CN103731119A - 具有可变衰减器的电子电路及其操作方法 - Google Patents

具有可变衰减器的电子电路及其操作方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及可变衰减器、具有可变衰减器的电子电路及其操作方法。可变衰减器包括第一和第二可变电阻电路以及多个附加电阻器。所述第一可变电阻电路具有多个并联地耦接于输入和输出端子之间的电流路径。第一电流路径包括两个串联地耦接于输入和输出端子之间的第一电阻器，以及具有跨所述两个第一电阻器其中一个耦接的通道的第一开关。所述多个附加电阻包括第二和第三电阻器。所述第二电阻器耦接于所述输入端子和电压参考端子之间。由开关控制电路基于数字输入控制所述可变衰减器提供的衰减级别。

Description

具有可变衰减器的电子电路及其操作方法
技术领域
实施例通常涉及可变衰减器（例如，数字控制的步进衰减器），包含可变衰减器的电子电路，及其操作方法。
背景技术
已经实现了表现出离散衰减状态的电子可调衰减器，例如，以“pi”、“T”、以及“桥-T”拓扑结构。在这些拓扑结构中，电阻元件被改变以产生期望的衰减量，并且当电阻器值被适当选择时，这些拓扑结构可能表现出良好的回波损耗（在输入端子和输出端子处）以及输入和输出之间期望的衰减。通常，“pi”和“T”拓扑结构中每一个都包括三个可变电阻元件，其被调整以产生期望的衰减量。与此相反，“桥-T”拓扑结构只包括两个需要被改变以产生期望的衰减量的电阻元件。
图1示出了传统的桥-T型衰减器100的简化示意图，该衰减器包括两个可变电阻元件110、150和两个固定电阻元件130、140。在衰减器100中，第一可变电阻元件110耦接于输入和输出端子102和104之间。两个固定电阻元件130和140分别耦接于输入和输出端子102和104与中间节点之间。最后，第二可变电阻元件150耦接于中间节点和电压参考端子（例如，地）之间。通过改变电阻元件110、150，可以调整输入端子102处呈现的信号的衰减以在输出端子104以期望的衰减量产生信号。
对于实现处于射频（RF）频率的衰减器拓扑结构，特别感兴趣的是，实现可变电阻元件的选择及方法。例如，使用一种技术，利用PIN二极管（即，包括夹在P型半导体区域和N型半导体区域之间的本征半导体区域的二极管）实现可变电阻元件，其电阻与其偏置电流成反比。虽然使用PIN二极管的拓扑可能具有可接受的回波损耗和衰减，但是这种方法的缺点是每个PIN二极管消耗了显著的DC电流。因此，期望用于RF应用的衰减器拓扑结构表现出了良好的回波损耗和衰减，同时避免消耗显著的DC电流。
实施例概述
根据本公开的一个实施例，提供了一种可变衰减器，包括：
第一可变电阻电路，耦接于所述可变衰减器的输入端子和输出端子之间，其中所述第一可变电阻电路包括
第一电流路径，其包括两个第一电阻器和第一开关，其中所述两个第一电阻器彼此串联地耦接于所述输入端子和输出端子之间，并且所述第一开关具有跨所述两个第一电阻器中的一个电阻器耦接的第一通道；
第二电流路径，其包括第二开关，所述第二开关具有第二通道、耦接于所述输入端子的第一电流传导端子、以及耦接于所述输出端子的第二电流传导端子，以及
第三电流路径，其包括第二电阻器，所述第二电阻器具有耦接于所述输入端子的第一端子以及耦接于所述输出端子的第二端子；
第三电阻器，其具有耦接于所述输入端子的第一端子以及耦接于中间节点的第二端子；
第四电阻器，其具有耦接于所述输出端子的第一端子以及耦接于所述中间节点的第二端子；以及
第二可变电阻电路，其耦接于所述中间节点和电压参考端子之间。
根据本公开的另一实施例，提供了一种包括可变衰减器的电子电路，所述可变衰减器包括：
第一可变电阻电路，其具有彼此并联地耦接于所述可变衰减器的第一输入端子和第一输出端子之间的第一多个电流路径，其中所述第一多个电流路径中的第一电流路径包括：
两个第一电阻器，彼此串联地耦接于所述第一输入端子和所述第一输出端子之间，以及
第一开关，具有跨所述两个第一电阻器中一个耦接的第一通道；
第二电阻器，其第一端子耦接于所述第一输入端子，以及其第二端子耦接于第一中间节点；
第三电阻器，其第一端子耦接于所述第一输出端子，以及其第二端子耦接于所述第一中间节点；以及
第二可变电阻电路，其第一端子耦接于所述第一中间节点，以及其第二端子耦接于电压参考端子。
根据本公开的再一实施例，提供了一种操作电子电路的方法，所述方法包括步骤：
接收指示对于到所述电子电路的输入信号的期望的衰减级别的数字控制信号；
基于在所述数字控制信号中指示的所述期望的衰减级别产生第一控制信号；以及
向可变衰减器的第一开关的控制端子提供所述第一控制信号，所述可变衰减器包括
第一可变电阻电路，其具有彼此并联地耦接于所述可变衰减器的输入端子和输出端子之间的第一多个电流路径，其中所述第一多个电流路径中的第一电流路径包括：
两个第一电阻器，彼此串联地耦接于所述输入端子和所述输出端子之间，以及
所述第一开关，其具有跨所述两个第一电阻器中的一个电阻器耦接的第一通道，其中所述第一控制信号影响所述第一通道的导通性、所述第一可变电阻电路的有效电阻、以及由所述可变衰减器提供的衰减级别，
第二电阻器，其第一端子耦接于所述输入端子，以及其第二端子耦接于第一中间节点，
第三电阻器，其第一端子耦接于所述输出端子，以及其第二端子耦接于所述第一中间节点，以及
第二可变电阻电路，其第一端子耦接于所述第一中间节点，以及其第二端子耦接于电压参考端子。
附图简要描述
图1是传统的桥-T型衰减器的简化示意图；
图2是根据一个示例实施例的可变衰减器的简化示意图；
图3是根据一个示例实施例的用于图2衰减器的开关控制电路的简化框图；
图4是根据另一示例实施例的可变衰减器的简化示意图；
图5是根据一个示例实施例的用于图4衰减器的开关控制电路的简化框图；
图6是根据一个示例实施例的包括一对可变衰减器的放大器系统的简化框图；以及
图7是根据一个示例实施例的一种操作数字控制的可变衰减器的方法的流程图。
具体实施方式
在此所描述的实施例包括可变衰减器（例如，数字控制的步进衰减器）、包含可变衰减器的电子电路，及其操作方法。多种实施例包括具有修改了的桥-T配置的衰减器，其中可变电阻通过使用与其它实现方式相比可以具有降低的DC电流消耗、减小的尺寸以及更低的成本的电路实现。
如在此所使用的，术语“电阻器”意图包括单一电阻元件（例如，单一离散电阻器或其它电阻电气元件）或多个电阻元件的组合。因此，在说明书、附图、以及权利要求中，当提到“电阻器”和/或描述单个电阻的时侯，“电阻器”应被解释为包括单一离散电阻器或具有基本上固定电阻的多电阻器网络（例如，离散电阻器和/或串联和/或并联排列的其它电阻元件的组合）。术语“有效电阻”指在一组给定操作条件下的电阻器或电阻电路的电阻或阻抗的大小（例如，以欧姆表示）。
图2是根据一个示例实施例的可变衰减器200的简化示意图。衰减器200包括输入端子202、输出端子204、第一和第二可变电阻电路210、250、以及第一和第二固定电阻230、231。第一可变电阻电路210耦接于输入端子202和输出端子204之间。第一固定电阻器230的第一端子耦接于输入端子202，其第二端子耦接于中间节点206。第二固定电阻器231的第一端子耦接于输出端子204，其第二端子耦接于中间节点206。最后，第二可变电阻电路250耦接于中间节点206和电压参考端子270（例如，地）之间。
第一和第二固定电阻器230、231具有被选择以匹配衰减器200的期望的输入和输出特性阻抗Z0的值。例如，第一和第二固定电阻器230、231可以具有50欧姆的阻抗值，但是第一和第二固定电阻器230、231也可以具有其它值。
第一可变电阻电路210包括彼此并联地耦接于输入和输出端子202、204之间的多个电流路径212、213、214。更具体地，第一可变电阻电路210包括第一电流路径212、第二电流路径213、第三电流路径214。第一电流路径212包括开关218（在下面也被称为S218），该开关具有耦接于开关控制电路（例如，稍后讨论的图3的开关控制电路300）的控制端子、可变导通通道、耦接于输入端子202的第一电流传导端子、以及耦接于输出端子204的第二电流传导端子。例如，开关218可以是场效应晶体管（FET），其具有在源极和漏极端子（电流传导端子）之间的可变导通通道（沟道），其中该通道的导通性被基于提供到FET的栅极端子（控制端子）的控制信号调制。
可变电阻电路210的第二电流路径213包括两个电阻器222、223以及开关220（在下面也被称为S220）。这两个电阻器222、223彼此串联地耦接于输入和输出端子202、204之间。更具体地，电阻器222的第一端子耦接于输入端子202，其第二端子耦接于中间节点226。电阻器223的第一端子耦接于中间节点226，其第二端子耦接于输出端子204。开关220具有耦接于开关控制电路（例如，稍后讨论的图3的开关控制电路300）的控制端子、可变导通通道、以及第一和第二电流传导端子。开关220的可变导通通道跨电阻器222、223中的一个耦接。例如，在图2的实施例中，开关220的可变导通通道跨电阻器222耦接。更具体地，开关220的第一电流导通通道耦接于输入端子202，而开关220的第二电流传导端子耦接于中间节点226。在替代实施例中，开关220的可变导通通道可以替代地跨电阻器223耦接。
可变电阻电路210的第三电流路径214包括耦接于输入和输出端子202、204之间的电阻器224。更具体地，电阻器224的第一端子耦接于输入端子202，以及第二端子耦接于输出端子204。
如上面所述的，第二可变电阻电路250耦接于中间节点206和电压参考端子270之间。更具体地，第二可变电阻电路250包括彼此并联地耦接于中间节点206和电压参考端子270之间的多个电流路径252、253、254。虽然图2中所显示的第二可变电阻电路250的实施例包括三个电流路径252-254，但是其它实施例可以包括比三个电流路径更多或更少的电流路径。无论哪种方式，根据一个实施例，电流路径252-254分别包括与开关258、259、260（在下面也被称为S258、S259和S260）串联耦接的电阻器262、263、264，其中开关258-260每个都包括控制端子、可变导通通道、以及第一和第二电流传导端子。每个开关258-260的控制端子耦接于开关控制电路（例如，稍后讨论的图3的开关控制电路300）。例如，在图2中所示出的实施例中，每个电阻器262-264的第一端子耦接于中间节点206，并且每个电阻器262-264的第二端子耦接于开关258-260的第一电流传导端子。开关258-260的第二电流传导端子耦接于电压参考端子270。在替代实施例中，电阻器262-264和开关258-260可以被倒转。更具体地，例如，在另一个实施例中，每个开关258-260的第一电流传导端子可以耦接于中间节点206，开关258-260的第二电流传导端子可以耦接于电阻器262-264的第一端子，并且电阻器262-264的第二端子可以耦接于电压参考端子270。
根据一个实施例，开关218、220、258-260中的每一个被以这样的方式控制：它们要么基本上不导通（例如，“关断（off）”或“打开（open）”）要么基本上导通（例如，“导通（on）”或“闭合（closed）”）。例如，在开关218、220、258-260是FET的实施例中，开关218、220、258-260可以在零偏压模式中在其线性区域中操作（例如，在操作期间，基本没有偏置电流流过开关218、220、258-260，并且对于N沟道FET，其栅极-源极电压VGS小于栅极-源极电压VGSTH）。因此，开关218、220、258-260中的每一个当被开关导通时（例如，当VGS大于栅极-源极阈值VGSTH（对于N沟道FET，例如是零伏）时），其具有可以忽略不计的电阻，以及当被关断时（例如，对于N沟道FET，当VGS小于VGSTH时），具有基本上无穷大的电阻。
根据一个实施例，在操作期间，第一可变电阻电路210的有效电阻（称为R210）以及第二可变电阻电路250的有效电阻（称为R250）如下变化：
R210R250=Z0 2，    （式1）
其中Z0是期望的特性阻抗。当匹配的时侯，衰减由下式给出：
衰减（dB）=20log（（R210/R250）1/2+1）    （式2）
=20log（（R210/Z0）+1.
第一可变电阻电路210的有效电阻取决于电阻器222-224的值和开关218、220的状态，第二可变电阻电路250的有效电阻取决于电阻器262-264的值和开关258-260的状态。从本质上讲，开关218、220的状态的不同组合产生了第一可变电阻电路210中的电阻器（即，电阻器222-224）的不同并行组合（因此，产生第一可变电阻电路210的不同有效电阻），而开关258-260的状态的不同组合产生了第二可变电阻电路250中的电阻器（即，电阻器262-264）的不同并行组合（因此，产生第二可变电阻电路250的不同有效电阻）。根据一个实施例，开关218、220、以及258-260被控制以提供有效电阻R210、R250的四种不同组合，从而提供四个不同衰减级别。此外，在一个实施例中，电阻器222-224和262-264的值被选择以满足上述的式（1）。根据一个具体实施例，例如，衰减器200的开关218、220、258-260被控制以提供有效电阻R210、R250的产生了大约0分贝（dB）、大约2dB、大约4dB、大约6dB的衰减级别的组合。在替代实施例中，电阻器222-224和262-264可以被选择以具有值，和/或开关218、220、258-260可以被控制以产生更多、更少或不同的衰减级别。
例如，可以导致了上面给出的示例衰减级别的有效电阻R210、R250可以是：
表1-示例衰减级别和有效电阻值
根据一个实施例，控制开关218、220以及262-264的状态（例如，“导通（on）”或“关断（off）”）以如下产生上面给出的示例衰减级别：
Figure BDA00003861483600082
表2-示例衰减级别和开关状态
应理解，上面所提供的示例有效电阻R210、R250和开关状态并不意味着是限制性的，并且其它衰减器实施例可以被配置为具有不同有效电阻和/或以不同方式控制的开关以产生更多、更少或不同的衰减级别。
为了指示电阻器222-224和262-264的值的相对大小的示例，下面列出电阻器222-224和262-264的示例值。应理解，电阻器值和/或它们的相对大小可以不同于这些示例值。例如，电阻器222可以具有大约57欧姆的值，电阻器223可以具有大约15欧姆的值，电阻器224可以具有大约78欧姆的值，电阻器262可以具有大约174欧姆的值，电阻器263可以具有大约184欧姆的值，电阻器264可以具有大约37.5欧姆的值。
如先前所述的，基于提供到开关218、220以及258-260的控制端子（例如，栅极端子）的开关控制信号控制开关218、220以及258-260的状态。根据一个实施例，开关控制信号是由开关控制电路（例如，图3的开关控制电路300）基于数字输入产生的。换句话说，衰减器200被数字地控制，在一个实施例中，这意味着，数字输入定义在任何给定时间要由衰减器200应用于输入信号的衰减级别。例如，如上面所描述的，对于四个不同衰减级别，可以使用两比特数字输入来选择衰减器200将应用四个不同衰减级别中的哪个。
图3是根据一个示例实施例的用于图2衰减器的开关控制电路300的简化框图。根据一个实施例，开关控制电路300包括数字输入302、开关控制逻辑304、以及多个开关控制信号输出318、320、358、359、360。在一个实施例中，数字输入302是多位输入，其被配置来并行接收多个数字输入信号（例如，如所示出的，并行地接收两个信号）。更具体地，每个输入信号对应于多位宽度的数字控制信号的位。例如，在其中被开关控制电路300控制的衰减器（例如，图2的衰减器200）被配置以应用四个不同衰减级别（例如，0dB、2dB、4dB以及6dB衰减）的实施例中，数字控制信号可以是二位宽度的信号，如图3中所示。在这样实施例中，由输入信号组合表示的每个数字值可以对应于四个不同衰减级别的其中一个。在另一个实施例中，数字输入302可以被实现为串行接口。
响应于接收到数字输入值，开关控制逻辑304在开关控制输出318、320以及358-360上产生开关控制信号组合。虽然开关控制逻辑304的细节在在此中没有被示出或描述，但是基于在此的说明，本领域技术人员将理解如何实现将数字输入值转换成适当的开关控制信号的逻辑。很多不同逻辑拓扑结构可以适于执行期望的转换。不管怎样，根据一个实施例，每个开关控制信号被提供给衰减器开关中的不同开关的控制端子，以影响开关的导通性（即，以导通或关断每个开关）。例如，仍参照图2，在开关控制信号输出318、320、358、359以及360上提供的开关控制信号可以被分别提供给开关218、220、258、259以及260。如先前所描述的，通过导通或关断各种开关218、220以及258-260，调整第一和第二可变电阻电路210、250的有效电阻，同样地，衰减器200所应用的衰减级别也被调整。
在结合图2所讨论的实施例中，衰减器200包括单级衰减。更具体地，图2的单级衰减器200包括：具有三个电流路径212-214的第一可变电阻电路210，第一和第二固定电阻器230、231，以及具有三个附加电流路径252-254的第二可变电阻电路250。在不同替代实施例中，第一和/或第二可变电阻电路可以包括更多或更少的电流路径，和/或衰减器可以包括一个以上的衰减级。
例如，图4是根据另一个示例实施例的多级可变衰减器400的简化示意图。衰减器400包括：提供第一数量的衰减级别的第一衰减级402，以及提供第二数量的衰减级别的第二衰减级403。第一和第二数量的衰减级别可以彼此相同或彼此不同，由衰减器400所提供的衰减级别的总数是多达第一和第二数量的衰减级别的积的数量。例如，在其中第一衰减级402提供四个衰减级别而第二衰减级403提供四个附加衰减级别的实施例中，衰减器400所提供的衰减级别的总数可以多达16个衰减级别。
第一和第二衰减级402、403串联耦接于输入端子404和输出端子406之间。更具体地，第一衰减级402的输出耦接于第二衰减级403的输入（在图4中两者都被指定为端子405）。因此，提供给输入端子404的输入信号可以首先被第一衰减级402衰减，并且所得到的衰减信号（在端子405处）可以进一步被第二衰减级403衰减。信号的总衰减是第一衰减和第二衰减的总和，并且在输出端子406提供被两次衰减的信号（假定级402和403都应用0.0dB的衰减）。
虽然第一和第二衰减级402、403不同于在图2中所说明的衰减级，但是第一和第二衰减级402、403确实具有一些相似之处。关于相似之处，第一和第二衰减级402、403分别包括：第一可变电阻电路410、411，第二可变电阻电路450、451，以及第一和第二固定电阻器430、431、432、433。在每个级402、403中，第一可变电阻电路410、411耦接于输入端子（用于第一级402的端子404和用于第二级403的端子405）和输出端子（用于第一级402的端子405和用于第二级403的端子406）之间。第一固定电阻器430、432中每一个的第一端子耦接于相应的输入端子404、405，以及其第二端子耦接于中间节点407、408。第二固定电阻器431、433每一个的第一端子耦接于相应的输出端子405、406，以及其第二端子耦接于相应的中间节点407、408。如同图2的实施例，第一和第二固定电阻器430-433的值被选择以匹配衰减器400期望的输入和输出特性阻抗Z0。最后，每个第二可变电阻电路450、451耦接于相应的中间节点407、408和电压参考端子470（例如，地）之间。
在第一衰减级402中，第一可变电阻电路410包括两个彼此并联地耦接于输入和输出端子404、405之间的电流路径412、413。第一电流路径412包括开关418（例如，FET或BJT，在下面也被称为S418），该开关具有耦接于开关控制电路（例如，稍后讨论的图5的开关控制电路500）的控制端子、可变导通通道、耦接于输入端子404的第一电流传导端子，以及耦接于输出端子405的第二电流传导端子。可变电阻电路410的第二电流路径413耦接于输入和输出端子404、405之间。更具体地，电阻器422的第一端子耦接于输入端子404，而其第二端子耦接于输出端子405。
第二可变电阻电路450包括两个彼此并联地耦接于中间节点407和电压参考端子470之间的电流路径452、453。虽然图4中所示的第二可变电阻电路450的实施例包括两个电流路径452、453，但是其它实施例可以包括多于或少于两个的电流路径。不管怎样，根据一个实施例，电流路径452、453分别包括与开关458、459（在下面也被称为S458、S459）串联耦接的电阻器464、465，其中开关458、459每一都包括控制端子、可变导通通道、以及第一和第二电流传导端子。每个开关458、459的控制端子耦接于开关控制电路（例如，稍后讨论的图5的开关控制电路500）。例如，在图4所示的实施例中，每个电阻器464、465的第一端子耦接于中间节点407，以及每个电阻器464、465的第二端子耦接于开关458、459第一电流传导端子。开关458、459的第二电流传导端子耦接于电压参考端子470。在替代实施例中，电阻器464、465和开关458、459也可以被倒转。
为了指示电阻器422、464以及465的值的相对大小的示例，下面列出电阻器422、464以及465的示例值。应理解，电阻值和/或它们的相对大小可以不同于这些示例值。例如，电阻器422可以具有大约8欧姆的值，电阻器464可以具有大约424欧姆的值，以及电阻器465可以具有大约301欧姆的值。
除了第一可变电阻电路411之外（以及各种电阻值），第二衰减级403的配置类似于衰减器200（图2）的配置。更具体地，第一可变电阻电路411基本上是第一可变电阻电路210（图2）的简化实现方式，在于没有包括耦接于输入和输出端子405、406之间的单一电阻（例如，电阻器224）的第三电流路径（即，电阻器224被消除）。代之以，通过调整电阻器423、424的值将该电阻器会贡献的电阻基本上“折”到第一可变电阻电路411中。因此，在第二衰减级403中，第一可变电阻电路411包括两个彼此并联地耦接于输入和输出端子405、406之间的电流路径414、415。第一电流路径414包括开关419（例如，FET或BJT，在下面也被称为S419），该开关具有耦接于开关控制电路（例如，稍后讨论的图5的开关控制电路500）的控制端子、可变导通通道、耦接于输入端子405的第一电流传导端子，以及耦接于输出端子406的第二电流传导端子。
可变电阻电路411的第二电流路径415包括两个电阻器423、424和开关420（在下面也被称为S420）。两个电阻器423、424彼此串联地耦接于输入和输出端子405、406之间。更具体地，电阻器423的第一端子耦接于输入端子405，第二端子耦接于中间节点426。电阻器424第一端子耦接于中间节点426，第二端子耦接于输出端子406。开关420具有耦接于开关控制电路（例如，稍后讨论的图5的开关控制电路500）的控制端子、可变导通通道、第一和第二电流传导端子。开关420的可变导通通道跨电阻器423、424其中一个耦接。例如，在图4的实施例中，开关420的可变导通通道跨电阻器423耦接。更具体地，开关420的第一电流导通通道耦接于输入端子405，并且开关420的第二电流传导端子耦接于中间节点426。在替代实施例中，开关420的可变导通通道可以代替地跨电阻器424耦接。
第二可变电阻电路451包括多个彼此并联地耦接于中间节点408和电压参考端子470之间的电流路径454、455、456。虽然图4中所示的第二可变电阻电路451的实施例包括三个电流路径454-456，然而其它实施例可以包括多于或少于三个的电流路径。不管怎样，根据一个实施例，电流路径454-456分别包括与开关460、461、462（在下面也被称为S460、S461、S462）串联耦接的电阻器466、467、468，其中开关460-462每一个包括控制端子、可变导通通道、以及第一和第二电流传导端子。每个开关460-462的控制端子耦接于开关控制电路（例如，稍后讨论的图5的开关控制电路500）。例如，在图4中所说明的实施例中，每个电阻器466-468的第一端子耦接于中间节点408，并且每个电阻器466-468的第二端子耦接于开关460-462的第一电流传导端子。开关466-468的第二电流传导端子耦接于电压参考端子470。在替代实施例中，电阻器466-468和开关460-462可以被倒转。
为了指示电阻器423、424以及466-468的值的相对大小的示例，下面列出电阻器423、424以及466-468的示例值。应理解，电阻值和/或它们的相对大小可以不同于这些示例值。例如，电阻器423可以具有大约25欧姆的值，电阻器424可以具有大约12.5欧姆的值，电阻器466可以具有大约174欧姆的值，电阻器467可以具有大约184欧姆的值，以及电阻器468可以具有大约36.5欧姆的值。
第一可变电阻电路410、411的有效电阻（分别被称为R410、R411）取决于电阻器422-424的值和开关418-420的状态，第二可变电阻电路450、451的有效电阻（分别被称为R450、R451）取决于电阻器464-468的值和开关458-462的状态。根据一个实施例，控制每个衰减级402、403的开关418-420和458-462以提供有效电阻R410、R411、R450、R451的四个不同组合，并且因此分别提供四个不同衰减级别。因此，衰减器400可以提供多达16个的衰减级别。衰减级别的总数可以小于16，例如，如果每个衰减级402、403的衰减级别中的一个是0dB和/或如果衰减级402、403的一些衰减级别是相同的话。根据一个实施例，两个衰减级402、403可以提供0dB的衰减（并且因此整个衰减器400可以提供0dB的衰减），但级的其余衰减级别彼此不同。根据一个具体实施例，例如，衰减器级402的开关418、458、459是可控的以提供有效电阻R410、R450的若干组合，其产生大约0dB、大约0.5dB、大约1dB、以及大约1.5dB的总衰减级别（在输入端子404和输出端子405之间），而衰减器级403的开关419、420以及466-468是可控的以提供有效电阻R411、R451的若干组合，其产生大约0dB、大约2dB、大约4dB、以及大约6dB的总衰减级别（在输入端子405和输出端子406之间）。
根据一个实施例，如下控制开关418、458以及459的状态以产生上面给出的第一衰减级402的示例衰减级别：
Figure BDA00003861483600151
表3-示例衰减级别和级402的开关状态
此外，根据一个实施例，如下控制开关419、420以及460-462的状态以产生上面给出的第二衰减级403的示例衰减级别：
Figure BDA00003861483600152
表4-示例衰减级别和级403的开关状态
根据上面的示例，衰减器400能够将总共十六个衰减级别应用于输入到衰减器400的信号，并且那些衰减水平是（单位为dB）：0.0、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、3.5、4.0、4.5、5.0、5.5、6.0、6.5、7.0、以及7.5。应理解，上面的表3和表4中所提供的示例开关状态意图并不是限制性的，并且可以以不同方式控制其它衰减器实施例以产生更多、更少或不同的衰减级别。
如先前所述的，基于提供到开关418-420和458-462的控制端子（例如，栅极端子）的开关控制信号，控制开关418-420和458-462的状态。根据一个实施例，开关控制信号是由开关控制电路（例如，图5的开关控制电路500）基于数字输入产生的。换句话说，如先前所讨论的，衰减器400被数字地控制。例如，对于如上面所描述的可变衰减器400的十六个不同衰减级别，可以使用四位数字输入来选择衰减器400将应用多达十六个不同衰减级别中的哪个。
图5是根据一个示例实施例的用于图4的衰减器的开关控制电路500的简化框图。根据一个实施例，开关控制电路500包括数字输入502、开关控制逻辑504、以及多个开关控制信号输出518、519、520、558、559、560、561、562。在一个实施例中，数字输入502是多位输入，其被配置来并行接收多个数字输入信号（例如，如所示的，并行接收四个信号）。更具体地，每个输入信号对应于多位宽度的数字控制信号的位。例如，在被开关控制电路500控制的衰减器（例如，图4的衰减器400）被配置以应用达十六个不同衰减级别的实施例中，数字控制信号可以是四位宽度的信号，如在图5中所示。在这样实施例中，由输入信号组合表示的每个数字值可以对应于直至十六个不同衰减级别的其中一个。在替代实施例中，数字输入502可以被实现为串行接口。
为了响应接收到数字输入值，开关控制逻辑504在开关控制输出518-520以及558-560上产生了开关控制信号的组合。虽然在此并没有被示出或描述开关控制逻辑504的细节，基于在此的说明，本领域技术人员将理解如何实现将数字输入值转换成适当的开关控制信号的逻辑。很多不同逻辑拓扑结构可以适用于执行期望的转换。不管怎样，根据一个实施例，每个开关控制信号被提供到衰减器的开关中不同的开关的控制端子，以影响开关的导通性（即，以导通或关断每个开关）。例如，仍参照图4，在开关控制信号输出518-520以及558-560上提供的开关控制信号可以被分别提供向开关418-420以及458-462。如先前所描述的，通过导通或关断各开关418-420以及458-462，调整第一和第二可变电阻电路410、411、450、451的有效电阻作，同样地，衰减器400所应用的总衰减级别也被调整。
虽然衰减器400被示为包括两个衰减级402、403，然而，替代实施例中可以包括两个以上的衰减级。此外，在其它替代实施例中，第一和第二衰减级402、403顺序可以倒转（例如，衰减级403的输出可以耦接于衰减级402的输入）。在一些其它实施例中，在可变衰减器中可以包括衰减级200（图2）、402、和/或403的任何组合，并且可以设计相应调整的开关控制电路以相应地控制各开关的导通性。
在此所讨论的衰减器的实施例可以被合并到各种电子电路和系统中。例如，一个或多个衰减器实施例可以被合并到RF系统的发射器和/或接收器队伍中。作为一个更具体的示例，一个或多个衰减器实施例可以被合并到Doherty放大器系统中，该放大器系统可以被包括在RF系统的发射器队伍中。
图6示出了根据一个示例实施例的包括一组可变衰减器618、620的放大器系统600的简化框图。根据一个实施例，放大器系统600包括输入端子602、输出端子604、输入电路610、放大器电路630、以及输出电路650。输入电路610耦接于输入端子602和放大器电路630的输入端子之间，输出电路650耦接于放大器电路630的输出端子和输出端子604之间。在输入端子602处接收的输入信号被放大器系统600放大，并且通过输出端子604提供给负载（例如，天线（未示出））。
放大器系统600以Doherty放大器拓扑结构配置，其包括沿着并行放大路径606、608的多个放大器级640、642，其中每一个可以向负载（例如，天线，未示出）提供电流。更具体地，放大器系统600是两级Doherty放大器，其包括沿着第一放大路径606的主放大器级640（被偏置在AB类模式中），以及沿着第二放大路径608的峰值放大器（peaking amplifier）级642（被偏置在C类模式中）。在低于峰值放大器级642的阈值的输入功率水平条件下，只有主放大器级640向负载提供电流。在超过峰值放大器级642的阈值的输入功率水平条件下，从主放大器级640和峰值放大器级642两者输出的信号同相相加以向负载提供电流。在其它实施例中，放大器系统600可以包括主放大器级和两个峰值放大器级，每个峰值放大器级被偏置在不同C类工作点。因此，虽然放大器系统600只包括了两个放大路径606、608，然而在替代实施例中，放大器系统可以包括三个（或更多）放大路径。
输入电路610包括被功率分离器612，其配置来沿着两个放大路径606、608分离在端子602处接收的输入信号的功率。功率分离器612也可以将相移（通常为通过使用四分之一波长传输线实现的90度的值）应用于沿着其中一个放大路径（例如，沿着放大路径608）传送的信号，例如，以使得沿着两个放大路径606、608传送的信号相对于彼此异相（例如，90度的相位差）。功率分离器612可以在放大路径606、608之间均等地划分输入功率，以使得向每个放大路径606、608提供大略50％的输入信号功率。
根据一个实施例，输入电路610还包括沿着第一放大路径606的第一相移器614和第一可变衰减器618，以及沿着第二放大路径608的第二相移器616和第二可变衰减器620。虽然相移器614、616被示为沿着放大路径606、608先于衰减器618、620，然而在替代实施例中，相移器614、616和衰减器618、620顺序可以倒转。无论哪种方式，基于开关控制电路622所提供的控制信号，第一和第二相移器614、616将相移应用于沿着第一和第二放大路径606、608传送的信号，并且第一和第二可变衰减器618、620使沿着第一和第二放大路径606、608传送的信号衰减。例如，第一和第二可变衰减器618、620可以根据任何上述的衰减器实施例来配置，并且如先前所描述的，开关控制电路622可以基于数字输入产生影响衰减器618、620应用的衰减级别的开关控制信号。如先前所讨论的，开关控制电路622可以包括用于接收数字控制信号的数字输入624（例如，图3、图5的数字输入302、502）。数字输入624耦接于数据接口（例如，串行接口，例如串行外围接口（SPI），图中未示出）。数据接口（例如，SPI）可以被实现在与输入电路610相同的集成电路芯片上（例如，单一硅芯片或单一砷化镓芯片），或者，数据接口和输入电路610可以实现在不同的集成电路芯片上（例如，两个硅芯片、两个砷化镓芯片、或一个硅芯片（例如，用于SPI）和一个砷化镓芯片（例如，用于输入电路610）的组合）。
在分别由主放大器级640和峰值放大器级642对第一和第二放大路径606、608上携载的信号的放大之后，信号通过输出电路650组合。输出电路650也可以将相移（通常为通过使用四分之一波长传输线实现的90度的值）应用于沿着其中一个放大路径（例如，沿着放大路径606）传送的信号，例如，以使得沿着两个放大路径606、608传送的信号在被提供到输出端子604之前同相相加。
图7是根据一个示例实施例的一种在放大器系统（例如，图6的系统600）的背景下操作数字控制的可变衰减器的方法的流程图。应理解，出于举例的目的而提供图6和图7的系统和方法，并且在此所描述的可变衰减器的实施例可以被用于多种不同类型系统中的任何一种中。因此，结合图6和图7提供的示例不应被解释为将各种实施例的应用限定于具体描述的和示出的系统和方法。
根据一个实施例，该示例方法在块702通过接收输入信号（例如，在输入端子602处）开始。例如，输入信号可以是用于经空中接口传输的RF信号，并且放大器系统可以被配置以在向天线提供信号之前放大该信号。替代地，输入信号可以是RF信号以外的类型。在块704，接收到的信号的功率可被分离到多个（例如，两个或更多个）信号中（例如，通过功率分离器612），以及可以将相移应用于分离的信号中的一个或多个，从而分离的信号被异相地提供给多个（例如，两个或更多个）放大路径。例如，每个放大路径可以包括相移器（例如，相移器614、616）、可变衰减器（例如，可变衰减器618、620）、以及放大器级（例如，放大器级640、642）。相移器和可变衰减器可以按任何顺序出现。
在块706（其可以发生在该过程中的较早阶段），系统可以接收数字控制信号，所述数字控制信号指示待应用于沿着所述多个放大路径传送的信号的一个或多个相移以及一个或多个衰减级别。例如，如先前所讨论的，系统的另一部分可以向开关控制电路（例如，开关控制电路300、500、622）提供数字控制信号。数字控制信号可以包括分别指示了相移和衰减级别的编码值。
在块708，开关控制电路基于在数字控制信号中传输的值产生相移器开关控制信号和可变衰减器开关控制信号，并向相移器和可变衰减器提供适当的开关控制信号。在块710，基于开关控制信号，相移器和可变衰减器分别相移和衰减沿着其各自放大路径传送的信号。例如，可变衰减器可以根据任何上述可变衰减器实施例配置，并且如先前所描述的，开关控制电路可以基于数字输入信号产生影响可变衰减器应用的衰减级别的开关控制信号。相移器和可变衰减器产生分离输入信号的相移和衰减版本。
在块712，相移和衰减的信号可以被放大（例如，一个信号可以被主放大器级640放大，而另一个信号可以被峰值放大器级642放大）。然后在块714，可以通过输出电路（例如，输出电路650）组合放大的信号，该电路也可以将相移应用于所述信号中一个或多个，以确保信号在被提供到输出端子（例如，输出端子604）之前同相相加。
如此，描述了数字控制的步进衰减器的多种实施例及其操作方法。可变衰减器的一个实施例包括第一可变电阻电路、第二可变电阻电路、以及多个附加电阻器。所述第一可变电阻电路耦接于所述可变衰减器的输入端子和输出端子之间，并且所述第一可变电阻电路包括第一、第二、以及第三电流路径。所述第一电流路径包括两个第一电阻器和第一开关。所述两个第一电阻器彼此串联地耦接于所述输入端子和输出端子之间，以及所述第一开关具有跨所述两个第一电阻器其中一个耦接的第一通道。所述第二电流路径包括第二开关，所述第二开关具有第二通道，其第一电流传导端子耦接于所述输入端子，以及其第二电流传导端子耦接于所述输出端子。所述第三电流路径包括第二电阻器，其第一端子耦接于所述输入端子，以及其第二端子耦接于所述输出端子。所述多个附加电阻器包括第三电阻器和第四电阻器。所述第三电阻器的第一端子耦接于所述输入端子，以及其第二端子耦接于中间节点。所述第四电阻器的第一端子耦接于所述输出端子，第二端子耦接于所述中间节点。所述第二可变电阻电路耦接于所述中间节点和电压参考端子之间。
电子电路的一个实施例包括可变衰减器。所述可变衰减器包括第一可变电阻电路、第二可变电阻电路、以及多个附加电阻器。所述第一可变电阻电路具有彼此并联耦接于所述可变衰减器的第一输入端子和第一输出端子之间的第一多个电流路径。所述第一多个电流路径中的第一电流路径包括彼此串联地耦接于所述第一输入端子和所述第一输出端子之间的两个第一电阻器，以及具有跨所述两个第一电阻器其中一个耦接的第一通道的第一开关。所述多个附加电阻包括第二电阻器和第三电阻器。所述第二电阻器的第一端子耦接于所述第一输入端子，第二端子耦接于第一中间节点。所述第三电阻器的第一端子耦接于所述第一输出端子，第二端子耦接于所述第一中间节点。所述第二可变电阻电路的第一端子耦接于所述第一中间节点，第二端子耦接于电压参考端子。
根据另一个实施例，所述电子电路还包括开关控制电路，用于向所述第一开关的控制端子提供第一控制信号，其中所述第一控制信号影响所述第一通道的导通性、所述第一可变电阻电路的有效电阻、以及由所述可变衰减器提供的衰减级别。根据另一个实施例，所述电子电路还包括相移器和放大器级。所述相移器与所述可变衰减器串联耦接，并且所述可变衰减器和所述相移器被配置来分别衰减和应用相移到输入信号，以产生相移和衰减的信号。所述放大器级被配置来放大所述相移和衰减的信号。
操作电子电路的方法的一个实施例包括：接收数字控制信号，其指示对于到所述电子电路的输入信号的期望的衰减级别；基于在所述数字控制信号中指示的所述期望的衰减级别，产生第一控制信号；以及向可变衰减器的第一开关的控制端子提供所述第一控制信号。所述可变衰减器包括第一可变电阻电路、第二可变电阻电路、以及多个附加电阻器。所述第一可变电阻电路具有彼此并联地耦接于所述可变衰减器的第一输入端子和第一输出端子之间的第一多个电流路径。所述第一多个电流路径中的第一电流路径包括彼此串联地耦接于所述第一输入端子和所述第一输出端子之间的两个第一电阻器，以及第一开关，所述第一开关具有跨所述两个第一电阻器其中一个耦接的第一通道。所述多个附加电阻器包括第二电阻器和第三电阻器。所述第二电阻器的第一端子耦接于所述第一输入端子，第二端子耦接于第一中间节点。所述第三电阻器的第一端子耦接于所述第一输出端子，第二端子耦接于所述第一中间节点。所述第二可变电阻电路的第一端子耦接于所述第一中间节点，第二端子耦接于电压参考端子。
说明书和权利要求中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等等是用于区分元件，而并不必然用于描述特定的结构上、顺序上或时间上的次序。应理解，如此使用的术语在适当的情况下是可以互换的。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”及其变体都旨在涵盖非排他性的包含，从而包括一列元素的处理过程、方法、物件、或装置并不限于这些元素，而是可以包括其它没有明确列出的或是该处理过程、方法、物件、或装置固有的元素。如在此所使用的，术语“耦接”被定义为以电或非电的方式的直接或间接连接。
虽然上面已经结合特定的系统、装置和方法描述了本发明主题的原理，但应清楚地理解，该描述仅仅是通过示例的方式作出的，而不是对本发明主题范围的限制。在此所讨论的以及附图中所示出的各种功能或处理模块可以以硬件、固件、软件或其任合组合来实现。另外，在此所使用的措辞或术语是用于描述的目的而不是限制的目的。
上面的对具体实施例的描述充分揭示了本发明主题的总体性质，从而其他人通过应用当前知识可以容易地修改和/或使其适于各种应用而不脱离该总体概念。因此，这样的适配和修改是在所公开的实施例的等同物的意义和范围之内的。本发明主题涵盖了所有这些落入所附权利要求的精神和范围之内的替换、修改、等同物、以及变化。

Claims (19)

1.一种可变衰减器，包括：
第一可变电阻电路，耦接于所述可变衰减器的输入端子和输出端子之间，其中所述第一可变电阻电路包括
第一电流路径，其包括两个第一电阻器和第一开关，其中所述两个第一电阻器彼此串联地耦接于所述输入端子和输出端子之间，并且所述第一开关具有跨所述两个第一电阻器中的一个电阻器耦接的第一通道；
第二电流路径，其包括第二开关，所述第二开关具有第二通道、耦接于所述输入端子的第一电流传导端子、以及耦接于所述输出端子的第二电流传导端子，以及
第三电流路径，其包括第二电阻器，所述第二电阻器具有耦接于所述输入端子的第一端子以及耦接于所述输出端子的第二端子；
第三电阻器，其具有耦接于所述输入端子的第一端子以及耦接于中间节点的第二端子；
第四电阻器，其具有耦接于所述输出端子的第一端子以及耦接于所述中间节点的第二端子；以及
第二可变电阻电路，其耦接于所述中间节点和电压参考端子之间。
2.根据权利要求1所述的可变衰减器，还包括：
开关控制电路，用于向所述第一开关的控制端子提供第一控制信号，以及用于向所述第二开关的控制端子提供第二控制信号，其中所述第一和第二控制信号影响所述第一和第二通道的导通性、所述第一可变电阻电路的有效电阻、以及由所述可变衰减器提供的衰减级别。
3.根据权利要求2所述的可变衰减器，其中所述可变衰减器被配置来：
当所述开关控制电路提供所述第一和第二控制信号以使所述第一和第二通道基本上导通时，按第一衰减级别衰减所述输入端子处提供的输入信号；
当所述开关控制电路提供所述第一控制信号以使所述第一通道基本上导通，并提供所述第二控制信号以使所述第二通道基本上不导通时，按大于所述第一衰减级别的第二衰减级别衰减所述输入信号；以及
当所述开关控制电路提供所述第一和第二控制信号以使所述第一和第二通道基本上不导通时，按大于所述第二衰减级别的第三衰减级别衰减所述输入信号。
4.根据权利要求1所述的可变衰减器，其中所述第二可变电阻电路包括：
第四电流路径，耦接于所述中间节点和所述电压参考端子之间，其包括与第三开关串联耦接的第五电阻器，所述第三开关具有第三通道、耦接于所述输入端子的第一电流传导端子、以及耦接于所述输出端子的第二电流传导端子；
第五电流路径，耦接于所述中间节点和所述电压参考端子之间，其包括与第四开关串联耦接的第六电阻器，所述第四开关具有第四通道、耦接于所述输入端子的第一电流传导端子、以及耦接于所述输出端子的第二电流传导端子；以及
第六电流路径，耦接于所述中间节点和所述电压参考端子之间，其包括与第五开关串联耦接的第七电阻器，所述第五开关具有第五通道、耦接于所述输入端子的第一电流传导端子、以及耦接于所述输出端子的第二电流传导端子。
5.根据权利要求4所述的可变衰减器，还包括：
开关控制电路，用于向所述第一开关的控制端子提供第一控制信号，向所述第二开关的控制端子提供第二控制信号，向所述第三开关的控制端子提供第二控制信号，向所述第四开关的控制端子提供第四控制信号，以及向所述第五开关的控制端子提供第五控制信号，以调整所述第一、第二、第三、第四、以及第五通道的导通性、所述第一和第二可变电阻电路的有效电阻、以及由所述可变衰减器提供的衰减级别。
6.根据权利要求5所述的可变衰减器，其中所述可变衰减器被配置来：
当所述开关控制电路提供所述第一和第二控制信号以使所述第一和第二通道基本上导通，并提供所述第三、第四、以及第五控制信号以使所述第三、第四、以及第五通道基本上不导通时，按第一衰减级别衰减所述输入端子处提供的输入信号；
当所述开关控制电路提供所述第一和第三控制信号以使所述第一和第三通道基本上导通，并提供所述第二、第四、以及第五控制信号以使所述第二、第四、以及第五通道基本上不导通时，按大于所述第一衰减级别的第二衰减级别衰减所述输入信号；
当所述开关控制电路提供所述第一、第三以及第四控制信号以使所述第一、第三以及第四通道基本上导通，并提供所述第二和第五控制信号以使所述第二和第五通道基本上不导通时，按大于所述第二衰减级别的第三衰减级别衰减所述输入信号；以及
当所述开关控制电路提供所述第一和第二控制信号以使所述第一和第二通道基本上不导通，并提供所述第三、第四和第五控制信号以使所述第三、第四和第五通道基本上导通时，按大于所述第三衰减级别的第四衰减级别衰减所述输入信号。
7.根据权利要求6所述的可变衰减器，其中所述开关控制电路还包括：
多位输入，用于接收数字控制信号，其中所述开关控制电路被配置以基于所述数字控制信号的值提供所述第一、第二、第三、第四、以及第五控制信号。
8.一种包括可变衰减器的电子电路，所述可变衰减器包括：
第一可变电阻电路，其具有彼此并联地耦接于所述可变衰减器的第一输入端子和第一输出端子之间的第一多个电流路径，其中所述第一多个电流路径中的第一电流路径包括：
两个第一电阻器，彼此串联地耦接于所述第一输入端子和所述第一输出端子之间，以及
第一开关，具有跨所述两个第一电阻器中一个耦接的第一通道；
第二电阻器，其第一端子耦接于所述第一输入端子，以及其第二端子耦接于第一中间节点；
第三电阻器，其第一端子耦接于所述第一输出端子，以及其第二端子耦接于所述第一中间节点；以及
第二可变电阻电路，其第一端子耦接于所述第一中间节点，以及其第二端子耦接于电压参考端子。
9.根据权利要求8所述的电子电路，其中所述第一多个电流路径还包括：
第二电流路径，其包括第二开关，所述第二开关具有第二通道、耦接于所述第一输入端子的第一电流传导端子、以及耦接于所述第一输出端子的第二电流传导端子。
10.根据权利要求9所述的电子电路，其中所述第一多个电流路径还包括：
第三电流路径，其包括第三电阻器，所述第三电阻器的第一端子耦接于所述第一输入端子，第二端子耦接于所述第一输出端子。
11.根据权利要求8所述的电子电路，其中所述第二可变电阻电路还包括：
第二多个电流路径，其彼此并联地耦接于所述第一中间节点和所述电压参考端子之间。
12.根据权利要求11所述的电子电路，其中所述第二多个电流路径中的每个电路路径包括：
分路电阻；以及
与所述并联电阻串联耦接的具有通道的分路开关。
13.根据权利要求8所述的电子电路，还包括：
开关控制电路，用于向所述第一开关的控制端子提供第一控制信号，其中所述第一控制信号影响所述第一通道的导通性、所述第一可变电阻电路的有效电阻、以及由所述可变衰减器提供的衰减级别。
14.根据权利要求8所述的电子电路，其中所述第一可变电阻电路、所述第二电阻器、所述第三电阻器、以及所述第二可变电阻电路被包括在所述可变衰减器的第一级内，其中所述第一级被配置以提供第一数量的衰减级别，并且其中所述可变衰减器还包括：
所述可变衰减器的第二级，其与所述可变衰减器的所述第一级串联耦接，其中所述第二级被配置以提供第二数量的衰减级别，其中所述可变衰减器的所述第二级包括
第三可变电阻电路，其具有彼此并联地耦接于第二输入端子和第二输出端子之间的第二多个电流路径，
第四电阻器，其第一端子耦接于所述第二输入端子，以及其第二端子耦接于第二中间节点，
第五电阻器，其第一端子耦接于所述第二输出端子，以及其第二端子耦接于所述第二中间节点；以及
第四可变电阻电路，其第一端子耦接于所述第二中间节点，以及其第二端子耦接于所述电压参考端子。
15.根据权利要求8所述的电子电路，还包括：
相移器，与所述可变衰减器串联耦接，其中所述可变衰减器和所述相移器被配置以分别对输入信号进行衰减和应用相移，以产生相移并衰减的信号；以及
放大器级，被配置以放大所述相移并衰减的信号。
16.一种操作电子电路的方法，所述方法包括步骤：
接收指示对于到所述电子电路的输入信号的期望的衰减级别的数字控制信号；
基于在所述数字控制信号中指示的所述期望的衰减级别产生第一控制信号；以及
向可变衰减器的第一开关的控制端子提供所述第一控制信号，所述可变衰减器包括
第一可变电阻电路，其具有彼此并联地耦接于所述可变衰减器的输入端子和输出端子之间的第一多个电流路径，其中所述第一多个电流路径中的第一电流路径包括：
两个第一电阻器，彼此串联地耦接于所述输入端子和所述输出端子之间，以及
所述第一开关，其具有跨所述两个第一电阻器中的一个电阻器耦接的第一通道，其中所述第一控制信号影响所述第一通道的导通性、所述第一可变电阻电路的有效电阻、以及由所述可变衰减器提供的衰减级别，
第二电阻器，其第一端子耦接于所述输入端子，以及其第二端子耦接于第一中间节点，
第三电阻器，其第一端子耦接于所述输出端子，以及其第二端子耦接于所述第一中间节点，以及
第二可变电阻电路，其第一端子耦接于所述第一中间节点，以及其第二端子耦接于电压参考端子。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一可变电阻电路还包括第二电流路径，第二电流路径包括第二开关，所述第二开关具有第二通道、耦接于所述输入端子的第一电流传导端子，以及耦接于所述输出端子的第二电流传导端子，并且其中所述方法还包括：
基于在所述数字控制信号内指示的所述期望的衰减级别产生第二控制信号；以及
向所述第二开关的控制端子提供所述第二控制信号，其中所述第二控制信号影响所述第二通道的导通性、所述第一可变电阻电路的有效电阻、以及由所述可变衰减器提供的衰减级别。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二可变电阻电路包括彼此并联地耦接于所述中间节点和所述电压参考端子之间的第二多个电流路径，其中所述第二多个电流路径中的每个电流路径包括分路电阻和与所述分路电阻串联耦接的具有通道的分路开关，并且其中所述方法还包括：
基于在所述数字控制信号内指示的所述期望的衰减级别产生一多个附加控制信号；以及
向所述分路开关的控制端子提供所述多个附加控制信号，其中所述附加控制信号影响所述分路开关的通道的导通性、所述第二可变电阻电路的所述有效电阻、以及由所述可变衰减器提供的所述衰减级别。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一可变电阻电路、所述第二电阻器、所述第三电阻器、以及所述第二可变电阻电路被包括在所述可变衰减器的第一级内，其中所述第一级被配置以提供第一数量的衰减级别，其中所述可变衰减器还包括第二级，所述第二级与述第一级串联耦接并且被配置以提供第二数量的衰减级别，并且其中所述方法还包括：
基于在所述数字控制信号中指示的所述期望的衰减级别产生一个或多个附加控制信号；以及
向所述可变衰减器的所述第二级提供所述一个或多个附加控制信号以影响由所述可变衰减器提供的所述衰减级别。
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