CN103887365A - 用于结晶硅太阳能电池的抗反射涂敷层的优化 - Google Patents

用于结晶硅太阳能电池的抗反射涂敷层的优化 Download PDF

Info

Publication number
CN103887365A
CN103887365A CN201310713926.0A CN201310713926A CN103887365A CN 103887365 A CN103887365 A CN 103887365A CN 201310713926 A CN201310713926 A CN 201310713926A CN 103887365 A CN103887365 A CN 103887365A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gas
arc
substrate
approximately
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310713926.0A
Other languages
English (en)
Inventor
M·P·斯图尔特
D·K·科恰尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN103887365A publication Critical patent/CN103887365A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明的实施例包括一种太阳能电池和形成太阳能电池的方法。具体地，所述方法可用于在太阳能电池基板上形成具有期望的功能和光学性质的钝化/抗反射层。在一个实施例中，一种在太阳能电池基板上形成抗反射层的方法包括以下步骤：使第一处理气体混合物流动到处理腔室中，其中所述第一处理气体混合物至少包括含硅气体和含氮气体，其中供应到第一处理气体混合物中的含硅气体与含氮气体的流量比率被控制在大约2:1到大约1:5之间；在存在第一处理气体混合物的情况下，施加源RF功率到所述处理腔室；将工艺压力控制在低于100mTorr；以及在基板上形成含氮化硅的层。

Description

用于结晶硅太阳能电池的抗反射涂敷层的优化
技术领域
本发明的实施例通常涉及太阳能电池的制造，并且具体地涉及结晶硅太阳能电池的抗反射涂敷(anti-reflective coating;ARC)层。
背景技术
太阳能电池是将日光直接转换为电能的光生伏打装置。最常见的太阳电池材料是硅(Si)，所述太阳电池材料的形式可以是单晶的、聚晶的、多晶的基板，或者是非晶膜。正在采取措施减少太阳能电池的制造成本，以及因而减少所生产电池的成本，同时维持或增加所生产的太阳能电池的总效率。
可以通过在形成太阳能电池的硅基板中的发射极区上使用钝化层或抗反射涂敷(anti-reflective coating;ARC)层来提高太阳能电池的效率。当光从一个媒介传递到另一个媒介，例如从空气到玻璃，或者从玻璃到硅时，一些光可能会从两个媒介之间的界面反射掉。光的被反射部分是两个媒介之间的折射率差的函数，其中两个相邻媒介的折射率的较大差异会导致较多部分的光从两个媒介之间的界面反射。
太阳能电池将入射光能转换成电能的效率受到许多因素的不利影响，这些因素包括入射光从太阳能电池反射掉的部分以及入射光被电池结构（诸如ARC层）吸收的部分，以及太阳能电池中电子和空穴的复合速率。每当电子空穴对复合时，载流子消除，从而减少所述太阳能电池的效率。复合可能发生在基板的块状硅中，此情况下复合是块状硅中缺陷数目的函数，或者复合可能发生在基板的表面上，此情况下复合是存在的悬空键（即，未端封的化学键）的数量的函数。
ARC层经由降低复合速率极大地改善了太阳能电池的效率，然而折射率(n(λ))需要和周围层协调以最小化光反射，同时仍然维持所需的太阳能电池的光吸收能力。典型地，薄的透明膜具有固有的消光系数(k(λ))，消光系数(k(λ))的大小指示被所述薄膜吸收的光量，以及所述薄的透明膜还具有折射率(n)，所述折射率(n)的大小指示当光一个媒介传递到另一个媒介中时光的弯曲程度。所给定的折射率(n(λ))和消光系数的具体值是以可变化的波长lambda(λ)求值的，以用于折射率(n(λ))和消光系数(k(λ))的测量。用于求折射率的值的常用波长λ是633nm的波长，所述波长适用于太阳能电池，因为这个波长接近有效太阳光谱的能量加权中点。用于求消光系数的值的常用波长λ是400nm的波长，所述波长适用于ARC膜，因为在这个波长时，一些类型的ARC膜中可发生相当多的光吸收。另一种表示介电材料吸收概念的方法是使用光学带隙（E0或Tauc间距），所述光学带隙以电子伏特(eV)为单位。就这个概念与光吸收有关的意义上来说，这个概念类似于消光系数(k)。然而差异在于描述较大波长范围的特征吸收的值E0往往是有效的太阳光谱中的最大值。以eV为单位的值E0粗略地描述了高吸收的波端开始处的光电能量值。例如，在光能低于3.0eV时，3.0eV的E0值将指示几乎透明的膜，而在光能超过3.0eV时，3.0eV的E0值将指示越来越吸收的膜。
在用作ARC层的薄膜（诸如SiN）中，n和K值的大小经由克拉莫-克若尼关系式(Kramers-Kronig relationship)而相关联，在所述关系式中，如果一个值高，那么另一个值同样也会高。因为ARC层的折射率范围受材料限制，所以在现有技术的实践中所得K值的范围也因而受限，以及因此不合格的高K值可视作是合格的折射率的不可避免的后果。
因此，存在对形成ARC层或钝化层的改善方法的需要，所述ARC层或钝化层具有可最小化载流子表面复合、改善所形成的太阳能电池的效率的综合功能性质和光学梯度性质，并且具有期望的光学性质和钝化作用性质。
发明内容
鉴于上述，本发明的实施例通常提供用于制造抗反射涂敷(anti-reflective coating;ARC)层的方法，所述ARC层可以作为用于太阳能电池的高品质的钝化层和ARC层两者。在一个实施例中，一种在太阳能电池基板上形成抗反射层的方法包括以下步骤：使第一处理气体混合物流动到处理腔室中，其中所述第一处理气体混合物至少包括含硅气体和含氮气体，其中供应到第一处理气体混合物中的含硅气体与含氮气体的流量比率被控制在大约2:1到大约1:5之间；在存在第一处理气体混合物的情况下，将源射频电源施加到所述处理腔室；将工艺压力控制在100mTorr以下；以及在基板上形成含氮化硅的层。
在另一个实施例中，形成在太阳能电池装置中的钝化/ARC层包括布置在一个或多个p型掺杂区域上的介电层，所述p型掺杂区域形成在太阳能电池的表面中，其中所述介电层在633nm波长时的折射率(n633)在大约2.0和大约2.8之间，以及所述介电层的在400nm波长时的消光系数(k400)小于0.1，其中所述电介质是SiN、SiC或碳层。
在又一实施例中，太阳能电池装置包括基板，所述基板具有形成在基板的向阳表面上的结区钝化抗反射层，所述钝化抗反射层包括布置在一或多个p型掺杂区域上布置的介电层，所述p型掺杂区域形成在太阳能电池的表面中，其中所述介电层在633nm波长时的折射率(n633)在大约2.0和大约2.8之间，以及所述介电层的在400nm波长时的消光系数(k400)小于0.1，其中所述介电层是SiN、SiC或碳层。
附图说明
因此，参照实施例来提供于上文简要概述的本发明的更详细叙述，以达到且更详细了解本发明的上述的特征结构，其中一些实施例图示在附图中。然而，应注意，附图仅图示本发明的典型实施例，且因此不视为对本发明范围的限制，因为本发明可允许其他同等有效的实施例。
图1描绘根据本发明的一个实施例的结晶太阳能电池基板的一部分的剖视图；
图2A-2B描绘根据本发明的一个实施例适用于沉积抗反射涂敷(anti-reflectivecoating;ARC)层的设备的剖视图；
图3描绘根据本发明的一个实施例在太阳能电池基板上执行ARC层形成工艺的工艺流程图；以及
图4A-4C描绘对应于在图3中图示的工艺的不同阶段的结晶太阳能电池基板的一部分的剖视图。
为了促进理解，尽可能使用相同的元件符号指代在诸图中共用的相同元件。预计一个实施例的元件和特征结构可以有利地并入另一个实施例，因此无需进一步赘述。
具体实施方式
本发明通常提供形成高品质的、具有期望的折射率(n)值和消光系数(k)值的抗反射涂敷(anti-reflective coating;ARC)层的方法，所述ARC层适于形成高效的太阳能电池装置。在一个实施例中，提供形成具有高折射率(n)但低消光系数(k)的钝化/ARC层的方法。经由对在成膜期间供应的不同工艺化学物质的流量比率的调整，可以获得具有所需特定光学和功能性质的合成ARC/钝化层。
图1描绘根据本发明的一个实施例的结晶太阳能电池基板150的一部分的剖视图。基板150具有布置在所述基板150的一个或多个表面中的掺杂剂。基板150可以是单晶硅基板或多晶硅基板、含硅基板、含掺杂硅的基板，或者其他适当的基板。在一个实施例中，所述基板150是含掺杂硅的基板，具有布置在基板中的p型掺杂剂或n型掺杂剂。在一种结构中，所述基板150是p型结晶硅(crystalline silicon;c-Si)基板。用于硅太阳能电池制造的p型掺杂剂是化学元素，诸如，硼(B)、铝(Al)或镓(Ga)。在另一种配置中，所述结晶硅基板150可以是电子级硅基板，或低寿命、富缺陷的硅基板，例如超冶金级(upgraded metallurgical grade;UMG)结晶硅基板。所述UMG硅是一种相对洁净的聚晶硅原料，所述UMG硅具有低浓度的重金属及其他有害杂质，例如百万分之几级的重金属及其他有害杂质，但是UMG硅可包含高浓度的硼或磷，取决于来源。在某些应用中，基板可以是背触点式硅基板，所述基板经由发射极穿孔卷绕(emitter wrap through;EWT)、金属化回绕(metallization wrap around;MWA)，或金属穿孔卷绕(metallization wrap through;MWT)途径来制备。虽然在这里描绘的实施例和所述实施例的相关论述主要论述了p型c-Si基板的使用，但是这个配置并非意欲限制本发明的范围，因为在不脱离本文描述的实施例的基本范围的情况下，还可以使用n型c-Si基板。在所述基板上形成的掺杂层或发射极将如所需地基于基板类型而变化。
任选地，执行清洗工艺以清洗基板150，从而形成纹理表面106。所述清洗工艺清洗基板150的表面以去除任何不期望的材料，以及所述清洗工艺使基板150的表面106变粗糙。所述基板150具有第一表面106（例如，正面）和第二表面105（例如，背面），所述第二表面105通常与第一表面106相对，并且在所述基板150的相对侧上。在一个实施例中，可以使用任何适用技术清洗所述基板150。
在太阳能电池基板150前侧上的所述纹理表面经调适用于在太阳能电池已经形成之后接收日光。形成所述纹理表面106以提高太阳能电池中的光捕捉，从而改善转换效率。掺杂材料，诸如掺杂气体，用于在太阳能电池基板150的表面106上形成掺杂区域116（例如，p+或n+掺杂区域）。在一个实施例中，所述掺杂区域116通过利用气相掺杂工艺而形成在基板150中。在一个实施例中，所述掺杂区域116的厚度在大约和大约20μm之间，并且所述掺杂区域116包括n型或p型掺杂原子。在一个实施例中，所述掺杂区域116可能包括布置在p型基板150中的n型掺杂剂。
ARC层或钝化层120形成在基板150的正面纹理表面106上。ARC层120可经由如下参考图3-4C所描述的工艺制造。所述ARC层/钝化层120可以是单层、双层、多层、复合层等等形式。在一个实例中，所述抗反射层/钝化层120可以是薄的ARC/钝化层，诸如氮化硅、氧氮化硅或二氧化硅，所述薄ARC/钝化层将在之后参考图3-4C详细地描述。在一个实施例中，所述钝化/ARC层120可以是单层、膜堆叠，所述膜堆叠包括与正面纹理表面116接触的第一层和布置在所述第一层上的第二层。将第一金属膏110有选择地沉积在背面105上，以利用喷墨印刷、橡胶压印、孔版印刷、丝网印刷或其他类似工艺形成背部金属触点，以形成和定义所需图案，在所需图案中形成有到下方的基板表面（例如，硅）的电触点。在一个实施例中，所述第一金属膏110在基板150上经由丝网印刷工艺而以期望的图案布置，在所述丝网印刷工艺中，所述背触点金属膏110经由不锈钢丝网印刷在所述基板150上。在一个实施例中，所述丝网印刷工艺可以在SoftLineTM系统中执行，所述SoftLineTM系统可以从应用材料意大利股份责任有限公司(Applied Materials Italia S.r.l.)购得，所述应用材料意大利股份责任有限公司是位于加利福尼亚州，圣克拉拉市的应用材料公司(Applied MaterialsInc.)的分公司。同样可以预计的是来自其他制造商的沉积设备也可以使用。在一个实施例中，第一金属膏110可以选自以下物质：银、银合金、铜(Cu)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)及/或铝(Al)，或者其他适当的金属，从而提供合适的导电源用于形成到基板表面上的电触点。
背面钝化层108沉积在基板150的第二表面105（例如，背面）上。所述背面钝化层108可以用与用于制造布置在基板150的正面106上的ARC层/钝化层120所选择的材料类似的材料制造。所述背面钝化层108可以是提供优良的表面/界面性质的介电层，所述表面/界面性质减少电子和空穴的复合，驱动及/或扩散电子和载流子。在一个实施例中，所述背面钝化层108可以用选自由以下材料组成的群组的介电材料制造：氮化硅(Si3N4)、氢化氮化硅(SixNy:H)、二氧化硅、氧氮化硅、二氧化硅和氮化硅的复合膜、氧化铝层、氧化钽层、二氧化钛层，或者任何其他适当的材料。在一个实施例中，所述钝化层108包括两个层或区域，诸如布置在基板150的背面105上的氧化铝层(AlxOy)113和布置在所述氧化铝层(AlxOy)113上的氮化硅层111。
金属化层包括前触点结构104及/或导电母线102，所述金属化层形成在基板150的正面上的ARC/钝化层120上。在背触点金属膏110布置在基板150的背面105上之后，所述前触点结构104可以以期望的图案沉积在所述ARC/钝化层120的表面上。通常，所述前触点结构104的厚度可能在大约500埃和大约100000埃(angstroms;
Figure BDA0000443098020000061
)之间，宽度在大约10μm到大约200μm之间，并且包含金属，诸如铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)、钯(Pd)、钼(Mo)、钛(Ti)、钒(V)、钨(W)，或铬(Cr)。在一个实施例中，所述前导电触点104是含银(Ag)金属膏，并且经由丝网印刷工艺以期望的图案沉积。所述丝网印刷工艺可以用SoftLineTM系统执行，所述SoftLineTM系统可以从应用材料意大利股份责任有限公司购得。
所述导电母线102形成并附着于所述前触点结构104的至少一部分，以允许太阳能电池装置连接到其他太阳能电池或外部装置。在一个实施例中，如有必要所述导电母线104使用焊接材料连接到所述前触点结构104，所述焊接材料可能包含焊锡材料（例如，Sn/Pb、Sn/Ag）。在一个实施例中，所述导电母线102的厚度是大约200微米，并且所述导电母线102包含金属，诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、钴(Co)、铼(Rh)、镍(Ni)、锌(Zn)、铅(Pb)、钯(Pd)，及/或铝(Al)。在一个实施例中，每一导电母线104由一条尺寸为大约30量规（美国标准线规(AWG)：约0.254mm）或更小的导线组成。在一个实施例中，所述导电母线102涂敷有焊锡材料，诸如Sn/Pb或Sn/Ag焊锡材料。
第二金属膏112和导电层114可以形成在基板150的背面105上的背面钝化层108上。所述第二金属膏112可以形成、布置及/或沉积在下方的第一金属膏110上方，以便在后续的热处理步骤期间，导电通路可以从基板150的背面105延伸到所述第二金属膏112的一部分。在一个实施例中，所述第二金属膏112可以参考描述用于形成第一金属膏110的工艺而以如上所述的类似材料和类似工艺形成。
图2A-2B是处理腔室200的一个实施例的侧面剖视图，在所述处理腔室200中可以根据本发明的一个实施例执行一种ARC/钝化层沉积工艺，以例如用于沉积背面钝化层108，或ARC层或钝化层120。图2A是所述处理腔室200的侧面剖视图，所述处理腔室200位于群集处理系统（未图示）中，在所述群集处理系统中结合的不同类型的处理腔室的情况下，如所需要的，所述群集处理系统可以接收待处理基板的线性阵列。所述处理腔室200可以与所述群集处理系统的传递方向对齐，或者与所述群集处理系统的X轴方向平行。本文所描述的一种适当的处理腔室和群集处理系统可以在
Figure BDA0000443098020000071
系统中实践，所述系统可以从位于加利佛尼亚州，圣克拉拉市的应用材料公司购得。可以预计的是从其他制造商处购得的其他沉积腔室和包括那些沉积腔室的群集处理系统同样可以用于实践本发明。
在一个实施例中，所述处理腔室200包括一个或多个沉积源（诸如图2A所示的沉积源260A-260D）、气源228和229、电源230、腔室壁202，所述腔室壁202至少部分地封装处理区域206的一部分和基板自动化系统215的至少一部分。图2B是两个沉积源260A和260B的特写侧面剖视图，所述沉积源260A和260B用于当基板150在所述沉积源下方穿过时在所述基板150的表面上形成钝化层。所述壁202通常包含可以在结构上支撑当环境243被加热到期望的温度并利用真空泵242抽气到负压时所述环境243施加的负荷的材料，所述环境243在所述处理区域206外。所述壁202包含诸如铝材料或者不锈钢的材料。
在一种配置中，所述基板自动化系统215的部分包括中间输送装置221，所述中间输送装置221经调适用于通过利用一个或多个致动器（未图示）而支撑、引导所述基板200移动穿过所述处理腔室，所述致动器例如是步进电动机或随动电动机。在一种配置中，所述中间输送装置221包括两个或更多个滚筒212和运输带213，所述滚筒212和运输带213被配置成在处理期间在X轴正+方向支撑和移动各排基板150。
在所述处理腔室200的一个实施例中，每一沉积源260A-260D耦合到至少一个气源，诸如中央气源228和边缘气源229，所述至少一个气源被配置成输送一种或多种处理气体到处理区域206中形成的处理区域225中、到每一沉积源下面，以及到设置在所述沉积源下方的基板150的表面上。如图2B所示，所述沉积源260A-260D被配置成在基板150上延伸，所述基板150设置在基板自动化系统215上。
如图2B所示，所述沉积源包括至少一个气体输送元件，诸如第一气体输送元件281和第二气体输送元件282，所述气体输送元件分别被配置成将所述处理气体引导到所述处理区域225。第一气体输送元件281包含流体充气增压部261，所述流体充气增压部261被配置成从所述中央气源228接收处理气体以及将所接收到的气体通过所述流体充气增压部261中形成的多个孔263输送到所述处理区域225。类似地，第二气体输送元件282包含流体充气增压部262，所述流体充气增压部262被配置成从所述边缘气源229接收处理气体以及将所接收到的气体通过所述流体充气增压部262中形成的多个孔264输送到所述处理区域225。所述气源228和229被配置成提供一种或多种前驱物气体和/或载气，所述前驱物气体和/或载气用于通过利用等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;PECVD)工艺在所述基板150的表面上沉积层。在一个工艺次序中，所述气源228和229中的至少一个被配置成将含硅气体（诸如，硅烷(SiH4)）输送到沉积源，以及所述气源228和229中的至少一个被配置成将含氮气体（诸如氮气(N2)或氨气(NH3)）输送到沉积源，以便在所述基板的表面上形成氮化硅层。在另一实施例中，所述气源228和229中的至少一个被配置成将含硅气体（诸如硅烷(SiH4)）和含碳气体（诸如甲烷(CH4)）输送到沉积源，以在所述基板的表面上形成碳化硅层(SixCyHz)。在另一实施例中，所述气源228和229中的至少一个被配置成将含碳气体（诸如甲烷(CH4)、乙炔(C2H2)、乙烯(C2H4)、四氯甲烷(CCl4)、氯仿(CHCl3)、二氯甲烷(CH2Cl2)或氯甲烷(CHCl3)）和含氢气体（诸如，氢气(H2)）输送到沉积源，以在所述基板的表面上形成金刚石碳层(CxHy)。在另一实施例中，所述气源228和229中的至少一个被配置成将含铝气体（诸如三甲基铝(TMA)）和含氧气体（诸如氧气(O2)或一氧化氮(N2O)）输送到沉积源，以在所述基板的表面上形成氧化铝层(AlxOy)。在另一实施例中，所述气源228和229中的至少一个被配置成将含铝气体（诸如三甲基铝(TMA)）、含氮气体（诸如氧气(N2)、一氧化氮(N2O)或氨气(NH3)）和含氧气体（诸如氧气(O2)或一氧化氮(N2O)）输送到沉积源，以在所述基板的表面上形成氮氧化铝层(AlxOyNz)。
在一种配置中，如图2B所示，电源230被配置成使用射频电源230C、可选匹配230A（例如，匹配网路）和电连接230B输送射频能量到所述处理区域225，以在所述处理区域225中形成等离子体“P”，从而增强在基板150上执行的沉积工艺。在一个实施例中，施加电偏压到设置在所述处理区域206内的电极280，以帮助提高所述沉积膜的特性。在一种配置中，通过利用电源287（图2A）施加偏压到电极280，所述电源287可以包括有源电偏压电源（例如，AC或DC电源）或开关，所述开关有选择地将所述电极280的部分接地。在一个实施例中，所述电极280可包括加热元件284，诸如电阻加热元件284，所述电阻加热元件284可以经由各别的加热器电源（未图示）供电。所述电极280位于基板150附近，以在处理期间将基板150加热到约200℃到约550℃的温度。电极280和/或加热元件284可以用导电材料制造，以起接地或射频(radio frequency;RF)电极作用，从而充当电容耦合等离子体中的电极。
在处理期间，使第一前驱物气体以第一速率流入所述处理区域225，以及使第二前驱物气体以第二速率流入所述处理区域225，以便在等离子体流量225中提供不同的等离子体密度和/或不同的离子流，从而形成具有可调整的和不同的组成的薄膜。可以经由使用相同的或不同的前驱物形成梯度薄膜。在一个实施例中，所述梯度薄膜可以是一个或多个氢化氮化硅(SixNy:H)层，所述氢化氮化硅层在各处具有不同的氢气浓度和/或Si:N键。在另一实施例中，一个或多个所述梯度薄膜层可以是具有不同化学当量（诸如，不同的铝氧比）的氧化铝(AlxOy或氮氧化铝(AlxOyNz)。虽然在基板150上形成的材料层会发生轻微的暂时剥落，但是可以在基板150的表面上形成单一连续的薄膜。在一个实例中，有来自第一气源228的第一流率的前驱物气体和来自第二气源229的第二流率的前驱物气体。
图3是根据本发明的一个实施例，用于制造ARC/钝化层（诸如在图1中描绘的ARC/钝化层120或背面钝化层108）的工艺300的一个实施例的流程图。所述工艺300可以在处理腔室中执行，诸如在图2A-2B中描绘的处理腔室200，或者其他合适的腔室。图4A-4C描绘根据在图3中描绘的工艺300，在基板上执行ARC/钝化层沉积工艺的各制造阶段的顺序。
所述工艺300在步骤302处开始，将基板（诸如，如图4A所示的基板150）传递到处理腔室（诸如，如图2A-2B所描绘的处理腔室200）。在图4A所描绘的实施例中，所述基板150与在图1中所描绘的实施例类似地构造。所述基板150包括纹理表面106，所述纹理表面106上形成有掺杂区域116。形成在基板150的背面上的结构/特征结构未图示，并且为简洁起见而删去。
在步骤304，供应第一气体混合物到处理腔室中。在一个实例中，所述气体混合物可至少包括含硅气体和含氮气体，以在基板150上形成含氮化硅的层作为ARC/钝化层450。在图4B所描绘的实施例中，使用单层的ARC/钝化层402。所述含硅气体的合适实例包括SiH4、Si2H6、SiCl4等等。所述含氮气体的合适实例包括N2、NH3、N2O、NO2，上述气体的组合等等。在本文描述的一个实施例中，在所述第一气体混合物中供应的含硅气体是SiH4，以及在所述第一气体混合物中供应的含氮气体是N2。选择所述沉积层的层序，以便为给定的太阳能电池晶片和结型最有利地提供优良的表面或界面钝化和光学梯度。
所述ARC/钝化层402被配置成具有期望的光学性质，以最小化当光经过所述ARC/钝化层402时的光反射和光吸收。对太阳能电池的ARC/钝化层402的期望性质进行平衡是困难的。在本文参考图4B描绘的实施例中，所述ARC/钝化层402被配置为氮化硅层。当使用氮化硅（SixNy，还缩写为SiN）薄膜作为ARC/钝化层402时困难性增加，这是因为实现期望的薄膜性质需要平衡用于形成具有特别的光学或功能品质的ARC/钝化层402的对抗工艺参数。更难以在氮化硅中同时获得低消光系数(k)性质与高折射率(n)。实际上通常当使用常规的薄膜形成方法时，具有有高折射率(n)的薄膜还意味着产生具有高消光系数(k)的薄膜。换句话说，变量n和k彼此镜面对称，其中当根据常规方法形成薄膜时，n和k通常一起增大或减小。k值大小和n值大小的独立性将提供将期望的光学和功能性质组合到ARC/钝化层中的能力，即，使得能够获得较低的k和因此较少的光损失，以及同时获得较高的n和因此较低的反射率。应注意n和k的测量值取决于测量n和k时的频率，即光的波长。分别在400nm和633nm测量本文论述的k值和n值。
在一个实施例中，据发现硅-硅键合对k值的大小有显著的影响。在所得的ARC/钝化层中存在较高的硅-硅键合(Si-Si)比的情况下，所获得的k值也较高。相应地，经由有效地控制所得ARC/钝化层402的键合结构，可以获得n值和k值的期望平衡。如以上论述的，所述N-H/Si-H键合比对调整所述ARC/钝化层402的光学性质很重要。经由在ARC/钝化层402沉积期间增加所述等离子体的功率、降低工艺压力以及在所述第一气体混合物中供应的含硅气体和含氮气体的具体流量比，据信与常规沉积的钝化层相比，所得的沉积膜将会具有增加的折射率(n)和降低的k值。在大多数情况中，具有产生光吸收的氮化硅型钝化层的硅太阳能电池中存在的至少两种类型的键合是Si-H键合和Si-Si键合。然而，Si-H键合和Si-Si键合不是理论上全部是Si3N4的氮化硅材料（有时被称为化学当量的氮化硅）的部分。然而，由于仅为Si3N4的化学当量氮化硅层不含氢，所述化学当量氮化硅层是不良的太阳能ARC材料，这将会导致整体太阳能电池效率不良，因为化学当量的氮化硅的折射率在1.9左右。因此，需要添加氢到氮化硅ARC层中，以进一步增强所述ARC层的抗反射和钝化性质。
当将氢添加到硅基板上的氮化硅薄膜时，一些氢气用于形成N-H键合和Si-H键合。Si-H材料吸收在紫外线(ultraviolet;UV)范围边缘处的光并提供总K值的次要部分，而所述Si-Si材料吸收可见光并因此提供所述总K值的主要部分。需要附加的硅以使太阳能电池的折射率达所需水平。然而，所述附加硅不必键合到其他硅原子。据信在一个或多个钝化层沉积期间使用高等离子体功率会抑制（但不一定完全阻止）生长膜中Si-Si键合的形成以及增强生长膜中Si-N键合和/或Si-H键合的形成。换句话说，高等离子体功率密度、低工艺压力以及含硅气体和含氮气体的具体流量比会最小化在生长膜中的Si原子键合和/或最初在所述基板表面处在含硅前驱物气体中存在的与Si原子的键合。经由在所述生长膜中最小化Si-Si键合并且增加Si-N键合和Si-H键合的百分比，可以调整和/或控制所沉积的氮化硅薄膜的K值。
在一个实施例中，在沉积期间调节所述含硅气体和所述含氮气体的流量的具体气体比范围，以便产生具有特定键合结构的ARC/钝化层402，所述特定键合结构具有期望的不同元素比率（诸如硅、氮和氢的比(Si:N:H)）。在一个实例中，希望具有相对较高的硅氢键合(Si-H)、硅氮键合(SiN)，而不是硅-硅键合(Si-Si)。藉此，相对地可获得低k值，这是因为所得的ARC/钝化层402中的硅-硅键合(Si-Si)比率控制在低比率。
在一个实施例中，在所得的ARC/钝化层402中含有的硅元素的比率被控制在约50体积百分数和约75体积百分数之间，诸如在约60体积百分数和约65体积百分数之间。在所得的ARC/钝化层402中含有的氢元素的比率被控制在约10体积百分数和约25体积百分数之间。在所得的ARC/钝化层402中含有的氮元素的比率被控制在约10体积百分数和约25体积百分数之间。
在所述总第一气体混合物中供应的含硅气体的流量比率控制在约20体积百分数和70体积百分数之间。在所述总第一气体混合物中供应的含氮气体的比率控制在约60体积百分数和80体积百分数之间。替代地，在所述第一气体混合物中供应的含硅气体和含氮气体的流量比率是控制在约2:1到约1:5之间，诸如在约1.5:1和约1:1之间。在一个实施例中，以约550sccm到约750sccm之间的值供应含硅气体。以约400sccm到约800sccm之间的值供应含氮气体。
在一个实施例中，可以选择经由中央气源228将含硅气体供应到处理区域225中，以及可以选择经由边缘气源229将含氮气体供应到处理区域225中。这使得含硅气体离子化或者间接地与活化的含氮气体反应，从而防止等离子源内部含硅残余物的沉积或积聚。
在步骤306，将源射频功率施加到所述处理腔室中，以当存在在步骤304供应的第一气体混合物的情况下形成等离子体。已发现经由使用较高的功率沉积所得的ARC/钝化层402，与使用正常的（即，较低的）功率范围相比，k和n趋向于变得更独立。比较高的等离子体功率密度允许形成期望的薄膜性质，所述薄膜性质显示出并非基于传统的高k值与高n值的耦合以及低k值与低n值的耦合的折衷的光学和功能梯度性质，以及此外经由使用多层沉积形成钝化层，可避免针孔延伸遍布整个膜层。在一个实施例中，将400mm宽的线性电源上的射频功率控制在3000瓦(Watts;W)以上，或者每线性厘米(cm)100瓦以上，诸如在约75W/cm和约150W/cm之间，例如约92W/cm。
另外，经由利用诸如小于100mTorr的相对功率压力范围，还可以获得较低的k值。据信在沉积期间所控制的较低压力范围可以帮助分割硅-硅键合(Si-Si)以及防止形成硅-硅群集结构，从而有效地减少在所得的ARC/钝化层402中形成的k值。此外，所述ARC/钝化层402的光学带隙还可以控制在3.0eV以上。在一个实施例中，所述压力被控制为小于100mTorr，诸如约小于20mTorr，例如约6mTorr。
当执行缓冲层沉积工艺时可以控制若干工艺参数。在存在第一气体混合物的情况下，可以使用小于约1000瓦的偏压功率帮助控制在等离子体中产生的离子的方向。基板温度可以控制在约150摄氏度和约500摄氏度之间，诸如约385摄氏度。所述间隔可以控制在约800密耳和约2000密耳之间，诸如1000密耳。所述工艺时间可以控制在达到ARC/钝化层402的期望厚度（诸如在约
Figure BDA0000443098020000131
和约
Figure BDA0000443098020000132
之间，诸如约500
Figure BDA0000443098020000134
）的时间范围。合适的工艺时间可以控制在约4秒和约24秒之间。
在步骤308，在基板150上形成ARC/钝化层402，如图4B所示。在上述工艺参数下，在633nm波长时所获得的ARC/钝化层402的折射率(n633)在约2和约2.8之间，例如在约2.0和约2.5之间，诸如约2.2。在400nm波长时获得的ARC/钝化层402的消光系数(k400)小于0.1，诸如约0.05或大约为0。
在另一实施例中，还可使用不同的材料形成所述ARC/钝化层402。在一个实施例中，还可使用碳化硅层(SixCyHz)形成所述ARC/钝化层402。在本实施例中，用于形成SiC层的前驱物可以是含硅气体（诸如在步骤304中在所述第一气体混合物中供应的含硅层）以及含碳气体。在另一实施例中，所述工艺可能仅使用含碳气体而不使用含硅气体，以形成类金刚石碳(CxHy)层。所述含碳气体的合适实例可以是烃气，诸如CH4、C2H6、C2H4，或者任何其他合适的含碳气体。在一些实施例中，可以按需要随所述含碳气体一起供应氢气(H2)稀释剂，以形成所述ARC/钝化层402。在一个实施例中，在633nm波长时，所述含碳ARC/钝化层402的折射率(n)控制在约2.0和约2.8之间，诸如在约2.2和约2.6之间，例如约2.4。所述光学带隙控制为大于3.0eV。或者，按需要也可使用具有期望范围的折射率(n)的TiO2材料、ZnS材料，或者ZnSe材料，所述折射率范围诸如在约2.0和约2.8之间。
另外，可以有选择地执行如虚线314所指示的可选步骤310和312，以形成在所述ARC/钝化层402上覆盖ARC/钝化层404。所述覆盖ARC/钝化层404与所述ARC/钝化层402的组合形成双膜结构，例如复合薄膜堆叠，以作为具有期望的光学、钝化和功能性质的ARC/钝化层。
在步骤310，在所述处理腔室中供应第二气体混合物，以将覆盖ARC/钝化层404沉积到下方的ARC/钝化层402上，如图4C所示。在一个实施例中，所述第二气体混合物可至少包括含硅气体、含氧气体和/或含氮气体。所述含硅气体的合适实例包括SiH4、Si2H6、SiCl4等等。所述含氧气体的合适实例包括O2、O3、N2O、NO2、NO、H2O、H2O2，这些气体的组合等等。所述含氮气体的合适实例包括N2、NH3、N2O、NO2，这些气体的组合等等。在本文描述的一个实施例中，在所述第二气体混合物中供应的含硅气体是SiH4，以及在所述第二气体混合物中供应的含氮气体是N2。或者，还可以按需要使用金属前驱物来形成含金属的介电材料作为基板150上的覆盖ARC/钝化层404。在一个实施例中，所述金属前驱物可包括含铝复合物，诸如乙氧基二乙基铝(Et2AlOEt)、三乙基-三-仲丁氧基二铝（Et3Al2OBu3，或EBDA）、乙氧基三甲基二铝、异丙氧化二甲基铝、乙氧基二硫代丁氧基铝、(OR)2AlR’，其中R和R’可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基，以及按需要可为具有更多数目的碳原子的其他烷基。
在步骤312，在所述处理腔室中供应所述第二气体混合物之后，可以在沉积期间调节工艺参数，以在所述下方的ARC/钝化层402上形成覆盖ARC/钝化层404。在一个实施例中，所述覆盖ARC/钝化层404可以是氧氮化硅(SiON)层、二氧化硅层，诸如PECVD氧化物、热氧化物，或者任何其他合适的氧化层，或者其他合适的介电材料。在另一实施例中，还可以使用氧化铝(Al2O3)、氮氧化铝(AlON)形成具有期望薄膜性质的覆盖ARC/钝化层404。所述覆盖ARC/钝化层404被控制成具有比设置在覆盖ARC/钝化层404下方的ARC/钝化层402所具有的折射率(n)大的折射率(n)。在一个实施例中，在633nm波长时，所述覆盖ARC/钝化层404可以被控制成具有在约1.0和约2.0之间的折射率(n)。在其中使用SiON、SiN或SiO2作为覆盖ARC/钝化层404的实施例中，在633nm波长时，所述折射率(n)被控制在约1.0和约1.8之间，诸如约1.7。在其中使用Al2O3或AlON层作为覆盖ARC/钝化层404的实施例中，在633nm波长时，所述折射率(n)被控制在约1.5和约2.0之间，诸如在约1.6和约1.7之间。在一个实施例中，所述覆盖ARC/钝化层404被控制成具有在约
Figure BDA0000443098020000141
和约
Figure BDA0000443098020000142
之间范围内的厚度，诸如约
Figure BDA0000443098020000143
以上讨论主要公开了一种用于制造具有期望范围的折射率和消光系数的ARC/钝化层的方法。在一个实施例中，使用具有高折射率值域和低消光系数值域的含氮化硅单层。在另一实施例中，可以使用含氮化硅的层与设置在所述含氮化硅的层上的含二氧化硅的层或其他合适的层一起构成的双层，以便提供结晶太阳能电池装置所期望的光学、钝化和功能的薄膜性质。
尽管上述内容是针对本发明的实施例，但可在不脱离本发明的基本范围的情况下设计本发明的其他和进一步实施例，且本发明的范围是由以下权利要求书来确定。

Claims (20)

1.一种在太阳能电池基板上形成抗反射层的方法，所述方法包括：
使第一处理气体混合物流动到处理腔室中，其中所述第一处理气体混合物至少包括含硅气体和含氮气体，其中供应到所述第一处理气体混合物中的所述含硅气体与所述含氮气体的流量比率被控制在大约1:1到大约1:5之间；
在存在所述第一处理气体混合物的情况下，施加源RF功率到所述处理腔室；
将工艺压力控制在低于100mTorr；以及
在所述基板上形成含氮化硅的层。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
在所述基板上的含氮化硅的层上形成覆盖ARC层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述覆盖ARC层是从由以下物质组成的群组中选出的：SiO2、SiON、Al2O3和AlON。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，施加所述源RF功率的步骤进一步包括：在存在所述第一处理气体混合物的情况下，施加大于3000瓦的源RF功率到所述处理腔室。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，施加所述源RF功率的步骤进一步包括：在存在所述第一处理气体混合物的情况下，施加小于1000瓦的RF偏压功率到所述处理腔室。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在633nm波长时，形成在所述基板上的所述含氮化硅的层具有在约2和约2.8之间的折射率(n)。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在400nm波长时，形成在所述基板上的所述含氮化硅的层具有小于0.1的消光系数（k值）。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一处理气体混合物包含氮气和硅烷。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，施加所述源射频(RF)功率的步骤进一步包括：将基板温度控制在约150摄氏度和约500摄氏度之间。
10.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氮化硅的层和所述覆盖ARC层形成在同一处理腔室中。
11.一种形成在太阳能电池装置中的钝化/ARC层，包括：
介电层，其中所述介电层设置在一个或多个p型掺杂区域上，所述p型掺杂区域形成在太阳能电池的表面中，其中所述介电层具有在633nm波长时在约2.0和约2.8之间的折射率(n633)以及在400纳米波长时小于0.1的消光系数(k400)，其中所述电介质是SiN、SiC，或碳层。
12.如权利要求11所述的钝化/ARC层，其特征在于，所述介电层是氮化硅层，所述氮化硅层中含有的硅元素的比率在约60体积百分数和约65体积百分数之间。
13.如权利要求11所述的钝化/ARC层，其特征在于，所述介电层是氮化硅层，所述氮化硅层中含有的氢元素的比率在约10体积百分数和约25体积百分数之间。
14.如权利要求11所述的钝化/ARC层，其特征在于，所述介电层是氮化硅层，所述氮化硅层中含有的氮元素的比率在约10体积百分数和约25体积百分数之间。
15.如权利要求11所述的钝化/ARC层，进一步包括：形成在所述含硅层上的覆盖ARC层。
16.如权利要求15所述的钝化/ARC层，其特征在于，所述覆盖ARC层具有比所述含硅层的折射率小的折射率。
17.如权利要求15所述的钝化/ARC层，其特征在于，所述覆盖ARC层具有在约1.0和约2.0之间的折射率(n)。
18.一种太阳能电池装置，包括：
基板，所述基板具有形成在所述基板朝阳表面上的结区钝化抗反射层，所述钝化抗反射层包括设置在一个或多个p型掺杂区域上的介电层，所述p型掺杂区域形成在太阳能电池的表面中，其中所述介电层具有在633nm波长时在约2.0和约2.8之间的折射率(n633)以及在400纳米波长时小于0.1的消光系数(k400)，其中所述介电层是SiN、SiC，或碳层。
19.如权利要求18所述的太阳能电池装置，进一步包括：
覆盖ARC层，所述覆盖ARC层设置在所述钝化抗反射层上，其中所述覆盖ARC层具有比所述钝化抗反射层的折射率小的折射率。
20.如权利要求18所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述覆盖ARC层具有在约1.0和约2.0之间的折射率(n)。
CN201310713926.0A 2012-12-21 2013-12-20 用于结晶硅太阳能电池的抗反射涂敷层的优化 Pending CN103887365A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/724,083 US20140174532A1 (en) 2012-12-21 2012-12-21 Optimized anti-reflection coating layer for crystalline silicon solar cells
US13/724,083 2012-12-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103887365A true CN103887365A (zh) 2014-06-25

Family

ID=50956180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310713926.0A Pending CN103887365A (zh) 2012-12-21 2013-12-20 用于结晶硅太阳能电池的抗反射涂敷层的优化

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20140174532A1 (zh)
CN (1) CN103887365A (zh)
TW (1) TW201427036A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104037245A (zh) * 2014-07-01 2014-09-10 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 具有带负电荷抗反射层的太阳电池及其制法
CN109659395A (zh) * 2018-12-19 2019-04-19 中山大学 一种perc太阳电池的背面钝化方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104521003B (zh) * 2012-08-09 2016-11-23 信越化学工业株式会社 太阳能电池的制造方法、以及通过该制造方法制造了的太阳能电池
US9366784B2 (en) 2013-05-07 2016-06-14 Corning Incorporated Low-color scratch-resistant articles with a multilayer optical film
US9110230B2 (en) 2013-05-07 2015-08-18 Corning Incorporated Scratch-resistant articles with retained optical properties
US11267973B2 (en) 2014-05-12 2022-03-08 Corning Incorporated Durable anti-reflective articles
CN104409565A (zh) * 2014-10-31 2015-03-11 太极能源科技（昆山）有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
US10529872B2 (en) * 2015-03-19 2020-01-07 Specmat, Inc. Silicon-containing semiconductor structures, methods of making the same and devices including the same
TWI573284B (zh) * 2015-03-26 2017-03-01 茂迪股份有限公司 太陽能電池、其模組及其製造方法
TW201635561A (zh) * 2015-03-26 2016-10-01 新日光能源科技股份有限公司 具有背面多層抗反射鍍膜的太陽能電池
TWI744249B (zh) 2015-09-14 2021-11-01 美商康寧公司 高光穿透與抗刮抗反射物件
US11522091B2 (en) 2016-01-27 2022-12-06 Shangrao Jinko Solar Technology Development Co., Ltd Solar cell
US10475835B2 (en) * 2016-09-05 2019-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device structure and manufacturing process thereof
CN110121786B (zh) * 2016-09-16 2020-07-24 商先创国际股份有限公司 半导体材料的表面钝化方法以及半导体基板
CN111094200B (zh) 2018-08-17 2022-01-07 康宁股份有限公司 具有薄的耐久性减反射结构的无机氧化物制品
TW202031486A (zh) * 2018-11-15 2020-09-01 美商康寧公司 光學膜結構、具有光學膜結構的無機氧化物製品以及製造其的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110272024A1 (en) * 2010-04-13 2011-11-10 Applied Materials, Inc. MULTI-LAYER SiN FOR FUNCTIONAL AND OPTICAL GRADED ARC LAYERS ON CRYSTALLINE SOLAR CELLS
KR101203623B1 (ko) * 2010-06-18 2012-11-21 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104037245A (zh) * 2014-07-01 2014-09-10 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 具有带负电荷抗反射层的太阳电池及其制法
CN104037245B (zh) * 2014-07-01 2017-11-10 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 具有带负电荷抗反射层的太阳电池及其制法
CN109659395A (zh) * 2018-12-19 2019-04-19 中山大学 一种perc太阳电池的背面钝化方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140174532A1 (en) 2014-06-26
TW201427036A (zh) 2014-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103887365A (zh) 用于结晶硅太阳能电池的抗反射涂敷层的优化
US8252624B2 (en) Method of manufacturing thin film solar cells having a high conversion efficiency
CN101582464B (zh) 在组成上被分级的和在结构上被分级的光伏器件以及制造这种器件的方法
US20090250108A1 (en) Silicon carbide for crystalline silicon solar cell surface passivation
US20070023081A1 (en) Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
US20070023082A1 (en) Compositionally-graded back contact photovoltaic devices and methods of fabricating such devices
WO2013130179A2 (en) Buffer layer for improving the performance and stability of surface passivation of si solar cells
JPH11243218A (ja) 積層型光起電力素子
TW201324818A (zh) 製造矽異質接面太陽能電池之方法與設備
US20100009489A1 (en) Method and system for producing a solar cell using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition
CN1476052A (zh) 叠层体形成方法以及光电器件的制造方法
JP6609324B2 (ja) 光電変換装置の製造方法
JPH10242492A (ja) 非晶質シリコンゲルマニウム薄膜の製造方法及び光起電力素子
JPH11103082A (ja) 光起電力素子及びその作製方法
JP2978395B2 (ja) 光起電力素子の製造法
JP3017428B2 (ja) 光起電力素子の形成方法
JP3017429B2 (ja) 光起電力素子の形成方法
JP3017393B2 (ja) 光起電力素子の製造法
JP3862615B2 (ja) シリコン系薄膜形成装置およびシリコン系薄膜形成方法
CN110998869B (zh) 光电转换元件的制造方法
WO2011016490A1 (ja) 積層型光起電力素子および積層型光起電力素子の製造方法
JP3017394B2 (ja) 光起電力素子の製造法
JP3017427B2 (ja) 光起電力素子の形成方法
JP3017392B2 (ja) 光起電力素子の製造法
JP3017426B2 (ja) 光起電力素子の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140625