CN103726016A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103726016A
CN103726016A CN201310269243.0A CN201310269243A CN103726016A CN 103726016 A CN103726016 A CN 103726016A CN 201310269243 A CN201310269243 A CN 201310269243A CN 103726016 A CN103726016 A CN 103726016A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
vacuum chamber
chamber
chamber door
deposition system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310269243.0A
Other languages
English (en)
Inventor
饭尾逸史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Publication of CN103726016A publication Critical patent/CN103726016A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够确保消除了从地面突起的突起部的作业场所的成膜装置。本发明的成膜装置构成为具备:真空腔室主体(30),其具有输送装置(10)并形成有开放内部的开口部(31),所述输送装置在使基板(101)竖立成基板(101)的板厚方向即X方向成为水平方向的状态下,能够向与板厚方向交叉的输送方向即Y方向输送基板(101);腔室门(40),其能够开闭真空腔室主体(30)的开口部(31);及引导构件(80),其设置于真空腔室主体(30)的上方并引导腔室门(40)能够向板厚方向水平移动。

Description

成膜装置
技术领域
本申请主张基于2012年10月10日申请的日本专利申请第2012-225324号的优先权。该申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
本发明涉及一种成膜装置。
背景技术
例如,在对基板等对象物进行成膜的成膜装置中,在使基板竖立成基板的板厚方向成为水平方向的状态下输送基板(例如参考专利文献1)。专利文献1中记载的成膜装置具备输送几乎垂直地竖立的基板的真空腔室和支承真空腔室的平台。该真空腔室的侧壁面上组装有加热器等必要机构。为了对这些必要机构进行清洁、更换等维护作业,该侧壁面被安装于在平台上可移动的台车,并通过使台车从向水平远离真空腔室的方向移动而能够进行开闭。
专利文献1:日本特开平1-272768号公报
专利文献1中记载的成膜装置中,需要将移动设置有4个行驶辊的台车的2条导轨设置于平台上,并且在平台上确保用于进行维护作业的作业场所。然而,导轨的至少一方被设为向上方突出的凸形状,因此从安全角度来讲在平台上的作业场所配置类似形成凸部的导轨是不可取的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够确保消除了从地面突起的突起部的作业场所的成膜装置。
本发明为对基板进行成膜处理的成膜装置,其特征在于,具备:真空腔室主体,其具有输送构件并形成有开放内部的开口部,所述输送构件在使基板竖立成基板的板厚方向成为水平方向的状态下,向与板厚方向交叉的输送方向输送基板;腔室门,其能够开闭真空腔室主体的开口部;及引导构件,其设置于真空腔室主体的上方并引导腔室门能够向板厚方向水平移动。
该成膜装置的引导腔室门可向基板的板厚方向水平移动。由此,能够使腔室门向远离真空腔室主体的方向移动来打开开口部。并且,能够使腔室门向靠近真空腔室主体的方向移动来关闭开口部。而且,该腔室门通过设置于真空腔室主体的上方的引导构件被水平地引导,因此无需在腔室门的下方及腔室门所移动的平台上设置用于支承及引导腔室门的结构。因此,能够确保消除了从地面突起的突起部的作业场所。
引导构件还可具有向板厚方向延伸并在输送方向上隔开配置的一对导轨、及架设于一对导轨之间并与腔室门连结且沿导轨可往复移动的吊梁。由于腔室门与吊梁连结,因此能够轻松地实施腔室门的上下方向的位置调整。
输送构件通过可装卸地保持基板的输送托盘来保持基板并向输送方向输送,并且具备向输送方向的上游侧返送输送托盘的返送构件,返送构件与真空腔室主体的开口部对置,并在板厚方向上隔开配置,一对导轨的一端侧安装于真空腔室主体的上端,另一端侧安装于返送构件的上端即可。由此,一对导轨被设为两端支承的状态,因此能够良好地支承作为重物的腔室门。并且,由于无需设置用于支承一对导轨的另一端侧的新部件,所以能够实现成膜装置整体的省空间化。
返送构件也可以以竖立状态返送输送托盘。由此,返送构件成为纵长并将导轨的另一端轻松地安装在返送构件的上端。因此,能够提高返送构件相对于基板的板厚方向的强度。
在吊梁的两端部设置有能够沿一对导轨行驶的导向辊,引导构件也可具有防止导向辊脱轨的脱轨防止机构。由此,防止悬挂在吊梁上的腔室门从一对导轨脱落,并能够提高腔室门的开闭作业的安全性。
在吊梁的两端部设置有能够沿一对导轨行驶的导向辊,引导构件可具有防止导向辊蛇行的蛇行防止机构。由此,能够使悬挂在吊梁上的腔室门顺畅地水平移动。
在一对导轨的一方行驶的导向辊的周面上可形成在周向连续的凹部或凸部,在导向辊所行驶的导轨上可形成与导向辊的凹部对应的凸部或与导向辊的凸部对应的凹部。由此,导向辊的移动方向被限制在板厚方向上,因此能够适当地防止导向辊的脱轨及蛇行。
在吊梁的两端部,可在导轨所延伸的方向上配置多个导向辊。由此,在导轨所延伸的方向上,吊梁在多个点被支承于导轨上,因此能够通过防止腔室门向导轨所延伸的方向摆动来使腔室门更加顺畅地移动。
发明效果:
根据本发明,提供一种能够确保消除了从地面突起的突起部的作业场所的成膜装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的成膜装置的俯视图。
图2是从正面侧表示腔室内的剖视图。
图3是从输送方向的前面表示成膜腔室内的剖视图。
图4是表示通过腔室门打开真空腔室主体的开口部的状态的立体图。
图5是从侧面表示夹具机构的图。
图6是从输送方向的前面表示成膜装置的剖视图。
图7是从正面侧放大表示引导构件及腔室门的一部分的图。
图8是从顶板侧放大表示引导构件及腔室门的一部分的图。
图9是从输送方向的前面放大表示引导构件及真空腔室的一部分的剖视图。
图中:10、67-输送装置(输送构件),20-输送托盘,30-真空腔室主体,31-开口部,40-腔室门,65-返回输送机(返送构件),70-维护平台,80-引导构件,82、83-导轨,84-吊梁,96、97-导向辊,100-成膜装置,101-基板,121~125-真空容器。
具体实施方式
参考附图对本发明所涉及的成膜装置进行说明。另外,表示“上”、“下”等方向的术语是基于附图所示的状态,为了便于说明而示出的。另外,图1~图9中,为了便于说明还示出有XYZ正交坐标系。
(成膜装置)
图1中示出的成膜装置100为用于对基板101(例如玻璃基板)实施成膜处理等的装置。成膜装置100为例如通过RPD法(反应性等离子体蒸镀法)进行成膜的装置。成膜装置100具备生成等离子体的等离子枪(蒸镀装置140),使用所生成的等离子体使成膜材料离子化,并通过使成膜材料的颗粒附着在基板101的表面来进行成膜。
成膜装置100具备过渡腔室121、缓冲腔室122、成膜腔室(成膜室)123、缓冲腔室124、过渡腔室125。这些真空腔室121~125以该顺序排列配置。所有真空腔室121~125通过真空容器构成,真空腔室121~125的出入口设置有开闭闸131~136。成膜装置100也可以是排列多个缓冲腔室122、124及成膜腔室123的结构。并且,也可以是由一连串的真空腔室构成的成膜装置。
各真空腔室121~125中连接有用于将内部设为适当的压力的真空泵(未图示)。并且,各真空腔室121~125中设置有用于监视腔室内的压力的真空计(未图示)。各真空腔室121~125中连通有与真空泵连接的真空排气管,该真空排气管上设置有真空计。
如图2所示,成膜装置100中设置有用于输送保持基板101的输送托盘20的输送装置10。输送装置10为在真空腔室121~125内以直立状态输送基板101及输送托盘20的装置(将在后面进行详细说明)。
(输送托盘)
接着,对输送托盘20进行说明。输送托盘20可使用于本实施方式的成膜装置100中,并且可装卸地保持基板101。输送托盘20在以直立状态输送基板101时保持基板101。使基板101直立的状态是基板101的板厚方向X成为水平方向的竖立状态。此时,基板101的成膜面沿上下方向(Z方向)配置。另外,也可以是在从基板101直立的状态倾斜的状态下保持保持基板101的结构。基板101的板厚方向X也可以是大致水平的方向,也可以为从水平方向倾斜。方向X为与上下方向(Z方向)正交且与基板101的输送方向Y正交的方向。
(真空腔室)
接着,对真空腔室121~125进行说明。如图1所示,过渡腔室121为通过开放设置于入口侧的开闭闸131而被大气开放且导入被处理的基板101及保持该基板101的输送托盘20的腔室。过渡腔室121的出口侧通过开闭闸132连接于缓冲腔室122的入口侧。
缓冲腔室122为通过开放设置于入口侧的开闭闸132而与过渡腔室121连通并导入通过过渡腔室121的基板101的压力调整用腔室。缓冲腔室122的出口侧通过开闭闸133连接于成膜腔室123的入口侧。并且,缓冲腔室122中设置有用于对基板101进行加热的加热器(未图示)。该加热器为了对基板101的成膜面(被成膜的面)进行加热而与成膜面对置配置。本实施方式中,由于基板101以直立状态配置,因此成膜面沿上下方向配置。缓冲腔室122中加热成基板温度达到例如200℃左右。缓冲腔室122设置于成膜腔室123的前级,作为对基板101进行加热的加热用腔室而发挥作用。
作为加热器能够使用例如灯式加热器。灯式加热器呈棒状且沿上下方向(Z方向)延伸。灯式加热器在缓冲腔室122内被设置有多个(例如12个),并在输送方向L(Y方向)上隔开规定间隔配置。加热器的热量被传递到基板101并加热基板101。
成膜腔室123为通过开放设置于入口侧的开闭闸133而与缓冲腔室122连通,并导入通过缓冲腔室122的基板101及输送托盘20,并在基板101上成膜薄膜层的处理腔室。成膜腔室123的出口侧通过开闭闸134连接于缓冲腔室124的入口侧。
成膜腔室123中设置有用于在基板101上成膜成膜材料(薄膜层)的蒸镀装置140。蒸镀装置140由保持成膜材料的主炉缸、向主炉缸照射等离子束的等离子枪等构成。并且,成膜腔室123中设置有用于对基板101进行加热的加热器。该加热器被设置成例如从基板101的背面101f(与成膜面101e相反侧的面)侧对基板101进行加热(参考图3)。成膜腔室123中,基板温度例如被维持在200℃左右。
缓冲腔室124为通过开放设置于入口侧的开闭闸134来与成膜腔室123连通,并导入通过成膜腔室123成膜的基板101及保持该基板的输送托盘20的压力调整用腔室。缓冲腔室124的出口侧通过开闭闸135连接于过渡腔室125的入口侧。并且,缓冲腔室124中设置有用于冷却基板101的冷却板(未图示)。该冷却板为了冷却基板101的成膜面而与基板101的成膜面对置配置。也可构成为具备从基板101的背面101f侧对基板101进行冷却的冷却板。缓冲腔室124被冷却成使基板温度成为例如120℃左右。缓冲腔室124被设置于成膜腔室123的后级,并作为对基板101进行冷却的冷却用腔室而发挥作用。另外,也可构成为在缓冲腔室124中未设置有冷却构件。也可以是在从真空腔室出来之后的大气压环境中,通过大气对基板101进行冷却(空冷)的结构。
对真空腔室121~125的结构进行更加详细的说明。如图2~图4所示,真空腔室121~125呈箱型,并具备真空腔室主体30和腔室门40,所述真空腔室主体具有顶板151、底板152、背面壁154、入侧壁155及出侧壁156,所述腔室门构成正面壁153。另外,图2及图3中,省略腔室门40的图示。
(真空腔室主体)
如图2及图3所示,构成真空腔室主体30的顶板151及底板152为在上下方向(Z方向)上对置配置的壁体。构成真空腔室主体30的入侧壁155及出侧壁156为在输送方向Y上对置配置的壁体。入侧壁155为入口侧的壁体,所述入口侧为向真空腔室121~125内搬入基板101及输送托盘20的一侧。出侧壁156为出口侧的壁体,所述出口侧为向真空腔室121~125的外部搬出基板101及输送托盘20的一侧。构成真空腔室主体30的背面壁154(参考图3)为在基板101的板厚方向(X方向)上对置配置的壁体。
入侧壁155上形成有用于向真空腔室121~125内搬入输送托盘20及基板101的入口(开口部)155a。出侧壁156上形成有用于向真空腔室121~125的外部搬出输送托盘20及基板101的出口(开口部)156a。
如图3所示,成膜腔室123配置成背面壁154的至少一部分向外侧(远离输送基板101的输送路径的方向)伸出,由此形成凹部154a。在该凹部154a配置有上述蒸镀装置140。成膜腔室123中,通过等离子枪生成等离子体,并对保持于主炉缸的成膜材料进行加热来使其蒸发。成膜材料蒸发后被离子化,成膜材料的颗粒在凹部154a内扩散。在凹部154a内扩散的成膜材料的颗粒朝向基板101飞行,并附着在基板101的表面(成膜面101e)。
顶板151及底板152在输送方向Y的一方的端部与入侧壁155接合,在输送方向Y的另一方的端部与出侧壁156接合(参考图2)。背面壁154在输送方向Y的一方的端部与入侧壁155接合,在输送方向Y的另一方的端部与出侧壁156接合。顶板151及底板152在背面侧与背面壁154接合。这些壁体151、152、154~156例如通过焊接而被一体结合。
真空腔室主体30具备构成对真空区域进行划分的6个面中的5个面的顶板151、底板152、背面壁154、入侧壁155及出侧壁156。因此,真空腔室主体30不具备正面壁153,而是由正面壁153构成的区域成为开放真空腔室121~125的内部的开口部31(参考图3、图4)。对真空腔室主体30的开口部31进行划分的顶板151、底板152、入侧壁155及出侧壁156的端面与后述的腔室门40抵接。沿与该腔室门40抵接的端面上的区域配置有O型环。
(腔室门)
接着,对腔室门40进行说明。如图4所示,腔室门40为对真空腔室121~125的开口部31进行开放或封闭的门。腔室门40在封闭真空腔室121~125的开口部31时作为真空腔室121~125的正面壁153而发挥作用,并与真空腔室主体30协同来划分真空区域。腔室门40配置于与开口部31对置的位置,并且通过后述的引导构件80从上方支承为可在板厚方向(X方向)移动。即,腔室门40被悬挂在引导构件80上,并能够在远离和靠近真空腔室主体30的方向上移动。
腔室门40具有从X方向观察时完全覆盖开口部31的平板状的门主体41。
作为主面41a的相反侧的背面41b上设置有用于提高门主体41的法线方向的强度的加强筋42。该加强筋42包含配置成格子状的多个第1加强筋42a和多个第2加强筋42b。第1加强筋42a具有平板状形状且以输送方向(Y方向)为板厚方向的方式固定于门主体41上。第2加强筋42b具有平板状形状且以上下方向(Z方向)为板厚方向的方式固定于门主体41上。腔室门40的法线方向(X方向)的强度通过这些第1加强筋42a、第2加强筋42b而提高,因此可抑制对真空腔室121~125内部进行减压时腔室门40的变形。
腔室门40的背面41b上固定有用于与引导构件80连结的2个连结支架43(参考图7)。连结支架43在腔室门40的背面41b的上部固定有2个,各连结支架43在输送方向(Y方向)上彼此分开。连结支架43的详细内容将在后面进行叙述。
(夹紧机构)
接着,对图5所示的夹紧机构50进行说明。通过腔室门40封堵真空腔室主体30的开口部31之后,对真空腔室121~125内进行减压。此时腔室门40与真空腔室主体30之间若存在间隙,则无法对真空腔室121~125内进行减压。因此,在腔室门40与真空腔室主体30之间无间隙的状态下,通过真空泵等开始进行减压。该夹紧机构50是用于将腔室门40压接于真空腔室主体30的机构,以消除真空腔室主体30的O型环与腔室门40之间的间隙。
夹紧机构50分别被设置于真空腔室主体30及腔室门40的四角(参考图4)。夹紧机构50具有:底座部51,其固定于真空腔室主体30的顶板151;气缸52,其与底座部51连结;夹紧部53,其与底座部51及气缸52连结;及接收部54,其设置于腔室门40。
气缸52具有缸筒52a、在缸筒52a的内部往复移动的活塞(未图示)、及一端连接于活塞,另一端向缸筒52a的外部突出的活塞杆52b。缸筒52a的后端相对于底座51可转动地连结。活塞杆52b的另一端能够转动地连结于夹紧部53的一端53a。夹紧部53具有大致曲柄状的形状,并且包含与气缸52的轴52b连结的一端53a、能够转动地连结于底座部51上的支承部53b、设置有与腔室门40抵接并将腔室门40向真空腔室主体30侧按压的辊55的另一端53c。
图5表示通过夹紧机构50将腔室门40向真空腔室主体30侧按压,以封闭真空腔室主体30的开口部31的状态。此时,气缸52使轴52b在基板101的板厚方向(正X方向)上移动。随着该移动,与轴52b连结的夹紧部53的一端53a仅转动规定角度。随着该一端53a的转动,夹紧部53的另一端53c向下方即真空腔室主体30侧移动,辊55嵌合在接收部54。因此,腔室门40被按压于真空腔室主体30。
当开放真空腔室主体30的开口部31时,使气缸52的轴52b向反方向移动。随着该移动,夹紧部53的一端53a向板厚方向的反方向(负X方向)移动,并且另一端53c向上方移动而辊55从腔室门40的接收部54离开。由此,腔室门40的夹紧状态被解除。
(输送装置)
接着,对输送基板101的输送装置10进行说明。如图2及图3所示,作为输送构件的输送装置10具备配置于基板101的下端侧的多个输送辊11、及配置于基板101的上端侧的多个从动辊(导向辊)12、13。
多个输送辊11在输送方向Y上以规定间隔配置。输送辊11如图3所示固定于向X方向延伸的旋转轴14。旋转轴14通过一对轴承19能够旋转地被支承。一对轴承19固定于底板152。
旋转轴14插穿于真空腔室121~125的背面壁154上设置的开口部154a中。开口部154a设置有能够旋转地支承旋转轴14并密封真空腔室121~125内与外部环境之间的轴封装置15。作为轴封装置15,例如能够使用磁性流体轴承。旋转轴14贯穿背面壁154,并从真空腔室121~125的内部延伸至外部。另外,旋转轴14可以是构成为一体物的轴,还可是通过在轴线方向上连结多个部件而构成的轴。
真空腔室121~125的外部设置有用于旋转驱动旋转轴14的驱动源(例如电动马达)16。从驱动源16输出的驱动力通过具有输送带轮17及环状输送带18的动力传递机构向多个旋转轴14传递。旋转轴14的配置于真空腔室121~125外部的端部上安装有多个输送带轮17。在输送方向Y上邻接的旋转轴14上设置的输送带轮17上架设有环状输送带18。同样,在驱动源16的输出轴上安装有输送带轮17,输出轴的输送带轮17及安装于邻接的旋转轴14的输送带轮17上架设有环状输送带18。由此,能够分配从驱动源16输出的驱动力而使多个旋转轴14旋转驱动。另外,动力传递机构不限定于具备环状输送带18及输送带轮17的机构,也可为其他动力传递机构。可为例如具备链条及链轮的机构,也可为具备其他动力传递轴等的机构。
并且输送辊11可以是具有配置成夹持输送托盘20的下端部的两侧的一对凸缘部的结构。由此凸缘部与输送托盘20的导轨的侧面(在X方向上对置的面)抵接而限制输送托盘20的X方向的位置。
从动辊12、13在输送方向Y上以规定的间隔配置。从动辊12、13围绕向Z方向延伸的轴能够旋转地支承于顶板151。作为从动辊12、13,能够使用滚动轴承。从动辊12、13可为其他旋转体。为了无冲击地顺畅地进行与输送托盘20接触时的旋转,从动辊12、13优选为旋转惯性较小。从动辊12、13能够与输送托盘20的导向槽的内壁抵接,并且随着输送托盘20的移动而旋转。
(台架)
接着,对支承真空腔室121~125的腔室台架60进行说明。如图6所示,腔室台架60为用于支承真空腔室121~125的台架。腔室台架60具有例如由截面呈矩形形状的结构用钢管构成的台架主体61、固定于真空腔室121~125的底板152上的铅直支承部62、及固定于背面壁154上的水平支承部63。并且,腔室台架60具有支承后述的导轨82、83的导轨支承部64。
(布局)
如图1所示,输送装置10输送(返送)从真空腔室125排出的输送托盘,再搬入到真空腔室121。输送装置10为了能够反复使用输送托盘20,形成为输送托盘20的输送路径L(L1~L4)在俯视时呈矩形的环绕轨道(输送路径L)。
输送托盘20的输送路径具备:第1输送路径L1,其向图示Y方向延伸;第2输送路径L2,在第1输送路径L1的下游向图示X方向延伸;第3输送路径L3,在第2输送路径L2的下游向Y方向延伸,且向第1输送路径L1的反方向输送输送托盘20;及第4输送路径L4,在第3输送路径L3的下游向X方向延伸,且向第2输送路径L2的反方向输送输送托盘20。第4输送路径L4的下游侧与第1输送路径L1的上游侧连接。
第1输送路径L1、第2输送路径L2、第3输送路径L3、第4输送路径L4在俯视时以直线形成。第1输送路径L1及第3输送路径L3平行配置,第2输送路径L2及第4输送路径L4平行配置。输送托盘20通过第1输送路径L1、第2输送路径L2、第3输送路径L3、第4输送路径L4之后,再次进入到第1输送路径L1。上述真空腔室121~125构成第1输送路径L1。
第1输送路径L1及第3输送路径L3中,向与板厚方向交叉的方向(Y方向)输送输送托盘20。第2输送路径L2及第4输送路径L4中,向板厚方向(X方向)输送输送托盘20。由此,在各输送路径的连接点,输送托盘20不改变姿势而改变输送方向,因此能够缩短装置整体的输送时间。并且,由于不再需要改变输送托盘20的姿势的机构,因此能够防止装置变得复杂。
成膜装置100具备:第5输送路径L5(基板输送机构),其以水平状态输送成膜前的基板101,并使其从环绕轨道(L1~L4)的外侧向内侧通过;及第6输送路径L6,其以水平状态输送成膜后的基板101,并使其从环绕轨道(L1~L4)的内侧向外侧通过。
第5输送路径L5在过渡腔室121的上游侧以横切第1输送路径L1的方式在X方向上形成。第5输送路径L5和第1输送路径L1的交叉点上配置有用于将基板101安装于输送托盘20的基板安装装置160A。第5输送路径L5由在环绕轨道的外侧向X方向输送基板101的基板搬入输送带195及基板安装装置160A的输送辊构成。成膜前的基板101通过第5输送路径L5而横切第1输送路径L1,并从环绕轨道的外侧被搬入到内侧,被成膜装置100接受。另外,基板安装装置160A具备支承输送托盘20的托盘倾斜框架。并且,基板安装装置160A构成为能够将托盘倾斜框架的姿势切换为以直立状态保持输送托盘20的第1姿势和以水平状态保持输送托盘20的第2姿势。并且,第5输送路径L5还可以以横切例如第3输送路径L3、第4输送路径L4等其他输送路径的方式形成。
第6输送路径L6在过渡腔室125的下游侧以横切第1输送路径L1的方式在X方向上形成。第6输送路径L6与第1输送路径L1的交叉点上配置有用于从输送托盘20装卸基板101的基板脱离装置160B。另外,基板脱离装置160B具有与基板安装装置160A相同的结构。
第6输送路径L6向第5输送路径L5的反方向输送基板101。第6输送基板L6由在环绕轨道的外侧向X方向输送基板的基板搬出输送带196及基板脱离装置160B的输送辊构成。成膜后的基板101通过基板脱离装置160B从输送托盘20装卸下来之后,通过第6输送路径L6而横切第1输送路径L1,从环绕轨道的内侧向外侧被输送,成膜后的基板101被回收。被回收的基板101向成膜装置100外搬出。另外,第6输送路径L6还可以以横切例如第2输送路径L2、第3输送路径L3等其他输送路径的方式形成。
(返送构件)
在此,对作为返送构件的返回输送机65进行说明。返回输送机65构成向设置于真空腔室121~125的输送装置10的输送方向L1的反方向输送输送托盘20的第3输送路径L3。如图6所示,返回输送机65具有主框架66和配置于主框架66上的输送装置67。主框架66对输送输送托盘20的空间进行划分,例如组合多个结构用钢管而构成。
在主框架66内,以竖立状态向上游侧返送输送托盘20。因此,主框架66具有上下方向(Z方向)及输送方向(Y方向)的长度大于基板101的厚度方向(X方向)的长度的壁状的外形形状。输送装置67具有与设置于真空腔室121~125的输送装置10相似的结构。输送装置67具备配置于输送托盘20的下端面侧的多个输送辊及配置于输送托盘20的上端侧的多个从动辊。
(维护平台)
接着,对维护平台70进行说明。维护平台70为在进行真空腔室121~125的维护作业等时用于确保操作人员M所进入的作业场所的平台。并且,具有作为用于设置与真空腔室121~125连接的配管及配线71的实用性的功能。
维护平台70设置于真空腔室121~125与返回输送机65之间。维护平台70具备位于比真空腔室121~125的底板152稍微靠下侧的地板72、及支承地板72的多个腿部73。维护平台70的地板72与设置有成膜装置100的地面G之间敷设有与真空腔室121~125连接的配管及配线71。并且,维护平台70的地板72由于配置于比真空腔室121~125的底板152稍微靠下侧,因此地板72与腔室门40的下端40a之间形成有规定空隙H。
(引导构件)
接着,对引导构件进行说明。如图6~图9所示,引导构件80用于悬挂腔室门40,并且能够向板厚方向(X方向)水平移动地引导腔室门40。引导构件80具有向板厚方向(X方向)延伸的一对导轨组81及架设于导轨组81所包含的2条导轨82、83之间的吊梁84。
(导轨)
如图6所示,导轨82、83的第1端部E1通过安装部件151a安装于真空腔室主体30的上端,即顶板151上。更详细而言,在顶板151的开口部31侧,导轨82、83安装于顶板151上。并且,导轨82、83的第1端部E1的前端安装于腔室台架60的导轨支承部64上。导轨82、83的第2端部E2安装于返回输送机65的主框架66的上端66a。腔室台架60的导轨支承部64、真空腔室121~125的顶板151、返回输送机65的主框架66的上端66a为大致相同的高度,因此安装于这些部件的导轨82、83保持水平状态。
如图7所示,导轨82、83为例如截面呈U字形(通道形状)的沟槽式钢,在输送方向(Y方向)上彼此分开而水平配置。导轨82、83具有筋板W和从筋板W的两端向与筋板W正交的方向立设的2个折边F,且具有被筋板W及折边F包围的凹部82a、83a。2个导轨82、83配置成该凹部82a、83a彼此相对。
一方导轨82的下侧的折边F1上配置有导向件85。并且,另一方导轨83的下侧的折边F1上配置有导向件86。导向件85、86为后述的导向辊96、97所行驶的行驶路径。导向件85向基板101的板厚方向(X方向)延伸,在与导向辊96的接触面87上向板厚方向(X方向)延伸设置有与导向辊96的凹部96a对应的凸部87a。导向件86向板厚方向(X方向)延伸,并且与导向辊97的接触面88大致平坦地形成。
(吊梁)
吊梁84具有架设于导轨82、83之间的主横梁91和分别固定于主横梁91的两端的辊保持部92。吊梁84具有从Z方向观察时呈大致H状的外形形状(参考图8)。
主横梁91中能够使用例如截面呈矩形形状的结构用钢管。在主横梁91上固定有与腔室门40的连结支架43连结的悬挂支架93。悬挂支架93设置于相对于连结支架43在上下方向(Z方向)上对应的位置上。
连结支架43和悬挂支架93通过形成有螺纹部的连结螺栓94而被连结。更加具体而言,连结螺栓94在一端94a侧配置有定位用螺母95,从另一端94b侧插通于连结支架43的贯穿孔。贯穿孔具有比螺母95的外径小的内径。因此,连结支架43被螺母95支承。另外,螺母95的位置通过使该螺母95旋转而在上下方向移动,因此能够轻松地调整腔室门40的上下方向的位置。而且,连结螺栓94的另一端94b被螺合于设置在悬挂支架93的内螺纹部而被固定,由此腔室门40连结于吊梁84。
辊保持部92将导轨82、83所延伸的方向作为长边方向而配置,在辊保持部92的长边方向的大致中央被焊接固定于主横梁91(参考图8及图9)。各辊保持部92的两端部旋转自如地安装有导向辊96、97。即,本实施方式的辊保持部92上安装有2个导向辊96、97。
如图7所示,在具有导轨82的凸部87a的导向件85上转动的导向辊96具有在与导轨82的凸部87a对应的形状的周向上连续的凹部96a。这样通过组合导轨82的凸部87a和导向辊96的凹部96a,导向件85上的导向辊96的移动方向仅限制于X方向上,因此可防止吊梁84的蛇行及脱轨。因此,本实施方式的蛇行防止机构及脱轨防止机构由导轨82的凸部87a和导向辊96的凹部96a构成。另外,在导轨83的导向件86上转动的导向辊97具有包含在导轨83的导向件86上转动的平坦的圆周面97a的圆筒形状。
成膜装置100中,引导腔室门40能够向基板101的板厚方向(X方向)水平移动,因此通过使腔室门40向远离真空腔室主体30的方向(正X方向)移动,由此能够打开开口部31。并且,通过使腔室门40向靠近真空腔室主体30的方向(负X方向)移动,由此能够关闭开口部31。而且,该腔室门40通过引导构件80下降并且被向水平方向(X方向)引导。由此,无需在腔室门40的下方及腔室门40所移动的维护平台70上设置用于移动及支承腔室门40的导轨等部件。因此,能够确保消除了从维护平台70的地板72突起的突起部的作业场所。
腔室门40通过固定于腔室门40的连结支架43、固定于吊梁84的悬挂支架93及连结螺栓94而悬挂在吊梁84上。因此,能够轻松地实施腔室门40的上下方向(Z方向)的位置调整。另外,根据悬挂腔室门40的结构,在进行真空腔室121~125的减压作业时,能够提高腔室门40相对于真空腔室主体30的融合性。
然而,通过设置于维护平台的地面的导轨等引导及支承腔室门时,在使腔室门移动时有可能颠倒。因此,为了防止腔室门颠倒,需要在腔室门的下部设置防止颠倒用支承结构。另外,通过设置于维护平台的地面上的导轨等支承腔室门时,由于腔室门为重物,因此需要提高维护平台的强度。另一方面,本实施方式的腔室门40连结于吊梁84上而被悬挂,因此不会颠倒,无需设置防止颠倒用的支承结构。因此,能够提高腔室门40的开闭作业的安全性,并且能够实现腔室门40的开闭区域的省空间化。而且,由于维护平台70不支承腔室门40的重量,因此能够抑制由强度要件的追加等引起的维护平台70的结构的复杂化,并能够简化维护平台70的结构。
一对导轨81的一端侧安装于真空腔室主体30,另一端侧安装于返回输送机65。由此,一对导轨81成为两端支承的状态,因此能够良好地悬挂作为重物的腔室门40。
另外,一对导轨81的一端侧的前端还安装于腔室台架60,因此能够进一步提高一对导轨81的安装强度。并且,真空腔室主体30的顶板151上安装有一对导轨81,因此能够通过提高顶板151的法线方向上的强度来抑制真空腔室121~125减压时的顶板151的变形。另外,在顶板151易变形的开口部31附近,导轨82、83安装于顶板151,因此能够更好地抑制顶板151的变形。并且,无需设置用于支承一对导轨81的另一端侧的新的部件,因此能够实现成膜装置100整体的省空间化。
返回输送机65以竖立状态返送输送托盘20。由此,返回输送机65的主框架66呈纵长,能够将导轨82、83的另一端轻松地安装于主框架66的上端。并且,返回输送机65的主框架66为单体时具有壁状的外形形状,因此与上下方向(Z方向)的强度相比,与输送方向(Y方向)正交的方向(X方向)的强度较弱。本实施方式的主框架66的上端被安装于导轨82、83。因此,导轨82、83作为向与输送方向(Y方向)正交的板厚方向(X方向)的强度要件而发挥作用,因此能够提高板厚方向(X方向)的强度。另外,主框架66的板厚方向(X方向)的强度通过导轨82、83加强,因此能够缩小主框架66的X方向的宽度尺寸。
在吊梁84的两端部设置有能够沿一对导轨81行驶的导向辊96、97。引导构件80具有防止导向辊96、97脱轨的脱轨防止机构。由此,能够防止被支承于吊梁84的腔室门40从一对导轨81脱落,并提高腔室门4的开闭作业的安全性。
引导构件80具有防止导向辊96、97蛇行的蛇行防止机构。由此,能够使支承于吊梁84的腔室门40顺畅地水平移动。并且,腔室门40相对于导轨82、83平行地移动,因此无需通过多个操作者M来均等地推拉腔室门40以免旋转力矩作用于腔室门40,能够由操作者M一人开闭腔室门40。
在导轨82上行驶的导向辊96的周面上形成有在周向上连续的凹部96a,在导向辊96行驶的导轨82的导向件85上形成有与导向辊96的凹部96a对应的凸部87a。由此,导向辊96的移动方向仅限制于板厚方向(X方向),因此能够良好地防止导向辊96的脱轨及蛇行。
在吊梁84的两端部上,在导轨82、83所延伸的方向(X方向)上配置有多个导向辊96、97。由此,在导轨82、83所延伸的方向(X方向)上,吊梁84在多个点被支承于导轨82、83上,因此能够防止腔室门40向导轨82、83所延伸的方向(X方向)摆动而能够使腔室门40更加顺畅地移动。
以上,根据实施形态对本发明进行了具体说明。本发明不限于上述实施方式。本发明的成膜装置不限于离子镀法,也可适用于其他成膜法(例如溅射法等)。
本发明的成膜装置及成膜装置用托盘不限于使基板直立来进行输送,也可以使基板倾斜来进行输送。例如,也可构成为通过使上述成膜装置及输送托盘倾斜来输送倾斜的基板。例如,输送辊的周面也可以是形成为与旋转轴线交叉的周面。也可以是使用使基板倾斜而支承的输送托盘来输送基板的成膜装置。使基板倾斜时的倾斜角度可以是相对于铅垂方向呈0°~15°左右。
本发明的引导构件80也可以是在导向辊96上形成凸部,并在导轨82的导向件85上形成凹部,与该凹部对应的凸部形成于导向辊96的结构。并且,这种导向件85及导向辊96的凹凸不仅可以设置于导轨82侧,还可设置于导轨83侧的导向件86及导向辊97。并且,在1条导轨82、83上行驶的导向辊96、97的数量不限定在2个,辊保持部92也可具有2个以上的导向辊96、97。
本发明中为操作者M通过手动来使腔室门40移动的结构,但也可使用在水平方向驱动吊梁84的驱动源来移动腔室门40。例如,能够将用于使导向辊96、97旋转的高扭矩马达用作驱动源,并且,也可将使用滚珠丝杠的直线导向件用作驱动源。
本发明中将真空腔室121~125的正面壁153的整体作为腔室门40,但也可将正面壁153的一部分作为腔室门40。此时,例如正面壁153固定于顶板151、底板152、背面壁154、入侧壁155及出侧壁156,并可由具有矩形形状的开口部的大致口字型的正面壁和堵塞能够向水平方向移动的开口部的腔室门构成。
本发明中,开放真空腔室的内部的开口部31及堵塞开口部31的腔室门40设置于正面壁153侧,但开口部及腔室门也可设置于背面壁154侧。并且,开口部及腔室门还可设置于正面壁153侧和背面壁154这两者上。
本发明中,引导构件80具有用于蛇行防止机构及脱轨防止机构的导轨82的凸部87a和导向辊96的凹部96a。也可以是引导构件80的导轨82不具备凸部87a,并且导向辊96不具备凹部96a的结构。并且,本发明中,在引导构件80中导向辊96、97设置于吊梁84,但也可设置于一对导轨81侧。
另外,脱轨防止机构及蛇行防止机构不限定于上述实施方式所记载的结构。例如,也可具有导轨和导向辊,所述导轨具有平坦的行驶面,所述导向辊具有与行驶面抵接的没有凹凸的周面。在这种结构中,在导轨上配置有以在导向辊的旋转轴方向上夹住导向辊的方式配置的球面轴承。根据这种结构,在导轨所延伸的方向上,导向辊在行驶面转动,由此能够使腔室门仅向X方向移动。另外,通过以夹住导向辊的方式配置的球面轴承来限制向Y方向的移动。因此,能够使腔室门仅向X方向移动而不使其脱轨及蛇行。
并且,上述实施方式中,构成为使成膜腔室123的一部分壁体开闭自如,但其他腔室也可构成为与成膜腔室123同样使一部分壁体开闭自如。

Claims (8)

1.一种成膜装置,其对基板进行成膜处理,其特征在于,具备:
真空腔室主体,其具有输送构件并形成有开放内部的开口部,所述输送构件在使所述基板竖立成所述基板的板厚方向成为水平方向的状态下,能够向与所述板厚方向交叉的输送方向输送所述基板;
腔室门,其能够开闭所述真空腔室主体的所述开口部;及
引导构件,其设置于所述真空腔室主体的上方并以能够向所述板厚方向水平移动的方式引导所述腔室门。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述引导构件具有:
一对导轨,在所述板厚方向延伸并在所述输送方向上隔开配置;及
吊梁,其架设于所述一对导轨之间并与所述腔室门连结,沿所述导轨可往复移动。
3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
所述输送构件通过可装卸地保持所述基板的输送托盘来保持所述基板并向所述输送方向输送,
所述成膜装置具备向所述输送方向的上游侧返送所述输送托盘的返送构件,
所述返送构件与所述真空腔室主体的开口部对置,并在所述板厚方向上隔开配置,
所述一对导轨的一端侧安装于所述真空腔室主体的上端,另一端侧安装于所述返送构件的上端。
4.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,
所述返送构件以竖立状态返送所述输送托盘。
5.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
在所述吊梁的两端部设置有能够沿所述一对导轨行驶的导向辊,
所述引导构件具有防止所述导向辊脱轨的脱轨防止机构。
6.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,
在所述吊梁的两端部设置有能够沿所述一对导轨行驶的导向辊,
所述引导构件具有防止所述导向辊蛇行的蛇行防止机构。
7.根据权利要求5或6所述的成膜装置,其特征在于,
在所述一对导轨的一个导轨上行驶的所述导向辊的周面形成有沿周向连续的凹部或凸部,
所述导向辊所行驶的所述导轨上形成有与所述导向辊的所述凹部对应的凸部,或与所述导向辊的所述凸部对应的凹部。
8.根据权利要求5或6所述的成膜装置,其特征在于,
所述吊梁的所述两端部上,在所述导轨所延伸的方向上配置有多个所述导向辊。
CN201310269243.0A 2012-10-10 2013-06-28 成膜装置 Pending CN103726016A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-225324 2012-10-10
JP2012225324A JP2014077170A (ja) 2012-10-10 2012-10-10 成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103726016A true CN103726016A (zh) 2014-04-16

Family

ID=50450304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310269243.0A Pending CN103726016A (zh) 2012-10-10 2013-06-28 成膜装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2014077170A (zh)
KR (1) KR20140046368A (zh)
CN (1) CN103726016A (zh)
TW (1) TW201414658A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104630738A (zh) * 2015-01-05 2015-05-20 常州碳维纳米科技有限公司 一种在高温、真空下连续生长薄膜的方法
CN110184590A (zh) * 2019-06-26 2019-08-30 苏州卫鹏机电科技有限公司 翻转滑动式腔门结构、等离子真空腔体及等离子处理设备
CN110678576A (zh) * 2017-06-14 2020-01-10 株式会社爱发科 真空处理装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106997863B (zh) * 2017-05-18 2023-11-10 深圳新益昌科技股份有限公司 一种用于led固晶机的支架自动供料系统及其运行方法
CN115287621B (zh) * 2022-08-10 2024-05-07 圣思科技(廊坊)有限公司 应用于功能涂层真空镀膜设备的自动传输结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012072478A (ja) * 2010-09-30 2012-04-12 Canon Tokki Corp 成膜装置
US20120112406A1 (en) * 2010-11-09 2012-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Sheet conveying apparatus and image forming apparatus
CN102549190A (zh) * 2009-08-26 2012-07-04 佳能安内华股份有限公司 成膜设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102549190A (zh) * 2009-08-26 2012-07-04 佳能安内华股份有限公司 成膜设备
JP2012072478A (ja) * 2010-09-30 2012-04-12 Canon Tokki Corp 成膜装置
US20120112406A1 (en) * 2010-11-09 2012-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Sheet conveying apparatus and image forming apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104630738A (zh) * 2015-01-05 2015-05-20 常州碳维纳米科技有限公司 一种在高温、真空下连续生长薄膜的方法
CN110678576A (zh) * 2017-06-14 2020-01-10 株式会社爱发科 真空处理装置
CN110678576B (zh) * 2017-06-14 2022-03-22 株式会社爱发科 真空处理装置
CN110184590A (zh) * 2019-06-26 2019-08-30 苏州卫鹏机电科技有限公司 翻转滑动式腔门结构、等离子真空腔体及等离子处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201414658A (zh) 2014-04-16
JP2014077170A (ja) 2014-05-01
KR20140046368A (ko) 2014-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103726016A (zh) 成膜装置
CA1312469C (fr) Procede et dispositifs pour le bombage de vitrages
CN105264110B (zh) 成膜装置
JP2010518604A (ja) ガラスシートの半導体コーティングシステムおよび方法および得られる製品
CN109178810A (zh) 一种直线式分拣装置
JP2012136724A (ja) 巻取り式連続成膜装置
CN102470986A (zh) 物品移载装置及具备该装置的塔式起重机
CN103726010A (zh) 成膜装置用基板传送托盘及外部开闭驱动装置
CN117206119B (zh) 一种防静电地板生产加工喷涂设备以及方法
CN106639409A (zh) 两轮车车库及智能化两轮车车库
CN105215343B (zh) 一种电炉至浇注机的铁水包自动输送系统
CN206705259U (zh) 玻璃传送装置及玻璃缓存设备
CN206581664U (zh) 承载限位机构及两轮车车库
CN104724309B (zh) 一种锥形瓶饮料的装箱输送系统
CN216473464U (zh) 一种圆型悬浮式镀膜机
CN206886041U (zh) 一种天桥转运结构
CN206437574U (zh) 片烟烟箱翻转装置
CN206842324U (zh) 一种购物用手推车运送系统
CN206376008U (zh) 一种自动化的激光熔覆制备装置
CN106081531B (zh) 钢材加工流水线
CN108749130A (zh) 一种用于纸箱的纸板印刷的输送设备
JP2014078602A (ja) 基板搬送トレイ起伏装置
KR20160005711A (ko) 운반 디바이스
KR100227036B1 (ko) 벽강관 이음쇠 반송 초벌용접장치
CN208120148U (zh) 冷却壁运输转向装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140416