CN103745947B - 用于激光退火机的监控方法 - Google Patents

用于激光退火机的监控方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103745947B
CN103745947B CN201410042474.2A CN201410042474A CN103745947B CN 103745947 B CN103745947 B CN 103745947B CN 201410042474 A CN201410042474 A CN 201410042474A CN 103745947 B CN103745947 B CN 103745947B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser annealing
annealing machine
laser
supervising
monitoring piece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410042474.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103745947A (zh
Inventor
邱裕明
肖天金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201410042474.2A priority Critical patent/CN103745947B/zh
Publication of CN103745947A publication Critical patent/CN103745947A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103745947B publication Critical patent/CN103745947B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明提出一种用于激光退火机的监控方法,包括以下步骤:对激光退火机上的监控片进行颗粒水平的测量,获得颗粒测量前值;在所述激光退火机内采用第一功率值对所述监控片进行激光扫描;对所述监控片进行颗粒水平的测量,获得颗粒测量后值;采用快速热退火的方法对所述监控片进行退火;在所述监控片上注入过硼;在所述激光退火机内采用第二功率值对所述监控片进行激光扫描,所述第二功率值大于所述第一功率值;对所述监控片进行方块电阻阻值的测量,获得方块电阻阻值的测量值。本发明用于激光退火机的监控方法在完成激光退火机上所需的两种日常监控流程的前提下,有效的节约了监控片,降低制造成本。

Description

用于激光退火机的监控方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种用于激光退火机的监控方法。
背景技术
随着大规模集成电路的技术演进,在进入40纳米节点以后,需要在工艺流程中增加一种激光退火工艺用以激活超浅结。通过离子注入将杂质导入到半导体基板中,并照射激光束来激活所导入的杂质,形成电极层及场终止层。
在进行激光退火机的日常监控时,主要监控两项指标,一是颗粒水平,二是监控片上测得的方块电阻阻值。
目前,在做颗粒水平的日常监控时,使用的是无图形硅片。颗粒水平的日常监控方法请参考图1,包括以下步骤:步骤10:颗粒前值测量;步骤11:低功率的激光扫描,该低功率为800W到1000W;步骤12:颗粒后值测量;步骤13:比较颗粒前值测量值和颗粒后值测量值以判断机台内部的洁净度。
在做方块电阻阻值的日常监控时,使用的是注入过硼的无图形硅片。方块电阻阻值的日常监控方法请参考图2,包括以下步骤:步骤20:注入硼;步骤21:高功率的激光扫描,该高功率约为3000W;步骤22:测量方块电阻阻值;步骤23:根据方块电阻阻值是否稳定判断激光温度的稳定性。
业界现有的日常监控方法是将两种监控分开进行的,也即是说每一种监控都需要单独消耗监控片。
发明内容
为了克服已有技术中存在的至少一个问题,本发明提出一种能够有效控制制造成本的用于激光退火机的监控方法。
为了实现上述目的,本发明提出一种用于激光退火机的监控方法,包括以下步骤:
步骤一:对激光退火机上的监控片进行颗粒水平的测量,获得颗粒测量前值;
步骤二:在所述激光退火机内采用第一功率值对所述监控片进行激光扫描;
步骤三:对所述监控片进行颗粒水平的测量,获得颗粒测量后值;
步骤四:采用快速热退火的方法对所述监控片进行退火;
步骤五:在所述监控片上注入过硼;
步骤六:在所述激光退火机内采用第二功率值对所述监控片进行激光扫描,所述第二功率值大于所述第一功率值;
步骤七:对所述监控片进行方块电阻阻值的测量,获得方块电阻阻值的测量值。
可选的,通过计算所述颗粒测量前值和所述颗粒测量后值的差判断所述激光退火机的机台内部的洁净度是否合格。
可选的,所述颗粒测量前值和所述颗粒测量后值的差和所述激光退火机的机台内部的洁净度成反比。
可选的,通过所述方块电阻阻值和预设值的差来判断所述激光退火机的激光温度的稳定性是否合格。
可选的,所述方块电阻阻值和所述预设值的差越小,所述激光退火机的激光温度的稳定性越高。
可选的,所述第一功率值的范围为800W到1000W。
可选的,所述第一功率值为900W。
可选的,所述第二功率值的范围为2700W到3300W。
可选的,所述第二功率值为3000W。
可选的,所述快速热退火的方法为脉冲激光快速退火、脉冲电子束快速退火、离子束快速退火或者连续波快速激光退火。
本发明用于激光退火机的监控方法的有益效果主要表现在:本发明用于激光退火机的监控方法在同一监控片上进行颗粒水平测量和方块电阻阻值测量,以判断激光退火机的机台内部的洁净度和激光温度的稳定性是否合格,减少了监控片的使用,在不影响监控效果的前提下,节约制造成本。
附图说明
图1为现有技术中监控片上进行颗粒水平测量的流程示意图。
图2为现有技术中监控片上进行方块电阻阻值测量的流程示意图。
图3为本发明用于激光退火机的监控方法的流程图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步的描述。
本发明提供一种用于激光退火机的监控方法,请参考图3,图3为本发明用于激光退火机的监控方法的流程图,包括以下步骤:
步骤30:对激光退火机上的监控片进行颗粒水平的测量,获得颗粒测量前值;
步骤31:在所述激光退火机内采用第一功率值对所述监控片进行激光扫描,该第一功率为低功率,第一功率值的范围为800W到1000W,在本实施例中,第一功率值为900W。
步骤32:对所述监控片进行颗粒水平的测量,获得颗粒测量后值,通过计算颗粒测量前值和颗粒测量后值的差判断激光退火机的机台内部的洁净度是否合格,颗粒测量前值和颗粒测量后值的差和激光退火机的机台内部的洁净度成反比;
步骤33:采用快速热退火的方法对所述监控片进行退火,快速热退火的方法为脉冲激光快速退火、脉冲电子束快速退火、离子束快速退火或者连续波快速激光退火,本实施例中,快速热退火方法采用离子束快速退火;
步骤34:在所述监控片上注入过硼,注入工艺为离子注入法;
步骤35:在所述激光退火机内采用第二功率值对所述监控片进行激光扫描,所述第二功率值大于所述第一功率值,该第二功率为高功率,第二功率值的范围为2700W到3300W,在本实施例中,所述第二功率值为3000W;
步骤36:对所述监控片进行方块电阻阻值的测量,获得方块电阻阻值的测量值,通过所述方块电阻阻值和预设值的差来判断所述激光退火机的激光温度的稳定性是否合格,方块电阻阻值和预设值的差越小,激光退火机的激光温度的稳定性越高。
上述方法对监控片采用的监控方法是基于同一监控片,在满足监控需求的前提下,相比于现有技术中进行颗粒水平和方块电阻阻值的监控分别需要监控片的情况,减少了50%的监控片的使用,节约制造成本。

Claims (10)

1.一种用于激光退火机的监控方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:对激光退火机上的监控片进行颗粒水平的测量,获得颗粒测量前值;
步骤二:在所述激光退火机内采用第一功率值对所述监控片进行激光扫描;
步骤三:对所述监控片进行颗粒水平的测量,获得颗粒测量后值;
步骤四:采用快速热退火的方法对所述监控片进行退火;
步骤五:在所述监控片上注入过硼;
步骤六:在所述激光退火机内采用第二功率值对所述监控片进行激光扫描,所述第二功率值大于所述第一功率值;
步骤七:对所述监控片进行方块电阻阻值的测量,获得方块电阻阻值的测量值。
2.根据权利要求1所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:通过计算所述颗粒测量前值和所述颗粒测量后值的差判断所述激光退火机的机台内部的洁净度是否合格。
3.根据权利要求2所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:所述颗粒测量前值和所述颗粒测量后值的差和所述激光退火机的机台内部的洁净度成反比。
4.根据权利要求1所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:通过所述方块电阻阻值和预设值的差来判断所述激光退火机的激光温度的稳定性是否合格。
5.根据权利要求4所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:所述方块电阻阻值和所述预设值的差越小,所述激光退火机的激光温度的稳定性越高。
6.根据权利要求1所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:所述第一功率值的范围为800W到1000W。
7.根据权利要求1所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:所述第一功率值为900W。
8.根据权利要求1所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:所述第二功率值的范围为2700W到3300W。
9.根据权利要求8所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:所述第二功率值为3000W。
10.根据权利要求1所述的用于激光退火机的监控方法,其特征在于:所述快速热退火的方法为脉冲激光快速退火、脉冲电子束快速退火、离子束快速退火或者连续波快速激光退火。
CN201410042474.2A 2014-01-29 2014-01-29 用于激光退火机的监控方法 Active CN103745947B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410042474.2A CN103745947B (zh) 2014-01-29 2014-01-29 用于激光退火机的监控方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410042474.2A CN103745947B (zh) 2014-01-29 2014-01-29 用于激光退火机的监控方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103745947A CN103745947A (zh) 2014-04-23
CN103745947B true CN103745947B (zh) 2016-03-23

Family

ID=50502957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410042474.2A Active CN103745947B (zh) 2014-01-29 2014-01-29 用于激光退火机的监控方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103745947B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107255571A (zh) * 2017-06-25 2017-10-17 苏州金钜松机电有限公司 一种激光退火机的状态监控方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1303225C (zh) * 2004-04-01 2007-03-07 上海宏力半导体制造有限公司 监控低温快速热退火工艺的方法
TWI242816B (en) * 2004-04-09 2005-11-01 Grace Semiconductor Mfg Corp Method for monitoring low-temperature rapid thermal annealing process
KR20080020410A (ko) * 2006-08-31 2008-03-05 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장비에서의 온도 모니터링 방법
CN102418149B (zh) * 2010-09-25 2016-05-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 低温快速热处理的温度监控方法
CN102623366B (zh) * 2011-01-27 2014-10-29 无锡华润上华半导体有限公司 监测退火过程温度的方法
JP2013089930A (ja) * 2011-10-24 2013-05-13 Panasonic Corp レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
CN102494792B (zh) * 2011-11-21 2013-08-07 上海先进半导体制造股份有限公司 精确监控高温退火工艺在线产品温度的方法
US20130341310A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-26 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Monitoring method and apparatus for excimer laser annealing process

Also Published As

Publication number Publication date
CN103745947A (zh) 2014-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Edler et al. Metallization‒induced recombination losses of bifacial silicon solar cells
Ji et al. Physical model analysis during transient for series-connected HVIGBTs
CN104576347B (zh) Igbt背面金属化的改善方法
CN102262206A (zh) pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法
CN104347441A (zh) 离子注入的监控方法
CN105374668B (zh) 重掺杂硅衬底高品质屏蔽式扩散方法
CN103745947B (zh) 用于激光退火机的监控方法
CN103545169A (zh) 防止晶圆翘曲变形的方法
CN101996909B (zh) 半导体器件灰化制程的检测方法和电特性的检测方法
CN103760484B (zh) 一种新型背栅效应测试方法
CN113987747A (zh) 一种考虑键合线断裂的igbt模块老化失效分析方法
Siyuan et al. Thermal network parameter extracting method for press-pack igbt junction temperature
CN204203363U (zh) 一种电阻测量装置
Liao et al. Power cycling test and failure mode analysis of high-power module
Lee et al. A Study on deformation and electrical efficiency of PV cell according to hot-air temperature at soldering process
CN101969036A (zh) 提高监测晶片利用率的方法
CN103337467B (zh) 接触孔之底金属层去除量的量测方法
Jonczyk et al. Low-cost kerfless wafers with gradient dopant concentration exceeding 19% cell efficiency in PERC production line
CN104282622A (zh) 集成电路的接触孔制造方法
TW200604767A (en) Method for controlling critical dimensions of semiconductor products
CN104427828B (zh) 致冷片的控制方法及其适用的散热模块
Kocanda et al. Environment aware temperature control in processors
Smirnov et al. Thermal resistance meter for power transistors with heating power modulation
CN104218026A (zh) 半导体检测结构及检测方法
Vinod Specific contact resistance measurement of screen-printed ag metal contacts formed on heavily doped emitter region in multicrystalline silicon solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant