CN103811422B - 一种cmos硅片裂片的处理装置及其处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种cmos硅片裂片的处理装置及其处理方法，所述处理装置包括承压部、挤压部以及铜棒，所述承压部通过连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有弹性垫片、第一PVC透明片以及第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有第二宣纸层以及第二PVC透明片；方法如下：往第一宣纸层和第二宣纸层滴冷媒；将整片硅片的正面朝下放置于第一宣纸层上，然后盖下挤压部；将铜棒放于挤压部的上方，并沿整片硅片的横向、纵向切割道方向各推压一次，形成硅片裂片；将整个处理装置翻转，则硅片裂片的正面均朝上，再挑选合格的硅片裂片。本发明能够大大提高硅片裂片的拆分效率，同时不划伤硅片表面，且不会产生崩边及摩擦静电现象。

Description

一种cmos硅片裂片的处理装置及其处理方法
【技术领域】
本发明涉及一种cmos硅片裂片的处理装置及其处理方法。
【背景技术】
CMOS是ComplementaryMetalOxideSemiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的，其采用有硅片结构。
现有硅片裂片的拆分一般是将制作好的带有横竖切割道的一整片硅片，人工按整片硅片上的切割道进行滑动然后拆解下硅片裂片，效率十分的低，人工成本高，并且操作时容易划伤硅片、及芯片四周会出现崩边。同时拆解下来的硅片裂片堆放无规律，挑片耗时长。
【发明内容】
本发明要解决的技术问题之一，在于提供一种cmos硅片裂片的处理装置，能够大大提高硅片裂片的拆分效率，同时不划伤硅片表面。
本发明是这样实现上述技术问题之一的：
一种cmos硅片裂片的处理装置，所述处理装置包括一承压部、一挤压部以及一铜棒，所述承压部通过一连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有一弹性垫片、一第一PVC透明片以及一第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有一第二宣纸层以及一第二PVC透明片。
进一步地，所述弹性垫片、第一PVC透明片、第一宣纸层、第二宣纸层以及第二PVC透明片均为圆形。
本发明要解决的技术问题之二，在于提供一种cmos硅片裂片的处理方法，能够大大提高硅片裂片的拆分效率，同时不划伤硅片表面，且不会产生崩边及摩擦静电现象。
本发明是这样实现上述技术问题之二的：
一种cmos硅片裂片的处理方法，所述处理方法使用的处理装置包括一承压部、一挤压部以及一铜棒，所述承压部通过一连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有一弹性垫片、一第一PVC透明片以及一第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有一第二宣纸层以及一第二PVC透明片；
所述处理方法步骤如下：
步骤10、将处理装置的承压部和挤压部打开，即承压部在下，挤压部在上，往第一宣纸层和第二宣纸层滴冷媒；
步骤20、将整片硅片的正面朝下放置于第一宣纸层上，然后盖下挤压部；
步骤30、将铜棒放于挤压部的上方，并沿整片硅片的横向切割道方向推压一次，再沿纵向切割道方向推压一次，同时用力均匀，最后形成硅片裂片；
步骤40、将整个处理装置翻转，使得承压部在上，挤压部在下，则硅片裂片的正面均朝上打开承压部，再挑选合格的硅片裂片。
进一步地，所述弹性垫片、第一PVC透明片、第一宣纸层、第二宣纸层以及第二PVC透明片均为圆形。
本发明具有如下优点：
本发明处理装置的最底部为一弹性垫片，能够使拆分时的推压力度得到缓冲，大大减小硅片的损伤；在接触硅片的上下两层宣纸层用冷媒湿润，既能够保护硅片表面，又能够使得拆分后的硅片裂片固定，方便最后的挑选，，且不会产生崩边及摩擦静电现象。
【附图说明】
下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。
图1为本发明的处理装置的结构示意图。
【具体实施方式】
请参阅图1所示，对本发明的实施例进行详细的说明。
本发明涉及一种cmos硅片裂片的处理装置，所述处理装置包括一承压部1、一挤压部2以及一铜棒（图未示），所述承压部1通过一连接件3与挤压部2相连，所述承压部1从下到上依次设置有一弹性垫片11、一第一PVC透明片12以及一第一宣纸层13，所述挤压部2从下到上依次设有一第二宣纸层21以及一第二PVC透明片22。
所述弹性垫片11、第一PVC透明片12、第一宣纸层13、第二宣纸层21以及第二PVC透明片22均为圆形。
本发明还涉及一种cmos硅片裂片的处理方法，所述处理方法利用上述处理装置进行处理硅片裂片；
所述处理方法步骤如下：
步骤10、将处理装置的承压部1和挤压部2打开，即承压部1在下，挤压部2在上，往第一宣纸层13和第二宣纸层21滴冷媒；
步骤20、将整片硅片的正面朝下放置于第一宣纸层13上，然后盖下挤压部2；
步骤30、将铜棒放于挤压部2的上方，并沿整片硅片的横向切割道方向推压一次，再沿纵向切割道方向推压一次，同时用力均匀，最后形成硅片裂片；
步骤40、将整个处理装置翻转，使得承压部1在上，挤压部2在下，则硅片裂片的正面均朝上打开承压部，再挑选合格的硅片裂片。
本发明处理装置的最底部为一弹性垫片11，能够使拆分时的推压力度得到缓冲，大大减小硅片的损伤；在接触硅片的上下两层宣纸层用冷媒湿润，既能够保护硅片表面，又能够使得拆分后的硅片裂片固定，方便最后的挑选，且不会产生崩边及摩擦静电现象。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本发明的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。

Claims (4)

1.一种cmos硅片裂片的处理装置，其特征在于：所述处理装置包括一承压部、一挤压部以及一铜棒，所述承压部通过一连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有一弹性垫片、一第一PVC透明片以及一第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有一第二宣纸层以及一第二PVC透明片。
2.根据权利要求1所述的一种cmos硅片裂片的处理装置，其特征在于：所述弹性垫片、第一PVC透明片、第一宣纸层、第二宣纸层以及第二PVC透明片均为圆形。
3.一种cmos硅片裂片的处理方法，其特征在于：所述处理方法使用的处理装置包括一承压部、一挤压部以及一铜棒，所述承压部通过一连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有一弹性垫片、一第一PVC透明片以及一第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有一第二宣纸层以及一第二PVC透明片；
所述处理方法步骤如下：
步骤10、将处理装置的承压部和挤压部打开，即承压部在下，挤压部在上，往第一宣纸层和第二宣纸层滴冷媒；
步骤20、将整片硅片的正面朝下放置于第一宣纸层上，然后盖下挤压部；
步骤30、将铜棒放于挤压部的上方，并沿整片硅片的横向切割道方向推压一次，再沿纵向切割道方向推压一次，同时用力均匀，最后形成硅片裂片；
步骤40、将整个处理装置翻转，使得承压部在上，挤压部在下，则硅片裂片的正面均朝上，打开承压部，再挑选合格的硅片裂片。
4.根据权利要求3所述的一种cmos硅片裂片的处理方法，其特征在于：所述弹性垫片、第一PVC透明片、第一宣纸层、第二宣纸层以及第二PVC透明片均为圆形。
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