CN103896920A - 红色磷光化合物和使用该化合物的有机发光二极管器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种红色磷光化合物和使用该化合物的有机发光二极管器件。本发明提供下式之一的红色磷光化合物：

Description

红色磷光化合物和使用该化合物的有机发光二极管器件
本申请要求递交于2012年12月26日的韩国专利申请10-2012-0153126号的权利，并通过援引将其并入本文。
技术领域
本发明涉及一种红色磷光化合物和使用该化合物的有机发光二极管器件，更具体而言，涉及一种具有优异的色纯度和高亮度及发光效率的可溶的红色磷光化合物以及使用该化合物的OLED器件。
背景技术
近来，对于平板显示器(例如液晶显示器和等离子体显示面板)的需求在增加。但是，这些平板显示器与阴极射线管(CRT)相比具有较低的响应时间和较窄的视角。
有机发光二极管(OLED)器件是能够解决以上问题并占地较小的下一代平板显示器之一。
OLED器件的元件可以在柔性基板(例如塑料基板)上形成。另外，OLED器件在视角、驱动电压、能耗和色纯度方面具有优势。此外，OELD器件足以产生全色图像。
通常，OLED器件的发光二极管包括阳极、空穴注入层(HIL)、空穴输送层(HTL)、发光材料层(EML)、电子输送层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极。
OELD器件通过以下方式发光：由作为电子注入电极的阴极和由作为空穴注入电极的阳极分别将电子和空穴注入发光化合物层中，使电子与空穴复合，产生激子，并使激子由激发态跃迁至基态。
发光原理可以分为荧光发光和磷光发光。在荧光发光中，单线态激发态的有机分子跃迁至基态，由此发出光。另一方面，在磷光发光中，三线态激发态的有机分子跃迁至基态，由此发出光。
当发光材料层发射对应于能带隙的光时，具有0自旋的单线态激子和具有1自旋的三线态激子以1:3的比例产生。有机材料的基态为单线态，这使单线态激子可以跃迁至基态并伴随发光。但是，由于三线态激子不能发生伴随发光的跃迁，因此使用荧光材料的OLED器件的内部量子效率被限制在25%以内。
另一方面，如果自旋轨道耦合动量很高，则单线态和三线态混合以使得在单线态和三线态之间产生系间跨越，并且三线态激子也可以跃迁至基态并伴随发光。磷光材料可以使用三线态激子和单线态激子，以使得使用磷光材料的OLED器件可以具有100%的内部量子效率。
近来，已将铱络合物，例如双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮酸)铱(III)(Ir(2-phq)2(acac))、双(2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶)(乙酰丙酮酸)铱(III)(Ir(btp)2(acac))和三(2-苯基喹啉)铱(III)(Ir(2-phq)3)，作为掺杂剂引入。
为了利用磷光材料获得高电流发光效率(Cd/A)，需要优异的内部量子效率、高的色纯度和长寿命。特别是，参照图1，色纯度越高，即，CIE(X)越高，颜色灵敏度就越差。结果，在高的内部量子效率下，非常难获得发光效率。因此，需要具有优异色纯度(CIE(X)≥0.65)和高发光效率的新型红色磷光化合物。
另一方面，除了上述的铱络合物之外，例如，4,4-N,N-二咔唑联苯(CBP)或其他金属络合物用作红色磷光化合物。然而，这些化合物在溶剂中不具有理想的溶解度，因而不能通过溶液工艺来形成发光层。发光层应当通过沉积工艺形成，因此，制造过程极为复杂，工艺效率也极低。另外，沉积工艺中的废料非常多，导致生产成本增大。
发明内容
因此，本发明针对一种红色磷光化合物和一种使用该化合物的OELD器件，它们基本解决了现有技术中的局限和缺陷带来的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种红色磷光化合物，所述红色磷光化合物具有优异的色纯度、高亮度和优异的发光效率。
本发明的另一个目的是提供适于溶液工艺的红色磷光化合物。
本发明的另一个目的是提供具有改进的发光效率的OLED。
下文将说明本发明的其他特征和优点，部分特征和优点将从以下的描述中变得明显易懂，或者可以通过实施本发明而获知。本发明的目的和其他优点将凭借说明书和其权利要求及附图中所特别指出的结构来实现和达到。
为了实现这些及其他优点以及本发明的目的，如本文所具体表达和概括性描述的，本发明提供一种下式的红色磷光化合物：其中，Ar1和Ar2中的每一个独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团，Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。
在本发明的另一个方面中，本发明提供一种下式的红色磷光化合物：
Figure BDA0000425543900000032
其中，Ar1和Ar2中的每一个独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团，Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。
在本发明的另一个方面中，本发明提供一种有机发光二极管器件，所述器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和位于所述第一电极和第二电极之间的发光材料层，所述发光材料层包含下式的红色磷光化合物：
Figure BDA0000425543900000033
其中，Ar1和Ar2各自独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团，Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。
在本发明的另一个方面中，本发明提供一种有机发光二极管器件，所述器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和位于所述第一电极和第二电极之间的发光材料层，所述发光材料层包含下式的红色磷光化合物：
Figure BDA0000425543900000034
其中，Ar1和Ar2各自独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团，Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。
应该理解，前述概括性描述和下述详细描述都是示例性和说明性的，意在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图的引入是为了提供对本发明的进一步理解，附图被并入并作为本说明书的一部分、图示说明了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是显示色纯度与视觉灵敏度的关系的图；和
图2是本发明的OLED器件的截面示意图。
具体实施方式
下面将对优选实施方式进行详细论述，优选实施方式的实例在附图中图示说明。
本发明提供一种红色磷光化合物和使用该红色磷光化合物的OLED器件，所述红色磷光化合物具有优异的色纯度和提高的发光效率以及高内量子效率。
红色磷光化合物
第一实施方式
本发明的第一实施方式的红色磷光化合物包含苯并[3,4]咔唑核。苯并[3,4]咔唑核被杂芳环基、脂环族基团和脂肪族基团取代。所述红色磷光化合物由下式1表示。
[式1]
Figure BDA0000425543900000041
上式1中，Ar1和Ar2各自独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团。Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。也就是，Ar1和Ar2中的至少一个选自具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团。
例如，Ar1和Ar2的杂芳环基可包括吡啶基、联吡啶基、喹啉基、异喹啉基、三联吡啶基和菲咯啉基。脂环族基团可以包含5至7个碳。例如，脂环族基团可包括吡咯烷基、咪唑烷基、吡唑烷基、哌啶基、哌嗪基、吗啉基、三嗪基和氮杂环庚烷基。所述脂肪族化合物可包括C1～C20烷基，优选为C1～C10烷基。
Ar1和Ar2中的每一个均独立地被C5～C20芳基、C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、卤素(如氟和氯)、氰基和甲硅烷基取代。
C5～C20芳基取代基可包括吡啶基、联吡啶基、喹啉基、异喹啉基、三联吡啶基和菲咯啉基，C1～C10烷基取代基可包括甲基、乙基、丙基、异丙基和丁基。C1～C10烷氧基可包括甲氧基、乙氧基、丁氧基，甲硅烷基取代基可被C1～C5烷基取代，例如，三甲基甲硅烷基。
上式1中的Ar1和Ar2中的每一个可以是式2中的以下基团之一。
[式2]
Figure BDA0000425543900000051
具有Ar1和Ar2的上式1中的红色磷光化合物可以是式3中的以下化合物之一。
[式3]
Figure BDA0000425543900000052
Figure BDA0000425543900000061
Figure BDA0000425543900000071
Figure BDA0000425543900000081
Figure BDA0000425543900000091
Figure BDA0000425543900000101
第二实施方式
本发明的第二实施方式的红色磷光化合物包含苯并[1,2]咔唑核。所述苯并[1,2]咔唑核被杂芳环基、脂环族基团和脂肪族基团取代。所述红色磷光化合物由下式4表示。
[式4]
Figure BDA0000425543900000111
上式4中，Ar1和Ar2各自独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团。Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。也就是，Ar1和Ar2中的至少一个选自具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团。
例如，Ar1和Ar2的杂芳环基可包括吡啶基、联吡啶基、喹啉基、异喹啉基、三联吡啶基和菲咯啉基。脂环族基团可包含五至七个碳。例如，脂环族基团可包括吡咯烷基、咪唑烷基、吡唑烷基、哌啶基、哌嗪基、吗啉基、三嗪基和氮杂环庚烷基。脂肪族化合物可包括C1～C20烷基，优选为C1～C10烷基。
Ar1和Ar2中的每一个均独立地被C5～C20芳基(例如，吡啶基、联吡啶基、喹啉基、异喹啉基、三联吡啶基和菲咯啉基)、C1～C10烷基(例如，甲基、乙基、丙基、异丙基和丁基)、C1～C10烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丁氧基)、卤素(例如，氟和溴)、氰基和取代有C1～C5烷基的甲硅烷基(例如，三甲基甲硅烷基)取代。
上式4中的Ar1和Ar2中的每一个可以是式5中的以下基团之一。
[式5]
Figure BDA0000425543900000112
Figure BDA0000425543900000121
具有Ar1和Ar2的上式4中的红色磷光化合物可以是式6中的以下化合物之一。
[式6]
Figure BDA0000425543900000122
Figure BDA0000425543900000131
Figure BDA0000425543900000141
Figure BDA0000425543900000161
OLED器件
图2中说明了使用本发明的红色磷光化合物的OLED器件。图2是本发明的OLED器件的截面示意图。参考图2，OLED器件100包括透明基板(未示出)、在透明基板上方的第一电极120、在第一电极120上方的第二电极122和在第一电极120和和第二电极122之间的有机材料层130。
第一电极120和和第二电极122分别充当阳极和阴极。作为阳极的第一电极120由逸出功比作为阴极的第二电极122的材料的逸出功高的材料形成。第一电极120具有高效地将空穴作为带正电荷的载流子注入的性质。另外，第一电极120可以是透明的并具有良好的电导率。第一电极120由金属、混合金属、金属合金、混合金属氧化物或导电性聚合物形成。例如，第一电极120可以由钒、铜、金、它们的合金、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氟掺杂的锡氧化物、ZnO-Ga2O3、ZnO-Al2O3、SnO2-Sb2O3、炭黑和石墨烯之一形成。优选的是，第一电极120可以由ITO形成。
另一方面，位于电子注入层138上方的第二电极122具有高效地将电子作为带负电荷的载流子注入的性质。例如，第二电极122可以由金、铝(Al)、铜、银、它们的合金、Al-钙合金、镁-银合金、Al-锂合金、Al-氧化锂合金、稀土金属、镧系金属、锕系金属之一形成。优选的是，第二电极122可以由Al或Al-钙合金形成。可以在第二电极120上形成钝化层。
第一电极120和和第二电极122各自可以由气相沉积工序形成，并具有约5nm～400nm的厚度。
为提高发光效率，有机材料层130可以具有多层结构。例如，有机材料层130可以包括空穴注入层(HIL)132、空穴输送层(HTL)134、发光材料层(EML)135、电子输送层(ETL)136和电子注入层(EIL)138。在此情况下，将本发明的化合物作为掺杂剂用于EML135中。
ITO的第一电极120与有机材料的HTL134之间的界面性质被第一电极120与HTL134之间的HIL132提高。另外，不平坦的ITO层的表面被HIL132平坦化。例如，HIL132可以由铜酞菁(CuPc)、芳香胺(例如4,4',4''-三[甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4,4',4''-三[1-萘基(苯基)氨基]三苯胺(1-TNATA)、4,4',4''-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)和1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)苯基氨基]苯(p-DPA-TDAB))、4,4'-双[N-[4-{N,N-双(3-甲基苯基)氨基}苯基]-N-苯基氨基]联苯(DNTPD)和六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)之一形成。HIL132的厚度可以是约10nm～100nm。
为了将空穴从第一电极120透过HIL132安全地供应至EML135，HTL134由最高占据分子轨道(HOMO)值高于EML135的HOMO值的材料形成。例如，HTL134可以由N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-二苯基]-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-双(1-萘基)-N,N'-联苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPB)、N,N'-双-(1-萘基)-N,N'-二苯基-1,1'-联苯基-4,4'-二胺(NPB)、1-萘基-N-苯基氨基联苯(NPD)、三苯胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4-二胺(TTB)和N,N'-双(4-甲基苯基)-N,N'-双(4-乙基苯基)-[1,1'-(3,3'-二甲基)联苯基]-4,4'-二胺(ETPD)之一形成。HTL134可以由NPB或NPD形成，且厚度为约30nm～60nm。
HTL上的EML135包含本发明的红色磷光化合物。例如，本发明的红色磷光化合物可以用作EML135中的掺杂剂。例如，本发明的红色磷光化合物可以用作EML135中的主体，用于改进色纯度，并防止色偏移及淬灭问题。另外，EML135还可以包含掺杂剂。
例如，双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮酸)铱(III)(Ir(2-phq)2(acac))、双(2-苯并[b]噻吩-2-基吡啶)(乙酰丙酮酸)铱(III)(Ir(btp)2(acac))和三(2-苯基喹啉)铱(III)(Ir(2-phq)3)等铱络合物可以用作掺杂剂。所述掺杂剂可以以EML135的约0.1重量%～50重量%的量掺杂。EML135的厚度为约5nm～200nm、优选为30nm～60nm。
上式1和4的红色磷光化合物包含苯并咔唑核，其具有氮原子和杂芳环取代基和/或脂环族基团取代基，所述取代基也具有氮原子，从而增大化合物中的氮密度。结果，本发明的红色磷光化合物具有产生磷光现象所需的改进的电荷注入性质。即，由于所述红色磷光化合物含有氮原子，其具有良好的电子亲和性，因此改进了EML135中的电子迁移率和电子安全性。
另外，由于所述红色磷光化合物的核被杂芳环基和脂环族基团取代(所述基团均被烷基、烷氧基、甲硅烷基、芳基取代)，因此显著改进了OLED器件的发光效率、寿命和色纯度。
此外，由于所述红色磷光化合物的核被杂芳环基和脂环族基团取代(所述基团均被烷基、烷氧基、甲硅烷基、芳基取代)，因此该红色磷光化合物可溶于常用的有机溶剂(如，非极性有机溶剂)中。另外，改进了OLED器件中与电极的界面性质。
OLED器件通过溶液工艺(例如，喷墨印刷和丝网印刷)制造时，无需真空沉积工艺和光刻工艺，因此制造工艺简化，且工艺产率提高。另外，溶液工艺适合于大尺寸的OLED器件的制造工艺以及柔性基板。另外，与沉积工艺相比，溶液工艺中的废料减少，因此降低了生产成本。
EIL138和ETL136形成在EML135与第二电极122之间。EIL138可以由LiF、BaF2和CsF之一形成。ETL136由具有较高的电子迁移率的材料形成。例如，ETL136可以由三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基)-1,2,4-三唑(TAZ)和苯基喹唑啉之一形成。ETL136的厚度为约5nm～150nm。
虽未示出，但可以在EML135与ETL136之间形成具有较低HOMO能级的空穴阻挡层(HBL)。例如，HBL可以由2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)之一形成，且厚度为约5nm～150nm。
下面，将说明本发明的红色磷光化合物的合成。但是，本发明的红色磷光化合物的合成并不限于此。
合成1
1.RH-04化合物的合成
1)二氢苯并[3,4]咔唑
二氢苯并[3,4]咔唑通过以下反应式1-1合成。
[反应式1-1]
Figure BDA0000425543900000191
将β-四氢萘酮(25g,0.17mol)、苯基肼盐酸盐(24.7g,0.17mol)和乙酸置于双颈烧瓶中的乙醇中，并回流约1小时。使溶液冷却至室温，过滤，并蒸发以除去溶剂。将氯化锌(58g,0.42mol)和乙酸添加到所得物中，回流约30分钟。所得溶液冷却至室温，并蒸发以除去溶剂。所得物用MC/PE沉淀，得到二氢苯并[3,4]咔唑(30g，产率：80%)。
2)苯并[3,4]咔唑
苯并[3,4]咔唑由以下反应式1-2合成。
[反应式1-2]
(注：benzene：苯)
将二氢苯并[3,4]咔唑(20g,0.09mol)、2,3-二氯-5,6-二氰基苯醌(24.6g,0.11mol)和苯置于双颈烧瓶中，于室温搅拌约3小时。溶液用乙酸乙酯萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到苯并[3,4]咔唑(17.6g，产率：90%)。
3)9-2’-吡啶基苯并[3,4]咔唑
9-2’-吡啶基苯并[3,4]咔唑由以下反应式1-3合成。
[反应式1-3]
Figure BDA0000425543900000193
(注：toluene：甲苯)
将苯并[3,4]咔唑(5g,0.02mol)、2-溴吡啶(4g,0.025mol)、Pd2(dba)3(0.42g,0.046mol%)、P(t-Bu)3(0.14g,0.069mol%)和NaOBu(3.3g,0.03mol)置于双颈烧瓶中的甲苯中，于130℃回流约6小时。使溶液冷却至室温，用二氯甲烷萃取，蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-2’-吡啶基苯并[3,4]咔唑(6g，产率：90%)。
4)9-2’-吡啶基-6-溴苯并[3,4]咔唑
9-2’-吡啶基-6-溴苯并[3,4]咔唑由以下反应式1-4合成。
[反应式1-4]
Figure BDA0000425543900000201
将9-2’-吡啶基苯并[3,4]咔唑(6g,0.02mol)和DMF置于双颈烧瓶中。将NBS(3.8g,0.021mol)缓慢滴入冰浴中，将溶液搅拌约3小时。溶液用蒸馏水淬灭，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-2’-吡啶基-6-溴苯并[3,4]咔唑(7.4g，产率：80%)。
5)6-2’-喹啉基-9-2’-吡啶基苯并[3,4]咔唑(RH-04化合物)
RH-04化合物由以下反应式1-5合成。
[反应式1-5]
将9-2’-吡啶基-6-溴苯并[3,4]咔唑(2g,5.3mmol)、2-喹啉硼酸(1.0g,5.4mmol)和Pd(PPh3)4置于双颈烧瓶中的THF/H2O(20mL/20mL)中，回流约8小时。在用TLC确认反应完成后，使溶液冷却至室温。溶液用二氯甲烷萃取，并蒸发溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到6-2’-喹啉基-9-2’-吡啶基苯并[3,4]咔唑(RH-04化合物)(1.7g，产率：70%)。
2.RH-13化合物的合成
1)9-3’-吡啶基苯并[3,4]咔唑
9-3’-吡啶基苯并[3,4]咔唑由以下反应式2-1合成。
[反应式2-1]
Figure BDA0000425543900000211
(注：toluene：甲苯)
将苯并[3,4]咔唑(5g,0.02mol)、3-溴吡啶(4g,0.025mol)、Pd2(dba)3(0.42g,0.046mol%)、P(t-Bu)3(0.14g,0.069mol%)和NaOBu(3.3g,0.03mol)置于双颈烧瓶中的甲苯中，并于130℃回流6小时。使溶液冷却至室温，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-3’-吡啶基苯并[3,4]咔唑(6g，产率：90%)。
2)9-3’-吡啶基-6-溴苯并[3,4]咔唑
9-3’-吡啶基-6-溴苯并[3,4]咔唑由以下反应式2-2合成。
[反应式2-2]
将9-3’-吡啶基苯并[3,4]咔唑(6g,0.02mol)和DMF置于双颈烧瓶中。将NBS(3.8g,0.021mol)缓慢滴入冰浴中，将溶液搅拌约3小时。溶液用蒸馏水淬灭，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-3’-吡啶基-6-溴苯并[3,4]咔唑(7.4g，产率：80%)。
3)6-2’-喹啉基-9-3’-吡啶基苯并[3,4]咔唑(RH-13化合物)
RH-13化合物由以下反应式2-3合成。
[反应式2-3]
将9-3’-吡啶基-6-溴苯并[3,4]咔唑(2g,5.3mmol)、2-喹啉硼酸(1.0g,5.4mmol)和Pd(PPh3)4置于双颈烧瓶中的THF/H2O(20mL/20mL)中，回流约8小时，用TLC确认反应完成后，使溶液冷却至室温。溶液用二氯甲烷萃取，并蒸发溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到6-2’-喹啉基-9-3’-吡啶基苯并[3,4]咔唑(RH-13化合物)(1.7g，产率：70%)。
3.RH-49化合物的合成
1)9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑
9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑由以下反应式3-1合成。
[反应式3-1]
Figure BDA0000425543900000221
(注：toluene：甲苯)
将苯并[3,4]咔唑(5g,0.02mol)、2-溴吡啶基-5-3’-吡啶(8.1g,0.025mol)、Pd2(dba)3(0.42g,0.046mol%)、P(t-Bu)3(0.14g,0.069mol%)和NaOBu(3.3g,0.03mol)置于双颈烧瓶中的甲苯中，于130℃回流约6小时。使溶液冷却至室温，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑(6g，产率：80%)。
2)6-溴-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑
6-溴-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑由以下反应式3-2合成。
[反应式3-2]
将9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑(6g,0.02mol)和DMF置于双颈烧瓶中。将NBS(3.8g,0.021mol)缓慢滴入冰浴中，搅拌溶液约3小时。溶液用蒸馏水淬灭，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到6-溴-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑(5.7g，产率：80%)。
3)6-喹啉基-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑(RH-49)
RH-49化合物由以下反应式3-3合成。
[反应式3-3]
将6-溴-9-2’吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑(2g,4.4mmol)、2-喹啉硼酸(0.9g,5.3mmol)和Pd(PPh3)4置于双颈烧瓶中的THF/H2O(20mL/20mL)中，回流约8小时。用TLC确认反应完成后，使溶液冷却至室温。溶液用二氯甲烷萃取，并蒸发溶剂所得物用硅胶柱纯化，得到6-喹啉基-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑(RH-49)(1.5g，产率：70%)。
4.RH-58化合物的合成
1)9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑
9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑由以下反应式4-1合成。
[反应式4-1]
(注：toluene：甲苯)
将苯并[3,4]咔唑(5g,0.02mol)、3-溴吡啶基-6-2’-吡啶(8.1g,0.025mol)、Pd2(dba)3(0.42g,0.046mol%)、P(t-Bu)3(0.14g,0.069mol%)和NaOBu(3.3g,0.03mol)置于双颈烧瓶中的甲苯中，于130℃回流约6小时。使溶液冷却至室温，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑(6g，产率：80%)。
2)6-溴-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑
6-溴-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑由以下反应式4-2合成。
[反应式4-2]
Figure BDA0000425543900000241
将9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑(6g,0.02mol)和DMF置于双颈烧瓶中。将NBS(3.8g,0.021mol)缓慢滴入冰浴中，搅拌溶液约3小时。溶液用蒸馏水淬灭，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到6-溴-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑(5.7g，产率：80%)。
3)6-喹啉基-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑(RH-58)
RH-58化合物由以下反应式4-3合成。
[反应式4-3]
将6-溴-9-3’-吡啶基-5’-3”-吡啶苯并[3,4]咔唑(2g,4.4mmol)、2-喹啉硼酸(0.9g,5.3mmol)和Pd(PPh3)4置于双颈烧瓶中的THF/H2O(20mL/20mL)中，回流约8小时。在用TLC确认反应完成后，使溶液冷却至室温。溶液用二氯甲烷萃取，并蒸发溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到6-喹啉基-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[3,4]咔唑(RH-58)(1.5g，产率：70%)。
使用RH-04化合物作为主体的OLED器件(实施例1)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA0000425543900000243
Figure BDA0000425543900000244
RH-04和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA0000425543900000245
和
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为6.0V时产生1170cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.648和0.339。
使用RH-13化合物作为主体的OLED器件(实施例2)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA0000425543900000251
Figure BDA0000425543900000252
RH-13和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA0000425543900000253
和
Figure BDA0000425543900000254
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为5.5V时产生1185cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.650和0.340。
使用RH-49化合物作为主体的OLED器件(实施例3)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA0000425543900000255
Figure BDA0000425543900000256
RH-49和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层和
Figure BDA0000425543900000258
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为5.3V时产生1250cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.649和0.336。
使用RH-58化合物作为主体的OLED器件(实施例4)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA0000425543900000259
Figure BDA00004255439000002510
RH-58和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA00004255439000002511
和
Figure BDA00004255439000002512
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为5.4V时产生1231cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.651和0.331。
使用RH-58化合物作为主体的OLED器件(溶液工艺)(实施例5)
在基板上沉积ITO层并洗涤以形成阳极。将基板放入真空室中，并涂布PEDOT:PSS的空穴注入层
Figure BDA00004255439000002513
(旋涂：3000rpm；烘焙条件：120℃，1小时)和RH-58与(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA00004255439000002514
(旋涂：3000rpm；烘焙条件：100℃，30分钟)。在发光材料层上依次形成
Figure BDA00004255439000002515
和
Figure BDA00004255439000002516
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为6.5V时产生762cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.649和0.336。
使用CBP作为主体的OLED器件(比较例1)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA00004255439000002517
Figure BDA00004255439000002518
CBP和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA00004255439000002519
和
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为7.5V时产生780cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.651和0.329。
表1中列出了实施例1至实施例5以及比较例1中的发光二极管的性质和特征。(电压[V]，电流[mA]，亮度[cd/m2]，电流效率[cd/A]，功率效率[lm/W]，内部量子效率(IQE)[%])。
表1
电压 电流 亮度 电流效率 功率效率 IQE CIE(X) CIE(Y)
实施例1 6.0 0.9 1170 11.7 6.1 15.8 0.648 0.339
实施例2 5.5 0.9 1185 11.8 6.8 16.6 0.650 0.340
实施例3 5.3 0.9 1250 12.5 7.4 17.1 0.649 0.336
实施例4 5.4 0.9 1231 12.3 7.2 16.9 0.651 0.331
实施例5 6.5 0.9 762 7.6 3.7 10.8 0.649 0.336
比较例1 7.5 0.9 780 7.8 3.3 10.4 0.659 0.329
如表1中所示，与现有技术的化合物相比，使用所述红色磷光化合物的发光二极管在驱动电压、亮度、电流效率、功率效率、内部量子效率和色纯度方面具有优势。此外，可以通过溶液工艺来制造具有提高的色纯度的OLED器件。
合成2
1.RI-04化合物的合成
1)二氢苯并[1,2]咔唑
二氢苯并[1,2]咔唑由以下反应式5-1合成。
[反应式5-1]
Figure BDA0000425543900000261
将α-四氢萘酮(25g,0.17mol)、苯基肼盐酸盐(24.7g,0.17mol)和乙酸置于双颈烧瓶中的乙醇中，回流约1小时。使溶液冷却至室温，过滤，并蒸发以除去溶剂。将氯化锌(58g,0.42mol)和乙酸添加到所得物中，回流约30分钟。所得溶液冷却至室温，并蒸发以除去溶剂。所得物用MC/PE沉淀，得到二氢苯并[1,2]咔唑(30g，产率：80%)。
2)苯并[1,2]咔唑
苯并[1,2]咔唑由以下反应式5-2合成。
[反应式5-2]
Figure BDA0000425543900000271
(注：benzene：苯)
将二氢苯并[1,2]咔唑(20g,0.09mol)、2,3-二氯-5,6-二氰基苯醌(24.6g,0.11mol)和苯置于双颈烧瓶中，于室温搅拌约3小时。溶液用乙酸乙酯萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到苯并[1,2]咔唑(17.6g，产率：90%)。
3)9-2’-吡啶基苯并[1,2]咔唑
9-2’-吡啶基苯并[1,2]咔唑由以下反应式5-3合成。
[反应式5-3]
Figure BDA0000425543900000272
将苯并[1,2]咔唑(5g,0.02mol)、2-溴吡啶(4g,0.025mol)、Pd2(dba)3(0.42g,0.046mol%)、P(t-Bu)3(0.14g,0.069mol%)和NaOBu(3.3g,0.03mol)置于双颈烧瓶中的甲苯中，于130℃回流约6小时。使溶液冷却至室温，用二氯甲烷萃取，蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-2’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(6g，产率：90%)。
4)9-2’-吡啶基-3,6-二溴苯并[1,2]咔唑
9-2’-吡啶基-3,6-二溴苯并[1,2]咔唑由以下反应式5-4合成。
[反应式5-4]
Figure BDA0000425543900000273
将9-2’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(6g,0.02mol)和DMF置于双颈烧瓶中。将NBS(7.6g,0.042mol)缓慢滴入冰浴中，溶液搅拌约3小时。溶液用蒸馏水淬灭，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-2’-吡啶基-3,6-二溴苯并[1,2]咔唑(7.4g，产率：80%)。
5)3,6-二-2’-喹啉-9-2’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(RI-04化合物)
RI-04化合物由以下反应式5-5合成。
[反应式5-5]
Figure BDA0000425543900000281
将9-2’-吡啶基-3,6-二溴苯并[1,2]咔唑(2g,4.4mmol)、2-喹啉硼酸(1.7g,9.8mmol)和Pd(PPh3)4置于双颈烧瓶中的THF/H2O(20mL/20mL)中，回流约8小时。在用TLC确认反应完成后，使溶液冷却至室温。溶液用二氯甲烷萃取，并蒸发溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到3,6-二-2’-喹啉-9-2’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(RI-04化合物)(1.7g，产率：70%)。
2.RI-13化合物的合成
1)9-3’-吡啶基苯并[1,2]咔唑
9-3’-吡啶基苯并[1,2]咔唑由以下反应式6-1合成。
[反应式6-1]
Figure BDA0000425543900000282
(注：toluene：甲苯)
将苯并[1,2]咔唑(5g,0.02mol)、3-溴吡啶(4g,0.025mol)、Pd2(dba)3(0.42g,0.046mol%)、P(t-Bu)3(0.14g,0.069mol%)和NaOBu(3.3g,0.03mol)置于双颈烧瓶中的甲苯中，于130℃回流约6小时。使溶液冷却至室温，用二氯甲烷萃取，蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-3’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(6g，产率：90%)。
2)9-3’-吡啶基-3,6-二溴苯并[1,2]咔唑
9-3’-吡啶基-3,6-二溴苯并[1,2]咔唑由以下反应式6-2合成。
[反应式6-2]
Figure BDA0000425543900000283
将9-3’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(6g,0.02mol)和DMF置于双颈烧瓶中。将NBS(7.6g,0.042mol)缓慢滴入冰浴中，溶液搅拌约3小时。溶液用蒸馏水淬灭，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-3’-吡啶基-3,6-二溴苯并[1,2]咔唑(7.4g，产率：80%)。
3)3,6-二-2’-喹啉-9-3’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(RI-13化合物)
RI-13化合物由以下反应式6-3合成。
[反应式6-3]
Figure BDA0000425543900000291
将3,6-二溴-9-3’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(2g,4.4mmol)、2-喹啉硼酸(1.7g,9.8mmol)和Pd(PPh3)4置于双颈烧瓶中的THF/H2O(20mL/20mL)中，回流约8小时。在用TLC确认反应完成后，使溶液冷却至室温。溶液用二氯甲烷萃取，并蒸发溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到3,6-二-2’-喹啉-9-3’-吡啶基苯并[1,2]咔唑(RI-13化合物)(1.7g，产率：70%)。
3.RI-49化合物的合成
1)9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑
9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑由以下反应式7-1合成。
[反应式7-1]
(注：toluene：甲苯)
将苯并[1,2]咔唑(5g,0.02mol)、2-溴吡啶基-5-3’-吡啶(8.1g,0.025mol)、Pd2(dba)3(0.42g,0.046mol%)、P(t-Bu)3(0.14g,0.069mol%)和NaOBu(3.3g,0.03mol)置于双颈烧瓶中的甲苯中，于130℃回流约6小时。使溶液冷却至室温，用二氯甲烷萃取，蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑(6g，产率：80%)。
2)3,6-二溴-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑
3,6-二溴-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑由以下反应式7-2合成。
[反应式7-2]
Figure BDA0000425543900000301
将9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑(6g,0.02mol)和DMF置于双颈烧瓶中。将NBS(6.3g,0.04mol)缓慢滴入冰浴中，溶液搅拌约3小时。溶液用蒸馏水淬灭，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到3,6-二溴-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑(6g，产率：70%)。
3)3,6-二-2’-喹啉-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑(RI-49)
RI-49化合物由以下反应式7-3合成。
[反应式7-3]
Figure BDA0000425543900000302
将3,6-二溴-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑(2g,3.7mmol)、2-喹啉硼酸(1.4g,8.3mmol)和Pd(PPh3)4置于双颈烧瓶中的THF/H2O(20mL/20mL)中，回流约8小时。在用TLC确认反应完成后，使溶液冷却至室温。溶液用二氯甲烷萃取，并蒸发溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到3,6-二-2’-喹啉-9-2’-吡啶基-4’-3”-吡啶苯并[1,2]咔唑(RI-49)(1.5g，产率：70%)。
4.RI-58化合物的合成
1)9-3’-吡啶基-5’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑
9-3’-吡啶基-5’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑由以下反应式8-1合成。
[反应式8-1]
(注：toluene：甲苯)
将苯并[1,2]咔唑(5g,0.02mol)、3-溴吡啶基-6-3’-吡啶(8.1g,0.025mol)、Pd2(dba)3(0.42g,0.046mol%)、P(t-Bu)3(0.14g,0.069mol%)和NaOBu(3.3g,0.03mol)置于双颈烧瓶中的甲苯中，于130℃回流约6小时。使溶液冷却至室温，用二氯甲烷萃取，蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑(6g，产率：80%)。
2)3,6-二溴-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑
3,6-二溴-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑由以下反应式8-2合成。
[反应式8-2]
Figure BDA0000425543900000312
将9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑(6g,0.02mol)和DMF置于双颈烧瓶中。将NBS(6.3g,0.04mol)缓慢滴入冰浴中，溶液搅拌约3小时。溶液用蒸馏水淬灭，用二氯甲烷萃取，并蒸发以除去溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到3,6-二溴-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑(6g，产率：80%)。
3)3,6-二-2’-喹啉-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑(RI-58)
RI-58化合物由以下反应式8-3合成。
[反应式8-3]
Figure BDA0000425543900000321
将3,6-二溴-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑(2g,3.7mmol)、2-喹啉硼酸(1.4g,8.3mmol)和Pd(PPh3)4置于双颈烧瓶中的THF/H2O(20mL/20mL)中，回流约8小时。在用TLC确认反应完成后，使溶液冷却至室温。溶液用二氯甲烷萃取，并蒸发溶剂。所得物用硅胶柱纯化，得到3,6-二-2’-喹啉-9-3’-吡啶基-4’-2”-吡啶苯并[1,2]咔唑(RI-58)(1.7g，产率：70%)。
使用RI-04化合物作为主体的OLED器件(实施例6)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成 RI-04和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA0000425543900000324
和
Figure BDA0000425543900000325
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为5.9V时产生1180cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.649和0.338。
使用RI-13化合物作为主体的OLED器件(实施例7)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA0000425543900000326
Figure BDA0000425543900000327
RI-13和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA0000425543900000328
和
Figure BDA0000425543900000329
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为5.7V时产生1195cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.650和0.340。
使用RI-49化合物作为主体的OLED器件(实施例8)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA00004255439000003210
RI-49和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA00004255439000003212
和
Figure BDA00004255439000003213
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为5.6V时产生1260cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.650和0.336。
使用RI-58化合物作为主体的OLED器件(实施例9)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA0000425543900000331
Figure BDA0000425543900000332
RI-58和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA0000425543900000333
和
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为5.5V时产生1211cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.651和0.330。
使用RI-58化合物作为主体的OLED器件(溶液工艺)(实施例10)
在基板上沉积ITO层并洗涤以形成阳极。将基板放入真空室中，并涂布PEDOT:PSS的空穴注入层(旋涂：3000rpm；烘焙条件：120℃，1小时)和RI-58与(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层(旋涂：3000rpm；烘焙条件：100℃，30分钟)。在发光材料层上依次形成
Figure BDA0000425543900000337
和
Figure BDA0000425543900000338
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为6.5V时产生772cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.650和0.336。
使用CBP作为主体的OLED器件(比较例2)
在基板上沉积ITO层并洗涤。将基板放入真空室中，依次形成
Figure BDA0000425543900000339
Figure BDA00004255439000003310
CBP和(Ir(btp)2(acac)(5%)的发光材料层
Figure BDA00004255439000003311
和
Figure BDA00004255439000003312
该发光二极管在电流为0.9mA和电压为7.5V时产生780cd/m2的亮度，并且其CIE(x)和CIE(y)分别为0.651和0.329。
表2中列出了实施例6至实施例10以及比较例2中的发光二极管的性质和特征。(电压[V]，电流[mA]，亮度[cd/m2]，电流效率[cd/A]，功率效率[lm/W]，内部量子效率(IQE)[%])
表2
电压 电流 亮度 电流效率 功率效率 IQE CIE(X) CIE(Y)
实施例6 5.9 0.9 1180 11.8 6.3 15.8 0.649 0.338
实施例7 5.7 0.9 1195 11.9 6.6 16.6 0.650 0.340
实施例8 5.6 0.9 1260 12.6 7.1 17.1 0.650 0.336
实施例9 5.5 0.9 1241 12.4 7.1 16.9 0.651 0.330
实施例10 6.5 0.9 772 7.7 3.7 10.8 0.650 0.336
比较例2 7.5 0.9 780 7.8 3.3 10.4 0.659 0.329
如表2中所示，与现有技术的化合物相比，使用所述红色磷光化合物的发光二极管在驱动电压、亮度、电流效率、功率效率、内部量子效率和色纯度方面具有优势。另外，通过溶液工艺可制得具有提高的色纯度的OLED器件。
对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以在不脱离本发明的主旨和范围的情况下对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明意在涵盖对本发明进行的修改和变化，只要这些修改和变化是在所附权利要求及其等同物的范围之内即可。

Claims (18)

1.一种下式的红色磷光化合物：
其中，Ar1和Ar2中的每一个独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团，Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。
2.如权利要求1所述的化合物，其中，所述杂芳环基包括吡啶基、联吡啶基、喹啉基、异喹啉基、三联吡啶基和菲咯啉基。
3.如权利要求1所述的化合物，其中，Ar1和Ar2的取代基独立地选自C5～C20芳基、C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、卤素、氰基和甲硅烷基。
4.如权利要求1所述的化合物，其中，Ar1和Ar2的取代基独立地选自吡啶基、联吡啶基、喹啉基、异喹啉基、三联吡啶基、菲咯啉基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丁氧基、氟、氯、氰基和三甲基甲硅烷基。
5.如权利要求1所述的化合物，其中，Ar1和Ar2独立地选自以下：
Figure FDA0000425543890000012
6.如权利要求1所述的化合物，其中，所述化合物包括以下化合物之一：
Figure FDA0000425543890000022
Figure FDA0000425543890000031
Figure FDA0000425543890000041
Figure FDA0000425543890000051
Figure FDA0000425543890000061
Figure FDA0000425543890000071
7.一种下式的红色磷光化合物：
Figure FDA0000425543890000072
其中，Ar1和Ar2各自独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团，Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。
8.如权利要求7所述的化合物，其中，所述杂芳环基包括吡啶基、联吡啶基、喹啉基、异喹啉基、三联吡啶基和菲咯啉基。
9.如权利要求7所述的化合物，其中，Ar1和Ar2的取代基独立地选自C5～C20芳基、C1～C10烷基、C1～C10烷氧基、卤素、氰基和甲硅烷基。
10.如权利要求7所述的化合物，其中，Ar1和Ar2的取代基独立地选自吡啶基、联吡啶基、喹啉基、异喹啉基、三联吡啶基、菲咯啉基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丁氧基、氟、氯、氰基和三甲基甲硅烷基。
11.如权利要求7所述的化合物，其中，Ar1和Ar2独立地选自以下：
Figure FDA0000425543890000073
Figure FDA0000425543890000081
12.如权利要求7所述的化合物，其中，所述化合物包括以下化合物之一：
Figure FDA0000425543890000091
Figure FDA0000425543890000111
Figure FDA0000425543890000121
13.一种有机发光二极管器件，所述器件包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
位于所述第一电极和第二电极之间的发光材料层，所述发光材料层包含下式的红色磷光化合物：
其中，Ar1和Ar2中的各自独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团，Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。
14.如权利要求13所述的器件，其中，所述红色磷光化合物能溶解于非极性溶剂，从而通过溶液工艺形成所述发光材料层。
15.如权利要求13所述的器件，其中，所述红色磷光化合物充当所述发光材料层中的主体。
16.一种有机发光二极管器件，所述器件包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
位于所述第一电极和第二电极之间的发光材料层，所述发光材料层包含下式的红色磷光化合物：
Figure FDA0000425543890000131
其中，Ar1和Ar2各自独立地选自氢、具有取代基或不具有取代基的杂芳环基、具有取代基或不具有取代基的脂环族基团和具有取代基或不具有取代基的脂肪族基团，Ar1和Ar2中的至少一个不是氢。
17.如权利要求16所述的器件，其中，所述红色磷光化合物能溶解于非极性溶剂，从而通过溶液工艺形成所述发光材料层。
18.如权利要求16所述的器件，其中，所述红色磷光化合物充当所述发光材料层中的主体。
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