CN103794529B - 一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量 - Google Patents

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    • H01L22/26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Abstract

本发明公开了一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法,包括:旋转轴(1)、控制器(2)、晶体定位台(3)、晶片(4)和遮光式光电传感器(5)。在将晶片(4)置于晶体定位台(3)后,晶片(4)有一部分将置于遮光式光电传感器(5)中。由于部分光线的遮挡,遮光式光电传感器(5)将向控制器(2)传送光强度编码。控制器(2)控制旋转轴(1)匀速旋转,并定时获得光强度编码。在晶片(4)旋转一周后,控制器(2)将计算出晶片(4)圆心与旋转轴(1)中心的偏移矢量。

Description

一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量
技术领域
本发明涉及一种半导体器件制造控制系统,尤其涉及离子注入机的一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法。
背景技术
离子注入机是一种通过引导杂质注入半导体晶片,从而改变晶片的传导率的设备,其中晶片传输系统的稳定性直接关乎设备的生产效率以及企业的效益,因此一套行之有效的晶片传输控制系统就至关重要,而在晶片传输控制系统中机械手是唯一的传输载体,因此如果能够提高机械手传送晶片的稳定性和精准度,那么整个系统的稳定性就大幅度地提高。要提高机械手传送晶片的稳定性和精准度,就要定位晶片在定位台的位置,进而指示机械手能正确地抓取晶片,将之精确地送到靶台上。否则,晶片由于没有正确的抓取或放置,将导致晶片固定不稳而滑落。在计算出圆心偏移矢量后,我们就能通过调节机械手的方向和位置来抵消掉这些误差,达到精确地传送的目的。
发明内容
本发明是针对现有技术中无法确定定位台上晶片圆心与转轴中心的偏移误差,导致晶片放置不正引起的晶片滑落,影响设备稳定性,给客户造成重大损失,而开发出的一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法。
如图1所示,本发明通过以下技术方案实现:
1.一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法,包括:旋转轴(1)、控制器(2)、晶体定位台(3)、晶片(4)和遮光式光电传感器(5)。
2.一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法,其过程为:在将晶片(4)置于晶体定位台(3)后,晶片(4)有一部分将置于遮光式光电传感器(5)中。由于部分光线的遮挡,遮光式光电传感器(5)将向控制器(2)传送光强度编码。控制器(2)控制旋转轴(1)匀速旋转,并定时获得光强度编码。在晶片(4)旋转一周后,控制器(2)将计算出晶片(4)圆心与旋转轴(1)中心的偏移矢量。
3.一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法,如图2中所示:晶片(4)圆心圆心是B,旋转轴(1)的圆心是A。由于A与B没有重叠,因此,当旋转轴(1)旋转时,晶片(4)在遮光式光电传感器(5)中遮挡光的多少是变化的。因此遮光式光电传感器(5)送给控制器(2)的光强度编码值是变化的。当A点、B点在遮光式光电传感器(5)处于一条基准线(6)上时,光强度编码值要么最大Emax,要么最小Emin。在基准线(6)上,如果B点在A点左边,光强度编码值最小的话,则B点在A点右边时,光强度编码值将最大。根据Emax和Emin,我们就能得出矢量的模根据控制器(2)开始转动旋转轴(1)时采样到的第一个光强度编码Eo,我们能算出Eo与Emax的距离,从而获得矢量与基准线(6)的夹角θ。
本发明具有如下显著优点:
1.能在旋转晶片一周后,就能计算圆心与旋转轴中心的偏移矢量。因此,效率高,速度快。不用多次转动旋转轴。
2.偏移矢量的模就是晶片圆心与旋转轴中心的偏移量。根据这个量,就能决定是否需要通过机械手移动晶片,使得晶片与定位台之间中心重叠。
3.由于知道偏移矢量,就能有效地指示机械手再次修正性地放置晶片到定位台上。
附图说明
图1为定位晶片与定位体系结构图。
图2为晶片圆心与旋转轴中心偏离矢量计算的实施图。
具体实施方式
下面结合附图1和附图2对本发明作进一步的介绍,但不作为对本发明的限定。
机械臂将晶片(4)置于晶体定位台(3)后,控制器(2)开始匀速转动旋转轴(1),与此同时,开始从遮光式光电传感器(5)采集光强度编码。控制器(2)匀速转动旋转轴(1)一周后,采集到n个光强度编码数据Ei(i=0,,n-1)。
由于是匀速运动,我们可以知道任意两个相邻的Ei和Ei+1之间的旋转角度ω是360/n。
在序列Ei(i=0,,n-1)中,我们确定出最大的Emax。根据Emax的下标值k,我们就计算出矢量与基准线(6)的夹角θ为k×360/n。
的模其中,函数Fmax和Fmin是根据B点在基准线(6)上时,依据光强编码计算的A点与B点的偏移值。计算方式是通过大规范实验,获取光强编码与B点与A点的偏移值的对应表,通过查表获得。
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。

Claims (3)

1.一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法,包括:旋转轴(1)、控制器(2)、晶体定位台(3)、晶片(4)和遮光式光电传感器(5),在将晶片(4)置于晶体定位台(3)后,晶片(4)有一部分将置于遮光式光电传感器(5)中,由于部分光线的遮挡,遮光式光电传感器(5)将向控制器(2)传送光强度编码,控制器(2)控制旋转轴(1)匀速旋转,并定时获得光强度编码,在晶片(4)旋转一周后,控制器(2)将根据旋转一周时采集的光强度编码计算出晶片(4)圆心与旋转轴(1)中心的偏移矢量;
晶片(4)的圆心是B,旋转轴(1)的圆心是A,当A点、B点与遮光式光电传感器(5)处于一条基准线(6)上时,光强度编码值要么为最大值Emax,要么为最小值Emin,根据Emax和Emin,得出矢量的模其中函数Fmax和Fmin是根据B点在基准线(6)上时,依据光强编码计算的A点和B点的偏移值,该偏移值的计算方式是通过实验,获取光强编码与B点与A点的偏移值的对应表,通过查表获得;根据控制器(2)开始转动旋转轴(1)时采样到的第一个光强度编码E0,算出E0与Emax的距离,从而获得矢量与基准线(6)的夹角θ;θ为K×360/n,K为Emax的下标值;采集到n个光强度编码数据Ei(i=0,n-1)。
2.如权利要求1所述的一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法,其特征在于:控制器(2)通过均匀旋转旋转轴(1)和采集遮光式光电传感器(5)光强度编码,就可以快速地计算晶片(4)的圆心与旋转轴(1)中心的偏移矢量。
3.如权利要求1所述的一种定位台上确定晶片圆心偏移矢量的方法,其特征在于:确定晶片(4)圆心的偏移后,就能够准确有效地控制传输的精度,保证未来机械臂获取晶片(4)时,能够准确地握住晶片的有效位置,并传送到靶台上。
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