CN103779381B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：显示单元，具有多个子像素，多个子像素中的每一个包括彼此相对的像素电极和相对电极以及设置在像素电极和相对电极之间的发光层；封装基板，覆盖显示单元；以及辅助电极，形成在封装基板的面对显示单元的表面上，辅助电极连接至所述相对电极。利用该结构，通过将形成在封装基板上的辅助电极连接至相对电极，可有效降低电压降，从而改善使用该结构的有机发光显示装置的可靠性。
Description
相关申请的引用
本申请要求于2012年10月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2012-0116750的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法，具体地，涉及具有用于防止相对电极处的电压降的改进结构的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
通常，有机发光显示装置因阳极和阴极注入的空穴和电子在发光层复合并发光而体现色彩，并且具有堆叠结构，其中发光层设置在像素电极（作为阳极）和相对电极（作为阴极）之间。
这种有机发光显示装置的单元像素包括子像素（包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素），通过三种颜色子像素的组合来体现期望的颜色。也就是，子像素中的每个具有这样的结构，其中，发出红色、绿色和蓝色中的一种颜色的光的发光层设置在两个电极之间，通过三种颜色的光的适当组合来体现单元像素的颜色。
同时，相对电极通常形成为覆盖所有子像素的金属薄膜。然而，由于金属膜的厚度与金属膜的电阻成反比，因此，由于相对电极的高电阻而导致电压降频繁发生。
因此，很难表现出清晰图像，采用该相对电极的有机发光显示装置的可靠性降低。因此，有必要解决这个问题。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示装置及其制造方法，该有机发光显示装置具有用于防止相对电极处的电压降的改进结构。
根据本发明的一个方案，提供一种有机发光显示装置，包括：显示单元，具有多个子像素，多个子像素中的每个子像素包括彼此相对的像素电极和相对电极以及设置在像素电极和相对电极之间的发光层；封装基板，覆盖显示单元；以及辅助电极，形成在封装基板的面对显示单元的表面上，辅助电极连接至相对电极。
碳纳米管形成在辅助电极上，辅助电极和相对电极通过碳纳米管彼此连接。
上盖层形成在相对电极上，碳纳米管穿透上盖层并连接至相对电极。
间隔物形成在子像素之间，碳纳米管形成在对应于间隔物的位置处。
辅助电极由氧化铟锡、铟镓氧化锌、氧化锡、铜、铝、铬、钛或钼形成。
根据本发明的另一个方案，提供一种制造有机发光显示装置的方法，包括：在衬底基板上形成显示单元，显示单元具有多个子像素，多个子像素中的每个子像素包括彼此相对的像素电极和相对电极以及设置在像素电极和相对电极之间的发光层；形成封装基板，封装基板包括形成在封装基板的表面上且连接至相对电极的辅助电极；通过利用封装基板覆盖显示单元将辅助电极连接至相对电极。
该方法还包括：在辅助电极上形成碳纳米管，其中，辅助电极和相对电极通过碳纳米管彼此连接。
该方法还包括：在相对电极上形成上盖层，其中，碳纳米管穿透上盖层并连接至相对电极。
该方法还包括：在子像素之间形成间隔物，其中，碳纳米管形成在对应于间隔物的位置处。
辅助电极由氧化铟锡、铟镓氧化锌、氧化锡、铜、铝、铬、钛或钼形成。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的以上和其他特点和优点将更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据本发明实施方式的有机发光显示装置的示意图；
图2A至图2E是示出制造图1的有机发光显示装置的操作的示意图；
图3A和图3B是示出图1的有机发光显示装置的辅助电极的改进的实施方式的示意图。
具体实施方式
本文中，术语“和/或”包括一个或多个相关项目的任意以及全部组合。下面，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明实施方式的有机发光显示装置的示意图。
如图1所示，根据本发明的有机发光显示装置包括衬底基板100、形成在衬底基板100上的显示单元200以及覆盖显示单元200的封装基板300。
在此，显示单元200包括薄膜晶体管（TFT）220、电容230以及有机发光装置210。在此，图1示出有机发光装置的显示单元200的任意子像素，多个这种子像素实际上以行和列的方式被布置在衬底基板100上。
首先，显示单元200包括形成在衬底基板100上的有源层221、与有源层221相对的栅电极222、以及分别连接至有机发光装置210的有源层221和像素电极211的源电极和漏电极223。因此，当合适的电压被施加至栅电极222时，电流经由有源层221和源电极和漏电极223流至像素电极211。
而且，有机发光装置210包括有源层221、形成围绕有源层221的像素限定层215中的发光层212、以及形成在显示单元200的全部子像素上的相对电极213。因此，当TFT220将电压施加至像素电极211且在像素电极211和相对电极213之间形成适当的电压条件时，发光层212发光。
在图像形成在朝向相对电极213的方向上的正面发光结构的情况下，像素电极211可形成为反射电极且相对电极213可形成为图像传送电极。
发光层212可通过堆叠空穴注射层、空穴传输层、发光层、电子注射层和/或电子传输层而形成。然而，发光层不是任选的。
附图标记214指示上盖层，其覆盖相对电极213并调节用于改进有机发光装置210的光学性质的光路。
同时，由于相对电极213通常形成为金属薄膜，因此相对电极213具有高电阻，因此电压降可频繁发生。
因此，为解决这个问题，在本实施方式中，辅助电极310被形成在封装基板300的后表面上以连接至相对电极213。也就是，由导电材料形成的辅助电极310形成在封装基板300的、面对相对电极213的后表面上，从而当封装基板300与衬底基板100结合时辅助电极310连接至相对电极213。因此，可经由辅助电极310将电压施加至相对电极213，从而可显著减小在相对电极213出的电压降。
然而，如上所述，由于相对电极213被上盖层214覆盖，因此仅使用辅助电极213很难形成与相对电极213的自然连接结构。因此，在该实施方式中，在辅助电极310上形成碳纳米管320，从而使碳纳米管320穿透上盖层214并连接至相对电极213。通过在辅助电极310上形成碳纳米管320，即使上盖层214设置在相对电极213上，也能够轻易地在辅助电极310和相对电极213之间建立电连接。
在此，在形成于像素限定层215之上的间隔物216上形成碳纳米管320。换言之，间隔物216在子像素之间突出，以防止封装基板300破坏有机发光装置210，相对电极213沿间隔物216的外表面突出并接近封装基板300。因此，通过在对应于间隔物216的位置处形成碳纳米管320，可轻易地在辅助电极310和相对电极213之间形成连接结构。
通过下述方法来制造具有如上所述结构的有机发光显示装置。
首先，如图2A所示，包括TFT220、有机发光装置210以及电容230的显示单元200形成在衬底基板100上。由于形成显示单元200的方法是本领域已知的，故其详细描述将被省略。
接着，提供用于覆盖和保护显示单元200的封装基板300，辅助电极310沉积在封装基板300的后表面上，如图2B所示。在此，辅助电极310可由透明导电氧化物（诸如氧化铟锡（ITO）、铟镓氧化锌（IGZO）或氧化锡（SnO）或金属（例如铜、铝、铬、钛或钼））形成。
然后，如图2C所示，在辅助电极310上形成碳纳米管320，且碳纳米管320被图案化，从而仅与间隔物216对应的部分保留，如图2D所示。
接着，当封装基板300与衬底基板100结合时，碳纳米管320穿透上盖层214并与相对电极213接触，如图2E所示，因此辅助电极310和相对电极213电连接。上盖层214的材料可以为具有等于或小于1g/cm3的密度的有机材料。
在上述结构中，可经由辅助电极310将电压施加至相对电极213，从而可阻止相对电极213处的电压降。
同时，虽然在如图3A所示的本实施方式中，辅助电极310被形成为覆盖封装基板300的全部后表面，但是辅助电极310还可形成为辅助电极310’，辅助电极310’被图案化为如图3B所示的晶格形状。换言之，辅助电极310的形状可改变。
因此，根据如上所述的本发明的实施方式，可通过将形成在封装基板上的辅助电极连接至相对电极来有效地降低电压降，从而改善使用该结构的有机发光显示装置的可靠性。
虽然参照本发明的示例性实施方式具体示出和描述了本发明，但本领域技术人员应理解，对本发明的形式和细节的各种变化仍在由所附权利要求限定的本发明权利要求的精神和范围内。
Claims (6)
1.一种有机发光显示装置，包括：
显示单元，具有多个子像素，所述多个子像素中的每一个包括彼此相对的像素电极和相对电极以及设置在所述像素电极与所述相对电极之间的发光层；
封装基板，覆盖所述显示单元；
辅助电极，形成在所述封装基板的面对所述显示单元的表面上；
碳纳米管，形成在所述辅助电极上；以及
上盖层，形成在所述相对电极上，所述碳纳米管穿透所述上盖层并连接至所述相对电极，以使得所述辅助电极和所述相对电极彼此连接。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
间隔物，形成在所述子像素之间，所述碳纳米管形成在对应于所述间隔物的位置处。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述辅助电极由氧化铟锡、铟镓氧化锌、氧化锡、铜、铝、铬、钛或钼形成。
4.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
在衬底基板上形成显示单元，所述显示单元具有多个子像素，所述多个子像素中的每一个包括彼此相对的像素电极和相对电极以及设置在所述像素电极与所述相对电极之间的发光层；
在所述相对电极上形成上盖层；
形成封装基板，所述封装基板包括形成在所述封装基板的表面的辅助电极以及形成在所述辅助电极上的碳纳米管；
通过利用所述封装基板覆盖所述显示单元使得所述碳纳米管穿透所述上盖层以将所述辅助电极连接至所述相对电极。
5.如权利要求4所述的方法，还包括：
在所述子像素之间形成间隔物，其中，所述碳纳米管形成在对应于所述间隔物的位置处。
6.如权利要求4所述的方法，其中，所述辅助电极由氧化铟锡、铟镓氧化锌、氧化锡、铜、铝、铬、钛或钼形成。
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