CN103766004A - 等离子体处理装置用天线及使用该天线的等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种即使薄膜材料附着于表面，也能够抑制高频感应电场的屏蔽或强度的衰减的高频天线。高频天线（10）包括：线状的天线导体（13）；介电体制保护管（14），其设置于天线导体（13）的周围；以及堆积物屏（15），其是设置于介电体制保护管（14）的周围的屏，在天线导体（13）的长度方向的任意的线上，覆盖介电体制保护管（14）的至少1处且具有至少1个开口（153）。虽然薄膜材料附着于保护管及堆积物屏的表面，但是在天线导体的长度方向的至少1处中断。因此，在薄膜材料具有导电性的情况下，能够防止高频感应电场被屏蔽，在不具有导电性的情况下，能够抑制高频感应电场的强度衰减。

Description

等离子体处理装置用天线及使用该天线的等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种利用等离子体的CVD装置、溅射装置或蚀刻装置等等离子体处理装置所使用的高频天线。本发明还提供一种使用该高频天线的等离子体处理装置。 
背景技术
近年来，将高频天线配置于真空容器内的内部天线方式的等离子体处理装置被开发并被实用化。在该等离子体处理装置中，向真空容器内导入用于产生等离子体的气体，使高频电流在高频天线中流动，而在其周围产生高频感应电场，从而使电子加速，将气体的分子电离而产生等离子体。通过向基体（基板）的表面供给使用等离子体对原料的靶进行溅射而成物或将原料的气体分解而成物，从而能够形成薄膜或进行蚀刻。 
在专利文献1中，公开了一种将多个由U字形的导体构成的高频天线配置于真空容器内的等离子体处理装置。该装置通过使用多个高频天线，而提高真空容器内的等离子体密度的均匀性。另外，U字形的高频天线相当于圈数未满1圈的感应耦合天线，因为其电感比圈数超过1圈以上的感应耦合天线的电感低，所以在高频天线的两端产生的高频电压降低，伴随与产生的等离子体的静电耦合而产生的等离子体电位的高频摆动得到抑制。因此，伴随相对于对地电位的等离子体电位摆动而产生的过度的电子损失降低，等离子体电位降低。由此，能够进行基板之上的低离子损害的薄膜形成处理。 
高频天线直接与等离子体接触时，因为在天线上产生的高频电压，而使得电子从等离子体过度地流入天线，等离子体的电位变得比天线的电位高。因此，天线所使用的材料被等离子体溅射，由此，高频天线的材料可能作为杂质混入薄膜。因此，在专利文献1所记载的装置中，高频天线被绝缘体（介 电体）制的保护管包覆成不会直接与等离子体接触。 
专利文献1：日本特开2001-035697号公报（[0050]、[0052]、[0053]、图1、图11） 
发明内容
发明要解决的问题
为了薄膜的形成或蚀刻处理而持续使用专利文献1的等离子体处理装置时，薄膜材料或蚀刻处理所使用的气体分子的解离物、副产物（by-product）逐渐附着于保护管的表面，不久其整个表面被堆积物层所覆盖。成为这种状态时，在堆积物具有导电性的情况下，使高频电流在高频天线中流动时，在堆积物层产生与其反向的电流，因此，高频感应电场被屏蔽。另外，即使在堆积物不具有导电性的情况下，在高频感应电场穿过堆积物层时，其强度也会发生衰减。 
本发明所要解决的课题是提供一种即使堆积物附着于天线保护管的表面，也能够抑制发生高频感应电场的屏蔽、强度的衰减。并且，提供一种使用该高频天线的等离子体处理装置。 
用于解决问题的方案
为了解决上述问题而做成的本发明的高频天线，其配置于真空容器内，并通过使高频电流该高频天线中流动而在该真空容器内产生高频感应电场，从而使被导入到该真空容器内的等离子体产生气体等离子体化，该高频天线的其特征在于，其包括： 
a）线状的天线导体； 
b）介电体制的保护管，其设置于上述天线导体的周围；以及 
c）堆积物屏，其是设置于上述保护管的周围的屏，在上述天线导体的长度方向的任意的线上，其覆盖上述保护管的至少1处且具有至少1处开口。 
在本发明的高频天线中，因为在薄膜的形成或蚀刻处理时，堆积物不会 在保护管的表面沿长度方向连续地附着，并且也不会在屏的表面沿长度方向连续地堆积，所以在堆积物具有导电性的情况下，使高频电流在天线导体中流动时，阻止与其反向的电流在堆积物层流动，从而高频感应电场不会被屏蔽。另外，在堆积物不具有导电性的情况下，因为高频感应电场不会被连续的堆积物层屏蔽，所以能够抑制等离子体产生能量降低。 
在这样的堆积物屏中，例如能够使用在保护管的长度方向的局部中断的屏。在该情况下，屏的中断部分相当于上述开口。另外，也能够使用将带状的构件设为沿着保护管的长度方向呈螺旋状，并在带与带之间空有间隔而成的屏。在该情况下，带与带之间的空间相当于上述开口。或者，也能够使用在管状的构件上使许多孔以周向的位置错开的方式在长度方向排列而成的屏，该孔是在该管的周向上较长的形状。 
优选的是，在堆积物屏和保护管之间设置区隔部，该区隔部从保护管突出并绕该保护管的周围1圈，或沿着该保护管的长度方向呈螺旋状延伸。利用区隔部，能够更可靠地防止薄膜材料在保护管的表面在长度方向连续地堆积。 
本发明的等离子体处理装置的第1技术方案的特征在于，该等离子体处理装置包括： 
a）真空容器； 
b）靶保持部件，其设置于上述真空容器内； 
c）基板保持部件，其被设置成与上述靶保持部件相对； 
d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体； 
e）电场产生部件，其用于在包括被上述靶保持部件所保持的靶的表面在内的区域产生溅射用的直流电场或高频电场；以及 
f）本发明的高频天线，其配置于上述真空容器内，用于在包括被上述靶保持部件所保持的靶的表面在内的区域产生高频感应电场。 
第1技术方案的等离子体处理装置除了以往的溅射装置的的结构以外，还为了在靶的表面附近产生高频感应电场，而设置本发明的高频天线。 
在以往的溅射装置中，利用电场产生部件使等离子体产生气体的分子电离，而产生等离子体，并且通过使以如上方式产生的离子与靶碰撞而对靶进行溅射，之后靶的材料堆积于基板上而形成薄膜。相对于此，在第1技术方案的等离子体处理装置中，利用由配置于真空容器内的高频天线所产生的高频感应电场，能够进一步提高靶的表面附近的等离子体的密度，因此，能够以更高的速度对靶进行溅射。但是，在该装置中，因为高频天线配置于真空容器内，所以靶被溅射而形成的薄膜原料附着于高频天线的表面。因此，在第1技术方案的等离子体处理装置中，通过使用本发明的高频天线，来防止高频感应电场的强度减弱。 
优选的是，在第1技术方案的等离子体处理装置（溅射装置）中，设置磁场产生部件，该磁场产生部件在包括上述靶的表面在内的区域产生具有与上述直流电场或高频电场正交的成分的磁场。这是在以往的磁控溅射装置的结构的基础上再设置本发明的高频天线而成的。 
本发明的等离子体处理装置的第2技术方案的特征在于，该等离子体处理装置包括： 
a）真空容器； 
b）基板保持部件，其设置于上述真空容器内； 
c）多个本发明的高频天线，其设置于上述真空容器内； 
d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体；以及 
e）原料气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入作为薄膜原料的气体。 
该等离子体处理装置是在专利文献1所述的等离子体处理装置的高频天线中使用本发明的高频天线而成的。 
另外，本发明的等离子体处理装置的第3技术方案的特征在于，该等离子体处理装置包括： 
a）真空容器； 
b）基体保持部件，其设置于上述真空容器内； 
c）多个本发明的高频天线，其设置于上述真空容器内； 
d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体；以及 
e）蚀刻处理气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入蚀刻处理所使用的气体。 
发明的效果
采用本发明高频天线，通过薄膜材料或蚀刻所使用的材料气体附着而形成于保护管及堆积物屏的表面的堆积物层，在天线导体的长度方向的任意的线上至少1处中断。因此，在堆积物具有导电性的情况下，能够防止高频感应电场被屏蔽，在不具有导电性的情况下，能够抑制高频感应电场的强度衰减。 
附图说明
图1是表示本发明的高频天线的第1实施例的纵剖面图（a）以及表示该高频天线的局部的侧视图（b）。 
图2是用于对第1实施例的高频天线的堆积物屏（日语：堆積物シールド）的作用进行说明的图。 
图3是表示作为使用本发明的高频天线的等离子体处理装置的一实施例的溅射装置的纵剖面图。 
图4是表示作为使用本发明的高频天线的等离子体处理装置的一实施例的等离子体CVD装置或等离子体蚀刻装置的纵剖面图（a）及俯视图（b）。 
图5是表示第2实施例的高频天线的纵剖面图。 
图6是用于对第2实施例的高频天线的堆积物屏的作用进行说明的图。 
图7是表示第3实施例的高频天线的纵剖面图。 
图8是用于对第3实施例的高频天线的堆积物屏的作用进行说明的图。 
图9是表示第3实施例的变形例的凸片（fin）及介电体制管的局部的主视 图。 
图10是用于表示第4实施例的高频天线的、在与线状导体垂直的面中的剖面图（a）及展开图（b）、（c）。 
图11是用于对第4实施例的高频天线的堆积物屏的作用进行说明的长度方向剖面图。 
具体实施方式
使用图1～图11，对本发明的等离子体处理装置用高频天线（以下称为“高频天线”）及使用该高频天线的等离子体处理装置的实施例进行说明。 
（实施例1） 
使用图1～图4，对本发明的高频天线的第1的实施例进行说明。该高频天线10具有：天线导体13，其是将线状的导体弯曲成U字形而成的；介电体制管14，其以覆盖天线导体13的方式弯曲成U字形，且其截面为圆形；以及堆积物屏15，其设置于介电体制管14的外表面。堆积物屏15的详细情况将在后面进行说明。此外，图1（a）是与天线导体13平行的截面的剖面图。高频天线10经由馈通12，安装于等离子体处理装置所具有的真空容器11的壁面。另外，高频电源16经由阻抗匹配器17与天线导体13连接。此外，该U字形的天线导体13相当于圈数未满1圈的感应耦合天线，因为其电感比圈数为1圈以上的感应耦合天线的电感低，所以高频天线的两端所产生的高频电压降低，伴随与产生的等离子体的静电耦合而产生的等离子体电位的高频摆动得到抑制。因此，伴随相对于对地电位的等离子体电位摆动而产生的过度的电子损失降低，等离子体电位降低。由此，能够进行基板之上的低离子损害的薄膜形成处理。 
堆积物屏15具有：腿部（区隔部）151，其从介电体制管14的外表面向外侧延伸；以及遮檐部152，其从腿部151的上端向介电体制管14的长度方向的两侧延伸。因此，在图1（a）的纵剖面图中，将腿部151和遮檐部152两者 合并会呈T字形的形状。腿部151及遮檐部152一起形成为绕介电体制管14的周围1圈。而且，这些腿部151及遮檐部152配置为在介电体制管14的长度方向排列许多，并且遮檐部152彼此之间有间隔。即，构成堆积物屏15的构件在遮檐部与遮檐部之间中断。将该中断的部分称为开口153。此外，堆积物屏15的材料可以是导体也可以是介电体。 
本实施例的高频天线10应用在图3或图4所示的离子体处理装置（溅射装置、等离子体CVD装置、等离子体蚀刻装置）等中。这些等离子体处理装置的详细情况将在后面说明，它们都是用于将薄膜形成于基板上的装置，利用高频天线10所产生的高频感应电场来形成等离子体后，用等离子体中的离子对由薄膜原料构成的靶进行溅射，或将薄膜原料的气体分解。此时，薄膜原料或蚀刻处理气体附着于高频天线10的表面，因此，产生以下问题，即，该堆积物对高频天线10的特性产生不良影响。尤其是，通过使高频电流在天线导体13中流动而在天线导体13的周围产生随时间变动的磁场，因此，导电性的堆积物以在线状导体的长度方向相连接的方式附着时，电流向附着物流动而消除该磁场，其结果，高频感应电场可能被屏蔽。 
在本实施例中，如以下所述那样，由于堆积物屏15存在，而使得堆积物对高频天线10的特性产生的不良影响几乎不存在。即，如图2所示，向高频天线10（图2中的箭头）飞来的堆积的原料，其一部分堆积在遮檐部152的外侧（外侧堆积物M1），其他的部分经过开口153而堆积在介电体制管14的外表面（内侧堆积物M2）。由于相邻的遮檐部152彼此之间的存在开口153，因此，附着于各遮檐部152的外侧堆积物M1不会彼此连接，或至少从等离子体处理装置开始运转到经过相当一段时间为止，外侧堆积物M1不会彼此相连。 
另外，介电体制管14的外表面在其长度方向被腿部（区隔部）151区隔，因此，（无论装置的使用时间如何）内侧堆积物M2不会在长度方向相连接。 
如以上那样，利用堆积物屏15，能够防止外侧堆积物M1或内侧堆积物M2在介电体制管14的长度方向连续地相连接（至少在相当一段时间内）。因此，特别是在堆积物具有导电性的情况下，不会发生高频感应电场被屏蔽的 问题。另外，在堆积物不具有导电性的情况下，也能够抑制高频感应电场的强度减弱（至少在相当一段时间内）。另外，由于不需要定期去除堆积物这样的维护作业，或能够使该作业的周期变长，因此，能够降低装置的运行成本。 
此外，遮檐部152的顶端与腿部151之间的距离长达某种程度以上时，虽然经过开口153的薄膜原料会从遮檐部152的顶端向腿部151一直进入到中途，但不会进入到更内部。在该情况下，介电体制管14的外表面的至少一部分处于遮檐部的阴影的位置，由于在该位置不会被内侧堆积物M2所覆盖，因此，能够更可靠地防止高频感应电场的强度减弱。为了起到这样的效果，优选的是，遮檐部152的顶端与腿部151之间的距离设为遮檐部152与介电体制管14的之间的间隙的大小的2倍以上。 
接着，对使用本实施例的高频天线10的等离子体处理装置（溅射装置）20进行说明。等离子体处理装置20具有：磁控溅射用磁体21，其设置于真空容器11的底部；靶座22，其设置于磁控溅射用磁体21的上表面；以及基板座23，其与靶座22相对地设置；在磁控溅射用磁体21的侧方还具有本实施例的高频天线10。能将板状的靶T安装于靶座22的上表面，并能将基板S安装于基板座23的下表面。另外，在该离子体处理装置20中，如上述那样，经由阻抗匹配器17将高频电源16与高频天线10连接，并且设置有直流电源24，该直流电源24用于在靶座22与基板座23的之间施加以靶座22侧为正的直流电压。此外，在真空容器11的侧壁设有气体导入口27，该气体导入口27用于将用于产生等离子体的气体（等离子体产生气体）导入真空容器11内。 
对等离子体处理装置20的工作进行说明。首先，将靶T安装于靶座22，并将基板S安装于基板座23。接着，使真空容器11内成为真空后，从气体导入口27向真空容器11内导入等离子体产生气体。接着，通过使直流电流向磁控溅射用磁体21的电磁体流动，而在靶T的附近产生磁场。与此同时，以靶座22和基板座23为电极，利用直流电源24在两者之间产生直流电场。此外，从高频电源16向天线导体13输入高频电力，从而在包括靶T的附近在内的高频天线10的周围产生高频感应电场。利用以上的磁场、直流电场以及高频感 应电场产生等离子体。然后，通过利用磁场及直流电场使从等离子体供给的电子进行摆线运动或余摆线运动，从而促进等离子体产生气体的电离，从而产生大量的阳离子。这些阳离子与靶T的表面碰撞，而使溅射粒子从靶T的表面飞出，该溅射粒子在靶T与基板S之间的空间飞行后附着于基板S的表面。通过这样在基板S的表面堆积溅射粒子，而形成薄膜。 
在该装置中，虽然溅射粒子附着于高频天线10，但由于堆积物屏15的存在，因而能够防止高频天线10所产生的高频感应电场被屏蔽或变弱。 
此外，虽然在此以磁控溅射装置为例进行了说明，但在自等离子体处理装置20去除磁控溅射用磁体21而成的二极溅射装置中也一样，能够将本实施例的高频天线10设置于靶座22的侧方。 
接着，对使用本实施例的高频天线10的等离子体处理装置30进行说明。等离子体处理装置30包括：基板座33，其设置于真空容器11的底部；以及多个高频天线10，其与基板座33之上的基板S平行地排列于真空容器11的侧壁。以上的多个高频天线10以3个或4个为1组，每1组并列地连接于1个的高频电源16。另外，在真空容器11的侧壁设有：第1气体导入口371，其用于向真空容器11内导入等离子体产生气体；以及第2气体导入口372，其用于向真空容器11内的、比供给等离子体产生气体的区域靠近基板座33侧的部位导入蚀刻处理气体或作为薄膜原料的气体（薄膜原料气体）。 
对等离子体处理装置30的工作进行说明。首先，将基板S安装于基板座33后，使真空容器11内成为真空。接着，从第1气体导入口371向真空容器11内导入等离子体产生气体，并从第2气体导入口372向真空容器11内导入薄膜原料气体。然后，从高频电源16向天线导体13供给高频电流。由此，在真空容器11内产生高频感应电场，利用该高频感应电场使电子加速，将等离子体产生气体电离而形成等离子体。然后，薄膜原料气体或蚀刻处理气体在等离子体中的电子碰撞的作用下被分解，在基板S之上进行薄膜形成或蚀刻处理。此外，虽然在此将基板S作为处理对象，但在进行蚀刻的情况下，被处理物不限定于是板状的情况。 
虽然在等离子体处理装置30中，分解后的薄膜原料或蚀刻处理气体也附着于高频天线10，但由于堆积物屏15的存在，而能够防止因该附着物而使高频感应电场被屏蔽或减弱。 
在以上说明的等离子体处理装置20及30中，能够使用以下所述的第2实施例以后的实施例的高频天线，来替代第1实施例的高频天线10。 
（实施例2） 
使用图5及图6，对本发明的高频天线的第2实施例进行说明。本实施例的高频天线10A具有与第1实施例的高频天线10一样的天线导体13及介电体制管14，并且在介电体制管14的外表面设置有堆积物屏15A（图5）。堆积物屏15A具有：腿部151A，其从介电体制管14的外表面向外侧延伸；以及遮檐部152A，其从腿部151A的上端向介电体制管14的长度方向的一侧延伸。因此，在图5（a）的纵剖面图中，腿部151A与遮檐部152A两者合并会呈L字形的形状。 
如图6所示，本实施例的高频天线10A与第1实施例的高频天线10一样，在相邻的遮檐部152A之间存在开口153A，因此，（至少从等离子体处理装置开始运转到经过相当一段时间为止）附着于各遮檐部152A的外侧堆积物M1不会彼此相连接。另外，由于介电体制管14的外表面在其长度方向被腿部（区隔部）151A所区隔，因此，内侧堆积物M2不会在长度方向相连接。此外，由于薄膜原料从遮檐部152A的顶端向腿部151A只进入到中途，因此，介电体制管14的外表面的至少一部分不会被内侧堆积物M2所覆盖。由此，特别是在附着物具有导电性的情况，能够防止高频感应电场被屏蔽，并且在附着物不具有导电性情况，也能够抑制高频感应电场的强度减弱。 
（实施例3） 
使用图7及图8，对本发明的高频天线的第3实施例进行说明。本实施例的高频天线10B具有与第1实施例及第2实施例的高频天线一样的天线导体13及介电体制管14，并且在介电体制管14的外表面设置有堆积物屏（凸片15B）（图7）。单个的凸片15B从介电体制管14的外表面向外侧延伸，并形成为绕 介电体制管14的周围1圈。而且，凸片15B在介电体制管14的长度方向排列许多，并以远大于其厚度的间隔排列。 
如图8所示，本实施例的高频天线10B，由于天线导体13的长度方向的凸片15B的顶端的宽度远比凸片彼此之间的间隔窄，因此，附着于该顶端的堆积物M1在该方向几乎不延伸。因此，堆积物M1在该方向不相连。另外，介电体制管14的外表面被凸片15B所区隔，因此，堆积物M2还是不会在该方向相连。因此，与第1实施例及第2实施例的情况一样，能够防止高频感应电场被屏蔽，并且能够抑制高频感应电场的强度减弱。 
此外，虽然薄膜材料也附着于凸片15B的侧面，但由于每单位面积的量远比凸片15B的顶端、介电体制管14的外表面少，因此，难形成薄膜材料的层。另外，即使形成那样的层，由于其厚度较薄，而且与没有凸片15B的情况相比电流的路径较长，因此，能够使屏蔽电磁场的电流减小。 
虽然在第3实施例中，排列多个凸片，该凸片绕介电体制管14的周围1圈，但取而代之，以在介电体制管14的长度方向呈螺旋状前进的方式形成1根凸片15B（图9），也能起到同样的效果。 
（实施例4） 
利用图10及图11，对本发明的高频天线的第4实施例进行说明。如图10（a）所示，本实施例的高频天线10C具有与第1实施例～第3实施例的高频天线一样的天线导体13及介电体制管14，并且在介电体制管14的外侧具有堆积物屏15C。堆积物屏15C将许多孔41A或孔41B设于介电体制的管。此外，堆积物屏15C的管的材料可以与介电体制管14相同，也可以与其不同。介电体制管14与堆积物屏15C的之间形成有空洞，不存在相当于第1实施例及第2实施例中的腿部构件。该空洞的高度（介电体制管14的外表面与堆积物屏15C的内表面之间的距离）通过将介电体制管14与堆积物屏15C一起固定于馈通12而保持恒定。 
在图10（b）中表示孔41A的形状及位置，在图10（c）中表示孔41B的形状及位置。以上的图10（b）、图10（c）都是在长度方向切开堆积物屏15C 后所展开的图。孔41A呈在堆积物屏15C的周向上较长的椭圆形，并沿该方向在一列上将多个孔41A以相同的周期a排列。而且，该列沿堆积物屏15C的长度方向配置有许多。另外，孔41A配置为在相邻的列之间彼此在周向仅错开a/2，其长径b比a/2大。由此，在堆积物屏15C的表面，无论位置如何，从该位置开始在长度方向都存在孔41A。孔41B除了形状是在堆积物屏15C的周向上较长的长方形以外，和孔41A一样。 
像这样，由于在堆积物屏15C的表面的任何位置，从该位置开始在长度方向都存在孔41A或41B，如图11所示，附着于堆积物屏15C的表面的外侧堆积物M1形成为至少在长度方向不会笔直地延伸。因此，在使高频电流在天线导体13中流动时，电流在长度方向流动，而能够防止高频感应电场被屏蔽。另外，在堆积物屏15C中，存在于孔41A或孔41B之间的壁面发挥与第1实施例及第2实施例中的遮檐部相同的作用，因此，在与其阴影的位置相当的介电体制管14的外表面，能够防止内侧堆积物M2相连接，由此，能够防止高频感应电场被屏蔽。为了起到该效果，优选的是，在相邻的孔的列之间，在孔与孔之间覆盖介电体制管14的部分的宽度设为介电体制管14与堆积物屏15C之间的间隙的大小的2倍以上。 
附图标记说明
10、10A、10B、10C…高频天线 
11…真空容器 
12…馈通 
13…天线导体 
14…介电体制管 
15、15A、15C…堆积物屏 
151、151A…腿部 
152、152A…遮檐部 
153、153A…开口 
15A…堆积物屏 
15B…凸片 
16…高频电源 
17…阻抗匹配器 
20…等离子体处理装置（溅射装置） 
21…磁控溅射用磁体 
22…靶座 
23、33…基板座 
24…直流电源 
27…气体导入口 
30…等离子体处理装置（等离子体CVD装置、等离子体蚀刻装置） 
371…第1气体导入口 
372…第2气体导入口 
41A、41B…孔 
S…基板 
T…靶 。

Claims (12)

1.一种高频天线，其配置于真空容器内，并通过使高频电流在该高频天线中流动而在该真空容器内产生高频感应电场，从而使被导入到该真空容器内的等离子体产生气体等离子体化，该高频天线的特征在于，其包括：
a）线状的天线导体；
b）介电体制的保护管，其设置于上述天线导体的周围；以及
c）堆积物屏，其是设置于上述保护管的周围的屏，在上述天线导体的长度方向的任意的线上，其覆盖上述保护管的至少1处且具有至少1处开口。
2.根据权利要求1所述的高频天线，其特征在于，
上述堆积物屏在上述保护管的长度方向的局部中断。
3.根据权利要求1所述的高频天线，其特征在于，
上述堆积物屏是将带状的构件设为沿着上述保护管的长度方向呈螺旋状，并在带与带之间空有间隔而成的屏。
4.根据权利要求1所述的高频天线，其特征在于，
上述堆积物屏是在管状的构件上使许多孔以周向的位置错开的方式在长度方向排列而成的屏，该孔是在该管的周向上较长的形状。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频天线，其特征在于，
在上述堆积物屏与上述保护管之间具有区隔部，该区隔部从该保护管突出，并绕该保护管的周围1圈。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的高频天线，其特征在于，
在上述堆积物屏与上述保护管之间具有区隔部，该区隔部从该保护管突出，并沿着该保护管的长度方向呈螺旋状延伸。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频天线，其特征在于，
上述天线导体是圈数未满1圈的感应耦合天线。
8.根据权利要求7所述的高频天线，其特征在于，
上述天线导体呈U字形。
9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
a）真空容器；
b）靶保持部件，其设置于上述真空容器内；
c）基板保持部件，其被设置成与上述靶保持部件相对；
d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体；
e）电场产生部件，其用于在包括被上述靶保持部件所保持的靶的表面在内的区域产生溅射用的直流电场或高频电场；以及
f）权利要求1～8中任一项所述的高频天线，其配置于上述真空容器内，用于在包括被上述靶保持部件所保持的靶的表面在内的区域产生高频感应电场。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，
具有磁场产生部件，该磁场产生部件在包括上述靶的表面在内的区域产生具有与上述直流电场或高频电场正交的成分的磁场。
11.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
a）真空容器；
b）基板保持部件，其设置于上述真空容器内；
c）多个如权利要求1～8中任一项所述的高频天线，其设置于上述真空容器内；
d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体；以及
e）原料气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入作为薄膜原料的气体。
12.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
a）真空容器；
b）基体保持部件，其设置于上述真空容器内；
c）多个如权利要求1～8中任一项所述的高频天线，其设置于上述真空容器内；
d）等离子体产生气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入等离子体产生气体；以及
e）蚀刻处理气体导入部件，其用于向上述真空容器内导入蚀刻处理所使用的气体。
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