CN202523721U - 一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，包括:电池表面上的主栅线、副栅线区，其特征在于：所述副栅线区包括复数个副栅线回路，所述主栅线由交错排列的焊接段和栅线段组成，每个栅线段上沿其长度方向分布有多个镂空部。本实用新型的优点：结构简单，减少正电极覆盖在硅片上的面积，并有效地降低断栅的产生，提高太阳能电池片的转换效率；而且节省导电浆料，降低太阳能电池片制造成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域，特别是一种太阳能电池片的正面电极结构。
背景技术
太阳能是绿色可再生能源，所以太阳能被认为是未来人类社会最合适、最理想的替代能源。太阳能电池是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。为了收集并引出太阳能电池转换的电流就需要在电池表面连接电极，然后与外部电路连接，从而输送出电流。现在常用的方法是用丝网印刷的方法把金属电极浆料按一定的图形样式印在电池正表面和背部，然后通过高温烧结使其固化为电极并和电池形成欧姆接触。
一般传统的正电极结构均由两条平行的等宽度主栅线和多条与主栅垂直的副栅线组成。副栅线用来收集电流传输给主栅线，然后将焊带焊接在主栅上将电流引出。主栅线比副栅线的宽度宽。此种正电极结构存在的问题在于主栅线和副栅线覆盖在硅片上的面积较大，这样使遮光损耗较大，会降低电池片的转换效率。另外，印刷电极时需要贵重金属作为导电浆料，大的栅线面积也必然使得导电浆料的使用增加，致使太阳能电池片的制作成本较高。
实用新型内容
本实用新型提供了一种太阳能电池的正电极结构，通过特殊设计的正电极结构能够有效的降低断栅的产生，减少遮光面积，提高太阳能电池片的转换效率，并降低太阳能电池片的制作成本。
为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，包括:电池表面上的主栅线、副栅线区，其特征在于：所述副栅线区包括复数个副栅线回路，所述主栅线由交错排列的焊接段和栅线段组成，每个栅线段上沿其长度方向分布有多个镂空部。
优选地，每个副栅线回路都由平行的两细栅线组成，该两细栅线的两端部彼此相连。
优选地，所述焊接段的总长度小于栅线段的总长度。
优选地，所述焊接段的宽度大于栅线段的宽度。
本实用新型的优点：结构简单，减少正电极覆盖在硅片上的面积，并有效地降低断栅的产生，提高太阳能电池片的转换效率，节省导电浆料，降低太阳能电池片制造成本。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图中序号：
1、主栅线 2、副栅线
11、焊接段 12、栅线段
13、镂空部 21、副栅线回路。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作详细说明。
请参见图1，图1为本实用新型的结构示意图。图中所示的是一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，包括:电池表面上的两条竖向设置的主栅线、副栅线区。每条主栅线包括3条焊接段，分别设置在电池表面的上部、中部、下部，在相邻焊接段之间一体连有栅线段，焊接段和栅线段的材质相同。在每个栅线段上沿其长度方向分布有4个镂空部，所述焊接段的总长度要小于栅线段的总长度，焊接段的宽度略大于栅线段的宽度。相比现有技术中主栅线为整条实心等宽度结构来说，较细的栅线段，加之其上具有镂空部，可以很大程度上减少正电极覆盖在硅片上的面积，进而减少遮光损耗，提高太阳能电池的转换效率，而且还节约了导电浆料，降低了太阳能电池片的制造成本。
不同于传统的正电极结构，本结构的副栅线区由数十个副栅线回路组成，该回路由横向设置的两细栅线组成且该两细栅线的两端部彼此相连，形成方形的回路结构。采用本结构，即使回路中有一细栅线断裂，其收集到的电量也会从另一栅线传递到主栅线，这样降低了断栅造成的影响，并提升光电的转换效率。
制作本电池板的方法如下：
1. 将上述的结构刻画在网版上。
2. 在丝网上涂布特殊胶体，经干燥、曝光、显影等步骤，将正电极结构刻画在丝网版上面。
3. 使用BACCINI自动印刷设备，将金属浆料按照丝网版上的图形印刷在太阳能电池表面。
4. 使用烧结设备将金属浆料烧结成为金属电极并和太阳能电池形成欧姆接触。
5. 在后期使用中，将焊带焊接在主栅线的焊接段上，从而将电流引出，方便使用。
通过上述方法得到的电池片，可节约导电浆料成本近20%，经检查无断栅影响，有良好的光电转换效率。
以上仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (4)
1.一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，包括:电池表面上的主栅线、副栅线区，其特征在于：所述副栅线区包括复数个副栅线回路，所述主栅线由交错排列的焊接段和栅线段组成，每个栅线段上沿其长度方向分布有多个镂空部。
2.根据权利要求1所述的一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，其特征在于：每个副栅线回路都由平行的两细栅线组成，该两细栅线的两端部彼此相连。
3.根据权利要求1所述的一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，其特征在于：所述焊接段的总长度小于栅线段的总长度。
4.根据权利要求1所述的一种改进的晶体硅电池正栅线电极结构，其特征在于：所述焊接段的宽度大于栅线段的宽度。
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