CN103710548A - 铝/铝合金高效除硅熔剂及其制备方法、用途 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铝/铝合金高效除硅熔剂及其制备方法、用途;所述除硅熔剂包括NaCl、KCl、LiCl,所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔分数分别为0.13~0.17,0.35~0.4,0.43~0.48。本发明还涉及前述的除硅熔剂的制备方法,将除硅熔剂中各组分按配比取料,加热,烘干,混合均匀,研磨,干燥,密封保存,即可得铝/铝合金高效除硅熔剂。本发明还涉及前述除硅熔剂的用途,所述除硅熔剂用于铝或铝合金材料中硅的去除。本发明铝/铝合金高效除硅熔剂中铝的熔点低、电导率高,本发明方法制得的除硅熔剂除硅效率高,成本低,工艺简单,易于操作,用途广泛等优点,有用于铝的工业化生产前景。
Description
技术领域
本发明属于金属材料及冶金类技术领域,特别地,涉及一种铝/铝合金高效除硅熔剂及其制备方法、用途。
背景技术
铝在地壳中的含量较高,且其密度小,比强度比刚度高,耐腐蚀性强,因此,铝及其合金在实际的应用中非常广泛。铝是20世纪发展最快的金属材料,目前铝在全球有色金属的用量已位列第一。随着科技的发展及铝冶金、加工技术的不断进步,铝及其合金的应用领域更加广泛,用量仍会继续增加。我国作为世界经济大国,铝合金的产量已跃居全球首位。在未来一段时间,我国很可能成为世界上铝的用量增长最快的国家。随着铝用量的增加全球也面临着一个紧迫的问题:优质铝土矿资源也在不断减少。目前,已形成共识的解决方式是对铝的废旧零部件回收再利用——再生铝合金。回收铝及铝合金含有很多的夹杂物,必须采取有效的方式去除。目前,关于再生铝合金净化的研究很多,提出了很多有效的去除铝中氧化物、铁相的方法,但是关于高效除硅的方法还非常少。在铝及铝合金成分中,硅是常见的金属夹杂,来源非常广泛,熔炼过程中接触到的耐火材料、工具、涂料都会增加铝中的硅含量,同时这种夹杂也很难去除。从工业纯铝和铝合金对硅含量的要求可以发现,硅夹杂非常常见,却难以去除。硅在铝中容易形成尺寸较大的夹杂相,降低铝合金的塑性、断裂韧性、耐蚀性能等。目前,铝的除硅方法主要有偏析法、电磁净化及合金化方法,这些方法虽有一定的除硅效果,但这些方法都有一定的局限性,电磁净化法在生产的规模上受到限制,合金化法容易带入新的夹杂。因此,无论从再生铝合金净化还是从提高纯铝纯度的角度来看,寻找一种有效的除硅方法是非常有意义的。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的是提供一种铝/铝合金高效除硅熔剂及其制备方法、用途,此处的铝/铝合金是指铝和/或铝合金。
本发明是通过以下技术方案实现的:
第一方面,本发明提供一种铝/铝合金高效除硅熔剂,所述除硅熔剂包括NaCl、KCl、LiCl,所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔分数分别为,0.13~0.17,0.35~0.4,0.43~0.48。
所述NaCl、KCl、LiCl采用的均是分析纯试剂。
第二方面,本发明还涉及前述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,所述方法包括如下步骤:将除硅熔剂中各组分按配比取料,加热,烘干,混合均匀,研磨,干燥,密封保存,即可得铝/铝合金高效除硅熔剂。
优选地,所述加热温度为100~150℃。
优选地,所述烘干时间为20~30h。
优选地,所述研磨时间为25~55min。
优选地,所述干燥时间为40~48h。
第三方面,本发明涉及前述的铝/铝合金高效除硅熔剂的用途,所述除硅熔剂用于铝或铝合金材料中硅的去除。
优选地,所述铝或铝合金材料中硅的去除具体方法如下:
步骤一,清除电渣炉底板、结晶器托板、结晶器内壁、电极夹头部位的表面污物;
步骤二,将电渣炉的底板、结晶器托板、引弧剂、结晶器调整至正确位置,让电极对准结晶器中心;
步骤三,预热结晶器,引弧操作,电弧产生后,加入所述铝/铝合金高效除硅熔剂;
步骤四,待熔剂完全熔化后,微调电流、电压参数,并将电渣炉设为自动控制档,进行铝的精炼;
步骤五,待电极熔化至电极的夹头附近时,切断电源,结晶器水冷,去除铸锭表面渣皮,得到除硅后的铝/铝合金铸锭。
优选地,步骤三中,所述结晶器的预热温度为300~400℃。
优选地,步骤四中,所述电流参数为500~700A、电压参数为26~30V。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
1、本发明铝/铝合金高效除硅熔剂中铝的熔点低、电导率高;
2、本发明方法制备的铝/铝合金高效除硅熔剂具有:除硅效率高,成本低,工艺简单,易于操作,用途广泛等优点,有用于铝的工业化生产前景。
3、本发明方法制备的铝/铝合金高效除硅熔剂的除硅率大于50%。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
本实施例涉及一种铝/铝合金高效除硅熔剂,所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔分数分别为0.17,0.38,0.45。
本实施例还涉及前述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,所述方法包括如下步骤:将除硅熔剂中各组分按配比取料,加热100℃,烘干20h,混合均匀,研磨30min,干燥48h,密封保存,即可得铝/铝合金高效除硅熔剂。
本实施例还涉及前述铝/铝合金高效除硅熔剂的用途,具体为:
步骤一,清除电渣炉底板、结晶器托板、结晶器内壁、电极夹头部位的表面污物;
步骤二,将电渣炉的底板、结晶器托板、引弧剂、结晶器调整至正确位置,让电极对准结晶器中心,其中采用φ40×750mm的1050铝棒作为电极;
步骤三,预热结晶器至300℃左右,立即开始引弧操作,电弧产生后,加入所述铝/铝合金高效除硅熔剂;
步骤四,待熔剂完全熔化后,微调电流至26~30V、电压至500~700A,并将电渣炉设为自动控制档,进行铝的精炼;
步骤五,待电极熔化至电极的夹头附近时,切断电源,结晶器水冷,去除铸锭表面渣皮,得到除硅后的铝/铝合金铸锭。
实施效果:本实施例制备得到的铝/铝合金铸锭;经ICP取样分析表明,电渣精炼后硅含量由原来的0.0332~0.0528wt%降低至0.0237~0.0251wt%,最大除硅率大于50%。
实施例2
本实施例涉及一种铝/铝合金高效除硅熔剂,所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔分数分别为0.15,0.375,0.475。
本实施例还涉及前述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,所述方法包括如下步骤:将除硅熔剂中各组分按配比取料,加热100℃,烘干24h,混合均匀,研磨30min,干燥48h,密封保存,即可得铝/铝合金高效除硅熔剂。
本实施例还涉及前述铝/铝合金高效除硅熔剂的用途,具体为:
步骤一,清除电渣炉底板、结晶器托板、结晶器内壁、电极夹头部位的表面污物;
步骤二,将电渣炉的底板、结晶器托板、引弧剂、结晶器调整至正确位置,让电极对准结晶器中心,其中采用φ40×750mm的1050铝棒作为电极;
步骤三,预热结晶器至300℃左右,立即开始引弧操作,电弧产生后,加入所述铝/铝合金高效除硅熔剂;
步骤四,待熔剂完全熔化后,微调电流至26~30V、电压至500~700A,并将电渣炉设为自动控制档,进行铝的精炼;
步骤五,待电极熔化至电极的夹头附近时,切断电源,结晶器水冷,去除铸锭表面渣皮,得到除硅后的铝/铝合金铸锭。
实施效果:本实施例制备得到的铝/铝合金铸锭;经ICP取样分析表明,电渣精炼后硅含量由原来的0.0332~0.0528wt%降低至0.0188~0.0244wt%,最大除硅率大于50%。
实施例3
本实施例涉及一种铝/铝合金高效除硅熔剂,所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔分数分别为0.13,0.4,0.48。
本实施例还涉及前述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,所述方法包括如下步骤:将除硅熔剂中各组分按配比取料,加热150℃,烘干20h,混合均匀,研磨25min,干燥40h,密封保存,即可得铝/铝合金高效除硅熔剂。
本实施例还涉及前述铝/铝合金高效除硅熔剂的用途,具体为:
步骤一,清除电渣炉底板、结晶器托板、结晶器内壁、电极夹头部位的表面污物;
步骤二,将电渣炉的底板、结晶器托板、引弧剂、结晶器调整至正确位置,让电极对准结晶器中心,其中采用φ40×750mm的1050铝棒作为电极;
步骤三,预热结晶器至300℃左右,立即开始引弧操作,电弧产生后,加入所述铝/铝合金高效除硅熔剂;
步骤四,待熔剂完全熔化后,微调电流至26~30V、电压至500~700A,并将电渣炉设为自动控制档,进行铝的精炼;
步骤五,待电极熔化至电极的夹头附近时,切断电源,结晶器水冷,去除铸锭表面渣皮,得到除硅后的铝/铝合金铸锭。
实施效果:本实施例制备得到的铝/铝合金铸锭;经ICP取样分析表明,电渣精炼后硅含量由原来的0.0332~0.0528wt%降低至0.0229~0.0239wt%,最大除硅率大于50%。
实施例4
本实施例涉及一种铝/铝合金高效除硅熔剂,所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔分数分别为0.17,0.35,0.43。
本实施例还涉及前述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,所述方法包括如下步骤:将除硅熔剂中各组分按配比取料,加热150℃,烘干20h,混合均匀,研磨25min,干燥40h,密封保存,即可得铝/铝合金高效除硅熔剂。
本实施例还涉及前述铝/铝合金高效除硅熔剂的用途,具体为:
步骤一,清除电渣炉底板、结晶器托板、结晶器内壁、电极夹头部位的表面污物;
步骤二,将电渣炉的底板、结晶器托板、引弧剂、结晶器调整至正确位置,让电极对准结晶器中心,其中采用φ40×750mm的1050铝棒作为电极;
步骤三,预热结晶器至300℃左右,立即开始引弧操作,电弧产生后,加入所述铝/铝合金高效除硅熔剂;
步骤四,待熔剂完全熔化后,微调电流至26~30V、电压至500~700A,并将电渣炉设为自动控制档,进行铝的精炼;
步骤五,待电极熔化至电极的夹头附近时,切断电源,结晶器水冷,去除铸锭表面渣皮,得到除硅后的铝/铝合金铸锭。
实施效果:本实施例制备得到的铝/铝合金铸锭;经ICP取样分析表明,电渣精炼后硅含量由原来的0.0332~0.0528wt%降低至0.0211~0.0247wt%,最大除硅率大于50%。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明做任何形式上的限制,任何未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均属于本发明技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种铝/铝合金高效除硅熔剂,其特征在于,所述除硅熔剂包括NaCl、KCl、LiCl,所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔分数分别为:0.13~0.17,0.35~0.4,0.43~0.48。
2.如权利要求1所述的铝/铝合金高效除硅熔剂,其特征在于,所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔之比为0.15:0.375:0.475。
3.一种如权利要求1所述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:将除硅熔剂中各组分按配比取料,加热,烘干,混合均匀,研磨,干燥,密封保存,即可得铝/铝合金高效除硅熔剂。
4.如权利要求3所述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,其特征在于,所述加热温度为100~150℃。
5.如权利要求3所述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,其特征在于,所述烘干时间为20~30h。
6.如权利要求3所述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,其特征在于,所述研磨时间为25~55min。
7.如权利要求3所述的铝/铝合金高效除硅熔剂的制备方法,其特征在于,所述干燥时间为40~48h。
8.一种如权利要求1所述的铝/铝合金高效除硅熔剂的用途,其特征在于,所述除硅熔剂用于铝或铝合金材料中硅的去除。
9.如权利要求8所述的铝/铝合金高效除硅熔剂的用途,其特征在于,所述铝或铝合金材料中硅的去除具体方法如下:
步骤一,清除电渣炉底板、结晶器托板、结晶器内壁、电极夹头部位的表面污物;
步骤二,将电渣炉的底板、结晶器托板、引弧剂、结晶器调整至正确位置,让电极对准结晶器中心;
步骤三,预热结晶器,引弧操作,电弧产生后,加入所述铝/铝合金高效除硅熔剂;
步骤四,待熔剂完全熔化后,微调电流、电压参数,并将电渣炉设为自动控制档,进行铝的精炼;
步骤五,待电极熔化至电极的夹头附近时,切断电源,结晶器水冷,去除铸锭表面渣皮,得到除硅后的铝/铝合金铸锭。
10.如权利要求9所述的铝/铝合金高效除硅熔剂的用途,其特征在于,步骤三中,所述结晶器的预热温度为300~400℃;步骤四中,所述电流参数为500~700A、电压参数为26~30V。
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