CN207210537U - 一种用于pecvd设备的射频馈入结构和pecvd设备 - Google Patents
一种用于pecvd设备的射频馈入结构和pecvd设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207210537U CN207210537U CN201721140454.4U CN201721140454U CN207210537U CN 207210537 U CN207210537 U CN 207210537U CN 201721140454 U CN201721140454 U CN 201721140454U CN 207210537 U CN207210537 U CN 207210537U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- feed
- radio frequency
- pecvd device
- insulating barrier
- frequency feed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
本实用新型公开了一种用于PECVD设备的射频馈入结构和PECVD设备。所述射频馈入结构包括：馈入电极，所述馈入电极的第一端与射频电源连接，所述馈入电极的第二端与真空工艺腔的功率输出端件连接；绝缘层，所述绝缘层包覆所述馈入电极的第二端；屏蔽层，所述屏蔽层包覆所述绝缘层的位于真空工艺腔内部的部分；密封圈，所述密封圈套在所述馈入电极上，并且所述密封圈的外表面与所述绝缘层接触。所述PECVD设备包括上述用于PECVD设备的射频馈入结构。本实用新型的用于PECVD设备的射频馈入结构可以承受高频电源、大功率输出并且不易与周围结构易发生异常放电现象，馈入电极的直径的适用范围广。
Description
技术领域
本实用新型涉及但不限于太阳能电池技术领域，尤其涉及但不限于一种用于PECVD设备的射频馈入结构和一种PECVD设备。
背景技术
在光伏电池领域，PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)设备作为生产薄膜太阳能电池的关键设备，被广泛应用于不同类型导电膜层的制备工艺中，比如硅基薄膜、纳米硅薄膜、HIT非晶硅膜层等。为满足生产线上太阳能电池薄膜的膜层质量及产能要求，膜层的制备工艺通常会采用高频、甚高频高功率的电源，频率范围在13.56MHz～40.68MHz；电源的输出功率也较大，通常为1～12kW。射频电源通过射频馈入结构将射频信号传给电极板。传统PECVD设备的射频馈入结构在高频电源、大功率输出的条件下则往往不能稳定工作。而且，馈入电极与周围结构易发生异常放电现象。
实用新型内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本实用新型提供了一种可以承受高频电源、大功率输出并且不易与周围结构易发生异常放电现象的射频馈入结构，和包括该射频馈入结构的PECVD设备。
具体地，本实用新型提供了一种用于PECVD设备的射频馈入结构。
本实用新型提供的用于PECVD设备的射频馈入结构包括：
馈入电极，所述馈入电极的第一端与射频电源连接，所述馈入电极的第二端与真空工艺腔的功率输出端连接；
绝缘层，所述绝缘层包覆所述馈入电极的第二端；
屏蔽层，所述屏蔽层包覆所述绝缘层的位于真空工艺腔内部的部分；
密封圈，所述密封圈套在所述馈入电极上，并且所述密封圈的外表面与所述绝缘层接触。
在一些实施方式中，所述馈入电极上可以设置有凹槽，所述密封圈嵌入所述凹槽中。
在一些实施方式中，所述密封圈可以设置有多个。
在一些实施方式中，所述绝缘层上可以设置有凸缘，所述凸缘固定在真空工艺腔的连接座上。
在一些实施方式中，所述射频馈入结构还可以包括紧固件，所述紧固件套设在所述绝缘层外，并且固定在真空工艺腔的连接座上。
在一些实施方式中，所述紧固件可以为法兰。
可选地，所述紧固件为压法兰。
在一些实施方式中，所述绝缘层可以采用介电常数为2～4的材料制成。
可选地，所述绝缘层采用聚四氟乙烯、聚醚醚酮树脂、聚酰亚胺树脂或陶瓷材料制成。
在一些实施方式中，所述绝缘层的厚度可以为2mm～20mm。
在一些实施方式中，所述屏蔽层可以采用铜、铝或不锈钢制成。
在一些实施方式中，所述馈入电极的直径可以为20mm～50mm。
本实用新型还提供了一种PECVD设备，所述PECVD设备包括如上所述的用于PECVD设备的射频馈入结构。
本实用新型的用于PECVD设备的射频馈入结构的馈入电极的外部设置有绝缘层和屏蔽层，可以避免馈入电极与周围结构发生异常放电现象。此外，密封圈固定在馈入电极上后，使得馈入电极表面形成凸起，将绝缘层套设在馈入电极上后，当馈入电极发生晃动时，馈入电极表面的凸起与绝缘层之间产生摩擦从而阻止绝缘层从馈入电极上脱落，使得馈入电极与绝缘层之间的结合更加稳固，从而射频馈入结构在承受较大的高频输出功率时馈入电极即使发生晃动，绝缘层也不会从馈入电极上脱落，进而确保馈入电极稳定、持续的功率输出。
此外，为了满足真空工艺腔的高真空要求，传统的射频馈入结构的馈入电极需要与连接座相匹配，因此对馈入电极的直径具有严格要求。而本实用新型的用于PECVD设备的射频馈入结构通过设置不同型号的密封圈及不同厚度的绝缘层相配合，不但提高了真空工艺腔的密封性，而且拓宽了馈入电极的直径的适用范围。
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本实用新型技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型的技术方案，并不构成对本实用新型技术方案的限制。
图1为本实用新型的用于PECVD设备的射频馈入结构的结构示意图。
图2为本实用新型的用于PECVD设备的射频馈入结构的剖面图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
实施例1
参见图1-2，本实施例的用于PECVD设备的射频馈入结构包括馈入电极11、绝缘层12、屏蔽层13、多个密封圈14和压法兰15。所述馈入电极11的第一端与射频电源连接，所述馈入电极11的第二端固定在真空工艺腔的连接座3中，第二端上设有孔道，真空工艺腔的功率输出端2通过所述孔道插入所述馈入电极11中，从而实现馈入电极的功率输出，所述馈入电极11在靠近第二端处设有多个凹槽；所述绝缘层12包覆所述馈入电极11的第二端，在对应于馈入电极所述孔道的位置处设有孔，并且所述绝缘层上设置有凸缘；所述屏蔽层13包覆所述绝缘层12，并且在对应于馈入电极所述孔道的位置处设有孔；所述密封圈14嵌入所述馈入电极上的多个凹槽中，外表面与所述绝缘层12接触；所述压法兰15套设在所述绝缘层12外，并且固定在所述真空工艺腔的连接座3上。
其中，所述绝缘层采用采用聚四氟乙烯制成，厚度为2mm；
所述屏蔽层采用铜制成；
所述馈入电极的直径为20mm。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处仅在于：
所述绝缘层采用聚醚醚酮树脂制成，厚度为20mm；
所述屏蔽层采用铝制成；
所述馈入电极的直径为40mm。
实施例3
本实施例与实施例1的不同之处仅在于：
所述绝缘层采用陶瓷制成，厚度为10mm；
所述屏蔽层采用不锈钢制成；
所述馈入电极的直径为50mm。
使用时，先将多个密封圈14从馈入电极11的第一端套入馈入电极11的多个凹槽中，将绝缘层12套在馈入电极11的第二端上，将屏蔽层13套在绝缘层12外，将该射频馈入结构安装在真空工艺腔的连接座3上，使真空工艺腔的功率输出端2插入馈入电极11的第二端的孔道中；将压法兰15紧固在绝缘层12外并且固定在真空工艺腔的连接座3上。
虽然本实用新型所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本实用新型而采用的实施方式，并非用以限定本实用新型。任何本实用新型所属领域内的技术人员，在不脱离本实用新型所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本实用新型的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述射频馈入结构包括：
馈入电极，所述馈入电极的第一端与射频电源连接，所述馈入电极的第二端与真空工艺腔的功率输出端连接；
绝缘层，所述绝缘层包覆所述馈入电极的第二端；
屏蔽层，所述屏蔽层包覆所述绝缘层的位于真空工艺腔内部的部分；
密封圈，所述密封圈套在所述馈入电极上，并且所述密封圈的外表面与所述绝缘层接触。
2.根据权利要求1所述的用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述馈入电极上设置有凹槽，所述密封圈嵌入所述凹槽中。
3.根据权利要求1所述的用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述密封圈设置有多个。
4.根据权利要求1所述的用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述绝缘层上设置有凸缘，所述凸缘固定在真空工艺腔的连接座上。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述射频馈入结构还包括紧固件，所述紧固件套设在所述绝缘层外，并且固定在真空工艺腔的连接座上。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述绝缘层采用介电常数为2～4的材料制成，所述绝缘层的厚度为2mm～20mm。
7.根据权利要求6所述的用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述绝缘层采用聚四氟乙烯、聚醚醚酮树脂、聚酰亚胺树脂或陶瓷材料制成。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述屏蔽层采用铜、铝或不锈钢制成。
9.根据权利要求1-4中任一项所述的用于PECVD设备的射频馈入结构，其特征在于，所述馈入电极的直径为20mm～50mm。
10.一种PECVD设备，所述PECVD设备包括根据权利要求1-9中任一项所述的用于PECVD设备的射频馈入结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721140454.4U CN207210537U (zh) | 2017-09-07 | 2017-09-07 | 一种用于pecvd设备的射频馈入结构和pecvd设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721140454.4U CN207210537U (zh) | 2017-09-07 | 2017-09-07 | 一种用于pecvd设备的射频馈入结构和pecvd设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207210537U true CN207210537U (zh) | 2018-04-10 |
Family
ID=61823472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721140454.4U Active CN207210537U (zh) | 2017-09-07 | 2017-09-07 | 一种用于pecvd设备的射频馈入结构和pecvd设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207210537U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111218674A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-06-02 | 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 | Pecvd射频馈入电极系统及pecvd装置 |
| CN112259429A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺设备 |
-
2017
- 2017-09-07 CN CN201721140454.4U patent/CN207210537U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111218674A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-06-02 | 龙鳞(深圳)新材料科技有限公司 | Pecvd射频馈入电极系统及pecvd装置 |
| CN112259429A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6308507B2 (ja) | 炭素のナノ被覆層を有する基材粉末を用いたリチウムイオン電池用正極材の製造方法および光触媒の製造方法 | |
| KR20150060751A (ko) | 도전 부재, 전극, 2차 전지, 커패시터, 도전 부재 및 전극 제조 방법 | |
| CN104064736A (zh) | 碳纳米管/硅/石墨烯复合材料及其制备方法与锂离子电池 | |
| CN104282896A (zh) | 一种掺氮碳包覆石墨负极材料及其制备方法 | |
| TW201421781A (zh) | 石墨烯電極、包含其之能量儲存裝置、及其製造方法 | |
| CN106784988A (zh) | 一种柔性全固态薄膜锂电池及其生产方法 | |
| CN207210537U (zh) | 一种用于pecvd设备的射频馈入结构和pecvd设备 | |
| Yang et al. | Graphite prelithiation by solid electrochemical corrosion of lithium metal with a superficial mosaic structure | |
| CN108091851B (zh) | 一种磷酸铁锂复合正极材料及其制备方法和应用 | |
| CN107217241A (zh) | 基于pecvd的增强型石墨烯薄膜镀膜设备及方法 | |
| CN102496554B (zh) | 一种射频功率信号源真空引入电极 | |
| CN106328953A (zh) | 一种集流体及制备方法 | |
| CN206204417U (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| CN109390575A (zh) | 阳极材料 | |
| CN105118767B (zh) | 等离子体刻蚀设备 | |
| CN107995767A (zh) | 一种高效稳定的电弧等离子体源 | |
| CN102299297A (zh) | 一种锂离子电池负极及其制备方法 | |
| CN103215554B (zh) | BiFeO3钠离子电池阳极材料的制备方法 | |
| KR20130136131A (ko) | 리튬 이차 전지용 전극, 이의 형성 방법 및 리튬 이차 전지 | |
| CN207072970U (zh) | 基于pecvd的增强型石墨烯薄膜镀膜设备 | |
| CN105552338A (zh) | 氧化锌修饰的石墨烯锂离子电池负极材料的制备方法 | |
| CN203617248U (zh) | 一种改进型常压等离子体处理装置 | |
| CN103730322B (zh) | 一种常压等离子体处理装置 | |
| CN103796412B (zh) | 一种常压等离子体喷枪装置 | |
| CN203590582U (zh) | 一种射流等离子体水冷喷枪 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201229 Address after: 101102 102-lq307, 1-3 / F, building 26, 17 huanke Middle Road, Jinqiao Science and technology industrial base, Tongzhou Park, Zhongguancun Science and Technology Park, Tongzhou District, Beijing Patentee after: Deyun Chuangxin (Beijing) Technology Co.,Ltd. Address before: 100176 Beijing Daxing District Beijing Economic and Technological Development Zone, No. 66 Building, No. 2 Jingyuan North Street, 7th Floor 805 Patentee before: Juntai innovation (Beijing) Technology Co.,Ltd. |