CN103739009A - 利用溶胶凝胶法制备钛酸铜钙薄膜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种利用溶胶凝胶法制备钛酸铜钙薄膜的方法:(1)清洗基片(2)制备CaCu3Ti4O12简称CCTO前驱体溶液:在容器中加入3~10ml乙二醇或无水乙醇,滴加0.2~0.8ml盐酸,量取1~3ml钛酸丁酯滴加到上述混合溶液中,充分搅拌,并按照与钛酸丁酯的摩尔比为4:1匀速滴加去离子水,使钛酸丁酯水解;再按Ca:Cu:Ti=1:3:4的摩尔比称取乙酸铜和硝酸钙,溶解于上述溶液里;(3)旋涂法制备CCTO薄膜;(4)在800~1000℃进行热处理,保温2h。本发明与磁控溅射等方法相比,具有简单易行、工艺稳定、成本低的优点,为更好地制备以CCTO薄膜为基础的敏感元件打下基础。
Description
技术领域
本发明是关于电子功能材料的,特别涉及一种类钙钛矿型钛酸铜钙CaCu3Ti4O12功能陶瓷薄膜的制备方法。
背景技术
钛酸铜钙CaCu3Ti4O12(简称CCTO)是类钙钛矿结构化合物,是近年来发现的一种具有巨大介电常数的新型材料,CCTO具有优异的电学性能,包括反常的巨介电常数(ε≈104~105)和低的介电损耗(tanδ≈0.03),特别是在室温附近很宽的温区内(100~400K)介电常数值几乎不变,表明其具有良好的热稳定性。
目前,CCTO研究者大多数研究的是CCTO的块状材料,多用固相合成法制备。但随着电子元器件的微型化和高速化,CCTO薄膜化则是必然发展趋势。
为了得到均匀致密、表面平整、介电性能优异的薄膜材料,可采用许多不同的制膜方法,如真空蒸发、磁控溅射、分子束外延、化学气相沉积等。本发明采用了溶胶凝胶法制备了CCTO薄膜。溶胶凝胶法相比于其它制膜方法有很多优点:(1)反应在溶液中进行,均匀度高,对于多组分其均匀度可以达到分子或原子级;(2)烧结温度较低;(3)化学计量比较准确,易于改性,掺杂量的范围加宽;(4)工艺简单,容易推广,成本较低。
发明内容
本发明的目的,是在现有技术的基础上提供一种工艺简单、周期短、能耗低、采用溶胶凝胶法制备CCTO薄膜材料的方法。
本发明通过如下技术方案予以实现。
一种利用溶胶凝胶法制备钛酸铜钙薄膜的方法,具有如下步骤:
(1)清洗基片
将氧化铝基片用洗涤剂清洗,去除表面油脂和污垢,然后放入盛有去离子水的烧杯中,超声振荡清洗5-10min;再将基片放入烘箱中充分干燥;
(2)制备CaCu3Ti4O12简称CCTO前驱体溶液
在放有磁力搅拌子的容器中,加入3~10ml乙二醇(HOCH2)2或无水乙醇C2H5OH作为溶剂;再滴加0.2~0.8ml的盐酸HCl到乙二醇或无水乙醇中,构造酸性环境;量取1~3ml钛酸丁酯Ti(OC4H9)4滴加到上述混合溶液中,进行充分的磁力搅拌;当上述溶液混合均匀后,在磁力搅拌的同时,按照与钛酸丁酯的摩尔比为4:1的量缓慢匀速滴加去离子水,使钛酸丁酯水解;继续搅拌10-20min;按Ca:Cu:Ti=1:3:4的摩尔比称取乙酸铜Cu(CH3COO)2和硝酸钙Ca(NO3)2,并移至搅拌中的溶液里,继续充分搅拌后得到翠绿色的CCTO前驱体溶液;
(3)旋涂法制备CCTO薄膜
采用台式匀胶机吸附住氧化铝基片,将步骤(2)的CCTO前驱体溶液滴加到基片表面,匀胶机的转速控制在2~3千转/分,时间为20-30秒,进行甩胶旋涂;然后将基片加热至200~300℃,保温1~10min,使溶剂挥发,此时即在氧化铝基片上形成一层CCTO薄膜;
重复上述过程,得到所需厚度的CCTO薄膜;
(4)退火处理
将经过预烧处理的基片于800~1000℃进行热处理,保温2h,随炉冷却至室温,制得致密、均匀的CCTO薄膜。
所述步骤(1)和步骤(2)使用的原料均为分析纯原料。
所述步骤(3)旋涂三次形成的CCTO薄膜的厚度为150纳米。
本发明的有益效果:是采用溶胶凝胶法在氧化铝基片上制备出了均匀致密的CCTO薄膜材料,与利用磁控溅射等方法制备CCTO薄膜相比,本发明不需要如磁控溅射系统等昂贵的工艺设备,具有简单易行、工艺稳定等优点。本发明可为更好地制备以CCTO薄膜为基础的敏感元件打下基础。
附图说明
图1是对Al2O3基片上制备出CCTO薄膜进行XRD分析图。
具体实施方式
本发明所用原料均为分析纯试剂。
具体实施例如下:
清洗基片:
将氧化铝基片用洗涤剂清洗,去除表面油脂和污垢,然后放入盛有去离子水的烧杯中,超声振荡清洗10min,再将基片放入烘箱中充分干燥。
制备CCTO前驱体溶液:
在放有磁力搅拌子的小药瓶(容积约10ml)中,加入4ml乙二醇(HOCH2)2作为溶剂。再滴加0.4ml的盐酸(HCl)到乙二醇或无水乙醇中,构造酸性环境。再量取1ml钛酸丁酯(Ti(OC4H9)4)滴加到上述混合溶液中,并进行充分的磁力搅拌。当上述溶液混合均匀后,在磁力搅拌的同时,将220μL去离子水缓慢匀速滴加到上述混合溶液中,使钛酸丁酯水解,然后继续搅拌20min。称取乙酸铜(Cu(CH3COO)2)0.440g、分析纯硝酸钙(Ca(NO3)2)0.174g,并移至搅拌中的溶液里,继续充分搅拌后得到翠绿色的CCTO前驱体溶液。
旋涂法制备CCTO薄膜:
采用台式匀胶机吸附住氧化铝基片,将适量CCTO前驱体溶液滴加到基片表面。将匀胶机的转速控制在2千转/分,时间为30秒,进行甩胶。然后将基片加热至300℃,保温5min,使低沸点的溶剂挥发。此时在氧化铝基片上便形成了一层CCTO薄膜。
重复上述过程,可以得到所需厚度的CCTO薄膜。
退火处理:
将经过预烧处理的基片在高温炉中进行热处理,800℃保温2h,随炉冷却至室温,即制得较为致密、均匀的CCTO薄膜。
图1是对本发明Al2O3基片上制备出的CCTO薄膜进行XRD分析图。从图中可以看出,较强的基片Al2O3的衍射峰外,还可以清晰地看出CCTO的衍射峰,证明了CCTO薄膜的合成。
本发明所列举的各种原料,以及原料的上下限取值、区间值都能实现本发明;本发明的工艺参数(温度、时间)的上下限取值、及区间值也都能实现本发明,再此不一一进行举例说明。
Claims (3)
1.一种利用溶胶凝胶法制备钛酸铜钙薄膜的方法,具有如下步骤:
(1)清洗基片
将氧化铝基片用洗涤剂清洗,去除表面油脂和污垢,然后放入盛有去离子水的烧杯中,超声振荡清洗5~10min;再将基片放入烘箱中充分干燥;
(2)制备CaCu3Ti4O12简称CCTO前驱体溶液
在放有磁力搅拌子的容器中,加入3~10ml乙二醇(HOCH2)2或无水乙醇C2H5OH作为溶剂;再滴加0.2~0.8ml的盐酸HCl到乙二醇或无水乙醇中,构造酸性环境;量取1~3ml钛酸丁酯Ti(OC4H9)4滴加到上述混合溶液中,进行充分的磁力搅拌;当上述溶液混合均匀后,在磁力搅拌的同时,按照与钛酸丁酯的摩尔比为4:1的量缓慢匀速滴加去离子水,使钛酸丁酯水解;继续搅拌10-20min;按Ca:Cu:Ti=1:3:4的摩尔比称取乙酸铜Cu(CH3COO)2和硝酸钙Ca(NO3)2,并移至搅拌中的溶液里,继续充分搅拌后得到翠绿色的CCTO前驱体溶液;
(3)旋涂法制备CCTO薄膜
采用台式匀胶机吸附住氧化铝基片,将步骤(2)的CCTO前驱体溶液滴加到基片表面,匀胶机的转速控制在2~3千转/分,时间为20~30秒,进行甩胶旋涂;然后将基片加热至200~300℃,保温1~10min,使溶剂挥发,此时即在氧化铝基片上形成一层CCTO薄膜;
重复上述过程,得到所需厚度的CCTO薄膜;
(4)退火处理
将经过预烧处理的基片于800~1000℃进行热处理,保温2h,随炉冷却至室温,制得致密、均匀的CCTO薄膜。
2.根据权利要求1的利用溶胶凝胶法制备钛酸铜钙薄膜的方法,其特征在于,所述步骤(1)和步骤(2)使用的原料均为分析纯原料。
3.根据权利要求1的利用溶胶凝胶法制备钛酸铜钙薄膜的方法,其特征在于,所述步骤(3)旋涂三次形成的CCTO薄膜的厚度为150纳米。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201310743770.0A CN103739009A (zh) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 利用溶胶凝胶法制备钛酸铜钙薄膜 |
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Publication Number | Publication Date |
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