CN103854976B - 一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法 - Google Patents
一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103854976B CN103854976B CN201410105868.8A CN201410105868A CN103854976B CN 103854976 B CN103854976 B CN 103854976B CN 201410105868 A CN201410105868 A CN 201410105868A CN 103854976 B CN103854976 B CN 103854976B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- gan
- algan
- magnesium
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000004223 radioprotective effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提出一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法。该方法在生长LED的p型层时，采用GaN/AlGaN超晶格结构的双元素掺杂，即在镁元素掺杂的同时掺入少量的硅烷。硅烷的掺杂属于施主，但少量的掺杂可以明显改善由于掺镁所引起的晶格缺陷，减少自补偿效应，改善晶体质量，使得非复合的缺陷中心减小，较少散射中心，提升载流子迁移率和受主的电离效率；另外，由于AlGaN生长温度较高，这种掺杂更利于镁的掺杂浓度提升，改善p层的掺杂效果，使得LED总体的发光效率极大提升。由于晶体质量的改善和阱垒层电导率的提升，使得电流扩展能力增强也提升了LED器件的可靠性。
Description
技术领域
本发明属于光电器件材料制备和结构设计技术领域，具体涉及一种LED外延掺杂生长方法及其外延片结构。
背景技术
Ⅲ族氮化物半导体材料以其优异的特性正在发挥着越来越广泛的作用，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。经过近十几年的发展，GaN基蓝光LED已成功实现商业化，在景观灯、背光源、照明灯领域都得到广泛应用。
随着Ⅲ族氮化物器件研究和应用的深入，GaN基光电器件对材料性能提出了更高的要求。对于LED器件，为了提升增强量子效率、降低非发光复合、减少缺陷对光子的吸收，需要有高结晶质量、低缺陷密度材料的外延技术和高性能的p型掺杂技术，尤其是p层的掺杂技术，一直以来都是制约LED商业化应用和提升发光效率的技术瓶颈。
目前LED的p层都采用在GaN中掺入镁元素，通过退火来激活镁受主，但是由于镁的激活能较高，电离率低，难以产生高的载流子浓度，且受生长条件影响大，掺杂过程容易产生缺陷降低材料的质量。所以作为LED器件生长过程中的关键，改善p层的掺杂效率，降低受主的激活能，优化p层材料的晶体质量，提升载流子浓度被越来越多的研究和关注。
发明内容
为了解决现有技术存在的问题，本发明提供一种新的LED外延生长方法，具有p层特殊掺杂结构，能够很好地改善p层材料的晶体质量，减少缺陷的产生，还可以提升载流子的浓度，增大复合发光效率，提升LED器件的光电转换效率；同时由于其p层的电导率的改善和面缺陷的减少，很大程度改善了LED器件的可靠性。
本发明的基本方案如下：
该外延生长方法，包括以下步骤：
（1）在蓝宝石衬底上生长低温GaN层；
（2）生长高温GaN层；
（3）生长高温GaN掺杂硅烷n型层；
（4）生长掺硅烷的n型AlGaN层；
（5）生长多个周期的GaN/InGaN量子阱层；
（6）生长掺杂镁的p型AlGaN层；
（7）生长多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层；
（8）掺镁的GaN层，作为接触层；
（9）最后在氮气氛围下退火；
其中，步骤（7）的多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层中，GaN层双掺杂镁和硅烷，AlGaN层除了掺杂镁和硅烷元素外，还采用氨气delta掺杂。
以上所称的“高温”、“低温”在本领域是具有明确意义的技术术语。
基于上述基本方案，本发明还做如下优化限定：
在步骤（7）进行GaN层、AlGaN层双掺杂镁和硅烷的过程中，掺杂镁元素与硅元素的摩尔比为10:1-15：1。
步骤（7）总共生长10-20个周期的GaN/AlGaN超晶格层，每个周期的GaN层和AlGaN层厚度均小于2nm。
步骤（7）中的每个周期，在950℃生长GaN层，然后升温至1000℃生长AlGaN层。
步骤（7）中的每个周期进行生长AlGaN层,是控制CP2Mg和SiH4的流量不变，NH3脉冲式通入，周期性地通入5s,再关闭3s，直到生长完该AlGaN层，即控制这个周期的AlGaN层厚度在2nm以下。
相应的，按照上述方法制得的LED外延片结构，主要包括依次生长的以下各层：
蓝宝石衬底；
低温GaN层；
高温GaN层；
高温GaN掺杂硅烷n型层；
掺硅烷的n型AlGaN层；
多个周期的GaN/InGaN量子阱层；
掺杂镁的p型AlGaN层；
多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层；
掺镁的GaN层，作为接触层；
在所述多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层中，GaN层双掺杂镁和硅烷，AlGaN层除了掺杂镁和硅元素外，还以氨气delta掺杂方式掺加氮元素。
在所述多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层中，掺杂镁元素与硅元素的摩尔比优选10:1-15：1。
优选确定为总共10-20个周期的GaN/AlGaN超晶格层，每个周期的GaN层和AlGaN层厚度均小于2nm。
本发明的有益效果如下：
本发明的方法在生长LED的p型层时，采用GaN/AlGaN超晶格结构的双元素掺杂，即在镁元素掺杂的同时掺入少量的硅烷。硅烷的掺杂属于施主，但少量的掺杂可以明显改善由于掺镁所引起的晶格缺陷，减少自补偿效应，改善晶体质量，使得非复合的缺陷中心减小，较少散射中心，提升载流子迁移率和受主的电离效率；另外，由于AlGaN生长温度较高，这种掺杂更利于镁的掺杂浓度提升，改善p层的掺杂效果，使得LED总体的发光效率极大提升。由于晶体质量的改善和阱垒层电导率的提升，使得电流扩展能力增强也提升了LED器件的可靠性。
为了得到更好的Al的掺入量，优化AlGaN势垒结材料质量，ALGaN层还采用氨气delta掺杂。超晶格结构使得AlGaN垒层的受主激活能降低，同时氨气delta掺杂可以提升Al原子的迁移半径和晶格质量，降低AlGaN层的生长难度、提升掺杂水平。
附图说明
图1为本发明的LED外延生长整体结构。
图2为本发明的双掺杂结构的p层（图1中的8层）。
图3为氨气delta掺杂层（图2中的2层）。
图4为氨气delta双掺杂脉冲制备控制图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步的阐述。
本发明应用金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）外延生长技术，利用现有的MOCVD技术设备，采用三甲基镓（TMGa），三乙基镓(TEGa)，和三甲基铟（TMIn）,三甲基铝(TMAl)和氨气（NH3）硅烷（SiH4）和二茂镁(cp2Mg)分别提供生长所需要的镓源，铟源，铝源，和氮源，镁源，硅源，采用NH3脉冲式delta掺杂制备p层的超晶格结构的双元素掺杂，进一步结合了delta掺杂和双掺杂的优点。
该外延生长方法具体示例如下：
1.将蓝宝石衬底特殊清洗处理后，放入MOCVD设备在1100℃烘烤10分钟。
2.降温度550℃生长一层厚度25nm的低温GaN层，生长压力为500torr。
3.升温到1020℃生长一层厚度1um的本征GaN层，生长压力为300torr.
4.在温度1030℃生长一层厚度1um掺杂SiH4的n型GaN层，生长压力300torr.
5.在温度1050℃生长一层掺杂SiH4的n型AlGaN层厚度20nm，压力200torr.
6.在氮气氛围下，在400torr,850℃生长一层12nm GaN垒层和750℃生长一层3nm的InGaN的量子阱垒结构.然后重复8个周期。
7.温度升至950℃，150torr,生长一层p型AlGaN层，厚度20nm.
8.在950℃，300torr生长一层小于2nm GaN层，生长的过程中通入CP2Mg和SiH4,其中CP2Mg的流量和SiH4流量的比值为10:1，或者15：1。接着升温至1000℃生长一层NH3delta掺杂的AlGaN,控制CP2Mg和SiH4的流量不变，NH3则脉冲式通入，其中通入5s,然后关闭3s，然后继续打开5s，关闭3s，一直周期通入，直到生长时间结束，AlGaN层厚度为2nm以下。总共生长10-20个周期。
9.在950℃生长一层掺杂镁p型GaN，20nm左右，作为接触层。
10.在氮气氛围下，退火20分钟。
以上整体外延生长过程结束，即制得LED外延片。
利用SIMS(二次离子质谱)测试LED结构外延材料中的镁元素，双掺杂p层均出现镁元素的掺杂高峰，显示出足够的空穴浓度，并且空穴浓度较传统p层提升了1.5倍。
通过LED芯片测试结果显示，发光效率比传统p层掺杂结构芯片提升20%。
需要强调的是，以上实施例中给出了能够达到最佳技术效果的具体参数，但这些温度、厚度、压力等具体参数大部分均是参照现有技术所做的常规选择，不应视为对本发明权利要求保护范围的限制。说明书中阐述了本发明技术改进的原理，本领域技术人员应当能够认识到在基本方案下对各具体参数做适度的调整仍然能够基本实现本发明的目的。
Claims (8)
1.一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法，包括以下步骤：
(1)在蓝宝石衬底上生长低温GaN层；
(2)生长高温GaN层；
(3)生长高温GaN掺杂硅烷n型层；
(4)生长掺硅烷的n型AlGaN层；
(5)生长多个周期的GaN/InGaN量子阱层；
(6)生长掺杂镁的p型AlGaN层；
(7)生长多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层；
(8)掺镁的GaN层，作为接触层；
(9)最后在氮气氛围下退火；
其中，步骤(7)的多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层中，GaN层双掺杂镁和硅烷，AlGaN层除了掺杂镁和硅元素外，还采用氨气delta掺杂；具体步骤(7)中的每个周期进行生长AlGaN层,是控制CP2Mg和SiH4的流量不变，NH3脉冲式通入。
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于：在步骤(7)进行GaN层、AlGaN层双掺杂镁和硅烷的过程中，掺杂镁元素与硅元素的摩尔比为10:1-15：1。
3.根据权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于：步骤(7)总共生长10-20个周期的GaN/AlGaN超晶格层，每个周期的GaN层和AlGaN层厚度均小于2nm。
4.根据权利要求3所述的外延生长方法，其特征在于：步骤(7)中的每个周期，在950℃生长GaN层，然后升温至1000℃生长AlGaN层。
5.根据权利要求4所述的外延生长方法，其特征在于：步骤(7)中的每个周期进行生长AlGaN层,是控制CP2Mg和SiH4的流量不变，NH3脉冲式通入，周期性地通入5s,再关闭3s，直到生长完该AlGaN层。
6.一种p层特殊掺杂的LED外延片结构，其特征在于，包括依次生长的以下各层：
蓝宝石衬底；
低温GaN层；
高温GaN层；
高温GaN掺杂硅烷n型层；
掺硅烷的n型AlGaN层；
多个周期的GaN/InGaN量子阱层；
掺杂镁的p型AlGaN层；
多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层；
掺镁的GaN层，作为接触层；
在所述多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层中，GaN层双掺杂镁和硅烷，AlGaN层除了掺杂镁和硅元素外，还以氨气delta掺杂方式掺加氮元素；具体是控制了CP2Mg和SiH4的流量不变，NH3脉冲式通入形成每个周期的AlGaN层。
7.根据权利要求6所述的LED外延片结构，其特征在于：在所述多个GaN/AlGaN周期结构的超晶格层中，掺杂镁元素与硅元素的摩尔比为10:1-15：1。
8.根据权利要求7所述的LED外延片结构，其特征在于：总共有10-20个周期的GaN/AlGaN超晶格层，每个周期的GaN层和AlGaN层厚度均小于2nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410105868.8A CN103854976B (zh) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410105868.8A CN103854976B (zh) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103854976A CN103854976A (zh) | 2014-06-11 |
| CN103854976B true CN103854976B (zh) | 2017-01-04 |
Family
ID=50862488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410105868.8A Expired - Fee Related CN103854976B (zh) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103854976B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104900769B (zh) * | 2015-04-09 | 2017-10-17 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | GaN基LED外延结构及其制作方法 |
| CN104952990A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-09-30 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制作方法 |
| CN107195742B (zh) * | 2017-07-17 | 2019-04-30 | 圆融光电科技股份有限公司 | 紫外led的制备方法及紫外led |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101289173A (zh) * | 2008-06-04 | 2008-10-22 | 厦门大学 | 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法 |
| CN101710569A (zh) * | 2009-12-02 | 2010-05-19 | 中国科学院半导体研究所 | 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 |
| CN103022286A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种级联GaN基LED外延片及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4553457B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2010-09-29 | ローム株式会社 | ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 |
-
2014
- 2014-03-20 CN CN201410105868.8A patent/CN103854976B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101289173A (zh) * | 2008-06-04 | 2008-10-22 | 厦门大学 | 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法 |
| CN101710569A (zh) * | 2009-12-02 | 2010-05-19 | 中国科学院半导体研究所 | 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 |
| CN103022286A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种级联GaN基LED外延片及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103854976A (zh) | 2014-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103022285B (zh) | 一种提高led亮度的多量子阱层生长方法 | |
| CN103887380B (zh) | 一种紫光led的外延生长方法 | |
| CN108198921B (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN104241464B (zh) | 一种提高p型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法 | |
| CN103887392B (zh) | 一种提高led发光效率的外延生长方法 | |
| CN102881788A (zh) | 一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法 | |
| CN106159048B (zh) | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | |
| CN103346217A (zh) | 一种提高led发光二极管亮度的量子垒设计方法 | |
| CN103730557A (zh) | 一种具有新型的p型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法 | |
| CN103872194B (zh) | 一种提高GaN基LED有源区发光效率的外延生长方法 | |
| WO2010059132A1 (en) | A light emitting diode structure and a method of forming a light emitting diode structure | |
| CN108091740A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN106935690B (zh) | 一种提高紫外led光输出功率的外延结构 | |
| CN102709424A (zh) | 一种提高发光二极管发光效率的方法 | |
| CN103346220B (zh) | GaN基LED及其生产方法 | |
| CN103400914B (zh) | 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法 | |
| CN104051586A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 | |
| CN102903808A (zh) | 一种提高GaN基LED发光效率的浅量子阱生长方法 | |
| CN103811605A (zh) | 一种有效改善氮化镓基发光二极管的反向漏电的外延生长方法 | |
| CN109192825A (zh) | 一种发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN103915532A (zh) | 一种紫外led外延结构生长方法 | |
| CN203398149U (zh) | 一种新型GaN基发光二极管外延结构 | |
| CN203339208U (zh) | 具有多重垒层led外延结构 | |
| CN103441194A (zh) | Led外延片、其制作方法及包括其的led芯片 | |
| CN103854976B (zh) | 一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170104 Termination date: 20210320 |