (enc) New Material Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Environmental Natural Chemicals (enc) New Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Environmental Natural Chemicals (enc) New Material Co Ltd filed Critical Jiangsu Environmental Natural Chemicals (enc) New Material Co Ltd
Priority to CN201410138125.0A priority Critical patent/CN103904144B/zh
Publication of CN103904144A publication Critical patent/CN103904144A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103904144B publication Critical patent/CN103904144B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极，所述晶体硅太阳能电池是多晶156电池片，所述主栅电极包括三条纵向的主栅线和多条横向的副栅线，所述三条主栅线相互平行，所述多条副栅线相互平行，所述主栅线和所述副栅线垂直，其中一根主栅线位于电池片正面中间，其余两根主栅线各自距离中间一根主栅线52毫米，每根所述主栅线皆是由八段实心段和七段空白段交错连接而成，该晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极不仅大幅降低了电池片生产过程的成本，还在一定程度上提升了太阳能电池片的转换效率。

Description

晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极
技术领域
本发明属于太阳能电池结构领域，具体涉及一种多晶156电池片的主栅电极结构。
背景技术
太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的器件，由于其清洁、无污染、取之不尽，用之不竭，受到越来越多的关注。
目前广泛采用的是硅太阳能电池，其制造工艺也已经标准化，主要步骤为：化学清洗及表面结构化处理（制绒）-扩散制结-周边刻蚀-沉积减反射膜-丝网印刷-烧结。其中，丝网印刷首先进行背面电极的印刷，浆料一般为Ag浆，烘干后印刷背面电场，浆料为Al浆，烘干后经过翻转器翻转印刷正面电极，浆料为Ag浆。对于多晶156电池片，正面主栅一般为三根，且为直线实心电极。正面主栅的主要作用是为组件部分提供焊接点，有利于光生电流的输出。
然而，采用这一方式，正面主栅Ag浆的单耗太大，目前湿重的控制范围是0.12-0.14g，且由于正面实心电极的遮光面积太大，导致电池片真正受光面积较小，且正电极与硅片的接触电阻较大，使电池片的光电转换效率下降。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极，该晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极不仅大幅降低了电池片生产过程的成本，还在一定程度上提升了太阳能电池片的转换效率。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极，所述晶体硅太阳能电池是多晶156电池片，所述主栅电极包括三条纵向的主栅线和多条横向的副栅线，所述三条主栅线相互平行，所述多条副栅线相互平行，所述主栅线和所述副栅线垂直，其中一根主栅线位于电池片正面中间，其余两根主栅线各自距离中间一根主栅线52毫米（指主栅线中心线之间的距离），每根所述主栅线皆是由八段实心段和七段空白段交错连接而成。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：
进一步地说，所述主栅线的宽度为1.5毫米，长度为153毫米。
更进一步地说，每根主栅线上位于首尾两端的实心段的长度各自为14.5毫米，其余六段实心段的长度各自为9毫米，七段空白段的长度各自为10毫米。
更进一步地说，所述主栅线上位于首尾两端的实心段各自皆是由9毫米长的矩形段和5.5毫米长的等腰梯形段构成，且等腰梯形段位于所述主栅线的端部，且等腰梯形段的外端部宽度为0.5毫米。
进一步地说，所述主栅线上每段空白段的左右两侧皆具有一对连接栅线，每对连接栅线由两根连接栅线构成，且两根连接栅线间距为0.08毫米，所述连接栅线的两端连接于所述实心段。
本发明的有益效果是：本发明的晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极，由于其主栅线中包括空白段，所述空白段中的空心部分不再需要填充导电浆料，因此，节省了导电浆料，本发明镂空式主栅电极网版印刷的单耗是0.10-0.12g，而现有直线电极的单耗范围是0.12-0.14g，单耗下降约10%-20%，降低了太阳能电池片的制造成本；而且空白段可减小正电极覆盖在硅片上的面积，减小正电极与硅片的接触电阻，提高太阳能电池片的光电转换效率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为图1的A部放大图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的具体实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的优点及功效。本发明也可以其它不同的方式予以实施，即，在不悖离本发明所揭示的范畴下，能予不同的修饰与改变。
实施例：一种晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极，所述晶体硅太阳能电池是多晶156电池片，所述主栅电极包括三条纵向的主栅线1和多条横向的副栅线，所述三条主栅线相互平行，所述多条副栅线相互平行，所述主栅线和所述副栅线垂直，其中一根主栅线位于电池片正面中间，其余两根主栅线各自距离中间一根主栅线52毫米（指主栅线中心线之间的距离），每根所述主栅线皆是由八段实心段11和七段空白段12交错连接而成。
所述主栅线的宽度为1.5毫米，长度为153毫米。
每根主栅线上位于首尾两端的实心段的长度各自为14.5毫米，其余六段实心段的长度各自为9毫米，七段空白段的长度各自为10毫米。
所述主栅线上位于首尾两端的实心段各自皆是由9毫米长的矩形段111和5.5毫米长的等腰梯形段112构成，且等腰梯形段位于所述主栅线的端部，且等腰梯形段的外端部宽度为0.5毫米。
所述主栅线上每段空白段的左右两侧皆具有一对连接栅线，每对连接栅线由两根连接栅线13构成，且两根连接栅线间距为0.08毫米，所述连接栅线的两端连接于所述实心段。
实验选取同一硅锭的硅片200件，分别用镂空正电极网版及现有直线正电极网版印刷各100件，比较单耗及电性能数据。
本发明实验例：本发明镂空式主栅电极
将与本发明主栅电极图样一致的主栅电极网版装入印刷机，装上刮刀、回墨刀，并加浆料，调节好印刷参数，保证印刷的主栅电极图形良好，称测湿重（湿重即为硅片印刷后重量的增加），结果如下：
抽样 1 2 3 4 5 平均值
湿重（g） 0.105 0.104 0.103 0.104 0.103 0.104
在AM1.5、光强1000W，25℃条件下测量其电性能参数的情况为：
Voc（开路电压） Isc（短路电流） FF（填充因子） Eff（光电转换效率）
0.629 8.683 78.6 17.64%
比较例：印刷参数不变，更换现有直线电极网版制成现有直线式主栅电极，称测湿重，结果如下：
抽样 1 2 3 4 5 平均值
湿重（g） 0.127 0.128 0.126 0.127 0.127 0.127
在AM1.5、光强1000W，25℃条件下测量其电性能参数的情况为：
Voc（开路电压） Isc（短路电流） FF（填充因子） Eff（光电转换效率）
0.628 8.655 78.8 17.60%
从上述实验结果可以看出，本发明单耗约降低18%，电性能参数上填充因子相比较低了0.2，但短路电流高了28mA，提升明显，整体效率上提高0.04%。可见，此发明不仅大幅降低了电池片生产过程的成本，一定程度上提升了太阳能电池片的转换效率。

Claims (1)

1.一种晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极，所述晶体硅太阳能电池是多晶156电池片，所述主栅电极包括三条纵向的主栅线(1)和多条横向的副栅线，所述三条主栅线相互平行，所述多条副栅线相互平行，所述主栅线和所述副栅线垂直，其特征在于：其中一根主栅线位于电池片正面中间，其余两根主栅线各自距离中间一根主栅线52毫米，每根所述主栅线皆是由八段实心段(11)和七段空白段(12)交错连接而成；
所述主栅线的宽度为1.5毫米，长度为153毫米；
每根主栅线上位于首尾两端的实心段的长度各自为14.5毫米，其余六段实心段的长度各自为9毫米，七段空白段的长度各自为10毫米；
所述主栅线上位于首尾两端的实心段各自皆是由9毫米长的矩形段(111)和5.5毫米长的等腰梯形段(112)构成，且等腰梯形段位于所述主栅线的端部，且等腰梯形段的外端部宽度为0.5毫米；
所述主栅线上每段空白段的左右两侧皆具有一对连接栅线，每对连接栅线由两根连接栅线(13)构成，且两根连接栅线间距为0.08毫米，所述连接栅线的两端连接于所述实心段。
CN201410138125.0A 2014-04-08 2014-04-08 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极 Expired - Fee Related CN103904144B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410138125.0A CN103904144B (zh) 2014-04-08 2014-04-08 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410138125.0A CN103904144B (zh) 2014-04-08 2014-04-08 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103904144A CN103904144A (zh) 2014-07-02
CN103904144B true CN103904144B (zh) 2016-08-17

Family

ID=50995383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410138125.0A Expired - Fee Related CN103904144B (zh) 2014-04-08 2014-04-08 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103904144B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105679852B (zh) * 2016-03-25 2017-03-08 常州天合光能有限公司 一种适合于mbb技术的太阳电池主栅图案结构
CN108538948A (zh) * 2018-06-14 2018-09-14 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 太阳能电池栅线结构、太阳能电池片及太阳能叠片组件
CN109244156A (zh) * 2018-09-13 2019-01-18 北京太阳能电力研究院有限公司 多主栅太阳能电池正电极图形

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202695466U (zh) * 2012-07-12 2013-01-23 尹晓东 光伏电池正面电极及其构成的光伏电池片及光伏电池组件
CN202712200U (zh) * 2012-07-12 2013-01-30 恒昇新能源光伏（苏州）科技有限公司 一种太阳能电池片的正电极
CN102931245A (zh) * 2012-11-28 2013-02-13 山东力诺太阳能电力股份有限公司 太阳电池正面栅线及印刷该正面栅线的太阳能电池片
CN202957259U (zh) * 2012-11-13 2013-05-29 常州亿晶光电科技有限公司 太阳能电池及其正面电极布局结构
CN203085565U (zh) * 2013-02-27 2013-07-24 上海艾力克新能源有限公司 一种新型太阳能电池正电极
CN203134814U (zh) * 2012-12-28 2013-08-14 阿特斯(中国)投资有限公司 一种具有镂空主栅线电极的光伏电池片及光伏组件
CN103317835A (zh) * 2013-06-19 2013-09-25 东莞南玻光伏科技有限公司 晶硅电池正面电极网版
CN203288604U (zh) * 2013-04-19 2013-11-13 巨力新能源股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池的正电极

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130007785A (ko) * 2011-07-11 2013-01-21 현대중공업 주식회사 태양전지의 전극
CN203774345U (zh) * 2014-04-08 2014-08-13 江苏欧耐尔新型材料有限公司 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202695466U (zh) * 2012-07-12 2013-01-23 尹晓东 光伏电池正面电极及其构成的光伏电池片及光伏电池组件
CN202712200U (zh) * 2012-07-12 2013-01-30 恒昇新能源光伏（苏州）科技有限公司 一种太阳能电池片的正电极
CN202957259U (zh) * 2012-11-13 2013-05-29 常州亿晶光电科技有限公司 太阳能电池及其正面电极布局结构
CN102931245A (zh) * 2012-11-28 2013-02-13 山东力诺太阳能电力股份有限公司 太阳电池正面栅线及印刷该正面栅线的太阳能电池片
CN203134814U (zh) * 2012-12-28 2013-08-14 阿特斯(中国)投资有限公司 一种具有镂空主栅线电极的光伏电池片及光伏组件
CN203085565U (zh) * 2013-02-27 2013-07-24 上海艾力克新能源有限公司 一种新型太阳能电池正电极
CN203288604U (zh) * 2013-04-19 2013-11-13 巨力新能源股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池的正电极
CN103317835A (zh) * 2013-06-19 2013-09-25 东莞南玻光伏科技有限公司 晶硅电池正面电极网版

Also Published As

Publication number Publication date
CN103904144A (zh) 2014-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103904144B (zh) 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极
CN202934909U (zh) 一种分段式背电极的网版
CN203733811U (zh) 一种具有与主栅线相互平行设置的副主栅线的电池片
CN204303822U (zh) 一种晶体硅太阳能电池片
CN202523721U (zh) 一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构
CN204809230U (zh) 一种mwt硅太阳能电池正面电极
CN203774345U (zh) 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极
CN206820002U (zh) 一种太阳能电池的栅线结构及太阳能电池片
CN103887350B (zh) 晶体硅太阳能电池矩阵式背电极
CN204696130U (zh) 晶体硅太阳能电池正面电极结构
CN204289472U (zh) 一种减少电流损失的栅线结构
CN203787438U (zh) 太阳能电池片
CN203774344U (zh) 晶体硅太阳能电池矩阵式背电极
CN207165582U (zh) 八分段背电极单晶硅太阳能电池
CN104319297A (zh) 一种太阳能电池片
CN204144275U (zh) 一种太阳能电池片
CN203013743U (zh) 一种晶体硅太阳正面主栅电极
CN204792810U (zh) 一种增强型的晶硅太阳能电池四主栅电极
CN102832273B (zh) 一种高效太阳能光伏电池片
CN204577446U (zh) 一种背钝化太阳能电池的背面钝化模开槽结构
CN203277398U (zh) 一种光伏电池片正电极网板栅线结构
CN103794662B (zh) 太阳能电池片
CN205231077U (zh) 具有抗老化性能的太阳能电池片
CN209592054U (zh) 一种mwt太阳能电池及其组件
CN204348732U (zh) 一种多晶硅太阳能电池片

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160817

Termination date: 20190408

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee