CN103764221A - 包括电容滤波器阵列的馈通组件 - Google Patents

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Abstract

馈通组件（14）可包括限定套圈开口（30）的套圈（16）、至少部分地设置在套圈开口内的馈通件（18）、以及至少部分地设置在该套圈开口内的电容滤波器阵列（20）。馈通件可包括至少一个馈通导电路径（44），并且该电容滤波器阵列可包括至少一个滤波器阵列导电路径（62）。在一些示例中，该馈通组件包括将至少一个馈通导电路径和至少一个滤波器阵列导电路径电连接的厚膜导电膏（48a、48b、48c）在一些示例中，电容馈通阵列包括将至少一个滤波器阵列导电路径和周界导电触件电联接的周向导电触件（72）和电容滤波器（64）。在这些示例的一些中，馈通组件包括将周界导电触件和套圈电连接的厚膜导电膏（48d、48e）。

Description

包括电容滤波器阵列的馈通组件
技术领域
本发明涉及用于可植入医疗装置的电馈通件。
背景技术
电馈通件可提供在电子装置的其密封壳体的内部至壳体外部之间的电路径。例如，诸如可植入刺激装置、可植入传感装置、心脏起搏器、可植入心律转变器/去纤颤器（ICDs）和神经调质器的可植入医疗装置(IMDs)可使用一个或多个电馈通件，以形成在可植入医疗装置内的电路与在患者内的装置之外的引线、电极或传感器之间的电连接。
发明内容
一般来说，本发明涉及馈通组件和用于形成馈通组件的技术。在一些示例中，馈通组件可用于在IMD的壳体的外部和IMD的壳体的内部之间提供电连接。馈通组件可以是滤过馈通组件，并且可包括至少一个电容滤波器和/或电容滤波器阵列。
在一些示例中，本发明描述了包括用于在馈通件的导电路径和电容滤波器阵列的导电路径之间形成电连接的厚膜导电膏的馈通组件。附加地或替代地，馈通组件可包括用于在电容滤波器阵列的周界导电触件和馈通组件的套圈之间形成电连接的厚膜导电膏。在一些实施例中，厚膜导电膏可包括银钯（Ag-Pd）合金或混合物，以及可选地玻璃熔料。
在一个方面，本发明涉及包括限定套圈开口的套圈、至少部分地设置在套圈开口内的馈通件、至少部分地设置在套圈开口内的电容滤波器阵列。在一些示例中，馈通件包括至少一个馈通导电路径，并且电容滤波器阵列包括至少一个滤波器阵列导电路径。馈通组件还可包括将至少一个馈通导电路径与至少一个滤波器阵列导电路径电连接的厚膜导电膏。
在另一个方面，本发明涉及包括限定套圈开口的套圈、至少部分地设置在套圈开口内的馈通件、以及至少部分地设置在套圈开口内的电容滤波器阵列。在一些示例中，馈通件包括至少一个馈通导电路径，并且电容滤波器阵列包括至少一个滤波器阵列导电路径、周界导电触件、以及将至少一个滤波器阵列导电路径和周界导电触件电联接的电容滤波器。馈通组件还可包括将周界导电触件和套圈电连接的厚膜导电膏。
在另一方面，本发明涉及方法，该方法包括将厚膜导电膏应用于设置在馈通件的向内馈通侧上的向内馈通导电衬垫、套圈的内壁、设置在电容滤波器阵列的向外滤波器阵列侧的向外滤波器导电衬垫或设置在电容滤波器阵列的周界壁上的周界导电触件的至少一个。方法还可包括将容器滤波器阵列相对于套圈和馈通件放置在所期望的位置中。此外，方法可包括加热电容滤波器阵列、套圈、馈通件和厚膜导电膏，以将厚膜导电膏从膏体转换至相对固体材料。
在一附加方面，本发明涉及一方法，该方法包括将电容滤波器阵列的周界壁附接至套圈的内壁，其中电容滤波器阵列限定在向内滤波器阵列侧和向外滤波器阵列侧之间延伸的至少一个通路。该方法还包括在至少一个通道内沉积厚膜导电膏，以形成滤波器阵列导电路径。此外，该方法可包括加热套圈、电容滤波器阵列、和厚膜导电膏，以将厚膜导电膏从膏体转换至相对固体材料。
在以下的附图和说明中阐述一个或多个示例的进一步细节。从说明、从权利要求以及从附图中，本发明的其它特征、目的和优点将变得显而易见。
附图说明
图1是示出了示例的馈通组件的侧视图。
图2是示出了示例的馈通组件的俯视图。
图3是示出了示例的馈通组件的仰视图。
图4A和4B沿图3的剖面线A－A和B－B所取的剖面图，它示出了馈通组件的示例构造。
图5是沿图3的剖面线A－A所取的剖面图，它示出了馈通组件的另一个示例构造。
图6是示出了用于形成包括厚膜导电膏的馈通组件的示例技术的流程图。
图7是示出了用于形成包括厚膜导电膏的馈通组件的另一个示例技术的流程图。
图8是沿图3的剖面线A－A所取的剖面图，它示出了馈通组件的示例构造。
图9是示出了用于形成包括引线框组件的馈通组件的另一个示例技术的流程图。
图10是沿图3的剖面线A－A所取的剖面图，它示出了馈通组件的另一个示例构造。
图11是沿图3的剖面线A－A所取的剖面图，它示出了馈通组件的另一个示例构造。
图12是沿图3的剖面线A－A所取的剖面图，它示出了馈通组件的另外的示例构造。
图13是示出了用于形成馈通组件的示例技术的流程图。
图14是示出了附接至IMD的壳体的示例馈通组件的概念图。
具体实施方式
在一些情况下，IMD被植入在患者内不同于正在被激励和/或诊断的目标组织的位置处。IMD可电联接至包括电导体的引线，该电导体从IMD延伸至在目标组织处的电极或传感器。在IMD处，电导体可通过馈通件电联接至导电路径，以允许引线导体被电联接至包含在IMD气密封的壳体内的电路。在一些示例中，引线导体可作为天线起作用，该天线影响包括电磁干扰（EMI）的电磁信号。该电磁信号可沿着引线导体传输，经过馈通件并传至在IMD内的电路。在一些情况中，电磁信号可干扰在IMD内电路的正常操作。
由于由引线导体执行的杂散的电磁信号的EMI可通过使用带有馈通件的电容器来处理，以形成过滤的馈通组件。电容器可作为低通滤波器起作用，将相对高频率的电磁信号传输至地面（例如，IMD的壳体），并将相对低频率的信号传给在IMD内的电路。在一些示例中，馈通组件可包括多导体馈通件和电容器或者容纳多个引线导体的电容器阵列。电容器或电容器阵列可附接至多个导体馈通件，从而当提供在每个导电路径周围以及在多导体馈通件和套圈之间的气密封件的同时，穿过多个导体馈通件的导电路径的每个电联接至在电容器中的相对应的导电路径或电容器阵列。
在其它示例中，IMD可包括形成在IMD（例如，无引线IMD）的壳体上的一个或多个电极。在一些实施例中，无引线IMD可包括馈通组件，将形成在IMD的壳体上的电极连接至无引线IMD通路内的电路的导体穿过该馈通组件。本文中描述的馈通组件还可在无线IMD中使用。
本发明描述了用于形成馈通组件的各种馈通组件和技术。馈通组件一般可包括馈通件、电容滤波器阵列和套圈。在一些示例中，本发明描述了包括用于形成在馈通件的导电路径和电容滤波器阵列之间的电连接的厚膜导电膏的馈通组件。附加地或替代地，馈通组件可包括用于形成在电容滤波器阵列的周界导电触件和套圈之间的电连接的厚膜导电膏。在一些实施例中，厚膜导电膏可包括银钯（Ag-Pd）合金或混合物，以及可选地，玻璃熔料。
在一些示例中，本发明描述了包括用于形成在馈通件的导电路径和电容滤波器阵列的导电路径之间的电连接的引线框架组件的馈通组件。附加地或替代地，馈通组件可包括用于形成在电容滤波器阵列的周界导电触件和套圈之间的电连接的引线框架组件。在一些实施例中，引线框架组件可构造成保持在馈通件和电容滤波器阵列的相对表面之间的物理分离。
在一些示例中，本发明描述了包括设置在电容滤波器阵列和馈通件的向内侧之间的电绝缘材料的馈通组件。在一些示例中，电绝缘材料在电容滤波器阵列的向内侧和馈通件的向内侧之间基本上连续地延伸。在一些实施例中，电绝缘材料可通过底部填充入口通道引入至在电容滤波器阵列的向外侧和馈通件的向内侧之间的间隙中。底部填充入口通道可限定在馈通件、电容滤波器阵列、或馈通组件的套圈中。在一些示例中，电绝缘材料在馈通件、套圈和电容滤波器阵列被附接至彼此之后，可通过底部填充入口通道引入至在电容滤波器阵列的向外侧和馈通件的向内侧之间的间隙中。
图1是示出了示例的馈通组件10的侧视图。馈通组件10包括向内侧12和向外侧14。图2示出了馈通组件的俯视图，示出馈通组件10的向外侧14。图3示出了馈通组件10的仰视图，示出了馈通组件10的向内侧12。当在本文中关于馈通组件10使用时，术语“向内”“朝内”等可一般指的是在组件10结合在电子设备时，朝向电子设备（例如：IMD）的内部的方向。相反地，当在本文中关于馈通组件10使用时，术语“向外”“朝外”等一般指的是在组件10结合在电子设备中时，朝向电子设备的外部的方向。
如图1-3中所示，馈通组件10包括套圈16、馈通件18和电容滤波阵列20。馈通件12可通过多个导电构件联接至电容滤波器阵列20。导电构件可采用各种形式，并将在下面详细描述。
套圈16包括向内套圈侧22和向外套圈侧24。套圈16还限定在向内侧22和向外侧24之间延伸的套圈开口30。馈通件12和电容滤波器阵列20至少部分地设置在套圈开口30中。套圈16可构造成安装到诸如IMD的电子设备的壳体上或壳体内。在一些示例中，套圈16可包括凸缘或便于将套圈16安装在电子设备的壳体上或壳体内的其它机械特征。例如，套圈16可通过焊接或铜焊安装至IMD壳体。
在一个示例中，套圈16包括便于套圈16安装至IMD的壳体的材料。例如，IMD壳体可包括钛或钛合金，并且套圈16可包括能被焊接至IMD壳体上的钛或钛合金。可形成套圈18的材料的示例包括镍、钛、诸如钛6Al-4V或钛－钒的钛合金、铂、钼、锆，钽，钒，钨，铱，铑，铼，锇，钌，钯，银，及其合金、混合物和组合。在一个示例中，选择形成套圈16的材料，从而套圈16具有与馈通件18的热膨胀系数（CTE）相容的热膨胀系数（CTE）。以这种方式，由套圈16和馈通件18的加热所引起的、诸如在套圈16和馈通件18之间的扩散接合的、加玻璃的(glassed)或铜焊的连结的形成的过程中的损坏可减小或基本上防止。
馈通件18可使用形成在馈通件18和套圈16之间的气密封件26在套圈开口30内安装至套圈16。气密封件26可防止患者的身体流体进入在套圈16和馈通件18之间的IMD壳体的内部，这会导致对于IMD的内部电子的损坏。在一个示例中，气密封件26包括在馈通件18和套圈16之间的铜焊连结（例如：使用激光铜焊形成）。在其它示例中，气密封件26可使用扩散连结形成。可用于形成气密封件26的材料的示例包括任何用于形成气密封件26的生物相容的、生物稳定的材料，诸如：金、镍金合金、铂和铂铱。玻璃的激光烧结也可用于将馈通件18连结至套圈16。
图4A和4B分别是沿图3所示的剖面线A－A和B－B所取的示例馈通组件10a的剖面图。如图4A和4B所示，馈通件18包括馈通衬底34。馈通衬底34限定向外馈通侧36和向内馈通侧38。向外馈通侧36大体上与向内馈通侧38相反定向。馈通衬底34还限定了馈通衬底周界壁40，该馈通衬底周界壁面向套圈16的第一内壁42定向。馈通件18还包括多个馈通导电通路44，该多个馈通导电通路的每个在向外馈通侧36和向内馈通侧38之间延伸。导电通路44的每个电联接或机械联接至相应的一个向外馈通导电衬垫28和相应的一个向内馈通导电衬垫46。向外馈通导电衬垫28可被设置在向外馈通侧36上或其附近。向内馈通导电衬垫46可被设置在向内馈通侧38上或其附近。每个馈通导电通路44可基本上与另一个馈通导电通路44电绝缘。虽然图4A示出一个示例，在该示例中，馈通件18包括三个向外的馈通导电衬垫28、三个馈通导电通路44和三个向内的馈通导电衬垫46，在其它示例中，馈通件28可包括较少的或较多的向外馈通导电衬垫28、馈通导电通路44和向内的馈通导电衬垫46（例如：一个、两个、或至少四个）。
在一些示例中，馈通衬底34包括由单一层形成的陶瓷材料。在其它示例中，馈通衬底34包括由多个大体平坦的陶瓷层形成的多层陶瓷（在图4A和4B中未示出）。在馈通衬底34由多层陶瓷层形成的示例中，每个陶瓷层在未烧结状态中成形，以具有层厚和在向内的层表面和向外的层表面之间延伸通过层厚的多个通路孔。接着陶瓷层可诸如通过将各层合制在一起来联接在一起，并且可共烧在一起，从而各层形成基本上单体的馈通衬底34。在一些示例中，每个陶瓷层的通路孔可基本上对准，以形成大体上圆筒形的通道，该大体上圆筒形的通道由导电材料填充以形成导电通路44。
在一些示例中，馈通件34可包括高温共烧陶瓷（HTCC）材料，例如：在至少约1300℃的温度下烧结的陶瓷，例如：在至少约1600℃的温度下烧结的材料。在一些实施例中，HTCC使用1）包括铝并可包括Si(二氧化硅),Ca(钙),Mg(氧化镁),Zr(氧化锆)等的氧化物的电绝缘体，以及2）诸如铂或Pt-Ir的电绝缘体。电绝缘体和电导体的组件在诸如约1600℃的高于1000℃下燃烧（烧结）。在该烧结过程中，聚合物粘结剂可被赶走并且形成陶瓷和金属的微粒会接合或熔合。颗粒会一起扩散，以小颗粒为代价而形成较大的颗粒。
在一个示例中，馈通衬底34包括HTCC液相的、烧结的铝铂金属化。在一个示例中，馈通衬底34可包括至少约70％的铝，例如至少约90％的具有在约1550℃和约1600℃之间的烧结温度的铝。在一些示例中，馈通衬底34大致包括HTCC，并且在一些示例中，馈通衬底34包括HTCC。
用于共烧陶瓷衬底的材料和方法的示例在2011年9月1日提交的、有系列号61/530,249的共同转让的美国临时专利申请中描述；在2009年8月31日提交的、有系列号61/238,515的共同转让的美国临时专利申请中；在2010年1月26日提交的、有系列号12/693,772的共同转让的美国专利申请中，在2002年7月2日出版的共同转让的美国专利第6,414,835中，在2003年12月9日出版的共同转让的美国专利第6,660,116中，在2011年8月2日提交的具有系列号13/196,661的美国专利申请中，在2011年8月2日提交的、具有系列号13/196,683的美国专利申请，以及在2011年8月2日提交的、具有系列号13/196,695的美国专利申请中描述，上述文献的全部内容在此以参见的方式纳入本文。
在向外馈通侧36和向内馈通侧38之间的电信号传导可使用向外馈通导电衬垫28、导电通路44和向内馈通导电衬垫46来实现。相应的一个向外馈通导电衬垫28、相应的一个导电通路44和相应的一个向内馈通导电衬垫46一起形成在向外馈通侧36和向内馈通侧38之间的馈通导电路径。导电路径为待横跨馈通衬底34传输的电信号提供电路径，诸如传输来自在IMD壳体内的电子的、用于刺激目标组织的刺激信号，或者是在贴近目标组织处感应到的生物电信号，该生物电信号由IMD电子传输至IMD壳体中用于分析。
导电通路44可包括基本上填充延伸通过馈通衬底34的通道的诸如金属或合金的导电材料。在一个示例中，气密封件在每个导电通路44和馈通衬底34之间的接口处形成。气密封件可由许多方法形成，诸如通过形成在形成通路44的材料和形成馈通衬底34的材料之间的铜焊连结。在一个示例中，在下面更加详细的描述，气密封件通过使形成馈通衬底34的材料和导电通路44共烧来形成，从而形成通路44的材料与形成馈通衬底34的材料连结。
每个导电路径还可包括在向内侧38处的向内馈通导电衬垫46。每个导电衬垫46可提供接触区域，用以在相应的导电路径和在电容滤波器阵列20中的相应的一个导电路径之间提供电的和/或机械的联接。在一些示例中，每个向内馈通导电衬垫46电联接和机械联接至导电通路44的相对应的一个。
每个导电路径还可包括在向外侧36处的向外馈通导电衬垫28。每个导电衬垫28可提供接触区域，用以提供导体至相应的导电路径（例如：导电衬垫28）的电的和/或机械联接，诸如用于IMD的引线导体。在一些示例中，每个向外馈通导电衬垫28电联接和机械联接至通路44的相对应的一个。
在一些示例中，通路44和导电衬垫28、46的每个包括诸如导电金属或合金之类的导电材料。可用于通路和/或导电衬垫28、46的导电材料的示例包括，但不限于，过渡金属（例如：贵金属），稀土金属（例如：锕类金属和镧系金属）、碱金属、碱土金属和稀有金属。可用于形成通路44和/或导电衬垫28、46的材料的示例包括，但不限于，铜（Cu）、银（Ag）、金（Au）、铂（Pt）、钯（Pd）、铌（Nb）、铱（Ir）、钛（Ti）、钨（W）、钼（Mb）、锌（Zr）、锇（Os）、钽（Ta）、钒（V）、铑（Rh）、铼（Re）和钌（Ru）、铂基合金、铂铱合金、铂钯合金、金钯合金、诸如Ti-6Al-4V、Ti-45Nb、Ti-15Mo或钛钒的钛合金、钨钼合金、以及它们的合金、混合物和结合。
关于向内馈通导电衬垫46，在一些示例中，可选择导电衬垫46的材料和结构以支承相对应的电连接（诸如厚膜导电膏48的一个）的连结，以在相应的向内馈通导电衬垫46的各个和相应的向外滤波器导电衬垫60的各个之间提供电的和机械联接。
关于向外馈通导电衬垫28，可选择导电衬垫28的材料和结构，以支承导体至相应的导电衬垫28的各个的外表面的焊接，诸如在用于IMD的引线中使用的线或导体。可使用在可被焊接至导电衬垫28的IMD引线导体中的材料的示例包括，但不限于，铌（Nb）、MP35N或MP35NLT镍基合金，银核Co-Cr-Ni合金、钽、银核Ta,Ti,Ti-45Nb,Ti-Mo合金、以及符合美国材料试验协会标准F562（ASTM standard F562）的合金。可用于将引线导体附接至导电衬垫的工艺的示例包括，但不限于，激光焊接、平行间隙焊接、热超声连结、扩散连结、超声焊接、相反间隙焊接、激光铜焊、梯级间隙电阻焊接、铜焊插入、冲击电弧焊接或软焊（传统的或激光）。
在馈通衬底34包括HTCC材料、导电通路44和/或向外馈通导电衬垫28和/或向内馈通导电衬垫46的一些示例中，可具有用于填充从向外馈通侧36和向内馈通侧38延伸的通道以形成通路44的导电膏。例如：导电膏可包括应用至通道的金属膏，例如含铂膏、含钨膏、含Nb膏、含Ta膏、含Au膏或含钼锰膏。这样的材料可以是生物兼容的和生物稳定的材料。在一个示例中，金属膏主要包括诸如铂粉的金属粉和用以促进与馈通衬底34的材料连结的添加剂。该添加剂可附加地或替代地提供在用以形成通路44（和/或衬垫28、46）的导电膏和馈通衬底34的HTCC材料之间的热膨胀兼容性。在一个示例中，添加剂包括铝，从而金属膏可包括例如诸如铂粉的大多数的金属粉和在其中的少数的铝粉或微粒。
在一些示例中，由诸如含铂铝膏的导电膏形成的导电通路44和/或衬垫28、46与包括诸如烧结的铝的HTCC材料的馈通衬底34在例如约1600℃的温度下一起共烧，从而导电膏和HTCC材料连结在一起并形成气密封件。
仍参照图4A和4B，馈通组件包括电容滤波器阵列20。电容滤波器阵列20可包括电容滤波器衬底50，该电容滤波器衬底50限定向内滤波器阵列侧52和向外滤波器阵列侧54。电容滤波器衬底50还限定电容滤波器周界56，它通常面向套圈16的第二内壁58。沿着电容滤波器衬底的周界设置的是周界导电触件72。电容滤波器阵列20还包括多个滤波器阵列导电路径。在图4A和4B中示出的示例中，滤波器阵列导电路径中的每个包括相应的一个向外滤波器导电衬垫60、相应的一个滤波器导电通路62和相应的一个向内滤波器导电衬垫32。相应的滤波器阵列导电路径可基本上与另一个滤波器阵列导电路径电绝缘。尽管图4A示出了包括三个滤波器阵列导电路径的电容滤波器阵列20的示例，在其它的示例中，电容滤波器阵列20可包括比三个滤波器阵列导电路径更少或更多的滤波器阵列导电路径（例如：一个、两个或至少四个）。
电容滤波器阵列20还包括限定在电容滤波器衬底50内的多个电容滤波器，它们的相应的各个电连接至相应的各个滤波器阵列导电路径。多个导电路径的每个为待传输通过馈通衬底20的电信号提供电路径，诸如传输来自在IMD壳体内的电子的、用于刺激目标组织的刺激信号，或者是在贴近目标组织处感应到的生物电信号，该生物电信号由IMD电子传输至IMD壳体中用于分析。电容滤波器阵列20使用电容滤波器64对传输通过电容滤波器阵列20的电信号过滤。
电容滤波器衬底50可由陶瓷材料形成，诸如钛酸钡（BaTiO3）或铝。在一些示例中，电容滤波器衬底50可由单一层形成。在其它示例中，电容滤波器衬底50包括由多个大体平坦的陶瓷层形成的多层陶瓷（在图4A和4B中未示出）。在电容滤波器衬底50由多层陶瓷层形成的示例中，每个陶瓷层在未烧结状态中成形，以具有层厚和在向内的层表面和向外的层表面之间延伸通过层厚的多个通路孔。接着陶瓷层可诸如通过将各层合制在一起来联接在一起，并且可共烧在一起，从而各层形成基本上单体的电容滤波器衬底50。在一些示例中，每个陶瓷层的通道可基本上对准，以形成大体上圆筒形的通道，该大体上圆筒形的通道由导电材料填充以形成导电通路62。
在一些示例中，电容滤波器衬底50可包括高温共烧陶瓷（HTCC）材料，例如：在至少约1300℃的温度下烧结的陶瓷，例如：在至少约1600℃的温度下烧结的材料。在一些实施例中，HTCC使用1）包括钛酸钡（BaTiO3）或铝并可包括Si(二氧化硅),Ca(钙),Mg(氧化镁),Zr(氧化锆)等的氧化物的电绝缘体，以及2）诸如铂或Pt-Ir的电绝缘体。电绝缘体和电导体的组件可在诸如约1600℃的高于1000℃下燃烧（烧结）。在该烧结过程中，聚合物粘结剂可被赶走并且形成陶瓷和金属的颗粒会接合或熔合。颗粒会一起扩散，以小颗粒为代价而形成较大的颗粒。
电容滤波器阵列20还包括多个滤波器阵列导电路径。如上所述，每个滤波器阵列导电路径包括相应的一个向外滤波器导电衬垫60、相应的一个滤波器导电通路62和相应的一个向内滤波器导电衬垫32。滤波导电通路62和导电衬垫32、60的每个可包括诸如导电金属或合金的导电材料。可用于通路62和/或导电衬垫32、60的导电材料的示例包括，但不限于，过渡金属（例如：贵金属），稀土金属（例如：锕类金属和镧系金属）、碱金属、碱土金属和稀有金属。可用于形成通路62和/或导电衬垫32、60的材料的示例包括，但不限于，铜（Cu）、银（Ag）、金（Au）、铂（Pt）、钯（Pd）、铌（Nb）、铱（Ir）、钛（Ti）、钨（W）、钼（Mb）、锌（Zr）、锇（Os）、钽（Ta）、钒（V）、铑（Rh）、铼（Re）和钌（Ru）、铂基合金、铂铱合金、铂钯合金、金钯合金、诸如Ti-6Al-4V、Ti-45Nb、Ti-15Mo或钛钒的钛合金、钨钼合金、以及它们的合金、混合物和结合。
关于向外滤波器导电衬垫60，在一些示例中，可选择导电衬垫60的材料和结构以支承相对应的电连接（诸如厚膜导电膏48的一个）的连结，以在相应的向内馈通导电衬垫46的各个和相应的向外滤波器导电衬垫60的各个之间提供电的和机械联接。
关于向内滤波器导电衬垫32，在一些示例中，可选择导电衬垫32的材料和结构以支承至在向内滤波器衬垫32和IMD的电路之间延伸的相应的电导体的电连接（例如：传感电路、治疗传送电路等）。
在一些示例中，为了减少或防止在馈通件18和滤波器阵列20之间的高压电弧，电绝缘层70可放置在馈通件18和滤波器阵列20之间。由于在导电的两个导电材料之间的任何直接视线可引起表面电弧，电绝缘层70还可提供用以防止在导电路径（其可在向外馈送导电衬垫28和滤波器阵列20之间连续）和套圈16之间的、在导电线路和周界导电触件72之间的、或在相邻的导电线路之间的电弧。在这种意义上，电绝缘层70可减少或基本上防止表面电弧。
电绝缘层70可包括电绝缘材料，诸如形成在向外滤波器阵列侧54的电绝缘聚合物。在一个示例中，电绝缘层70包括带有大于约400℃的玻璃转变温度的聚酰亚胺聚合物。在一些示例中，电绝缘层70可包括与陶瓷材料或HTCC材料共烧的低温。
虽然未在图4A和4B中示出，在一些示例中，电绝缘层70可附加地或替代地形成在向内馈通侧38（例如：如由图8的馈通电绝缘层112来实施）、向内滤波器阵列侧52、和/或向外馈通侧36。在一些示例中，如下面关于图10－12的描述，电绝缘层可基本上连续地在向外滤波器阵列侧54和向内馈通侧38之间的空间中延伸。
每个滤波器导电通路62的至少一部分电连接至相对应的电容滤波器64，该电容滤波器提供用于被引导通过相对应的通路62的电信号的过滤。例如：每个电容滤波器64可提供用于过滤由外部电磁场引起的在IMD引线中的电流，从而所引起的电流不会被IMD电路意外地作为诸如遥测信号的信号解释。在一个示例中，最佳的参见图4B，每个电容滤波器64包括多个诸如钛酸钡的陶瓷层（未示出），带有形成在层上的导电有源电极66和地电极68，诸如通过在堆叠和层合各层之前将电极66、88材料打印在各层上，该电极66、88材料例如是银、银钯或银铂。在一个示例中，有源电极66基本上径向地围绕相对应的一个滤波器导电路径62。相应的有源电极66电联接至对应的滤波器导电通路62。地电极68电连接至公共点。
地电极68可电联接至周界导电触件72。如图4A和4B所示，周界导电触件72可基本上沿着电容滤波器周界56的整个长度延伸，从而每个地电极68电联接至周界导电触件72。在其它示例中，周界导电触件72可以是不连续的围绕着电容滤波器周界56。例如，对应的周界导电触件72可电联接至相应的一个地电极68（或相应组（两个或更多）的地电极68），并且电容滤波器阵列20可包括多个周界导电触件72。
周界导电触件72电联接至公共点，从而正由电容滤波器阵列20过滤的EMI信号是接地的。在图4A和4B中示出的一些示例中，周界导电触件72通过电联接至套圈16来接地，这依次电联接至IMD壳体。
根据本发明的一些方面，周界导电触件72可使用厚膜导电膏48e、48f电连接至和机械连接至套圈16。附加地或替代地，向内馈通导电衬垫46可以使用厚膜导电膏48a、48b、48c电连接和机械连接至向外滤波器导电衬垫60。因此，在一些示例中，周界导电触件72可使用厚膜导电膏48e、48f电连接和机械连接至套圈16，并且向内馈通导电衬垫46可使用厚膜导电膏48a、48b、48c电连接或机械连接至向外滤波器导电衬垫。在其它示例中，周界导电触件72可使用厚膜导电膏48e、48f电连接和机械连接至套圈16，并且向内馈通导电衬垫46可使用另一个导电连接件电连接或机械连接至向外滤波器导电衬垫60。在其它示例中，周界导电触件72可使用诸如钎焊或铜焊的导电连接件电连接和机械连接至套圈16，并且向内馈通导电衬垫46可使用厚膜导电膏48a、48b、48c电连接或机械连接至向外滤波器导电衬垫60。
在一些示例中，厚膜导电膏48a、48b、48c、48d、48e（总地，“厚膜导电膏48”）可包括银钯（Ag-Pd）混合物或合金。在一些实施例中，Ag-Pd混合物或合金可包括约70重量百分比（wt.%）的Ag和约30wt.%的Pd。在一些示例中，Ag-Pd混合物或合金还可包括玻璃熔料（例如：混合在Ag-Pd混合物或合金中的玻璃微粒）。在一些示例中，玻璃熔料包括硼硅酸锌玻璃微粒，并且可被分散在有机粘合剂中。
厚膜导电膏48可应用于任何所期望的厚度。在一些示例中，至少一个厚膜导电膏48a、48b、48c、48d、48e的厚度约0.00254毫米（约0.0001英寸）。
在一些示例中，厚膜导电膜48可形成在馈通件18和导电滤波器阵列20之间和/或在导电滤波器阵列20和套圈16之间的唯一的机械连接。厚膜导电膜48可拥有足够的机械强度，以作为在馈通件18和导电滤波器阵列20之间和在导电滤波器阵列20和套圈16之间的唯一的机械连接（例如：在燃烧以将厚膜导电膏48从膏转变成相对固体的材料）。在一些示例中，通过厚膜导电膏形成的机械连接可通过使用另一种类型的机械连接来补充，例如：钎料，与厚膜导电膏48结合。
在一些示例中，如图4A和4B中所示，厚膜导电膏48a、48b、48c可设置在向内馈通导电衬垫46和向外滤波器导电衬垫60之间。厚膜导电膏48a、48b、48c可代替或与钎焊或在向内馈通导电衬垫46和向外滤波器导电衬垫60之间的其它机械和电连接件结合使用。
在一些示例中，导电滤波器阵列20可不包括向外滤波器导电衬垫60、滤波器导电通路62和向内滤波器导电衬垫32（如图4A和4B中所示的滤波器阵列的示例那样）。图5中所示的馈通组件10b与图4A和4B中所示的馈通组件10a相似。为清楚起见，在图5中已省略了一些附图标记；然而，在一些示例中，除了在本文中所述的不同处之外，馈通组件10b可基本上与馈通组件相似。与图4A和4B中所示的馈通组件10a相比，图5中所示的馈通组件10b包括示例的导电滤波器阵列20，该示例的导电滤波器阵列包括用诸如Ag-Pd的厚膜导电膏形成的滤波器阵列导电通道82，而不是向外滤波器导电衬垫60、滤波器导电通路62和向内滤波器导电衬垫32。
如图5所示，导电滤波器衬底50限定在向内侧52和向外侧54之间的多个通道。厚膜导电膏设置在多个通道中，并形成滤波器阵列导电路径82。滤波器阵列导电路径82的向外端84可延伸至或延伸在导电滤波器衬底50的向外侧54之上。以这种方式，向外端84可电连接或机械地连接至（馈通件18的）相应的一个向内馈通导电衬垫46。向外端84因此可机械地将导电滤波器阵列20连接至馈通件18。
滤波器阵列导电路径82的内外端86可延伸至或延伸在导电滤波器衬底50的向内侧52之上。以这种方式，向内端86功能上可与向内滤波器导电衬垫32相似。例如，滤波器阵列导电路径82的向内端86提供用于电连接相应的电导体的位置，该相应的电导体延伸至诸如传感电路、治疗传送电路等的在IMD内的电路。
图6是示出了用于形成包括厚膜导电膏的馈通组件10的技术的示例的流程图。为清楚起见，在图6中所示的该技术同时参考图4A和4B所示的馈通组件10a进行描述。然而，那些本领域的技术人员可理解的是，图6中所示的技术可用于构成其它馈通件。
图6中所示的技术可包括将馈通件18附接至套圈16（92）。馈通件18可使用任何技术连接至套圈16，该任何技术形成在馈通件18和套圈16之间的气密封件26。例如，套圈16和馈通件18可使用铜焊、扩散连结、玻璃的激光烧结等连接。气密封件26可使用生物兼容的、生物稳定的材料。可用于形成材料的示例包括金、镍金合金、铂、铂铱或生物兼容玻璃的气密封件26。
该技术还包括将厚膜导电膏48应用至馈通件18的所期望位置，和/或导电滤波器阵列20（94）。在一些实施例中，该技术可包括将厚膜导电膏48应用至向内馈通导电衬垫46。在其它的示例中，该方法可包括将厚膜导电膏48应用至向外馈通导电衬垫60。在其它示例中，该技术可包括将厚膜导电膏48应用至套圈16的第二内壁58。在其它的示例中，该方法可包括将厚膜导电膏48应用至周界导电触件72。在其它示例中，该技术可包括将厚膜导电膏48应用至向内馈通导电衬垫46和第二内壁58。在其它示例中，该技术可包括将厚膜导电膏48应用至向内馈通导电衬垫46和周界导电触件72。在其它示例中，该技术可包括将厚膜导电膏48应用至向外滤波器导电衬垫60和第二内壁58。在其它示例中，该技术可包括将厚膜导电膏48应用至向外滤波器导电衬垫60和周界导电触件72。
厚膜导电膏48可使用各种技术的任何一个或其组合被应用至馈通件18、套圈16、和/或导电滤波器阵列20（94）的所期望位置，该各种技术包括例如：丝网印刷、刷、使用分配器等。厚膜导电膏48最初可以膏的形式（例如：Ag,Pd粉末混合物的悬浮剂，以及，可选地，在液体载体中的玻璃熔料）。在一些示例中，可选择液体载体的数量，这样厚膜导电膏48相对粘的，并且不容易从它应用的位置（在应用后）流动。例如，厚膜导电膏可具有在约100千厘泊（kcps；约1000泊）以及约250（kcps；约2500泊）之间的粘度。
一旦厚膜导电膏48被应用至馈通件18、套圈16和/或导电滤波器阵列20（94）的所期望位置，导电滤波器阵列20可相对于套圈16和馈通件18（96）放置在所期望的方向。例如，这可包括这样的定位导电滤波器阵列20：向外滤波器阵列侧54接近（靠近）向内馈通侧38（例如：从而在厚膜导电膏48用于将向内馈通导电衬垫46与向外滤波器陈列导电衬垫60电连接的示例中，厚膜导电膏48a、48b、48c接触向内馈通导电衬垫46和向外滤波器阵列导电衬垫60）。这还可包括这样的定位导电滤波器阵列20：导电滤波器周界56接近（靠近）套圈16的第二内壁58（例如，从而在厚膜导电膏48用于将周界导电触件72和第二内壁56电连接的示例中，厚膜导电膏48d和48e接触周界导电触件72和第二内壁56）。
在导电滤波器阵列20相对于套圈16和馈通件18（96）定位在所期望的方向之后，馈通组件10a可被加热，以将厚膜导电膏48从膏转变成相对的固体（例如：具有玻璃熔料的Ag-Pd合金）材料（98）。例如，馈通组件10a焦耳在约700℃和约850℃之间的温度下被加热约30分钟至约60分钟，带有在峰值温度处约10分钟的基本上恒定的温度。通过加热馈通组件10a和将厚膜导电膏48转变成相对固体的材料，机械连接和电连接可在相应的各个向内馈通导电衬垫46和相应的各个向外滤波器阵列导电衬垫60之间形成，这可导致在馈通件18和导电滤波器阵列20之间的机械连接。相似的，加热馈通组件10a和将厚膜导电膏48转变成相对固体的材料可形成在周界导电触件72和第二内壁58之间的机械连接和电连接，这可导致在套圈16和导电滤波器阵列20之间的机械连接。
图7是示出了用于形成根据本发明的各方面的馈通组件的另一个示例技术的流程图。图7中示出的示例技术将同时参见在图5中示出的馈通组件10b来进行描述。图7中所示的技术可包括将馈通件18附接至套圈16（92）。馈通件18可使用任何技术连接至套圈16，该任何技术形成在馈通件18和套圈16之间的气密封件26。例如，套圈16和馈通件18可使用铜焊、扩散连结、玻璃的激光烧结等连接。气密封件26可使用生物兼容的、生物稳定的材料。可用于形成材料的示例包括金、镍金合金、铂、铂铱或生物兼容玻璃的气密封件26。
图7中所示的技术包括将厚膜导电膏48d、48e应用至套圈16（102）的第二内壁58。附加地，厚膜导电膏48d、48e可应用至导电滤波器阵列20（102）的周界导电触件72。厚膜导电膏48d、48e可使用各种技术的任何一个或其组合被应用至第二内壁58和/或周界导电触件72（102），该各种技术包括例如：丝网印刷、刷、使用分配器等。厚膜导电膏48d、48e最初可以膏的形式（例如：Ag,Pd粉末混合物的悬浮剂，以及，可选地，在液体载体中的玻璃熔料）。在一些示例中，可选择液体载体的数量，这样厚膜导电膏48d、48e相对粘的，并且不容易从它应用的位置（在应用后）流动。例如，厚膜导电膏可具有在约100千厘泊（kcps；约1000泊）以及约250（kcps；约2500泊）之间的粘度。
一旦厚膜导电膏48d、48e被应用至第二内壁58和/或周界导电触件72（102），导电滤波器阵列20可相对于套圈16和馈通件18（104）放置在所期望的方向。例如，这可包括这样的定位导电滤波器阵列20：向外滤波器阵列侧54接近（靠近）向内馈通侧38。在一些示例中，向外滤波器阵列侧54可靠近向内馈通侧38放置，并具有在向外滤波器阵列侧54和向内馈通侧38之间的空间或间隙。在其它示例中，向外滤波器阵列侧54可在向内馈通侧38靠近设置，并且基本上没有在向外滤波器阵列侧54和向内馈通侧38之间的空间或间隙（例如：电绝缘层70可接触向内馈通侧38、向内馈通导电衬垫46或设置在向内馈通侧38上的电绝缘材料）。在相对于套圈16和馈通件18（104）的所期望方向中的定位导电滤波器阵列20还可包括这样的定位电容滤波器阵列20：电容滤波器周界56接近（靠近）套圈16的第二内壁58（例如：从而厚膜导电膏48d和48e接触周界导电触件72和第二内壁56）。
在一些示例中，该技术可选地包括加热套圈16、馈通件18、电容滤波器阵列20和厚膜导电膏48d和48e，以将厚膜导电膏48d和48e从膏转变成相对固体的材料，并且使用厚膜导电膏48d和48e（106）将电容滤波器阵列20机械连接和电连接至套圈16。在其它的示例中，该技术可不包括步骤（106）。例如，馈通组件10b焦耳在约700℃和约850℃之间的温度下被加热约30分钟至约60分钟，带有在峰值温度处约10分钟的基本上恒定的温度。
不论该技术是够包括步骤（106），该技术继续通过导电滤波器衬底50使厚膜导电膏在通道内沉积，以形成滤波器阵列导电路径82（108）。如上所述，厚膜导电膜可使用各种技术的任何一个或其组合进行沉积，包括，例如丝网印刷、刷、使用分配器等。厚膜导电膏最初可以膏的形式（例如：Ag,Pd粉末混合物的悬浮剂，以及，可选地，在液体载体中的玻璃熔料）。在一些示例中，可选择液体载体的数量，这样厚膜导电膏相对粘的，并且不容易从它应用的位置（在应用后）流动。例如，厚膜导电膏可具有在约100千厘泊（kcps；约1000泊）以及约250（kcps；约2500泊）之间的粘度。
足够的厚膜导电膏在通道内通过导电滤波器衬底50被应用，以导致向外端84接触向内馈通导电衬垫46。在一些示例中，这可导致在向外滤波器阵列侧54（和/或电绝缘层70）之上延伸的向外端84。在其它示例中，诸如当在电绝缘层70和向内馈通侧38之间基本上没有空间或间隙时，向外端84不可在向外滤波器阵列侧54（和/或电绝缘层70）之上延伸。附加地或替代地，足够的厚膜导电膏可通过导电滤波器衬底50在通道内应用，以导致向内端86延伸至向内滤波器阵列侧52或在其上延伸。
图7的示例技术还可包括加热套圈16、馈通件18、导电滤波器阵列20、滤波器阵列导电路径82和厚膜导电膏48d和48e，以将厚膜导电膏48d和48e以及滤波器阵列导电路径82从膏转变至相对固体的材料（110）。在一些技术包括步骤（106）的示例中，加热步骤（110）可不将厚膜导电膏48d和48e从膏转变至相对固体的材料，因为厚膜导电膏48d和48e已经是相对固体的材料。
在一些示例中，馈通组件10b焦耳在约700℃和约850℃之间的温度下被加热约30分钟至约60分钟，带有在峰值温度处约10分钟的基本上恒定的温度。通过加热馈通组件10b并将滤波器阵列导电路径82转变至相对固体的材料，在相应的各个向内馈通导电衬垫46和滤波器阵列导电路径82之间形成机械连接和电子连接，这可导致在馈通件18和电容滤波器阵列20之间的机械连接。
厚膜导电膏是可用于将馈通件18和导电滤波器阵列20、以及将导电滤波器阵列20和套圈16机械连接和电连接的材料的一个示例。然而，在其它的示例中，其它结构可用于电连接和机械连接相应的结构。例如，根据本发明的一些方面，引线框架组件可用于形成在馈通件18和电容滤波器阵列20之间的、和/或在电容滤波器阵列20和套圈16之间的机械连接和电连接。
图8示出引线框架组件116将馈通件18和电容滤波器阵列20以及电容滤波器阵列20和套圈16的机械连接和电连接。在图8中，引线框架组件116由导电引线114a、114b、114c和114d（总地，“导电引线114”）的结合形成。
在一些示例中，馈送组件10c基本上与参见图4A、4B和5所描述的馈通组件10a、10b相似，除了本文中所提及的不同处。与图5相似，在图4A和4B中所示的某些附图标记在图中被省略。
如图8中所示，引线框架组件116将馈通件18与电容滤波器阵列20机械连接和电连接。引线框架组件116可包括第一导电引线114a、第二导电引线114b和第三导电引线114c，这将相应的各个滤波器导电通路62与相应的各个向内馈通导电衬垫46电连接。引线框架组件116还可包括第四导电引线114d，这将周界导电触件72与套圈16电连接。
每个导电引线114可由导电金属形成，诸如镍、钛、诸如钛6Al-4V或钛－钒的钛合金、铂、钼、锆，钽，钒，钨，铱，铑，铼，锇，钌，钯，银，及其合金、混合物和组合。在一些示例中，至少一些导电引线114具有足够的机械强度，以允许第一导电引线114a、第二导电引线114b和/或第三导电引线114c保持在形成在向外滤波器阵列侧54上的电绝缘层70与形成在向内馈通侧38上的馈通电绝缘层112之间的间隙。在一些示例中，导电引线114可包括稀有金属（例如：不具有形成在导电引线114的表面上的电绝缘件）。在其它的示例中，至少一个导电引线114可包括形成在至少一个导电引线114的表面上的电绝缘件，诸如电绝缘聚合物。
图8示出三个滤波器导电通路62和相对应的第一导电引线114a、第二导电引线114b和第三导电引线114c。然而，在其它示例中，如上所述，导电滤波器阵列可包括少于三个滤波器通路62或多于三个滤波器导电通路62。在一些这样的示例中，馈通组件10c可包括相对应数量的导电引线114（例如：每个滤波器导电通路62有一个导电引线114）。
附加地或替代地，如上所述，电容滤波器阵列20可包括单一的周界导电触件72，这可至少部分地围着导电滤波器周界56延伸，或电容滤波器阵列20可包括多个离散的周界导电触件72（例如：滤波器导电通路62的每个有一个周界导电触件72）。在任一个示例中，虽然图8示出一个将周界导电触件72连接至套圈16的导电引线（第四导电引线114d），在其它实施例中，馈通组件10c可包括多于一个的将周界导电触件72连接至套圈16的导电引线。例如：馈通组件10c可包括多个导电引线114，该多个导电引线将单个周界导电触件72连接至套圈16。如另一个示例那样，馈通组件10c可包括多个导电引线114，该导电引线将多个离散周界的导电触件72连接至套圈16（例如：每个离散周界导电触件72有一个导电引线114，或每个离散周界导电触件72有多于一个的导电引线114）。
图9是示出用于形成馈通组件10c的示例技术的流程图。虽然图9的技术将参照图8中示出的馈通组件10c进行描述，一个本领域的普通技术人员将理解图9的技术可用于构造其它馈通组件。
图9中的技术包括将馈通件18附接至套圈16（92）。如上所述，馈通件18可使用任何技术连接至套圈16，该任何技术形成在馈通件18和套圈16之间的气密封件26。例如，套圈16和馈通件18可使用铜焊、扩散连结、玻璃的激光烧结等连接。气密封件26可使用生物兼容的、生物稳定的材料。可用于形成材料的示例包括金、镍金合金、铂、铂铱或生物兼容玻璃的气密封件26。
图9中示出的技术还包括将引线框架组件116附接至电容滤波器阵列20（122）。在一些示例中，附接引线框架组件116包括将第一导电引线114a直接附接至滤波器导电通路62的第一个、将第二导电引线114b直接地附接至滤波器导电通路62的第二个、将第三导电引线114c直接地附接至滤波器导电通路62的第三个、以及将第四导电引线114d直接地附接至周界导电触件72。在其它示例中，电容滤波器阵列20可包括多个向外滤波器导电衬垫60（参见图4A和4B），并且第一导电引线114a、第二导电引线114b和第三导电引线114c可附接至相应的各个向外滤波器导电衬垫60。
导电引线114可使用各种技术附接至电容滤波器阵列20。例如：导电引线114可使用激光焊接、平行间隙焊接、热超声连结、扩散连结、超声焊接、相反间隙焊接、激光铜焊、梯级间隙电阻焊接、冲击电弧焊或软焊（传统的或激光）附接至容量滤波器阵列20。
在其它示例中，导电引线114可使用燃烧工艺附接至电容滤波器阵列20。在燃烧工艺中，电容滤波器阵列20和金属引线114可加热至在约700℃和约850℃之间的温度，用于被加热约30分钟至约60分钟，带有在峰值温度处约10分钟的基本上恒定的温度。加热工艺可导致在导电引线114和滤波器导电通路62之间以及导电引线114和周界导电触件72之间的机械连接。
一旦引线框架组件116已附接至容器滤波器阵列20（122），电容滤波器阵列20（包括引线框架组件116）可相对于套圈16和馈通件18（124）放置在所期望的位置。如图8所示，所期望的位置可包括在其中相应的各个导电引线114接触相应的各个向内馈通导电衬垫46和套圈16的位置。如图10所示，在一些示例中，馈通件18可不包括向内馈通导电衬垫46，以及电容滤波器阵列20可放置，从而相应的各个导电引线114接触相应的各个馈通导电通路44。
如上所述，在一些示例中，当电容滤波器阵列20相对于套圈16和馈通件18放置在所期望的位置时（124），金属引线114a、114b和/或114c可具有足够的机械强度，以保持在电容滤波器阵列20和馈通件18之间的分离。例如，如图8所示，导电引线114a、114b、和/或114c可足够长以导致在导电绝缘层70和馈通电绝缘层112之间的间隙118的变形。在其它示例中，当电容滤波器阵列20相对于套圈16和馈通件18放置在所期望的位置时（124），导电引线114a、114b、114c可以更短，这样导电绝缘层70和馈通电绝缘层112彼此接触。
电容滤波器阵列20相对于套圈16的所期望的位置可包括将第四导电引线114d接触套圈16。如上所述，套圈16可形成在电容滤波器阵列20（例如：多个电容滤波器64）和其中使用馈通组件10c的IMD壳体之间的导电路径的一部分。在一些示例中，如图8所示，第四导电引线114d可在向内套圈侧22处接触套圈16。在其它示例中，第四导电引线114d可在例如第二内壁58的不同位置处接触套圈16。
在一些示例中，套圈16可包括或基本由导电材料组成，并且第四导电引线114d可在在基本上套圈16的任何位置接触套圈16（例如：一旦套圈附接至IMD时，放置在IMD壳体内的套圈16的任何位置）。在其它示例中，套圈16的一些部分可包括点绝缘材料，并且套圈的其它部分包括导电材料。在这些示例中，第四导电引线114d可在套圈的一部分处接触套圈，该套圈包括导电材料。
一旦电容滤波器阵列20相对于套圈16和馈通件185放置在所期望的位置，导电引线114可附接至馈通件18和套圈16的各个部分（126）。例如，第一导电引线114a、第二导电引线114b、以及第三导电引线114c可使用激光焊接、平行间隙焊接、热超声焊、扩散连结、超声焊接、相反间隙焊接、激光铜焊、梯级间隙电阻焊接、铜焊插入、冲击电弧焊接或软焊（传统的或激光）附接至相应的各个向内馈通导电衬垫46（或如图10中所示的相应的各个馈通导电通路44）。第四导电引线114d可使用相似的工艺附接至套圈16。
根据本发明的一些方面，电绝缘材料可在馈通件18之后，在电容滤波器阵列20和馈通件18之间引入，电容滤波器阵列20和套圈16被组装（例如，使用回填或底部填充(underfill)工艺）。图10-12示出了包括使用填充或底部填充工艺引入导电绝缘材料的馈通组件的示例。
在一些示例中，除了本文中所提及的不同处外，馈通组件10d可与图8中所示的馈通组件10c相似或基本上相同。馈通组件10d包括第一导电引线114a、第二导电引线114b、和第三导电引线114c，它们关于相应的各个馈通导电通路44电集合或机械集合相应的各个滤波器导电通路62。关于图8如上所述，在一些示例中，馈通件18可包括向内馈通导电衬垫46，和/或电容滤波器阵列20可包括向外滤波器导电衬垫60。
馈通组件10d还包括设置在馈通件18和电容滤波器阵列20之间的电绝缘材料132。电绝缘材料132可在向外滤波器阵列侧54和向内馈通侧38之间基本上持续地延伸。电绝缘材料132因此可使金属引线114彼此绝缘，可使导电引线与周界导电触件72电绝缘，和/或使导电引线114a、114b和114c与套圈16电绝缘。在一些示例中，电绝缘材料132还可设置在周界导电触件72和套圈16之间的空间中，并可使周界导电触件72与套圈16电绝缘。
在一些示例中，电绝缘材料可促成套圈16和馈通件18之间、在馈通件18和电容滤波器阵列20之间、和/或在套圈16和电容滤波器阵列20之间的机械连接。
电绝缘材料132可包括任何合适的电绝缘材料。例如，电绝缘材料132可包括非导电（即：电绝缘）聚酰亚胺、环氧树脂、玻璃或其它电绝缘聚合物。电绝缘材料132可以是以可流动状态（例如：液体或聚合物熔体）引入至向内馈通侧38和向外馈通侧54之间的间隙中的材料，并且接着被转变成基本上固体的状态（例如：通过冷却材料或将液体/溶剂从材料移除）。
在一些示例中，在使用导电引线114a、114b和114c将电容滤波器阵列20附接至馈通件18之后电绝缘材料132可被引入在向内馈通侧38和向外馈通侧54之间的间隙（例如，在图8中所示的间隙118）。如图10中所示，套圈16可限定底部填充入口通道134。底部填充入口通道134尺寸可做成或放置成以允许电绝缘材料132引入在向内馈通侧38和向外馈通侧54之间的间隙中。例如：底部填充入口通道134可在套圈16的外壁和套圈16的第一内壁42之间延伸。在其它示例中，底部填充入口通道134可在外壁136和第二内壁58之间延伸。
如图10中所示，在一些示例中，未填满入口通道134可位于套圈16的位置处，该套圈的位置将在其中使用馈通组件10d的IMD的壳体的内部上。这可便于在IMD壳体和馈通组件10d之间的气密封，并防止在IMD的内部和外部之间的流体（例如：身体流体）的运动。关于示例馈通组件至IMD壳体的附接的进一步的细节在图14中示出并在下面进行描述。
图11是示出了另一个示例馈通组件10e的示意性剖视图。馈通组件10e除了本文中所提及的不同处之外，可与图4A和4B中示出的馈通组件10a相似。馈通组件10e还包括设置在馈通件18和电容滤波器阵列20之间的电绝缘材料132。电绝缘材料132可在向外滤波器阵列侧54和向内馈通侧38之间基本上持续地延伸。电绝缘材料132因此可使导电路径（例如：包括向内馈通导电衬垫46、厚膜导电膏48和向外滤波器导电衬垫60）彼此电绝缘，可使导电路径与周界导电触件72电绝缘，和/或可使导电路径和套管16电绝缘。在一些示例中，电绝缘材料132还可设置在周界导电触件72和套圈16之间的空间中，并可使周界导电触件72与套圈16电绝缘。
如上所述，电绝缘材料132可包括任何适合的电绝缘材料，诸如非导电（即电绝缘）聚酰亚胺、环氧树脂、玻璃或其它电绝缘聚合物。
在一些示例中，在使用厚膜导电膏48将电容滤波器阵列20附接至馈通件18和套圈16之后，电绝缘材料132可被引入至向内馈通侧38和向外馈通侧54之间的间隙（例如，在图8中所示的间隙118）。如图11中所示，馈通件18可限定底部填充入口通道144。底部填充入口通道144尺寸可做成或放置成以允许电绝缘材料132引入在向内馈通侧38和向外馈通侧54之间的间隙中。例如，底部填充入口通道144可在向外馈通侧36和向内馈通侧38之间延伸。
如图11所示，在一些示例中，电绝缘材料132可在例如底部填充入口通道144中形成带有馈通件18的气密封件。在其它示例中，馈通组件10e可包括另外的材料，该另外的材料在底部填充入口通道144内形成气密封件，诸如金、镍金合金、铂和铂铱。这可便于在IMD壳体和馈通组件10e之间的气密封，并防止在IMD的内部和外部之间的流体（例如：身体流体）的运动。关于示例馈通组件至IMD壳体的附接的进一步的细节在图14中示出并在下面进行描述。
图12是示出了另一个示例馈通组件10f的示意性剖视图。馈通组件10e除了本文中所提及的不同处之外，可与图4A和4B中示出的馈通组件10a相似。馈通组件10e还包括设置在馈通件18和电容滤波器阵列20之间的电绝缘材料132。电绝缘材料132可在向外滤波器阵列侧54和向内馈通侧38之间基本上持续地延伸。电绝缘材料132因此可使导电路径（例如：包括向内馈通导电衬垫46、厚膜导电膏48和向外滤波器导电衬垫60）彼此电绝缘，可使导电路径与周界导电触件72电绝缘，和/或可使导电路径和套管16电绝缘。在一些示例中，电绝缘材料132还可设置在周界导电触件72和套圈16之间的空间中，并可使周界导电触件72与套圈16电绝缘。
在一些示例中，在使用厚膜导电膏48将电容滤波器阵列20附接至馈通件18和套圈16之后，电绝缘材料132可被引入至向内馈通侧38和向外馈通侧54之间的间隙（例如，在图8中所示的间隙118）。如图12中所示，电容滤波器阵列20可限定底部填充入口通道154。底部填充入口通道154尺寸可做成或放置成以允许电绝缘材料132引入至向内馈通侧38和向外滤波器阵列54之间的间隙中。例如，底部填充入口通道154可在向内滤波器阵列侧52和向外滤波器阵列侧54之间延伸。在一些示例中，将底部填充入口通道154定位在电容滤波器阵列20中可便于在IMD壳体和馈通组件10f之间的气密封，并防止在IMD的内部和外部之间的流体（例如：身体流体）的运动。关于示例馈通组件至IMD壳体的附接的进一步的细节在图14中示出并在下面进行描述。
图13是示出用于形成包括在馈通件18和电容滤波器阵列20之间的电绝缘材料的馈通组件的技术的示例的流程图。图13中所示的技术包括将馈通件18附接至套圈16（92）。如上所述，馈通件18可使用任何技术连接至套圈16，该任何技术形成在馈通件18和套圈16之间的气密封件26。例如，套圈16和馈通件18可使用铜焊、扩散连结、玻璃的激光烧结等连接。气密封件26可使用生物兼容的、生物稳定的材料。可用于形成材料的示例包括金、镍金合金、铂、铂铱或生物兼容玻璃的气密封件26。
图13中所示的技术还包括将电容滤波器阵列20附接至馈通件18和套圈16（156）。如上关于图6所述，在一些示例中，将电容滤波器阵列附接至馈通件18和套圈16（156）可包括：将厚膜导电膏48应用于馈通件18、套圈16和/或电容滤波器阵列20（94）上，将电容滤波器阵列20相对于套圈16和馈通件18定位在所期望的方向（96），以及将馈通组件加热（例如：馈通组件10a、10e、或10f）以将厚膜导电膏48从膏转变至相对固体的材料（98）。如上关于图7所述，在其它示例中，将电容滤波器阵列附接至馈通件18和套圈16（156）可包括：将厚膜导电膏48d、48e应用至套圈16或周界导电触件72的第二内壁58（102），将电容滤波器阵列20相对于套圈16和馈通件18定位在所期望的方向（104），加热厚膜导电膏48d和48e以将厚膜导电膏48d、48e从膏转变至相对固体的材料（106），将在通道82内的厚膜导电膏通过电容滤波器衬底50以形成滤波器阵列导电路径82（108），以及加热套圈16、馈通件18、电容滤波器阵列20、滤波器阵列导电路径82和厚膜导电膏48d和48e，以将厚膜导电膏48d和48e以及滤波器阵列导电路径82从膏转变至相对固体的材料（110）。如上关于图9所述，在其它示例中，将电容滤波器阵列附接至馈通件18和套圈16（456）可包括：将引线框架组件116附接至电容滤波器阵列20（122），将电容滤波器阵列20（包括引线框架组件116）相对于套圈16和馈通件18定位在所期望的位置（124），以及将导电引线114附接至馈通件18和套圈16的相应的部分（126）。
一旦电容滤波器阵列20被附接至套圈16和馈通件18，在向内馈通侧38和向外滤波器阵列侧54之间的间隙（例如：图8中所示的间隙118）可被底部填充有电绝缘材料132（158）。如上所述，电绝缘材料132可包括以可流动形式存在的材料，注入液体、悬浮液或聚合物熔料。电绝缘材料132可通过底部填充入口通道引入在向内馈通侧38和向外滤波器阵列侧54之间的间隙中，诸如由套圈16限定的底部填充入口通道134、由馈通件20限定的底部填充入口通道144或由电容滤波器阵列20限定的底部填充入口通道154。一旦可流动的电绝缘材料132被引入至在向内馈通侧38和向外滤波器阵列侧54之间的间隙中，电绝缘材料132可转变至基本上固体的材料，诸如通过冷却电绝缘材料132和将液体载体或溶剂从电绝缘材料132上移除。
上面所示和所述的任何馈通组件10可作为用于IMD的馈通组件使用。图14是总体示意图，它示出了示例馈通组件附接至IMD的壳体并且电联接至多个引线和至电路的多个电连接。虽然在图14中描述了馈通组件10f，本文中所述的任何其它的馈通组件可以相似的方式在IMD中使用。
IMD160包括壳体162并限定了在其中设置馈通组件10f的开口。馈通组件10f由气密封件164机械地附接至IMD160的壳体162。例如，气密封件164可在套圈16的外壁136和壳体162之间形成。气密封件164可防止患者的身体流体流入在套圈16和壳体162之间的IMD壳体的内部，它可导致对于IMD160的内部电子的损坏。在一个示例中，气密封件164包括在套圈16和壳体162之间的铜焊连结（例如，使用激光铜焊形成）。在其它示例中，气密封件164可使用扩散连结形成。可用于形成气密封件164的材料的示例包括能够用于形成气密封件164的任何生物兼容、生物稳定的材料，诸如金、镍金合金，铂和铂铱。玻璃的激光烧结还可用于连结套圈16和壳体162。
在其它示例中，气密封件164可包括形成在壳体162和套圈16之间的焊接点。焊接点可以由与壳体162的材料和套圈16的材料兼容的材料。如上所述，在一些示例中，套圈16可包括钛或钛合金，并且壳体162还可包括钛或钛合金。在一些示例中，使用激光焊接工艺形成焊接点，例如，以形成Ti-Ti连接点。
在一些示例中，气密封件164可在壳体162和套圈16之间提供电连接，并可形成在电容滤波器阵列64的地电极68（参见图4B）和壳体162之间的导电路径的一部分。在这些示例的一些中，壳体162可作为用于由电容滤波器阵列64过滤的信号的电极起作用。
在一些示例中，IMD160可以是构造成传送治疗和/或监控患者的生理条件的装置。例如，IMD160可以是心脏起搏器、可植入心律转变器/去纤颤器、或可植入式神经刺激器，并且可传送治疗至患者的心脏、肌肉、神经、大脑、胃或其它器官或监控来自患者心脏、肌肉、神经、大脑、胃或其它器官的生理信号。
IMD160包围诸如治疗传送电路，或传感电路的电路。治疗传送电路和/或传感电路在图14中以印刷电路板（PB）172表现出。虽然在图14中未示出，PB172可包括诸如电阻器、电容器、感应器、电池、集成电路、混合电路、模拟电路等安装至或结合在PB172中的电部件。PB172还包括多个接触衬垫170，电线168电连接至该接触衬垫。
电线168将在PB172中或上的电路电连接至向内滤波器阵列导电衬垫32。相应的电线168可电连接至相应的接触衬垫170和相应的向内滤波器阵列导电衬垫32。在电线168和接触衬垫170之间的电连接和相应的向内滤波器阵列导电衬垫32可由例如焊接或软焊制成。
IMD160还通过馈通组件10f电连接至多个引线导体166。例如，相应的各个引线导体166可电连接至相应的各个向外馈通导电衬垫28。引线导体166可由至少一个还可携带电极的引线体携带，引线导体166电连接至该电极。引线导体166提供电路径，IMD160可通过该电路径传送目标组织的电刺激和/或传感来自目标组织的生物信号。
已描述了各种示例。这些和其它示例在下述权利要求书的范围内。

Claims (15)

1.一种馈通组件，包括：
套圈，所述套圈限定套圈开口；
馈通件，所述馈通件至少部分地设置在所述套圈开口内，其中所述馈通件包括至少一个馈通导电路径；
电容滤波器阵列，所述电容滤波器阵列至少部分地设置在所述套圈开口内，其中所述电容滤波器阵列包括至少一个滤波器阵列导电路径；以及
厚膜导电膏，所述厚膜导电膏将所述至少一个馈通导电路径与所述至少一个滤波器阵列导电路径电连接。
2.一种馈通组件，包括：
套圈，所述套圈限定套圈开口；
馈通件，所述馈通件至少部分地设置在所述套圈开口内，其中所述馈通件包括至少一个馈通导电路径；
电容滤波器阵列，所述电容滤波器阵列至少部分地设置在所述套圈开口内，其中所述电容滤波器阵列包括至少一个滤波器阵列导电路径、周界导电触件、以及将所述至少一个滤波器阵列导电路径和周界导电触件电联接的电容滤波器；以及
厚膜导电膏，所述厚膜导电膏将所述周界导电触件与所述套圈电连接。
3.如权利要求1或2所述的馈通组件，其特征在于，所述厚膜导电膏包括银钯混合物或合金。
4.如权利要求1或2所述的馈通组件，其特征在于，所述厚膜导电膏还包括玻璃熔料。
5.如权利要求1所述的馈通组件，其特征在于，所述电容滤波器还包括周界导电触件和将所述至少一个滤波器阵列导电路径与所述周界导电触件电联接的电容滤波器，其中，所述厚膜导电膏包括第一厚膜导电膏，以及其中所述馈通组件还包括将所述周界导电触件和所述套圈电连接的第二厚膜导电膏。
6.如权利要求1所述的馈通组件，其特征在于，所述至少一个馈通导电路径包括放置在所述馈通件的向外侧上或其附近的向外馈通导电衬垫、放置在所述馈通件的向内侧上或其附近的向内馈通导电衬垫、以及在所述向外馈通导电衬垫和所述向内馈通导电衬垫之间延伸的馈通导电通路。
7.如权利要求6所述的馈通组件，其特征在于，所述至少一个滤波器阵列导电路径包括放置在所述滤波器阵列的向外侧上或其附近的向外滤波器导电衬垫、放置在所述滤波器阵列的向内侧上或其附近的向内滤波器导电衬垫、以及在所述向外滤波器导电衬垫和所述向内滤波器导电衬垫之间延伸的滤波器导电通路。
8.如权利要求7所述的馈通组件，其特征在于，所述厚膜导电膏将所述向外滤波器导电衬垫和所述向内馈通导电衬垫电连接。
9.如权利要求1所述的馈通组件，其特征在于，所述至少一个滤波器阵列导电路径包括所述厚膜导电膏，以及其中所述厚膜导电膏从所述电容滤波器阵列的向外侧延伸至所述电容滤波器阵列的向内侧。
10.如权利要求9所述的馈通组件，其特征在于，所述厚膜导电膏的向外端接触所述至少一个馈通导电路径。
11.如权利要求10所述的馈通组件，其特征在于，所述至少一个馈通导电路径包括放置在所述馈通件的向外侧上或其附近的向外馈通导电衬垫、放置在所述馈通件的向内侧上或其附近的向内馈通导电衬垫、以及在所述向外馈通导电衬垫和所述向内馈通导电衬垫之间延伸的馈通导电通路，以及其中所述厚膜导电膏的所述向外端接触所述向内馈通导电衬垫。
12.如权利要求1或2所述的馈通组件，其特征在于，还包括设置在向内馈通侧和向外滤波器阵列侧之间的电绝缘材料。
13.如权利要求12所述的馈通组件，其特征在于，所述电绝缘材料包括非导电聚酰亚胺、环氧树脂、玻璃或高温共烧陶瓷中的至少一个。
14.如权利要求1或2所述的馈通组件，其特征在于，所述馈通件、所述套圈或所述电容滤波器阵列中的至少一个限定底部填充入口通道。
15.如权利要求2所述的馈通组件，其特征在于，所述厚膜导电膏包括第一厚膜导电膏，
其中所述至少一个馈通导电路径包括：
向外馈通导电衬垫，所述向外馈通导电衬垫放置在所述馈通件的向外侧上或其附近，
向内馈通导电衬垫，所述向内馈通导电衬垫放置在所述馈通件的向内侧上或其附近，以及
馈通导电通路，所述馈通导电通路在所述向外馈通导电衬垫和所述向内馈通导电衬垫之间延伸，
其中所述至少一个滤波器阵列导电路径包括：
向外滤波器导电衬垫，所述向外滤波器导电衬垫放置在所述电容滤波器阵列的向外侧上或其附近，
向内滤波器导电衬垫，所述向内滤波器导电衬垫放置在所述电容滤波器阵列的向内侧上或其附近，
以及滤波器导电通路，所述滤波器导电通路在所述向外滤波器导电衬垫和所述向内滤波器导电衬垫之间延伸，以及
其中，所述馈通组件还包括第二厚膜导电膏，所述厚膜导电膏将所述向外滤波器导电衬垫和所述向内馈通导电衬垫电连接。
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