CN103869568A - 用于窄边框型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

用于窄边框型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。提供一种用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括：多条成对选通线，彼此在第一距离并且在基板上的相邻的第一区域之间的边界处，所述基板包括显示区域，显示区域包括多个第一区域，每个第一区域包括两个相邻的像素区域；栅绝缘层，在所述选通线上并且包括露出每条选通线的栅接触孔；多条数据线，它们与成对的选通线交叉，第一区域位于每个交叉处；辅助选通线，其与所述数据线平行并且在两个相邻的两个像素区域之间的边界处；以及薄膜晶体管，在每个像素区域中并且连接到对应的选通线和数据线，其中，辅助选通线通过所述孔接触对应的选通线。

Description

用于窄边框型液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
技术领域
以下描述涉及液晶显示装置及方法，更具体地，涉及用于具有窄边框的液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。
背景技术
最近，液晶显示装置（LCD）因为具有低功耗和优异的便携性而吸引关注，并且是技术密集和高附加值值产品。
在以矩阵形式排列的每个像素中包括作为开关元件的薄膜晶体管（TFT）的有源矩阵型LCD被广泛使用，因为它具有优异的分辨率和显示运动图像的能力。
总体上，LCD是通过制造阵列基板和滤色器基板并且在阵列基板和滤色器基板之间注入液晶来制造的。
图1是例示根据相关技术的LCD的分解立体图。
参照图1，LCD1包括阵列基板10和滤色器基板20，阵列基板10和滤色器基板20之间夹着液晶层30。阵列基板10包括：位于透明基板12上的多条选通线14和多条数据线16以限定多个像素区域P；以及薄膜晶体管Tr，其形成在选通线14和数据线16的交叉部分处，并且连接到每个像素区域P中的像素电极。
滤色器基板20包括：位于透明基板22上的格子形状的黑底25，其包围像素区域P的边界以屏蔽诸如选通线14、数据线16和薄膜晶体管Tr这样的非显示元件；滤色器层26，其包括各个像素区P中的红（R）滤色器层26a、绿（G）滤色器层26b和蓝（B）滤色器层26c；以及公共电极28，其位于黑底25和滤色器层26上。
尽管附图中未示出，但是在阵列基板10的周边部分和滤色器基板20的周边部分之间形成有密封件，以防止液晶层30泄漏。配向层分别形成在阵列基板10和液晶层30之间以及滤色器基板20和液晶层30之间，并且偏振片位于阵列基板10的外表面和滤色器基板20的外表面中至少一个上。
背光单元（未示出）位于阵列基板下方，并且驱动部分（未示出）连接到阵列基板10以操作液晶层30。
使用印刷电路板（PCB）（未示出）实现驱动部分。PCB包括连接到位于每条选通线14的端部的栅焊盘的选通PCB以及连接到位于每条数据线16的端部的数据焊盘的数据PCB。
图2是例示根据相关技术的包括PCB的LCD的示意平面图。图3是例示根据相关技术的包括PCB的另一个LCD的示意平面图。
参照图2，阵列基板10包括显示区域DA和非显示区域NA，非显示区域NA包括分别位于顶侧、底侧、右侧和左侧的第一区域NA1到第四区域NA4。
数据PCB50可以连接到第一区域NA1或第二区域NA2，并且选通PCB（未示出）可以连接到第三区域NA3或第四区域NA4。为了说明的目的，数据PCB50连接到第一区域NA1，并且在图2中没有使用选通PCB。数据PCB50和第一区域NA1通过包括数据驱动IC（集成电路）72的数据FPC（柔性印刷电路板）62彼此连接。
包括选通驱动IC71的选通FPC61而不是选通PCB连接到第二区域NA2，并且选通FPC61通过形成在阵列基板10处的信号线电连接到数据PCB50。
另选地，参照图3，数据PCB50通过数据FPC62连接到第一区域NA1，并且选通驱动IC73直接形成在阵列基板处。这种类型的LCD1称为GIP（板内选通）型LCD。
如以上的LCD被广泛用于诸如TV、监视器、膝上型计算机、移动电话、个人数字助理（PDA）等的电子装置。最近，对具有窄边框的装置有很高需求，为此，期望LCD具有窄的非显示区域，即，窄边框。具体地，期望LCD将最小化的左侧非显示区域和右侧非显示区域。
发明内容
因此，本申请的实施方式涉及用于LCD的阵列基板及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
实施方式的目的是提供能够用于实现窄边框（例如左侧和右侧的窄边框）的LCD的阵列基板。
本公开的优点、目的及特征的一部分将在以下的说明书中进行阐述，并且一部分对于本领域的技术人员来说将在研读以下内容后变得清楚，或者可以从本发明的实践获知。本发明的这些目的和其它优点可以通过在本书面描述及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的一个方面的目的，提供一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：多条成对的选通线，所述对中的每条选通线彼此隔开第一距离并且均位于所述基板上的相邻的第一区域之间的边界处，所述基板包括显示区域，所述显示区域包括多个第一区域，每个所述第一区域包括彼此相邻的两个像素区域；栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述选通线上并且包括露出每条所述选通线的栅接触孔；多条数据线，所述多条数据线与所述成对的选通线交叉，使得所述第一区域位于每个交叉处；辅助选通线，所述辅助选通线与所述数据线平行并且位于两个相邻的像素区域之间的边界处；以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于每个像素区域中并且连接到对应的选通线和数据线，其中，所述辅助选通线通过所述栅接触孔与对应的选通线接触。
在另一个方面，提供一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：形成多条成对的选通线，所述对中的每条选通线彼此隔开第一距离并且均位于所述基板上的相邻的第一区域之间的边界处，所述基板包括显示区域，所述显示区域包括多个第一区域，每个第一区域包括彼此相邻的两个像素区域；在所述选通线上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层包括露出每条选通线的栅接触孔；形成与所述成对的选通线交叉的多条数据线，使得所述第一区域位于每个交叉处；形成辅助选通线，所述辅助选通线与所述数据线平行并且在两个相邻的两个像素区域之间的边界处；以及在每个像素区域中形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管连接到对应的选通线和数据线，其中，所述辅助选通线通过所述栅接触孔接触对应的选通线。
应当理解的是，前面的一般描述和后面的具体描述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，这些附图例示了本发明的实现方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是例示根据相关技术的液晶显示器（LCD）的分解立体图。
图2是例示根据相关技术的包括印刷电路板（PCB）的LCD的示意平面图。
图3是例示根据相关技术的包括PCB的另一个LCD的示意平面图。
图4是例示根据实施方式的包括PCB的LCD的示意平面图。
图5是例示根据实施方式的包括PCB的另一个LCD的示意平面图。
图6是例示根据实施方式的LCD的阵列基板的显示区域的一部分的平面图。
图7是图6的区域A的放大图。
图8是沿图7的VIII-VIII'线截取的截面图。
图9是沿图7的IX-IX'线截取的截面图。
在附图和说明书中，除非相反描述，相同的附图标记应当被理解为表示相同元件、特征和结构。为了清楚、例示和方便，这些元件的相对大小和描述可能被夸大。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施方式，在附图中例示出了其示例。在以下描述中，当与本文件有关的已知功能或者构造详细描述确定为必要地使本发明的要点模糊时，将省略其详细描述。处理步骤和/或操作的进展被描述为示例；然而，步骤和/或操作的序列不限于此处阐述的，并且可以按照本领域已知地改变，除了必须按照特定顺序发生的步骤和/或操作之外。类似的附图标记表示类似的元件。在以下说明中使用的各个元件的名称仅仅是为了便于撰写说明书而选择的，并且因而可以和实际产品中使用的不同。
在实施方式的描述中，当结构被描述为定位在另一个结构“上或上方”或者“下或下方”时，这个描述可以被理解为包括结构彼此接触的情况下以及在结构之间设置了第三结构的情况。
之后，将参照附图详细描述实施方式。
图4是例示根据实施方式的包括PCB的液晶显示器（LCD）的示意平面图。图5是例示根据实施方式的包括PCB的另一个LCD的示意平面图。
参照图4，LCD101的阵列基板110可以包括显示区域DA和包围显示区域DA的非显示区域NA。非显示区域NA可以包括分别位于顶侧、底侧、右侧和左侧的第一非显示区域NA1到第四非显示区域NA4。
选通驱动IC（未示出）可以安装在第一非显示区域NA1处，并且PCB190可以通过具有驱动IC（集成电路）172的FPC（柔性印刷电路）162连接到第一非显示区域NA1。
因此，由于在除了第一区域NA1之外的其它区域中可没有PCB190或驱动IC172（例如，未安装在非显示区域NA1到NA4中的区域NA2到NA4中），可以实现窄边框。
另选地，参照图5，PCB190可以通过FPC162连接到第一非显示区域NA1和第二非显示区域NA2中的一个，并且选通驱动IC173可以形成在第一非显示区域NA1和第二非显示区域NA2中的另一个处。例如，PCB190可以连接到第一非显示区域NA1，并且选通驱动IC173可以形成在第二非显示区域NA2处。
选通驱动IC173可以通过形成在第三非显示区域NA3和第四非显示区域NA4中的一个或更多个处的辅助线（未示出）而连接到PCB190。
在一个示例中，尽管辅助线可以形成在分别在右侧和左侧的第三非显示区域NA3和非显示区域NA4，这仅会对第三非显示区域NA3和非显示区域NA4的窄边框具有小的影响。
在另选示例中，第一区域NA1和第二区域NA2可以分别包括数据焊盘和栅焊盘，并且区域NA1、NA2的宽度可以与相关技术基本上相似。然而，第三区域NA3和第四区域NA4可以减到最小，并且可以实现左侧和右侧的窄边框。
图6是例示根据实施方式的LCD的阵列基板的显示区域的一部分的平面图。图7是图6的区域A的放大图。
参照图6和图7，在阵列基板的显示区域DA中，多条成对的选通线113可以彼此隔开第二距离，每对选通线113可以具有彼此隔开第一距离的第一选通线113a和第二选通线113b。第一距离可以选择为防止在构图处理中发生短路，第一距离例如约2μm到约5μm。第二距离可以大于第一距离并且可以与像素P1和P2的长度基本相同。
多条数据线130可以与成对的选通线113交叉，栅绝缘层在交叉区域中介于数据线130与选通线113之间。被彼此交叉的成对选通线113和数据线130包围的区域P可以包括两个相邻的像素区域P1和P2，并且区域P可以称为“第一区域P”。
在每一个像素区域P1和P2中，可以形成作为开关元件的薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr可以包括栅极114、栅绝缘层、包括有源层（例如，本征非晶硅）和欧姆接触层（例如，掺杂非晶硅）的半导体层、以及半导体层上的彼此隔开的源极133和漏极136。另选地，薄膜晶体管Tr可以包括栅极114、栅绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻止部、以及在蚀刻阻止部上彼此隔开并且与氧化物半导体层接触的源极133和漏极136。
在每一个像素区域P1和P2中，可以形成像素电极153，像素电极153连接到薄膜晶体管Tr的漏极。尽管附图中未示出，但是在整个显示区域DA处，公共电极可以形成在像素电极153上或下，公共电极与像素电极153之间具有绝缘层。在一个示例中，像素电极153和位于绝缘层上的公共电极中的一个可以包括与每一个像素区域P1和P2相对应的多个条形开口，并且公共线139可以连接到公共电极。像素电极153和公共电极可以包括使用条形开口的边缘场，并且边缘场操作液晶。栅极114可以连接到第一选通线113a和第二栅极113b中的对应的一个，并且源极113可以连接到数据线130。
在一个实施方式中，辅助选通线138或者公共线139可以与数据线130平行地形成，并且可以例如在第一区域P的像素区域P1和P2之间的边界处穿过第一区域P的中心部分。
辅助选通线138可以形成在第一区域P中，而公共线139可以形成在另一个第一区域P中。辅助选通线138可以通过栅接触孔gch与显示区域DA中的选通线113中的对应一条相接触。辅助选通线138的数量可以与显示区域DA中的全部选通线113的数量相同或者是显示区域DA中的全部选通线113的数量的整数倍。
多个辅助选通线138可以分组，并且公共线139可以位于辅助选通线138的相邻的组之间。例如，在示例附图中已经示出六条辅助选通线138可以形成一个组（例如，GA1至GA6），并且公共线139可以位于六个辅助线138的相邻的组之间。
因此，假定从左到右地定位的数据线130被称为第一数据线D1到第n数据线Dn，并且从左到右定位的辅助选通线被称为第一辅助选通线GA1到第n辅助选通线GAn，线的示例序列可以如下所述：第一数据线D1、第一辅助选通线GA1、第二数据线D2、第二辅助选通线GA2、第三数据线D3、第三辅助选通线GA3、第四数据线D4、第四辅助选通线GA4、第五数据线D5、第五辅助选通线GA5、第六数据线D6、第六辅助选通线GA6、第七数据线D7、公共线139（Vcom）、第八数据线D8、第七辅助选通线GA7和第九数据线D9。针对期望的数据线D和辅助选通线GA的数量，这个模式可以继续，实施方式不限于这个模式。另外，尽管图6的示例示出九个数据线D1至D9和七个辅助选通线GA1至GA7，但是实施方式不限于此。
另外，根据形成辅助选通线138的组的辅助选通线138的数量，可以适当调整公共线139的数量。此外，公共线139可以不位于诸如每n列这样的规则位置处。例如，当辅助选通线138的数量被限定为选通线113的数量的整数倍时，可以首先确定在数据线130之间辅助选通线138所位于的位置，接着数据线130之间的其它位置可以被分配给公共线139。
在以上描述的阵列基板110中，被成对的第一选通线113a和第二选通线113b以及数据线130包围的区域可以限定为具有相邻的像素区域P1和P2的第一区域P。辅助选通线138或公共线139可以传过相邻像素区域P1和P2的边界，并且每个像素区域P1和P2可以被成对的第一选通线113a和第二选通线113b、数据线130和辅助选通线138或者公共线139包围和限定。
在阵列基板110中，可以形成辅助选通线138，辅助选通线138可以连接到沿水平方向的对应选通线113并且可以与数据线130平行。选通电压可以通过辅助选通线138施加到选通线113。
此外，由于辅助选通线138的端部可以位于数据线130的端部所在的阵列基板110的顶侧的第一非显示区域NA1处或阵列基板110的底侧的第二非显示区域NA2处，栅焊盘可以在与数据焊盘可以形成在数据线130的端部的非显示区域相同的非显示区域处形成在阵列基板的顶侧或底侧。
因此，可以针对在可以形成数据焊盘的同一个非显示区域NA1或NA2处形成的栅焊盘安装选通驱动IC，或者PCB190可以通过包括单独或一起处理选通信号和数据信号的组合的选通/数据驱动IC的PPC而连接到非显示区域NA1或NA2。
因此，对于多个非显示区域中的除了形成有PCB190的非显示区域之外的三个非显示区域，可以不要求安装驱动IC或者可以不要求形成栅焊盘或数据焊盘。因此，多个非显示区域中的三个非显示区域的宽度可以减到最小，并且LCD可以具有针对三个侧边的窄边框。
此外，在针对相对的第一非显示区域NA1和第二非显示区域NA2安装的PCB和选通驱动IC的示例中，第三非显示区域NA3和第四非显示区域NA4的宽度可以减到最小，并且LCD可以具有针对左侧和右侧的窄边框。
阵列基板110的选通线的数量可以是相关技术显示装置的选通线的数量的两倍，并且数据线的数量可以是相关技术显示装置的数据线的数量的一半。因此，由于数据线的数量减少，数据驱动IC的数量可以减少，并且辅助选通线138或公共线139可以形成在相关技术的数据线形成的位置处，并且实施方式的开口率可以基本上与相关技术相同。
根据实施方式的LCD装置可以被称为“双速率驱动”（DRD）型LCD，其中，可以每两个像素区域形成数据线130并且选通线可以加倍。
通常，相关技术的LCD装置可以使用三个像素区域作为单位区域来显示彩色图像。换句话说，形成单位区域的发射红、绿、蓝的R、G、B像素区域可以被混合以显示彩色图像。
因此，相关技术中的选通线的数量比数据线的数量大了三倍。此外，由于相关技术LCD装置可以具有5：4到16：9的显示区域宽高比，因此水平方向上的像素区域的数量可以是垂直方向上的像素区域的数量的1.25倍或更多。因此，在相关技术的LCD中，选通线的数量可以是数据线的数量的3.75倍或更多。
在实施方式中，选通线的数量可以增加到相关技术的LCD装置的选通线的数量的两倍，并且数据线的数量可以减少到相关技术LCD装置的数据线的数量的一半。
因此，假定相关技术的LCD装置的选通线的数量是1，实施方式的选通线的数量可以是2，并且实施方式的数据线的数量可以是1.875（即，3.75/2）。因此，实施方式可以使用少1.875倍的选通线。
空余位置的一部分可以作为分配给数量与选通线113相同的辅助选通线138的位置，并且除了分配给辅助选通线138的位置之外的空余位置的其余部分可以作为分配给公共线139的位置。
在全HD（高清）分辨率的情况下（例如，1080×1920个单位像素（每个单位区域具有3个像素区域）），针对相关技术LCD装置，形成1080条选通线和5760（即，1920×3）条数据线。然而，在使用具有全HD分辨率的DRD型LCD的实施方式中，可以形成2160（即，1080×2）条数据线和2880（即，1920×3/2）条选通线。
因此，与相关技术LCD装置比较，数据线130的数量可以减少2880，使得可以少使用2880个用于数据线130的位置。在一个示例中，辅助选通线138可以形成在2880个空余位置中的2160个位置处（其中一些可以是多条选通线113），并且公共线139可以形成在2880个空余位置中的剩余720个位置处（即，2880–2160个位置)。
如上所述，尽管这个实施方式的选通线的数量可以增加到相关技术LCD装置的选通线的数量的两倍，由于选通线133的增加数量可以大于数据线130的减少数量，可以获得分别形成辅助选通线138（可以被构造为对应于选通线113）的足够位置。
根据以上构造，根据实施方式的LCD可以在包围显示区域的四个非显示区域中的两个或三个非显示区域具有窄边框。此外，尽管辅助选通线可以形成在显示区域，由于数据线的数量减少并且辅助选通线形成在由于数据线的减少而留下的位置，可以防止开口率降低。
图8是沿图7的VIII-VIII'线截取的截面图。图9是沿图7的IX-IX'线截取的截面图。在示例附图中，限定了开关区域TrA，其中，在像素区域P1和P2中的每一个中形成薄膜晶体管Tr。
多个成对的选通线113可以彼此以第二距离隔开。多个成对的选通线113中的每一个可以具有彼此隔开第一距离并且彼此平行的第一选通线113a和第二选通线。选通线113可以由低电阻材料形成，例如，铝（Al）、铝合金（例如，AlNd）、铜（Cu）、铜合金、钼和钼合金（例如，MoTi）中的至少一种。
栅极114可以形成在开关区域（TrA）处并且从第一选通线113和第二选通线中的每一个延伸。
栅绝缘层120可以形成在选通线113和栅极114上，并且可以由无机绝缘材料制成，例如，氧化硅（SiN2）和/或氮化硅（SiNx）。栅绝缘层120可以具有露出第一选通线113a和第二选通线中的每一个的一部分的栅接触孔gch。每个栅接触孔gch可以与连接到对应的选通线113的各个辅助选通线138相对应地形成。
半导体层123可以形成在开关区域TrA处并且可以包括有源层123a（例如，由本征非晶硅制成）和位于有源层123a上的欧姆接触层123b（例如，由掺杂非晶硅制成）。源极133和漏极136可以在半导体层123上彼此隔开。
开关区域TrA处的栅极114、栅绝缘层120、半导体层123以及源极133和漏极136可以形成薄膜晶体管Tr。源极133可以从数据线130延伸。
数据线130可以在第一区域P的边界处形成在栅结缘层120上，并且可以和选通线113交叉。数据线130可以由低电阻材料制成，例如，铝（Al）、铝合金（例如，AlNd）、铜（Cu）、铜合金、钼和钼合金（例如，MoTi）中的至少一种。辅助选通线138或公共线139可以与数据线130交替地形成在像素区域P1和P2之间的边界处，并且可以例如由与数据线130相同材料制成。
以上详细说明了辅助选通线138和公共线139的位置和排列。
辅助选通线138可以通过栅接触孔gch与对应的选通线113接触。
在示例附图中，示出半导体图案124（例如，由与半导体层123相同材料制成）可以形成在数据线130、辅助选通线138和公共线139中的每一个的下方。半导体图案124可以包括有源层124a（例如，本征非晶硅）和位于有源层124a上的欧姆接触层124b（例如，掺杂非晶硅）。另选地，可以省略半导体图案124。
此外，在实施方式中，半导体层123可以具有有源层123a和欧姆接触层123b的双层结构。另选地，半导体层123可以是单层的氧化物半导体层，其可以例如由IGZO（氧化铟镓锌）、ZTO（氧化锌锡）和/或ZIO（氧化锌铟）制成。
在一个示例中，数据线130、辅助选通线138和公共线139下方的半导体图案124可以省略，并且可以在氧化物半导体层的中心部分上形成蚀刻阻止件。
钝化层140可以形成在薄膜晶体管Tr、数据线130、辅助选通线138和公共线139上。钝化层140可以由例如氧化硅（SiO2）和/或氮化硅（SiNx）的无机绝缘材料和/或例如苯并环丁烯（BCB）和/或感光亚克力的有机绝缘材料形成。
钝化层140可以包括露出漏极136的漏接触孔145和露出公共线139的公共接触孔（未示出）。
像素电极153可以在像素区域P1和P2中的每一个中形成在钝化层140上，并且可以通过漏接触孔145与漏极136接触。像素电极153可以由透明导电材料制成，例如，ITO（氧化铟锡）和/或IZO（氧化铟锌）。
当使用边缘场切换模式的LCD时，绝缘层可以形成在像素电极153上，并且由例如ITO（氧化铟锡）和/或IZO（氧化铟锌）的透明导电材料制成的公共电极可以形成在该绝缘层上。
在一个示例中，绝缘层可以包括伴随钝化层140的公共接触孔以露出公共线139，并且公共电极可以包括与像素电极153相对应的条形的第一开口和与开关区域TrA相对应的第二开口。
公共电极可以通过钝化层140和绝缘层的公共接触孔与公共线139接触。
如上所述，在根据实施方式的阵列基板中，可以在显示区域的顶侧或底侧处的非显示区域形成栅焊盘部分。因此，左侧的非显示区域和右侧的非显示区域的宽度可以减到最小并且可以在那里实现窄边框。
此外，尽管辅助选通线可以形成在显示区域处，但由于数据线的数量可以减少且辅助选通线可以形成在由于数据线的数量的减少而剩余的位置，所以可以防止开口率降低。
应理解，顶侧、底侧、左侧和右侧的非显示区域构造可以是可互换的。例如，显示区域的顶侧和底侧可以最小化，或者四个显示区域中的任一个可以最小化。可以使用其它几何布置，实施方式不限于四边形形状。
尽管已经参考本发明的多个示例性实施方式对本发明的实施方式进行了描述，应当理解的是，本领域的技术人员可以想出落入本公开的精神和原理范围内的多个其他修改例和实施方式。例如，可以在本公开、附图及所附权利要求的范围内对本主题组合装置的组成部件和/装置进行各种变换和修改。除对组成部件和/或装置的变换和修改外，替代性使用对本领域的技术人员也是明显的。
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年12月14日在韩国专利局提交的韩国专利申请No.10-2012-0146780的优先权，通过引用将其公开结合于此以用于所有目的。

Claims (16)

1.一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：
多条成对的选通线，所述对中的每条选通线彼此隔开第一距离并且均位于所述基板上的相邻的第一区域之间的边界处，所述基板包括显示区域，所述显示区域包括多个第一区域，所述第一区域中的每一个包括彼此相邻的两个像素区域；
栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述选通线上并且包括栅接触孔，所述栅接触孔被构造为露出所述选通线中的每一条；
多条数据线，所述多条数据线与所述成对的选通线交叉，使得所述第一区域位于各个交叉处；
辅助选通线，所述辅助选通线与所述数据线平行并且位于两个相邻的像素区域之间的边界处；以及
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于各个像素区域中并且连接到对应的选通线和数据线，
其中，所述辅助选通线通过所述栅接触孔与对应的选通线接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括：公共线，所述公共线与所述数据线平行并且位于另一个第一区域的两个相邻像素区域之间的另一个边界处。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述辅助选通线的数量是所述选通线的数量的整数倍。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，
数据焊盘位于所述数据线的端部和以下位置：
所述显示区域的顶侧处的非显示区域；或者
所述显示区域的底侧处的非显示区域；并且
栅焊盘位于所述辅助选通线的端部和以下位置：
所述显示区域的所述顶侧处的所述非显示区域；或者
所述显示区域的所述底侧处的所述非显示区域。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述数据焊盘和所述栅焊盘位于相同的非显示区域中。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，该阵列基板还包括：
选通驱动集成电路（IC），所述选通驱动IC连接到所述栅焊盘；以及
PCB，所述PCB通过包括驱动IC的柔性印刷电路（FPC）连接到所述数据焊盘。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，该阵列基板还包括：
钝化层，所述钝化层位于所述薄膜晶体管和所述数据线上；以及
像素电极，所述像素电极位于各个像素区域中并连接到所述薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，该阵列基板还包括：
绝缘层，所述绝缘层位于所述像素电极上；以及
公共电极，所述公共电极位于所述绝缘层上并且包括与所述像素电极相对应的条形开口，
其中，所述钝化层和所述绝缘层包括露出所述公共线的公共接触孔，并且
其中，所述公共电极通过所述公共接触孔与所述公共线接触。
9.一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：
形成多条成对选通线，所述对中的每条选通线彼此隔开第一距离并且均位于所述基板上的相邻的第一区域之间的边界处，所述基板包括显示区域，所述显示区域包括多个第一区域，所述第一区域中的每一个包括彼此相邻的两个像素区域；
在所述选通线上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层包括露出每条所述选通线的栅接触孔；
形成与所述成对的选通线交叉的多条数据线，使得所述第一区域位于各个交叉处；
形成辅助选通线，所述辅助选通线与所述数据线平行并且位于两个相邻的像素区域之间的边界处；以及
在各个像素区域中形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管连接到对应的选通线和数据线，
其中，所述辅助选通线通过所述栅接触孔与对应的选通线接触。
10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成公共线，所述公共线与所述数据线平行并且位于另一个第一区域的两个相邻像素区域之间的另一个边界处。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述辅助选通线的数量是所述选通线的数量的整数倍。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，
数据焊盘位于所述数据线的端部和以下位置：
所述显示区域的顶侧处的非显示区域；或者
所述显示区域的底侧处的非显示区域；并且
栅焊盘位于所述辅助选通线的端部和以下位置：
所述显示区域的所述顶侧处的所述非显示区域；或者
所述显示区域的所述底侧处的所述非显示区域。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述数据焊盘和所述栅焊盘位于相同的非显示区域中。
14.根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤：
将选通驱动集成电路（IC）连接到所述栅焊盘；以及
通过包括驱动IC的柔性印刷电路（FPC）将PCB连接到所述数据焊盘。
15.根据权利要求10所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在所述薄膜晶体管和数据线上形成钝化层；以及
在各个像素区域中形成像素电极，所述像素电极连接到所述薄膜晶体管。
16.根据权利要求15所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在所述像素电极上形成绝缘层；以及
在所述绝缘层上形成公共电极，并且所述公共电极包括与所述像素电极相对应的条形开口，
其中，所述钝化层和所述绝缘层包括露出所述公共线的公共接触孔，并且
其中，所述公共电极通过所述公共接触孔与所述公共线接触。
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