CN103824891A - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括基板、第一电极层、第二电极层和形成在第二电极层上的光吸收层，在第一电极层中形成第1a贯穿区域，在第二电极层中，第1b贯穿区域形成在与第1a贯穿区域对应的位置处。这里，太阳能电池可以被实现为纤薄且具有改善的发电效率。

Description

太阳能电池及其制造方法
本申请要求于2012年11月15日提交到美国专利商标局的第61/726,982号美国临时申请和于2013年9月19日提交到美国专利商标局的第14/032,135号非临时申请的优先权和权益，上述申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种太阳能电池。
背景技术
随着对能量的需求的增加，对用于将太阳能转换成电能的太阳能电池的需求也增加。太阳能电池是从日光产生电的清洁能源。太阳能电池作为具有高工业增长率的新的增长引擎每年都受到关注。
铜铟镓(二)硒化物（CIGS）太阳能电池是能够实现为薄膜且不使用Si的太阳能电池。因此，预计通过降低太阳能电池的生产成本，CIGS太阳能电池将对太阳能的推广使用起到重要作用。此外，已知的是，因为CIGS太阳能电池是热稳定的，所以效率随时间的降低较小。因此，已经进行了各种研究来提高CIGS太阳能电池的发电容量。具体地讲，应该提出在制造薄的CIGS太阳能电池的同时提高发电容量的计划。
发明内容
本发明实施例的多个方面涉及一种能够在实现为纤薄的同时提高发电效率的太阳能电池。
在实施例中，提供了一种太阳能电池。所述太阳能电池包括：基板；第一电极层，位于基板上；第二电极层，位于第一电极层上；以及光吸收层，位于第二电极层上。在此实施例中，第一电极层具有第一贯穿区域，第二电极层是透明电极层并具有第二贯穿区域，第二贯穿区域比第一贯穿区域窄且位于与第一贯穿区域对应的位置处。
在一个实施例中，第二电极层覆盖第一电极层的上表面和侧表面，所述侧表面在第一贯穿区域内。
在一个实施例中，第二电极层以等于第二电极层的厚度的距离覆盖基板的上表面的一部分。
在一个实施例中，第二电极层以大于第二电极层的厚度的距离覆盖基板的上表面的一部分。
在一个实施例中，光吸收层接触基板的至少一部分。
在一个实施例中，第一贯穿区域的宽度与第二贯穿区域的宽度之差小于第一贯穿区域的宽度。
在一个实施例中，第一贯穿区域的宽度与第二贯穿区域的宽度之差为10μm或更大。
在一个实施例中，第一贯穿区域的宽度与第二贯穿区域的宽度之差为30μm或更大。
在一个实施例中，第一电极层是背表面电极层，并包括从Ag、Al、Cu、Au、Pt和Cr中选择的至少一种。
在一个实施例中，光吸收层包括I-III-VI族类化合物半导体或I-II-IV-VI族类化合物半导体。
在一个实施例中，光吸收层包括从Cu、In、Ga、S、Se、Zn和Sn中选择的至少一种。
在一个实施例中，第二电极层包括从氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化钛以及掺杂有Al、Ga和B中的一种或多种的氧化锌中选择的至少一种。
在一个实施例中，第二电极层具有至少10nm的厚度或50nm至150nm的厚度。
在一个实施例中，所述太阳能电池还包括从下述中选择的至少一者：附着改善层，在第一电极层和基板之间；扩散阻挡层，在第一电极层和基板之间；接触电阻改善层，在第二电极层和光吸收层之间；缓冲层，在光吸收层上；以及后表面电极层，在位于光吸收层上的缓冲层上。
在一个实施例中，附着改善层包括从Ti、Cr、Mo和Ni中选择的至少一种。
在一个实施例中，扩散阻挡层包括氧化物或氮化物材料，氧化物或氮化物材料选自于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、氮化钛、氮化钽和氮化钨。
在一个实施例中，接触电阻改善层包括MSex和MSx中的至少一种，其中，M选自于Mo、W、Ta、Nb、Ti、Cr、V和Mn。
在一个实施例中，太阳能电池具有小于1μm的厚度。
在另一实施例中，提供了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括：在基板上形成第一电极层；形成穿过第一电极层的第一贯穿区域，以暴露基板的第一部分；形成覆盖第一电极层和基板的暴露的第一部分的第二电极层；在第二电极层的位于第一贯穿区域内侧的区域中形成穿过第二电极层的第二贯穿区域，以暴露基板的第二部分；形成覆盖第二电极层和基板的暴露的第二部分的光吸收层。
在一个实施例中，形成第一电极层的贯穿区域或形成第二电极层的贯穿区域包括：分别将第一电极层或第二电极层图案化。
在一个实施例中，通过溅射工艺、沉积工艺、镀覆工艺或丝网印刷工艺形成第一电极层。
在一个实施例中，通过溅射工艺或包括化学气相沉积（CVD）工艺的沉积工艺形成第二电极层。
通过下面结合附图的详细描述，本发明的其他特征和优点将变得更加明显。
在本说明书和权利要求中使用的术语或词语不应限制性地解释为普通的含义或者基于词典的含义，而应当被解释为符合本公开的范围的含义和概念。
本公开实施例的多个方面涉及一种太阳能电池，在一些实施例中，所述太阳能电池通过在背表面电极层和光吸收层之间形成透明电极层而允许实现薄的太阳能电池并提高发电效率。
在一个实施例中，背表面电极层被构造为高反射电极，由此提高太阳能电池的再吸收率。
在一个实施例中，利用透明电极层覆盖暴露的背表面电极层，从而能够防止（或减少）背表面电极层的硒化。因此，在一些实施例中，能够防止背表面电极层的电阻的减小、剥离现象和/或由高反射电极向光吸收层中的扩散引起的缺陷。
附图说明
附图与说明书一起对本发明的实施例进行举例说明，并与描述一起通过示例的方式来解释本发明的原理。
图1是根据本发明实施例的太阳能电池的剖视图。
图2和图3是将太阳能电池与图1中示出的太阳能电池进行比较的剖视图。
图4至图6是示出制造图1中示出的太阳能电池的方法的剖视图。
图7是根据本发明的另一实施例的太阳能电池的剖视图。
图8至图11是根据本发明的其他实施例的太阳能电池的剖视图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，已经通过示例的方式仅示出并描述了本发明的特定实施例。如本领域技术人员将认识到的，在所有不脱离本发明的精神或范围的情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改。因此，附图和描述应当被认为是本质上说明性的而不是限制性的。另外，当元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者可以在一个或多个中间元件设置在它们之间的情况下间接在另一元件上。另外，当元件被称作“连接到”另一元件时，该元件可以直接连接到另一元件，或者可以在一个或多个中间元件设置在它们之间的情况下间接连接到另一元件。在下文中，同样的附图标记指示同样的元件。
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的实施例。
根据本公开的实施例，提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：基板；第一电极层，位于基板上；第二电极层，位于第一电极层上，以及光吸收层，位于第二电极层上。在此实施例中，第一电极层具有第一贯穿区域，第二电极层具有第二贯穿区域，第二贯穿区域比第一贯穿区域窄并且在与第一贯穿区域对应的位置处。在一个实施例中，第二电极层是透明电极层。在一个实施例中，第一电极层是背表面电极层。
图1是根据本发明实施例的太阳能电池100的剖视图。在下文中，将参照图1描述根据此实施例的太阳能电池100。
如图1所示，根据此实施例的太阳能电池100顺序地包括基板110、其中形成有第1a通孔121的第一电极层120、其中形成有第1b通孔131的第二电极层130和光吸收层140。在一个实施例中，第二电极层130是透明电极层130。在一个实施例中，第一电极层120是背表面电极层120。
根据一些实施例，基板110是提供在其上形成背表面电极层120和透明电极层130的基体的构件。即，在一个实施例中，基板110是太阳能电池100的基体。
在一个实施例中，基板110是玻璃基板、陶瓷基板、金属基板或聚合物基板。例如，在一个实施例中，基板110是包括碱性元素（例如，Na、K或Cs）的玻璃基板。在一些实施例中，基板110是钠钙玻璃基板或高应变点钠玻璃基板。
在一些实施例中，背表面电极层120是形成在基板110上的构件，并包括第1a贯穿区域121。
在一个实施例中，第1a通孔121通过图案化工艺形成在背表面电极层120中。如这里（例如，在提及第1a贯穿区域121时）使用的术语“贯穿区域”是指通孔或空间，其中，图案化的背表面电极层120的限定通孔或空间的内壁彼此隔开。在一个实施例中，背表面电极层120由在高温下具有良好的稳定性且具有高导电率的金属制成。在此实施例中，背表面电极层120由诸如Ag、Al、Cu、Au、Pt或Cr的高反射金属制成。在一些实施例中，具体地讲，在使用高反射金属作为背表面电极层120的实施例中，即使将太阳能电池100实现为纤薄，传输到太阳能电池100中的光的反射率仍然高。因此，在一些实施例中，再次吸收在太阳能电池100中的光的量增加，由此减少电流损失。
在一些实施例中，透明电极层130是形成在其中形成有第1a贯穿区域121的背表面电极层120上的构件。
在一个实施例中，第1b贯穿区域131通过图案化工艺形成在透明电极层130中。在一个实施例中，第1b贯穿区域131形成在与第1a贯穿区域121对应的位置处。在一个实施例中，基板110的一部分被第1b贯穿区域131暴露，从而接触光吸收层140。在一些实施例中，第1b贯穿区域131的宽度比第1a贯穿区域121的宽度窄。即，在这些实施例中，沿着将图案化的背表面电极层120（例如，第1a贯穿区域121）的限定通孔或空间的内壁分隔开的方向的宽度大于第1b贯穿区域131的沿着相同方向的宽度。换言之，所述宽度沿着将透明电极的内壁分隔开的方向。在一个实施例中，第1a贯穿区域121的宽度与第1b贯穿区域131的宽度之差小于第1a贯穿区域121的宽度。在一个实施例中，第1a贯穿区域121与第1b贯穿区域131之间的宽度差为10μm或更大。在另一实施例中，第1a贯穿区域121与第1b贯穿区域131之间的宽度差为30μm或更大。在一些实施例中，具体地，在如上描述的第1b贯穿区域131的宽度比第1a贯穿区域121的宽度窄的实施例中，透明电极层130设置为延伸到背表面电极层120的上表面、背表面电极层120的被第1a贯穿区域121暴露的侧表面以及基板110的被第1a贯穿区域121暴露的上表面的一部分。在这些实施例中的一些实施例中，透明电极层130在基板110的上表面上设置在与背表面电极层120相邻的部分处，从而第1b贯穿区域131设置为对应于第1a贯穿区域121。在一个实施例中，透明电极层130被形成为具有例如50nm至150nm的厚度。在一个实施例中，透明电极层130的位于背表面电极层120的暴露的侧表面处的厚度为例如10nm或更大，以防止或减小背表面电极层120和光吸收层140之间的硒化反应。
虽然在此实施例中描述了第1b贯穿区域131的宽度比第1a贯穿区域121的宽度窄10μm或更多，因此透明电极层130延伸到基板110的暴露的上表面，但是本发明不限于此。例如，这样的实施例包括在本发明的范围内，即，第1b贯穿区域131的宽度实现为比第1a贯穿区域121的宽度略窄，从而透明电极层130仅形成在背表面电极层120的上表面和侧表面上。例如，在一些实施例中，第二电极层以等于第二电极层的厚度的距离覆盖基板的上表面的一部分（例如，如图2所示），在其他实施例中，第二电极层以比第二电极层的厚度大的距离覆盖基板的上表面的一部分（例如，如图1所示）。
在一个实施例中，透明的且导电的材料用于透明电极层130，在一些实施例中，这改善了反射率和折射率。在一些实施例中，透明电极层130由透明导电氧化物（TOC）（例如，氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化钛和/或掺杂有Al、Ga和/或B中的一种或多种的氧化锌（例如，ZnO；掺杂有Al、Ga和/或B的ZnO；In2O3；SnO2；和/或TiO2））制成。
在一个实施例中，光吸收层140是形成在其中形成有第1b贯穿区域131的透明电极层130上的构件。
在一个实施例中，光吸收层140是太阳能电池的吸收光的部分。在一个实施例中，光吸收层包括从Cu、In、Ga、S、Se、Zn和Sn中选择的至少一种。在一个实施例中，光吸收层由I-III-VI族类化合物半导体或I-II-IV-VI族类化合物半导体形成。根据一些实施例的I族元素的示例包括Cu、Ag和Au。根据一些实施例的II族元素的示例包括Zn和Cd。根据一些实施例的III族元素的示例包括In、Ga和Al。根据一些实施例的IV族元素的示例包括Si、Ge、Sn和Pb。根据一些实施例的VI族元素的示例包括S、Se和Te。
具体地讲，I-III-VI族类化合物半导体的示例包括诸如CIS、CGS或CIGS（这里，C表示铜（Cu），I表示铟（In），G表示镓（Ga），S表示硫（S）和硒（Se）中的一种或多种）的化合物半导体。I-II-IV-VI族类化合物半导体的示例是诸如CZTS（这里，C表示铜（Cu），Z表示锌（Zn），T表示锡（Sn），S表示硫（S）和硒（Se）中的一种或多种）的化合物半导体。
图2和图3是将太阳能电池（10和20）与图1中示出的太阳能电池100进行比较的剖视图。在下文中，将参照图2和图3更详细地描述根据此实施例的太阳能电池100。
如图2所示，在一个实施例中，形成在太阳能电池10的基板11上的普通的背表面电极层12由钼（Mo）制成。这里，Mo在光吸收层14的硒化环境下是稳定的，但是Mo的反射率相对小。因此，在太阳能电池10的厚度被实现为纤薄的情况下，光的再吸收减小。具体地，在太阳能电池10被实现为具有1μm或更小的厚度的情况下，期望几个mA/cm2的电流损失。这里，标号13指示合金层，在实施例中，对应于Mo和光吸收层14之间的硒化反应形成的层。
在实施例中，为了改善再吸收，太阳能电池20包括形成在基板21上的作为背表面电极层22的高反射金属（例如，Ag），如图3所示。然而，诸如Ag的高反射金属在400℃或更高的硒化环境下是不稳定的，因此，整个背表面电极层22会转变为AgSex。在整个背表面电极层22转变为AgSex的情况下，背表面电极层22的电阻受到损失，并且AgSex与基板21具有低的粘附性能。如图3所示，在随后的工艺中会出现剥离现象。背表面电极层22的Ag散布在利用CIGS构成的光吸收层24中，因此，在光吸收层24中会出现缺陷。
根据实施例的太阳能电池100至少部分地来自于以上考虑因素，本发明实施例的多个方面（例如，如图1中示出的太阳能电池100）旨在克服上述问题。
具体地讲，尽管根据本公开的实施例的太阳能电池100被实现为利用诸如Ag或Al的高反射金属作为背表面电极层120而具有0.5μm或更小的厚度，但是电流损失小，由此提高了光的再吸收率。在一个实施例中，在背表面电极层120中形成第1a贯穿区域121之后形成透明电极层130，因此，在本公开的实施例中，能够防止或基本上防止背表面电极层120与光吸收层140彼此直接接触。在这些实施例中，透明电极层130不仅形成在背表面电极层120的上表面上，而且还形成在背表面电极层120的暴露的侧表面上，从而能够预先防止或基本上防止诸如Ag的高反射金属与光吸收层140的Se通过背表面电极层120的暴露的侧表面彼此反应。因此，在一些实施例中，能够预先防止或基本上防止整个背表面电极层120由于通过背表面电极层120的暴露的侧表面所引起的Se与Ag之间的反应而转变为AgSex。因此，能够防止或减小由于背表面电极层转变为AgSex所引起的电阻损失、剥离现象的出现和/或缺陷的出现。
在一个实施例中，例如，因为第1a贯穿区域121的宽度比第1b贯穿区域131的宽度宽，所以透明电极层130还形成在基板110的被第1a贯穿区域121暴露的上表面上。在透明电极层130被形成为延伸到基板110的上表面的实施例中，能够更确定地防止或减少高反射金属与光吸收层140的Se反应。
图4至图6是示出图1中示出的太阳能电池100的制造方法的剖视图。在下文中，将参照图4至图6描述根据此实施例的太阳能电池100的制造方法。
首先，如图4所示，在基板110的上表面上形成图案化的背表面电极层120。
在一些实施例中，通过图案化工艺在背表面电极层中形成第1a贯穿区域121，基板110的上表面的一部分通过第1a贯穿区域121暴露到外部。在一些实施例中，通过溅射工艺、沉积工艺、镀覆工艺和/或丝网印刷工艺形成背表面电极层120。在一些实施例中，通过例如激光工艺形成第1a贯穿区域121。
接下来，如图5所示，在其中形成有第1a贯穿区域121的背表面电极层120上形成透明电极层130。
在一些实施例中，通过图案化工艺在透明电极层130中形成第1b贯穿区域131。在一些实施例中，第1b贯穿区域131形成为对应于形成第1a贯穿区域121的位置。在一些实施例中，通过溅射工艺或包括化学气相沉积（CVD）工艺的沉积工艺形成透明电极层130。在一些实施例中，通过激光工艺形成第1b贯穿区域131。在一些实施例中，例如，依赖于根据激光工艺的机械公差，第1b贯穿区域131的宽度比第1a贯穿区域121的宽度窄10μm或更多或者窄30μm或更多。
接下来，如图6所示，根据一个实施例，在其中形成有第1b贯穿区域131的透明电极层130上形成光吸收层140，由此制造太阳能电池100。
图7是根据本发明的另一实施例的太阳能电池200的剖视图。在下文中，将参照图7描述根据此实施例的太阳能电池200。
如图7所示，根据此实施例的太阳能电池200包括基板210、其中形成有第1a贯穿区域的背表面电极层220、其中形成有第1b贯穿区域231的透明电极层230以及光吸收层240，如图1所示。在一些实施例中，太阳能电池200还包括缓冲层250和后表面电极层260。
在一些实施例中，在光吸收层240上形成具有至少一层的缓冲层250。这里，形成在缓冲层250下方的光吸收层240用作p型半导体，形成在缓冲层250上的后表面电极层260用作n型半导体，从而可以在光吸收层240和后表面电极层260之间形成p-n结。在这些实施例中，缓冲层250被形成为具有处于光吸收层240的带隙和后表面电极层260的带隙之间的中间水平的带隙，从而能够实现光吸收层240和后表面电极层260之间的良好的结。在一个实施例中，缓冲层250由例如CdS或ZnS制成。在一些实施例中，将缓冲层250与光吸收层240一起图案化。因此，在一些实施例中，缓冲层250包括第二贯穿区域251。
在一些实施例中，后表面电极层260形成在缓冲层260上。在一个实施例中，后表面电极层260是导电层，并用作n型半导体。例如，在一个实施例中，后表面电极层260由透明导电氧化物（TOC）制成。在一个实施例中，后表面电极层260由ZnO制成。在一个实施例中，后表面电极层260与缓冲层250和光吸收层240一起被图案化。因此，在一个实施例中，后表面电极层260具有第三贯穿区域261。
图8至图11是根据本发明的其他实施例的太阳能电池300、400、500和600的剖视图。在下文中，将参照图8至图11描述根据这些实施例的太阳能电池300、400、500和600。
首先，如图8所示，根据此实施例的太阳能电池300包括基板310、其中形成有第1a贯穿区域321的背表面电极层320、其中形成有第1b贯穿区域331的透明电极层330以及光吸收层340，如图1所描述的。在一个实施例中，太阳能电池300还包括附着改善层350。
这里，附着改善层350设置在背表面电极层320和基板310之间。根据一个实施例，附着改善层350是用于改善基板310与由高反射金属制成的背表面电极层320之间的附着的构件。在一个实施例中，附着改善层350形成在基板310和背表面电极层320的其中未形成第1a贯穿区域321的部分之间。在一些实施例中，附着改善层350包括Ti、Cr、Mo和Ni中的至少一种。在一个实施例中，在形成背表面电极层320之前形成附着改善层350。在一个实施例中，在形成背表面电极层320之后，在形成第1a贯穿区域321时将附着改善层350与背表面电极层320一起图案化。
如图9所示，根据此实施例的太阳能电池400包括基板410、其中形成有第1a贯穿区域421的背表面电极层420、其中形成有第1b贯穿区域431的透明电极层430以及光吸收层440，如图1中所描述的。在一个实施例中，太阳能电池400还包括扩散阻挡层450。
在一个实施例中，扩散阻挡层450形成在背表面电极层420和基板410之间。更具体地讲，在一个实施例中，扩散阻挡层450形成在基板410和背表面电极层的其中未形成第1a贯穿区域421的部分之间。在一个实施例中，扩散阻挡层450是用于防止（或减少）碱离子（例如，Na离子或K离子）或Fe离子从基板410扩散的构件。在一个实施例中，扩散阻挡层450包括至少一种氧化物和/或氮化物材料，例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、氮化钛、氮化钽或氮化钨（例如，SiOx、SiNx、SiOxNy、Al2O3、AlOxNy、TiN、TaN和/或WN）。在一个实施例中，在形成背表面电极层420之前形成扩散阻挡层450。在一个实施例中，在形成背表面电极层420之后，在形成第1a贯穿区域421时将扩散阻挡层450与背表面电极层420一起图案化。
如图10所示，根据此实施例的太阳能电池500包括基板510、其中形成有第1a贯穿区域521的背表面电极层520、其中形成有第1b贯穿区域531的透明电极层530以及光吸收层540，如图1中所描述的。在一个实施例中，太阳能电池500还包括扩散阻挡层550。
即，根据此实施例的扩散阻挡层550形成在基板510和背表面电极层520之间。与图9不同，在一个实施例中，扩散阻挡层550还形成在其上形成有第1a贯穿区域521的基板510的上表面上。在此实施例中，扩散阻挡层550还形成在其上形成有第1a贯穿区域521的基板510的上表面上，因此能够防止杂质通过第1a贯穿区域521扩散。在一个实施例中，在形成背表面电极层520之前形成扩散阻挡层550。在一些实施例中，例如，当在形成背表面电极层520之后形成第1a贯穿区域521时，通过控制激光的能量使扩散阻挡层550保留在基板510的上表面上。
如图11所示，根据此实施例的太阳能电池600包括基板610、其中形成有第1a贯穿区域621的背表面电极层620、其中形成有第1b贯穿区域631的透明电极层630以及光吸收层640，如图1中所描述的。在一个实施例中，太阳能电池600还包括接触电阻改善层650。
在一个实施例中，接触电阻改善层650是用于改善透明电极层630和光吸收层640之间的接触电阻的构件。在一个实施例中，接触电阻改善层650由具有比光吸收层640的空穴浓度高的空穴浓度的p型半导体材料制成。在一个实施例中，接触电阻改善层650包括MSex和MSx（这里，M是例如Mo、W、Ta、Nb、Ti、Cr、V或Mn中的任何一种）中的至少一种。在一个实施例中，接触电阻改善层650形成在透明电极层630和光吸收层640之间。在这种情况下，在形成透明电极层630之后形成接触电阻改善层650。在一个实施例中，当形成第1b贯穿区域631时，将接触电阻改善层650与透明电极层630一起图案化。
虽然已经结合特定的示例性实施例描述了本发明，但是应当理解的是，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明旨在覆盖包括在权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
基板；
第一电极层，位于基板上；
第二电极层，位于第一电极层上；以及
光吸收层，位于第二电极层上，
其中：
第一电极层具有第一贯穿区域；
第二电极层是透明电极层并具有第二贯穿区域；
第二贯穿区域比第一贯穿区域窄且位于与第一贯穿区域对应的位置处。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，第二电极层覆盖第一电极层的上表面和侧表面，其中，所述侧表面在第一贯穿区域内。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，第二电极层以等于第二电极层的厚度的距离覆盖基板的上表面的一部分。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，第二电极层以大于第二电极层的厚度的距离覆盖基板的上表面的一部分。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，光吸收层接触基板的至少一部分。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，第一贯穿区域的宽度与第二贯穿区域的宽度之差为10μm或更大。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，第一贯穿区域的宽度与第二贯穿区域的宽度之差为30μm或更大。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，第一电极层是背表面电极层，并包括从Ag、Al、Cu、Au、Pt和Cr中选择的至少一种。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，光吸收层包括I-III-VI族类化合物半导体或I-II-IV-VI族类化合物半导体。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，光吸收层包括从Cu、In、Ga、S、Se、Zn和Sn中选择的至少一种。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，第二电极层包括从氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化钛以及掺杂有Al、Ga和B中的一种或多种的氧化锌中选择的至少一种。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，第二电极层具有至少10nm的厚度或50nm至150nm的厚度。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括从下述中选择的至少一者：
附着改善层，在第一电极层和基板之间；
扩散阻挡层，在第一电极层和基板之间；
接触电阻改善层，在第二电极层和光吸收层之间；
缓冲层，在光吸收层上；以及
后表面电极层，在光吸收层上。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，附着改善层包括从Ti、Cr、Mo和Ni中选择的至少一种。
15.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，扩散阻挡层包括氧化物或氮化物材料，其中，氧化物或氮化物材料选自于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、氮化钛、氮化钽和氮化钨。
16.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，接触电阻改善层包括MSex和MSx中的至少一种，其中，M选自于Mo、W、Ta、Nb、Ti、Cr、V和Mn。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，太阳能电池具有小于1μm的厚度。
18.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一电极层；
形成穿过第一电极层的第一贯穿区域，以暴露基板的第一部分；
形成覆盖第一电极层和基板的暴露的第一部分的第二电极层；
在第二电极层的位于第一贯穿区域内侧的区域中形成穿过第二电极层的第二贯穿区域，以暴露基板的第二部分；
形成覆盖第二电极层和基板的暴露的第二部分的光吸收层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，形成第一电极层的贯穿区域或形成第二电极层的贯穿区域包括：分别将第一电极层或第二电极层图案化。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，通过溅射或包括化学气相沉积工艺的沉积形成第二电极层。
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