CN103898454A - 靶材 - Google Patents

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CN103898454A CN201310741861.0A CN201310741861A CN103898454A CN 103898454 A CN103898454 A CN 103898454A CN 201310741861 A CN201310741861 A CN 201310741861A CN 103898454 A CN103898454 A CN 103898454A
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多湖雄一郎
小玉健二
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Daido Steel Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种靶材，所述靶材具备以下构成：（1）前述靶材被用作用于形成Cu布线的保护膜的靶；（2）前述靶材包含Nb、Ni、Ti和M（其中，M为任意元素）作为主要构成元素，余量由不可避免的杂质组成，其中，M为选自由V、Zr、Mo、Ta和W构成的组中的任意1种以上元素；（3）前述主要构成元素满足式：Nba（Ni1-xTix）b（M）c的关系，其中，20（at%）≤a≤45（at%）、50（at%）≤b≤80（at%）、0（at%）≤c≤8（at%）、a+b+c=100（at%）、0.8182≤（1-x）/x≤1.2222。

Description

靶材
技术领域
本发明涉及靶材，更详细而言，涉及作为用于形成在薄膜晶体管（TFT）、触摸屏中使用的Cu布线的保护膜的靶而使用的靶材。
背景技术
液晶显示器中使用有用于驱动液晶的TFT。TFT具有漏极（D）、栅极（G）和源极（S）这3极，漏极（D）与液晶驱动用电极接合。另外，TFT通常具备如下结构：在基板上依次层叠有栅极（G）、绝缘膜和非晶Si（a-Si），在a-Si的表面形成有源极（S）和漏极（D）。
以往，在源极（S）和漏极（D）中使用Al合金。然而，Al合金的电阻相对较大，因此在高速处理化、节能化的方面有极限。因此，作为TFT的电极，正在研究使用电阻比Al合金小的Cu。
另一方面，作为源极（S）和漏极（D）的材料使用Cu、在a-Si的表面直接形成Cu电极时，在a-Si与Cu电极之间容易出现元素的相互扩散。元素的相互扩散成为使电极的电特性、a-Si的半导体特性降低的原因。因此，在a-Si与Cu电极的界面通常设置有用于抑制元素的相互扩散的保护膜。
关于这样的Cu布线用的保护膜，迄今给出了各种提案。
例如，专利文献1中记载了如下方面：在基底绝缘层与铜布线层之间利用溅射法形成由Ta层、TaN层、TiN层、TaSiN层、WSiN层、Mo层、Co合金层（例如，Co-B或Co-W-B）、Ni合金（例如Ni-B）、Mo合金层等组成的铜扩散防止层。
另外，专利文献2中记载了如下方面：在表面形成有Si氧化层的a-Si层与Cu层之间形成由Cu-Mn合金等形成的Cu合金层。
在同一文献中还记载了如下两方面：将a-Si层/Cu合金层/Cu层加热至200℃～300℃时，Cu合金层30所包含的添加元素移动至Si氧化层与Cu合金层的界面，在界面处富集；和通过Si氧化层的氧与添加元素形成有氧化物层，该氧化物层成为扩散阻挡层。
使氧化物析出至Si氧化层与Cu合金层的界面的方法具有能够形成稳定的保护膜这样的优点。然而，为了形成保护膜需要在氧化气氛下对薄膜的层叠体进行热处理，存在将Si、Cu氧化的担心。因此，保护膜的形成优选使用溅射法。
为了利用溅射法形成保护膜，需要制作具有期望的厚度的溅射靶材。目前，作为Cu布线保护膜最普及的是MoTi。
然而，MoTi为高熔点金属之间的合金，因此，为了制作靶材需要使用粉末烧结法，制造性差。另外，现有技术中不存在提案了作为Cu布线保护膜用合金有用、而且可熔化、铸造和塑性加工的靶材的先例。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-154380号公报
专利文献2：日本特开2010-251583号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明要解决的课题在于提供一种作为Cu布线的保护膜用合金有用、而且可熔化、铸造和塑性加工的靶材。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明的靶材的要点在于具备以下构成。
（1）前述靶材被用作用于形成Cu布线的保护膜的靶。
（2）前述靶材包含Nb、Ni、Ti和M（其中，M为任意元素）作为主要构成元素，余量由不可避免的杂质组成。
其中，
M为选自由V、Zr、Mo、Ta和W构成的组中的任意1种以上元素。
（3）前述主要构成元素满足下式（A）的关系。
Nba（Ni1-xTix）b（M）c···（A）
其中，
20（at%）≤a≤45（at%）、50（at%）≤b≤80（at%）、
0（at%）≤c≤8（at%）、a+b+c=100（at%）、
0.8182≤（1-x）/x≤1.2222。
发明的效果
Nb表现出对Cu的扩散阻挡性，但其为高熔点金属，因此熔化、铸造性和塑性加工性差。另一方面，相对于Nb添加规定量的Ni时，合金的熔点降低。因此，合金的熔化性提高。
另外，相对于Nb添加规定量的Ni和Ti时，组织内生成NiTi金属间化合物。因此，合金的热加工性提高。
进而，相对于这样的Nb系合金再添加规定量的元素M时，对Cu的扩散阻挡性进一步提高。
附图说明
图1为表示（Nb+W+Mo+Ta+V）量与平均结晶物粒径的关系的图。
图2为表示（Nb+W+Mo+Ta+V）量与最大收缩值的关系的图。
图3为表示Ni/Ti比与最大收缩值的关系的图。
图4为表示最高收缩值与温度幅度的关系的图。
图5为NiTi中的Ti的热处理前后的分布的图表。
图6为NiTi中的Ni的热处理前后的分布的图表。
图7为实施例46中的Ti的热处理前后的分布的图表。
图8为实施例46中的Ni的热处理前后的分布的图表。
图9为实施例46中的Nb的热处理前后的分布的图表。
具体实施方式
以下对本发明的一实施方式进行详细的说明。
[1.靶材]
本发明的靶材的特征在于具备以下构成。
（1）前述靶材被用作用于形成Cu布线的保护膜的靶。
（2）前述靶材包含Nb、Ni、Ti和M（其中，M为任意元素）作为主要构成元素，余量由不可避免的杂质组成。
其中，
M为选自由V、Zr、Mo、Ta和W构成的组中的任意1种以上元素。
（3）前述主要构成元素满足下式（A）的关系。
Nba（Ni1-xTix）b（M）c···（A）
其中，
20（at%）≤a≤45（at%）、50（at%）≤b≤80（at%）、
0（at%）≤c≤8（at%）、a+b+c=100（at%）、
0.8182≤（1-x）/x≤1.2222。
[1.1.用途]
本发明的靶材被用作用于形成Cu布线的保护膜的靶。
如后所述，本发明的靶材尽管包含相对大量的Nb（和为高熔点金属的元素M），但可使用量产性优异的熔化方法（例如，高频熔化法）来熔化、且具有适度的热加工性。因此，可以廉价地制造致密、且具有任意形状的靶。
[1.2.主要构成元素]
靶材包含Nb、Ni、Ti和M（M为任意元素）作为主要构成元素，余量由不可避免的杂质组成。在这里，M为选自由V、Zr、Mo、Ta和W构成的组中的任意1种以上元素。
靶材所包含的杂质越少越好。为了获得高特性，靶材所包含的主要构成元素的总量优选为95at%以上。主要构成元素的总量更优选为98at%以上。
高熔点金属通常容易被氧化。因此，使用粉末烧结法将包含高熔点金属的合金制成靶时，氧量増加。
与此相对，本发明的靶材可熔化、铸造，因此氧含量少。具体而言，通过使制造条件最适化，靶材整体所包含的氧含量（=氧的质量×100/（主要构成元素的质量+不可避免的杂质的质量））达到小于0.2质量%。
Nb为本合金的主要的构成元素。Nb表现出抑制Cu的扩散的作用（扩散阻挡性）。然而，Nb的熔点在2468±10℃左右，难以进行使用高频熔化法的熔化、铸造。
另一方面，Ni通过与Nb合金化而使Nb低熔点化，使Nb的熔化变容易。
另外，相对于Nb同时添加Ni和Ti时，在最终的组织中由Ni与Ti生成NiTi金属间化合物。NiTi可进行热加工和冷加工，因此，通过使它们存在于材料中，材料的制造性低下变得轻微。
进而，添加的Ti的一部分在结晶时固溶于Nb固溶体。
M与Nb同样对Cu的扩散阻挡性高。另外，元素M均与Nb完全固溶。
因此，相对于Nb-Ni-Ti系合金进一步添加元素M时，不会使熔化铸造性和/或加工性降低，可以使对Cu的扩散阻挡性进一步提高。
[1.3.主要构成元素的比率]
主要构成元素满足上述式（A）。
本发明的靶材中，将主要构成元素的成分平衡最适化时，可以得到由下述（a）和（b）构成的两相组织：
（a）结晶化的Nb固溶体（Nb-M相）、和、
（b）Nb固溶体与NiTi金属间化合物的共晶组织。
Nb固溶体对Cu的扩散阻挡性高。因此，使用Nb固溶体单独存在的靶材来形成保护膜时，与使用了共晶单相的靶材的情况相比，保护膜的扩散阻挡性能变高。
[1.3.1.a]
a表示Nb占主要构成元素的比例。Nb量少时，对Cu的扩散阻挡性降低。另外，为了确保一定量以上的结晶化的Nb固溶体，需要a为成为全面共晶组织的量以上。从而，需要a为20（at%）以上。进一步优选a为25（at%）以上。
另一方面，Nb量过多时，合金整体的熔点上升，难以使用量产性优异的熔化法来进行熔化铸造。从而，需要a为45（at%）以下。进一步优选a为40（at%）以下。
[1.3.2.b]
b表示（Ni+Ti）占主要构成元素的比例。Ni具有使Nb的熔点降低的作用和与Ti结合生成Nb-NiTi的共晶组织的作用。b少时，合金的熔点上升，无法使Nb固溶体稳定地结晶。另外，NiTi金属间化合物的含量变少，加工性降低。从而，需要b为50（at%）以上。进一步优选b为55（at%）以上，更优选为60（at%）以上。
另一方面，b过多时，合金整体所包含的Nb量变少，对Cu的扩散阻挡性降低。另外，b过多时，容易形成低熔点、且为脆性材料的化合物（TiNi3）。形成有该化合物时，局部熔点降低，热加工性降低。从而，需要b为80（at%）以下。进一步优选b为75（at%）以下，更优选为70（at%）以下。
[1.3.3.c]
c表示元素M占主要构成元素的比例。元素M并不是必需的。然而，元素M均具有对Cu的扩散阻挡性，因此除了Nb之外还添加元素M时，对Cu的扩散阻挡性进一步提高。另外，M均为固溶于Nb、在Nb的结晶时成为其结晶核的元素。为了得到这样的効果，优选c为1（at%）以上，进一步优选为3（at%）以上。
另一方面，元素M过多时，合金整体的熔点上升，难以使用量产性优异的熔化法进行熔化铸造。从而，需要c为8（at%）以下。进一步优选c为6（at%）以下，更优选为5（at%）以下。
[1.3.4.（1-x）/x]
x表示相对于（Ni+Ti）的Ti的比例。另外，（1-x）/x表示Ni/Ti比（at%/at%）。Ni/Ti比少时，NiTi金属间化合物的析出量变少。从而，需要（1-x）/x为0.8182以上（换言之，（1-x）≥0.45）。进一步优选（1-x）/x为0.9以上，更优选为0.95以上。
同样，Ni/Ti比过多时，NiTi金属间化合物的析出量变少。从而，需要（1-x）/x为1.2222以下（换言之，（1-x）≤0.55）。进一步优选（1-x）/x为1.2以下。
[1.4.热加工性]
本发明的靶材尽管包含相对大量的Nb，但热加工性高。将原料组成最适化时，可以得到通过缩小Gleeble试验得到的最高收缩值为40%以上、且显示30%以上的收缩值的温度区域为200℃以上的材料。
在这里，“Gleeble试验”是指，为了测试钢在熔化、凝固、冷却过程中的高温脆化特性，在高温环境下将试验片高速拉伸，测定强度和收缩的试验。
“缩小Gleeble试验”是指使用小型的试验片的Gleeble试验。需要说明的是，本说明书中，最高收缩值与最大收缩值同义。
[2.靶材的制造方法]
本发明的靶材是如下制造的：以达到规定的组成的方式（即，以包含主要构成元素和不可避免的杂质、且主要构成元素满足式（A）的方式）配混原料，将配混物熔化、铸造而制造。
对配混物的熔化、铸造方法和其条件没有特别的限制，可以根据目的使用各种方法和条件。本发明的靶材的主要构成元素的比率已被最适化，因此尽管包含Nb、M一类的高熔点金属，但可以使用量产性优异的熔化方法（例如，高频熔化法）来熔化。
另外，用像这样得到的靶材制造靶时，对铸块进行热加工和/或冷加工。
对加工方法和其条件没有特别的限制，可以根据目的使用各种方法和条件。本发明的靶材在组织中分散有NiTi，因此加工性也高。
[3.靶材的作用]
Nb表现出对Cu的扩散阻挡性，但其为高熔点金属，因此熔化、铸造性和塑性加工性差。与此相对，相对于Nb添加规定量的Ni时，合金的熔点降低。因此，合金的熔化性提高，可以使用量产性优异的熔化方法（例如，高频熔化法）来进行熔化和铸造。
另外，相对于Nb添加规定量的Ni和Ti时，组织内生成Ni-Ti合金。Ni-Ti合金作为形状记忆合金而广为人知，其金属间化合物（NiTi）为屈指可数的可热加工和冷加工的金属间化合物。因此，通过使Nb系合金内分散NiTi金属间化合物，在对Cu的扩散阻挡性的同时提高，合金的热加工性提高。
进而，相对于这样的Nb系合金还进一步添加规定量的元素M时，对Cu的扩散阻挡性进一步得到提高。
实施例
（实施例1～49、比较例1～13）
[1.试样的制作]
将以达到规定的组成的方式配混的原料（5kg）放入坩埚，使用高频感应炉来熔化。熔化后炉冷，得到铸锭（ingot）。在表1和表2中示出各试样的组成。
[表1]
Figure BDA0000448705440000091
[表2]
[2.试验方法]
[2.1.熔化性]
实施使用高频感应炉的坩埚熔化。
将下述（a）和（b）判定为“可熔化”：
（a）坩埚可使用2次以上的情况（即，在1次的熔化时无需修复坩埚的损伤，没有来自坩埚的耐火物成分（Al、Mg、O等）溶出的情况）、
和、
（b）没有原材料的熔融残余的情况。
[2.2.组织的鉴别]
利用X射线衍射来鉴别组织。X射线衍射的测定条件如以下所述。
使用X射线：Co靶的Kα射线
扫描方法：连续法-索拉狭缝5°
测量时间：0.02sec
步宽：0.02°（扫描速度：1°/min）
扫描角度范囲：20°～120°
[2.3.结晶物（Nb固溶体）的平均尺寸]
对5kg铸锭的断面组织中确认到的结晶物（以Nb为主成分的相）的大小进行测定。使用图像处理软件“WinROOF”，测定结晶物的圆当量直径，将其平均值作为结晶物的平均尺寸。
[2.4.氧浓度]
利用ICP分析测定铸锭的氧浓度。
[2.5.热加工性（缩小Gleeble试验）]
使用Gleeble试验机来评价热加工性。试验片尺寸为，长度：55mm、平行部直径：4.5mm。求出断裂面的断面减少率，将其作为收缩值。试验条件如以下所述。
十字头速度：50.6mm/sec
加热条件：加热至各温度后进行试验
加热方式：电加热
绘制试验温度对收缩值的图表，通过图表求出最大收缩值和收缩值30%以上的温度幅度。
[2.6.二次离子质谱（SIMS）]
在Si晶圆上制作保护膜（30nm）和Cu膜（300nm）的层叠膜。
在真空（＜5.0×10-4Pa）中对该层叠膜进行330℃×120min的热处理。热处理后，利用SIMS从上方（Cu膜侧）实施深度方向的测定。用于形成保护膜的靶使用在实施例46得到的材料、或NiTi合金（Ni：Ti=1：1）。
[3.结果]
[3.1.熔化性]
在表3和表4示出熔化性（能否利用高频感应炉来熔化）。关于熔化性，通过表3和表4知道了以下事项。
（1）比较例1～5均不包含Ni，因此无法熔化。
（2）比较例8的（Ni+Ti）量少，因此发生Nb的熔融残余。
（3）比较例13的Nb过多，因此无法熔化。
（4）实施例1～49均可熔化。
[3.2.组织]
在表3和表4中示出铸锭的组织。关于组织，通过表3和表4知道了以下事项。
（1）比较例1～5均未添加Ni和Ti，因此成为无结晶物的固溶体。
（2）比较例6成为结晶物（Nb固溶体）和共晶（NiTi化合物+Nb固溶体）的两相组织，但结晶物粗大化。这是由于Nb量过多。
（3）比较例7、9均为共晶组成，因此未结晶有结晶物。
（4）比较例8呈现出两相组织，但发生Nb的熔融残余。这是由于Ni量少。
（5）实施例1～49均呈现出两相组织。
[3.3.结晶物的平均尺寸]
在表3和表4中示出结晶物（Nb固溶体）的平均尺寸。另外，在图1中示出（Nb+W+Mo+Ta+V）量和平均结晶物粒径的关系。关于结晶物的平均尺寸，通过表3和表4、以及图1知道了以下事项。
（1）得到了两相组织的材料中，比较例6的结晶物的平均尺寸超过1500μm。
（2）实施例1～49的结晶物的平均尺寸为100～1400μm。
（3）有（Nb+W+Mo+Ta+V）越多，平均结晶物粒径越大的倾向。
[3.4.铸锭的氧浓度]
在表3和表4中示出铸锭的氧浓度。实施例和比较例中，材料整体（包含杂质）所包含的氧含量均小于0.2质量%。另外，将各试样的氧含量换算成at%时，均小于1.0at%。
[3.5.热加工性]
在表3和表4中示出最大收缩值和显示30%以上的收缩值的温度区域。在图2中示出（Nb+W+Mo+Ta+V）量与最大收缩值的关系。在图3中示出Ni/Ti比与最大收缩值的关系。进而，在图4中示出最高收缩值和温度幅度的关系。通过表3～4、和图2～4知道了以下事项。
（1）到（Nb+W+Mo+Ta+V）为约35at%为止，显示大约60%左右的最大收缩值。然而，（Nb+W+Mo+Ta+V）量超过35at%时，最大收缩值降低。
（2）Ni/Ti比为约1.05时，最大收缩值达到最大。
（3）通过将组成最适化，可以同时满足最大收缩值为40%以上、且显示30%以上的收缩值的温度区域为200℃以上这样的条件。
[3.6.SIMS]
在图5中示出NiTi中的Ti的热处理前后的分布。在图6中示出NiTi中的Ni的热处理前后的分布。在图7中示出实施例46中的Ti的热处理前后的分布。在图8中示出实施例46中的Ni的热处理前后的分布。进而，在图9中示出实施例46中的Nb的热处理前后的分布。
需要说明的是，可以判定为分布中，深度（Depth）：-300nm～0nm为Cu膜中、0～100nm左右的最大值为保护膜中、在这之后为Si晶圆中的分布。虽然保护膜以30nm的膜厚成膜，但认为由于SIMS的分辨率，峰被展宽。通过图5～9知道了以下事项。
（1）使Si晶圆与Cu膜之间隔有NiTi膜时，在热处理前后未确认到Ni的分布有大的变化，但在Ti的分布中，在Cu与保护膜的界面处，热处理后的原子浓度变大1位数以上。这显示，Ti移动到了Cu中。
（2）使Si晶圆与Cu膜之间隔有NbNiTi膜（实施例46）时，没有出现像NiTi那样的热处理前后的界面移动。这显示，NbNiTi膜对Si和对Cu均具有扩散阻挡性。
[表3]
[表4]
以上对本发明的实施方式进行了详细的说明，但本发明不受上述实施方式的任何限制，在不超出本发明的要旨的范围内可进行各种改变。
产业上的可利用性
本发明的靶材可作为用于形成在薄膜晶体管（TFT）、触摸屏中使用的的Cu布线的保护膜的靶而使用。

Claims (5)

1.一种靶材，其具备以下构成：
（1）所述靶材被用作用于形成Cu布线的保护膜的靶；
（2）所述靶材包含Nb、Ni、Ti和M作为主要构成元素（其中，M为任意元素），余量由不可避免的杂质组成，
其中，M为选自由V、Zr、Mo、Ta和W构成的组中的任意1种以上元素；
（3）所述主要构成元素满足下式（A）的关系：
Nba（Ni1-xTix）b（M）c···（A）
其中，
20（at%）≤a≤45（at%）、50（at%）≤b≤80（at%）、
0（at%）≤c≤8（at%）、a+b+c=100（at%）、
0.8182≤（1-x）/x≤1.2222。
2.根据权利要求1所述的靶材，其是以包含所述主要构成元素与所述不可避免的杂质、且所述主要构成元素满足所述式（A）的方式配混原料，将配混物熔化、铸造而得到的。
3.根据权利要求1所述的靶材，其中，所述靶材整体所包含的作为所述不可避免的杂质的氧含量小于0.2质量%。
4.根据权利要求2所述的靶材，其中，所述靶材整体所包含的作为所述不可避免的杂质的氧含量小于0.2质量%。
5.根据权利要求1～4任一项所述的靶材，其中，通过缩小Gleeble试验得到的最高收缩值为40%以上、且显示30%以上的收缩值的温度区域为200℃以上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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