CN103779452B - 悬空氮化物薄膜led器件及制备方法 - Google Patents

悬空氮化物薄膜led器件及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103779452B
CN103779452B CN201410026373.6A CN201410026373A CN103779452B CN 103779452 B CN103779452 B CN 103779452B CN 201410026373 A CN201410026373 A CN 201410026373A CN 103779452 B CN103779452 B CN 103779452B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
gan contact
contact layer
nitride
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410026373.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103779452A (zh
Inventor
王永进
白丹
施政
李欣
高绪敏
陈佳佳
朱洪波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Post and Telecommunication University
Original Assignee
Nanjing Post and Telecommunication University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Post and Telecommunication University filed Critical Nanjing Post and Telecommunication University
Priority to CN201410026373.6A priority Critical patent/CN103779452B/zh
Publication of CN103779452A publication Critical patent/CN103779452A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103779452B publication Critical patent/CN103779452B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。

Description

悬空氮化物薄膜LED器件及制备方法
技术领域
本发明属于信息材料与器件技术领域，涉及一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，。
背景技术
随着氮化物材料生长技术的突破，硅衬底氮化物晶片已经逐步实现技术突破，走向商用市场。发展硅衬底氮化物LED器件，具有广阔的应用空间。
以往的氮化镓LED都是生长在蓝宝石衬底上面，本发明的氮化镓LED是生长在硅衬底上面的。并且和光学微机电器件(MEMS)相结合。实现对光波的调控，同时提高了出光的效率。在氮化物器件层的上表面具有纳米结构，是谐振光栅，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；
作为LED发光器件，特别是蓝光的发光效率非常重要。但是由于硅材料对于蓝光的吸收作用，所以对硅衬底的剥离问题也是一个关键问题。生长在硅衬底上的氮化物材料，利用深硅刻蚀技术，可以解决硅衬底和氮化物材料的剥离问题，获得悬空的氮化物薄膜；利用悬空氮化物薄膜背后减薄技术，可以解决顶层氮化物器件的刻蚀难题，通过背后减薄，获得超薄的氮化物薄膜，减小LED器件的内部损耗。此外，氮化物薄膜LED器件，可以转移到其他低折射率衬底上，实现多种器件的集成。
发明内容
技术问题：本发明提供了一种结合谐振光栅的、具有高出光效率、易散热的悬空氮化物薄膜LED器件，同时提供一种该LED器件的制备方法。
技术方案：本发明的悬空氮化物薄膜LED器件，以生长有P-N结的硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层、生长在氮化镓层上的P-N结和设置在P-N结上侧的谐振光栅，P-N结和谐振光栅构成LED发光器件，LED发光器件下方设置有贯穿硅衬底层和氮化镓层的空腔，使得LED发光器件完全悬空；
P-N结包括从下至上依次连接设置的N-GaN接触层、量子阱和P-GaN接触层，谐振光栅设置在P-GaN接触层上表面，P-GaN接触层上表面位于谐振光栅一侧的区域蒸镀有沉积金属材料为Ni/Au的P-电极，N-GaN接触层上表面为刻蚀出的阶梯状台面，阶梯状台面包括一个上台面和位于上台面一侧的下台面，上台面与量子阱的底面连接，下台面上蒸镀有沉积金属材料为Ti/Al的N-电极。
本发明的制备上述悬空氮化物薄膜LED器件的方法，以生长有P-N结的硅基氮化物晶片为载体，包括如下步骤：
1)硅基氮化物晶片的氮化镓层上生长的P-N结包括从下至上依次连接设置的N-GaN接触层、量子阱和P-GaN接触层，在P-GaN接触层上表面旋涂一层电子束光刻胶，采用电子束曝光技术在电子束光刻胶层上定义出谐振光栅的结构；
2)采用反应耦合等离子体刻蚀技术将步骤1)中定义的谐振光栅结构转移到P-GaN接触层中，然后利用氧气等离子灰化方法去除残余的光刻胶；
3)在P-GaN接触层上表面均匀涂上一层光刻胶，光刻定义出N-GaN接触层下台面区域的窗口，在该窗口采用反应离子束向下刻蚀氮化物，刻穿P-GaN接触层和量子阱，直至N-GaN接触层，然后去除残余蚀刻光刻胶；
4)P-GaN接触层上表面均匀涂上一层光刻胶，光刻定义用于蒸镀P-电极区域的窗口，然后采用剥离工艺和温度控制在500±5℃的退火技术，在窗口蒸镀Ni/Au，形成欧姆接触，实现P-电极，然后去除残余蚀刻光刻胶；
5)在下台面区域上光刻定义用于蒸镀N-电极区域的窗口，然后采用剥离工艺和温度控制在500±5℃的退火技术，在窗口蒸镀Ti/Al，形成欧姆接触，实现N-电极后，去除残余蚀刻光刻胶；
6)在生长有N-GaN接触层、量子阱和P-GaN接触层的硅基氮化物晶片的顶层涂胶保护，防止刻蚀过程中损伤表面器件，在硅基氮化物晶片的硅衬底层下表面旋涂一层光刻胶层，利用背后对准技术，在硅衬底层下表面的光刻胶层上打开一个刻蚀窗口；然后将氮化镓层作为刻蚀阻挡层，利用深硅刻蚀技术，通过刻蚀窗口将硅衬底层贯穿刻蚀至氮化镓层的下表面，在硅衬底层中形成一个位于LED发光器件下方的空腔；
7)采用离子束轰击或反应离子束刻蚀技术，从下往上刻穿氮化镓层，对N-GaN接触层进行氮化物减薄处理后，去除残余光刻胶，即获得悬空氮化物薄膜LED器件。
本发明的悬空氮化物薄膜LED器件解决了由于硅衬底氮化物器件层的厚度通常由生长条件决定，厚度较大，内部损耗严重，加上氮化镓材料和硅材料的晶格不匹配导致应力的作用导致的硅衬底吸收一部分出射光，特别是蓝光，降低了LED的发光效率的问题，还解决了一般硅基LED器件散热难的问题。所以本发明提供的技术方法能够实现的硅衬底和氮化物器件层的剥离，发展悬空氮化物薄膜LED器件，利用背后减薄技术，减小器件的内部损耗，获得高出光效率的超薄LED器件。
有益效果：本发明与现有技术相比，具有以下优点：
本发明的悬空氮化物薄膜LED器件，采用了消除硅层底和氮化物层减薄技术，减少了由于硅衬底层太厚导致的光的内部消耗，大大提高了出光效率，相比与存在硅衬底层的LED器件，本发明的悬空氮化物薄膜LED器件在出光效率上至少能提高其15倍以上；
本发明的悬空氮化物薄膜LED器件，在LED发光器件发光区域消除硅衬底层，使得LED器件的散热能力大大增强，提高了LED器件的工作寿命；
本发明是生长在硅材料上的氮化镓LED器件，不是蓝宝石衬底，通过背后减薄工艺解决了硅材料和氮化镓材料的晶格不匹配问题，解决了应力释放的问题。
本发明的悬空氮化物薄膜LED器件，在P-GaN接触层刻蚀有谐振光栅结构，特定的该结构能够实现光的高透射率、波长选择等作用，丰富了LED器件的用途。
附图说明
图1为本发明悬空氮化物薄膜LED器件侧面示意图；
图2为本发明悬空氮化物薄膜LED器件平面示意图；
图3为本发明悬空氮化物薄膜LED器件剖面结构示意图；
图4为本发明悬空氮化物薄膜LED器件制备工艺流程图。
图中有：硅衬底层1、氮化镓层2、谐振光栅3、N-GaN接触层4、量子阱5、P-GaN接触层6、P-电极7、N-电极8。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施例对本发明做进一步具体说明。
图1、图2、图3给出了本发明的悬空氮化物薄膜LED器件的结构示意图，该器件以生长有P-N结的硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层1、设置在硅衬底层1上的氮化镓层2、生长在氮化镓层2上的P-N结和设置在P-N结上侧的谐振光栅3，P-N结和谐振光栅3构成LED发光器件，LED发光器件下方设置有贯穿硅衬底层1和作为缓冲作用的氮化镓层2的空腔，使得LED发光器件完全悬空；
P-N结包括从下至上依次连接设置的N-GaN接触层4、量子阱5和P-GaN接触层6，谐振光栅3设置在P-GaN接触层6上表面，P-GaN接触层6上表面位于谐振光栅3一侧的区域蒸镀有沉积金属材料为Ni/Au的P-电极7，N-GaN接触层4上表面为刻蚀出的阶梯状台面，阶梯状台面包括一个上台面和位于上台面一侧的下台面，上台面与量子阱5的底面连接，下台面上蒸镀有沉积金属材料为Ti/Al的N-电极8。
本发明的悬空薄膜LED器件，刻蚀在P-GaN接触层6上表面的谐振光栅3是条形光栅，该光栅具有波长选择作用，选择需要的光谱，提高利用效率。
本发明的悬空薄膜LED器件实现的硅衬底层1和氮化镓层2的剥离，发展悬空氮化物薄膜LED器件，利用背后减薄技术，减小器件的内部损耗，获得高出光效率的超薄LED器件，同时在LED发光器件发光区域消除硅衬底层1，使得LED器件的散热能力大大增强。
本发明的悬空薄膜LED器件，因消除硅衬底层1，减薄氮化镓层2和N-GaN接触层4，在LED器件的P-电极7和N-电极8加比普通带硅衬底LED器件更小的正/负电压下，产生同样量载流子漂移，N-GaN接触层4和P-GaN接触层6的载流子作用，在P-GaN接触层6激发出光子，沿P-GaN接触层6上表面出射光，出射光会经过P-GaN接触层6上表面的谐振光栅3选择，选择出需要的光谱，使选择光得到高效利用。
本发明的制备悬空氮化物薄膜LED器件的工艺方法，具体步骤如下：
1)硅基氮化物晶片的氮化镓层2上生长的P-N结包括从下至上依次连接设置的N-GaN接触层4、量子阱5和P-GaN接触层6，在P-GaN接触层6上表面旋涂一层电子束光刻胶，采用电子束曝光技术在电子束光刻胶层上定义出谐振光栅3的结构；
2)采用反应耦合等离子体刻蚀技术将步骤1)中定义的谐振光栅3结构转移到P-GaN接触层6中，不破坏P-N结的量子阱5，然后利用氧气等离子灰化方法去除残余的光刻胶；
3)在P-GaN接触层6上表面均匀涂上一层光刻胶，光刻定义出N-GaN接触层4下台面区域的窗口，在该窗口采用反应离子束向下刻蚀氮化物，刻穿P-GaN接触层6和量子阱5，并刻蚀掉一部分N-GaN接触层4，然后去除残余蚀刻光刻胶；
4)P-GaN接触层6上表面均匀涂上一层光刻胶，光刻定义用于蒸镀P-电极7区域的窗口，然后采用剥离工艺和温度控制在500±5℃的退火技术，在窗口蒸镀Ni/Au，形成欧姆接触，实现P-电极7，然后去除残余蚀刻光刻胶；
5)在下台面区域上光刻定义用于蒸镀N-电极8区域的窗口，然后采用剥离工艺和温度控制在500±5℃的退火技术，在窗口蒸镀Ti/Al，形成欧姆接触，实现N-电极8后，去除残余蚀刻光刻胶；
6)在生长有N-GaN接触层4、量子阱5和P-GaN接触层6的硅基氮化物晶片的顶层涂胶保护，防止刻蚀过程中损伤表面器件，在硅基氮化物晶片的硅衬底层1下表面旋涂一层光刻胶层，利用背后对准技术，在硅衬底层1下表面的光刻胶层上打开一个刻蚀窗口；然后将氮化镓层2作为刻蚀阻挡层，利用深硅刻蚀技术，通过刻蚀窗口将硅衬底层1贯穿刻蚀至氮化镓层2的下表面，在硅衬底层1中形成一个位于LED发光器件下方的空腔；
7)采用离子束轰击或反应离子束刻蚀技术，从下往上刻穿氮化镓层2，对N-GaN接触层4进行氮化物减薄处理后，去除残余光刻胶，即获得悬空氮化物薄膜LED器件。

Claims (1)

1.一种制备悬空氮化物薄膜LED器件的方法，其特征在于，该器件以生长有P-N结的硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层(1)、设置在所述硅衬底层(1)上的氮化镓层(2)、生长在所述氮化镓层(2)上的P-N结和设置在所述P-N结上侧的谐振光栅(3)，所述P-N结和谐振光栅(3)构成LED发光器件，所述LED发光器件下方设置有贯穿硅衬底层(1)和氮化镓层(2)的空腔，使得LED发光器件完全悬空；
所述P-N结包括从下至上依次连接设置的N-GaN接触层(4)、量子阱(5)和P-GaN接触层(6)，所述谐振光栅(3)设置在P-GaN接触层(6)上表面，所述P-GaN接触层(6)上表面位于谐振光栅(3)一侧的区域蒸镀有沉积金属材料为Ni/Au的P-电极(7)，所述N-GaN接触层(4)上表面为刻蚀出的阶梯状台面，所述阶梯状台面包括一个上台面和位于上台面一侧的下台面，所述上台面与量子阱(5)的底面连接，所述下台面上蒸镀有沉积金属材料为Ti/Al的N-电极(8)；
该方法以生长有P-N结的硅基氮化物晶片为载体，包括如下步骤：
1)所述硅基氮化物晶片的氮化镓层(2)上生长的P-N结包括从下至上依次连接设置的N-GaN接触层(4)、量子阱(5)和P-GaN接触层(6)，在P-GaN接触层(6)上表面旋涂一层电子束光刻胶，采用电子束曝光技术在电子束光刻胶层上定义出谐振光栅(3)的结构；
2)采用反应耦合等离子体刻蚀技术将所述步骤1)中定义的谐振光栅(3)结构转移到P-GaN接触层(6)中，然后利用氧气等离子灰化方法去除残余的光刻胶；
3)在P-GaN接触层(6)上表面均匀涂上一层光刻胶，光刻定义出N-GaN接触层(4)下台面区域的窗口，在该窗口采用反应离子束向下刻蚀氮化物，刻穿P-GaN接触层(6)和量子阱(5)，直至N-GaN接触层(4)，然后去除残余蚀刻光刻胶；
4)P-GaN接触层(6)上表面均匀涂上一层光刻胶，光刻定义用于蒸镀P-电极(7)区域的窗口，然后采用剥离工艺和温度控制在500±5℃的退火技术，在所述窗口蒸镀Ni/Au，形成欧姆接触，实现P-电极(7)，然后去除残余蚀刻光刻胶；
5)在下台面区域上光刻定义用于蒸镀N-电极(8)区域的窗口，然后采用剥离工艺和温度控制在500±5℃的退火技术，在所述窗口蒸镀Ti/Al，形成欧姆接触，实现N-电极(8)后，去除残余蚀刻光刻胶；
6)在生长有N-GaN接触层(4)、量子阱(5)和P-GaN接触层(6)的硅基氮化物晶片的顶层涂胶保护，防止刻蚀过程中损伤表面器件，在硅基氮化物晶片的硅衬底层(1)下表面旋涂一层光刻胶层，利用背后对准技术，在硅衬底层(1)下表面的光刻胶层上打开一个刻蚀窗口；然后将氮化镓层(2)作为刻蚀阻挡层，利用深硅刻蚀技术，通过刻蚀窗口将所述硅衬底层(1)贯穿刻蚀至氮化镓层(2)的下表面，在硅衬底层(1)中形成一个位于LED发光器件下方的空腔；
7)采用离子束轰击或反应离子束刻蚀技术，从下往上刻穿氮化镓层(2)，对N-GaN接触层(4)进行氮化物减薄处理后，去除残余光刻胶，即获得悬空氮化物薄膜LED器件。
CN201410026373.6A 2014-01-21 2014-01-21 悬空氮化物薄膜led器件及制备方法 Active CN103779452B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410026373.6A CN103779452B (zh) 2014-01-21 2014-01-21 悬空氮化物薄膜led器件及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410026373.6A CN103779452B (zh) 2014-01-21 2014-01-21 悬空氮化物薄膜led器件及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103779452A CN103779452A (zh) 2014-05-07
CN103779452B true CN103779452B (zh) 2016-10-05

Family

ID=50571492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410026373.6A Active CN103779452B (zh) 2014-01-21 2014-01-21 悬空氮化物薄膜led器件及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103779452B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105445854B (zh) * 2015-11-06 2018-09-25 南京邮电大学 硅衬底悬空led光波导集成光子器件及其制备方法
CN105428305B (zh) * 2015-11-20 2018-08-24 南京邮电大学 悬空led光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法
CN105633194B (zh) * 2016-03-09 2017-12-29 南京邮电大学 基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法
CN105841725B (zh) * 2016-03-26 2018-06-01 南京邮电大学 基于光栅耦合的可见光单片集成传感器及其制作方法
CN107104169B (zh) * 2017-04-13 2019-01-08 南京邮电大学 基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法
CN107195733B (zh) * 2017-05-05 2019-03-29 南京邮电大学 基于机械剥离的毫米级可转移led器件及其制备方法
CN109888611B (zh) * 2019-03-18 2021-06-01 南京邮电大学 一种电驱动纳米梁结构的氮化物微激光器及其制备方法
CN110165027A (zh) * 2019-06-04 2019-08-23 广东省半导体产业技术研究院 半导体发光器件及其制作方法
CN110212078B (zh) * 2019-06-14 2020-10-27 厦门大学 一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法
CN110957406B (zh) * 2019-12-05 2022-05-27 南京邮电大学 一种电驱动光栅波分复用器件及其制备方法
CN111641108B (zh) * 2020-05-29 2021-09-24 南京邮电大学 一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器及制备方法
CN114256735B (zh) * 2021-11-16 2023-08-15 南京邮电大学 一种电泵氮化物悬空圆环光频梳激光器及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102530821A (zh) * 2011-12-26 2012-07-04 南京邮电大学 基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件及其制备方法
CN102583215A (zh) * 2011-12-26 2012-07-18 南京邮电大学 基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法
CN102646772A (zh) * 2012-05-11 2012-08-22 东南大学 一种具有背镀结构的发光二极管
CN102856369A (zh) * 2012-09-03 2013-01-02 南京邮电大学 基于硅衬底氮化物的悬空hemt器件及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100349306C (zh) * 2004-08-27 2007-11-14 中国科学院半导体研究所 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102530821A (zh) * 2011-12-26 2012-07-04 南京邮电大学 基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件及其制备方法
CN102583215A (zh) * 2011-12-26 2012-07-18 南京邮电大学 基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法
CN102646772A (zh) * 2012-05-11 2012-08-22 东南大学 一种具有背镀结构的发光二极管
CN102856369A (zh) * 2012-09-03 2013-01-02 南京邮电大学 基于硅衬底氮化物的悬空hemt器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103779452A (zh) 2014-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103779452B (zh) 悬空氮化物薄膜led器件及制备方法
US10217901B2 (en) Light emitting device with improved extraction efficiency
WO2017084243A1 (zh) 悬空led光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法
CN102201512B (zh) 一种图形化衬底
WO2017075945A1 (zh) 硅衬底悬空led光波导集成光子器件及其制备方法
EP2221884A1 (en) Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same
US20110204412A1 (en) Method for manufacturing semiconductor light emitting element
CN103633203B (zh) 悬空氮化物薄膜led器件及其制备方法
US9356188B2 (en) Tensile separation of a semiconducting stack
JP2012243815A (ja) 半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法
CN104882523A (zh) 一种钝化层折射率渐变的GaN基发光二极管芯片及其制备方法
CN102214557A (zh) 一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法
Shi et al. Characteristics of GaN-based LED fabricated on a GaN-on-silicon platform
Yan et al. A vertical AlGaN DUV light-emitting diode fabricated by wafer bonding and sapphire thinning technology
CN102280533A (zh) 氮化镓衬底材料制造方法
EP2896077B1 (en) Light emitting device including shaped substrate
CN104300048A (zh) 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法
KR20070113652A (ko) 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드제조방법
CN109616560A (zh) 一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底
CN103956415A (zh) GaN基发光二极管的制备方法
WO2010032829A1 (ja) 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子
JP6755230B2 (ja) 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5449414B2 (ja) 半導体発光素子
KR101165256B1 (ko) 고효율 발광 소자 및 그 제조 방법
Markov et al. Combination of reactive-ion etching and chemical etching as a method for optimizing the surface relief on AlGaInN heterostructures

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant