CN103730322B - 一种常压等离子体处理装置 - Google Patents
一种常压等离子体处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103730322B CN103730322B CN201310719322.7A CN201310719322A CN103730322B CN 103730322 B CN103730322 B CN 103730322B CN 201310719322 A CN201310719322 A CN 201310719322A CN 103730322 B CN103730322 B CN 103730322B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plate
- vent hole
- positive plate
- minus plate
- air vent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
本发明涉及一种改进型常压等离子体处理装置，包括一阴极板，与所述阴极板相对应的阳极板，所述阴极板和所述阳极板之间接入高频电源，所述阴极板和所述阳极板之间形成高频电场，所述阴极板和所述阳极板之间有一绝缘层，所述阴极板上设置有至少一个通气孔，所述通气孔用以气体的进入，所述通气孔与一气体腔连接，被处理物料设置在所述绝缘层上，本发明的等离子体处理装置可以简单均匀地处理物料，且不需要再真空条件下进行，只要在常压下就能很好的处理需要处理的物料。
Description
技术领域
本发明属于等离子体处理装置，具体涉及一种常压等离子体处理装置。
背景技术
材料表面改性处理技术是当前普遍使用的材料制备技术之一，它是在一定的外界条件下，材料外部物质和材料表面发生物理或化学反应，从而使材料表面状态发生变化或在材料表面产生新的元素和新的基团，最终满足实际应用的需要。
但是，现代工业的迅猛发展对材料耐磨擦、磨损和抗腐蚀等性能提出了更高的要求，与此同时，对环保的要求也越来越高，从而有力地推动被称为绿色生产工艺的材料等离子表面改性技术的不断发展。在真空下，给反应气体环境施加高频电场，气体在高频电场的激励下电离产生等离子体。
然而，现有技术中的等离子体处理装置不能均匀的处理被处理物料，且必须在高压下才能处理物料。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种常压等离子体处理装置。
本发明所采用的技术方案是：一种常压等离子体处理装置，包括一阴极板，与上述阴极板相对应的阳极板，上述阴极板和上述阳极板之间接入高频电源，上述阴极板和上述阳极板之间形成高频电场，上述阴极板的厚度大于上述阳极板的厚度，上述阴极板和上述阳极板之间有一绝缘层，上述阴极板上设置有至少一个通气孔，上述通气孔用以气体的进入，上述通气孔与一气体腔连接，被处理物料设置在上述绝缘层上。
优选地，上述绝缘层设置在上述阳极板上，与上述阳极板想贴合设置。
优选地，上述气体腔的一端与上述通气孔连接，上述气体腔的另一端与上述绝缘层连接。
优选地，上述通气孔的横截面为圆形，上述通气孔均匀地设置在阳极板上。
优选地，上述气体腔为圆柱形，上述气体腔的内径大于上述通气孔的内径。
优选地，上述阳极板做接地设置。
采用本技术方案的有益效果是：本发明的等离子体处理装置阳极板和阴极板之间形成高频电场，并且阴极板的厚度大于阳极板的厚度，阴极板上设置有通气孔，通气孔与设置在阳极板和阴极板之间的气体腔连接，形成微空心阴极，能够简单均匀地处理物料，阳极板和阴极板之间有一绝缘层，能有效防止平行电极板正对打火，本装置不需要在真空条件下进行，只要在常压下就能很好的处理需要处理的物料。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中：
图1是本发明实施例1的立体示意图；
图中，1.通气孔2.气体腔3.绝缘层4.阳极板5.阴极板。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。
实施例1
如图1所示，一种常压等离子体处理装置，包括一阴极板5，与阴极板5相对应的阳极板4，阴极板5和阳极板4之间接入高频电源，阴极板5和阳极板4之间形成高频电场，并且阴极板5的厚度大于阳极板4的厚度，这便形成微空心阴极，为防止阴极板5和阳极板4正对打火，阴极板5和阳极板4之间有一绝缘层3，阴极板5上设置有至少一个通气孔1，通气孔1用以气体的进入，通气孔1与一气体腔2连接，被处理物料设置在所述绝缘层3上。绝缘层3设置在阳极板4上，与阳极板4相贴合设置。气体腔2为圆柱形，气体腔2的一端与通气孔1连接，气体腔2的另一开口端正对与绝缘层3连接，气体腔2的内径大于通气孔1的内径，通气孔1的横截面为圆形，通气孔1均匀地设置在阴极板5上，阳极板4做接地设置。
本等离子体处理装置在处理物料时，将物料放置在绝缘层3上，通气孔1中通入气体，并且阳极板4和阴极板5之间连接高频电源，在阳极板4和阴极板5之间形成高频电场，通气孔1中通入的气体在高频电场中放电产生等离子体对物料进行等离子体处理。
本发明的有益效果是：本发明的等离子体处理装置阳极板和阴极板之间形成高频电场，并且阴极板厚度大于阳极板厚度，阴极板上设置有通气孔，通气孔与设置在阴极板和阳极板之间的气体腔连接，形成微空心阴极，能够简单均匀地处理物料，阳极板和阴极板之间有一绝缘层，能有效防止平行电极板正对打火，本装置不需要在真空条件下进行，只要在常压下就能很好的处理需要处理的物料。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种常压等离子体处理装置，包括一阴极板，与所述阴极板相对应的阳极板，所述阴极板和所述阳极板之间接入高频电源，所述阴极板和所述阳极板之间形成高频电场，其特征在于，所述阴极板的厚度大于所述阳极板的厚度，所述阴极板和所述阳极板之间有一绝缘层，所述阴极板上设置有至少一个通气孔，所述通气孔用以气体的进入，所述通气孔与一气体腔连接，被处理物料设置在所述绝缘层上，所述气体腔为相互间隔设置的圆柱形，所述气体腔的内径大于所述通气孔的内径，所述气体腔的一端与所述通气孔连接，所述气体腔的另一端与所述绝缘层连接。
2.根据权利要求1所述的常压等离子体处理装置，其特征在于，所述绝缘层设置在所述阳极板上，与所述阳极板相贴合设置。
3.根据权利要求1所述的常压等离子体处理装置，其特征在于，所述通气孔的横截面为圆形，所述通气孔均匀地设置在阴极板上。
4.根据权利要求1所述的常压等离子体处理装置，其特征在于，所述阳极板做接地设置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310719322.7A CN103730322B (zh) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 一种常压等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310719322.7A CN103730322B (zh) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 一种常压等离子体处理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103730322A CN103730322A (zh) | 2014-04-16 |
| CN103730322B true CN103730322B (zh) | 2016-02-17 |
Family
ID=50454348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310719322.7A Active CN103730322B (zh) | 2013-12-24 | 2013-12-24 | 一种常压等离子体处理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103730322B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10271415B2 (en) * | 2016-04-30 | 2019-04-23 | The Boeing Company | Semiconductor micro-hollow cathode discharge device for plasma jet generation |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433480B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-08-13 | Old Dominion University | Direct current high-pressure glow discharges |
| CN2746712Y (zh) * | 2004-03-18 | 2005-12-14 | 中国科学院微电子研究所 | 常压低温冷等离子体放电通道装置 |
| CN102677022A (zh) * | 2012-01-04 | 2012-09-19 | 北京印刷学院 | 一种原子层沉积装置 |
| CN203617248U (zh) * | 2013-12-24 | 2014-05-28 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | 一种改进型常压等离子体处理装置 |
-
2013
- 2013-12-24 CN CN201310719322.7A patent/CN103730322B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433480B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-08-13 | Old Dominion University | Direct current high-pressure glow discharges |
| CN2746712Y (zh) * | 2004-03-18 | 2005-12-14 | 中国科学院微电子研究所 | 常压低温冷等离子体放电通道装置 |
| CN102677022A (zh) * | 2012-01-04 | 2012-09-19 | 北京印刷学院 | 一种原子层沉积装置 |
| CN203617248U (zh) * | 2013-12-24 | 2014-05-28 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | 一种改进型常压等离子体处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103730322A (zh) | 2014-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103065918B (zh) | 一种电极引入结构 | |
| WO2008102679A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN102215626B (zh) | 一种可在较低电压条件下产生放电等离子体的装置 | |
| MY176134A (en) | Apparatus and method for the plasma coating of a substrate, in particular a press platen | |
| CN103730322B (zh) | 一种常压等离子体处理装置 | |
| CN204927231U (zh) | 一种电极结构 | |
| CN104377105B (zh) | 等离子体处理装置及氦气管 | |
| CN206098769U (zh) | 汽车空调压缩机接线板电流传导装置 | |
| CN203617248U (zh) | 一种改进型常压等离子体处理装置 | |
| CN105080922A (zh) | 等离子体清洗设备 | |
| CN103747607A (zh) | 一种远区等离子体喷枪装置 | |
| CN203659796U (zh) | 一种超声波雾化等离子体处理装置 | |
| CN103972013B (zh) | 一种真空设备 | |
| CN103794462A (zh) | 一种超声波雾化等离子体处理装置 | |
| CN203618207U (zh) | 一种远区等离子体喷枪装置 | |
| CN203588970U (zh) | 一种适用于常压环境材料表面等离子体处理装置 | |
| CN207210537U (zh) | 一种用于pecvd设备的射频馈入结构和pecvd设备 | |
| CN203618206U (zh) | 一种空心阴极喷枪装置 | |
| CN203588972U (zh) | 一种毛细玻璃管内壁等离子体处理装置 | |
| CN203617246U (zh) | 一种微空心阴极等离子体处理装置 | |
| CN202773163U (zh) | 除静电装置 | |
| CN103681197B (zh) | 一种毛细玻璃管内壁等离子体处理装置 | |
| CN105408515A (zh) | 绝缘体靶 | |
| CN103730320B (zh) | 一种微空心阴极等离子体处理装置 | |
| CN203590582U (zh) | 一种射流等离子体水冷喷枪 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191010 Address after: 215000 room 23-207, Heshan garden, Binhe Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Wang Hong Wei Address before: Taishan road Suzhou City, Jiangsu province 215011 Suzhou high tech Industrial Development Zone No. 2 (Canton Science Park) Patentee before: Suzhou OPS Plasma Technology Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200228 Address after: 453000 torch Park Comprehensive R & D Building III (G-L) (5-4-4) Patentee after: Henan Zhongshun filtration Research Institute Co., Ltd Address before: 215000 room 23-207, Heshan garden, Binhe Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: Wang Hongwei |