一种高纯氧氯化铪的制备方法
技术领域
本发明涉及一种高纯氧氯化铪的制备方法,属于湿法冶金技术领域。
背景技术
氧氯化铪是制备铪化学制品及金属铪的重要中间产品,并可用作媒色颜料的原料,媒染剂、定色剂、阻燃剂等,也是制备其他铪盐的原料。它的纯度直接决定铪产品的纯度。
发明内容
本发明的目的是提供一种高纯氧氯化铪的制备方法。采用氢氧化铪溶解于盐酸溶液中,调整溶液的氧化铪浓度及溶液的酸度,结晶析出氧氯化铪,再经过酸洗,再结晶的方法,提纯氧氯化铪,得到高纯的氧氯化铪产品。
一种高纯氧氯化铪的制备方法,包括如下步骤:
(1)氢氧化铪原料准备:以金属铪及铪合金废弃料为原料,经硫酸溶液溶解,水浸,过滤,滤液加碱沉淀,沉淀物加水漂洗至近中性,过滤,滤饼烘干、破碎;
(2)滤饼经烘干、破碎后,用盐酸溶液或结晶母液溶解,得到铪盐酸溶液;
(3)调整铪盐酸溶液中H+浓度和HfO2浓度,自然冷却结晶;
(4)结晶后过滤,将过滤后得到的晶体(氧氯化铪)加水溶解,过滤,调整溶液的H+浓度和HfO2浓度,加热至沸,进行二次结晶;
(5)二次结晶后过滤,所得晶体用盐酸溶液或洗涤母液多次洗涤,得到晶体化学成分分析合格的高纯氧氯化铪。
在步骤(1)中,所述的原料为各种金属铪及铪合金加工废弃料,如车、切、磨、洗等加工废弃金属屑、金属灰粉等,金属铪的含量为30%~100%不等,从铪制品加工厂家购进。金属铪废弃料加入硫酸溶液加热至100℃~200℃溶解,硫酸溶液中H+浓度为10.0mol/L~18.0mol/L;硫酸溶解后得到的铪硫酸溶液及硫酸铪结晶体加去离子水进行水浸,过滤,滤液加碱(例如氢氧化钠、碳酸钠等)至pH大于9,沉淀,沉淀物加水漂洗至近中性,pH≈7,过滤,滤饼氢氧化铪在100℃下烘干,经破碎后为氢氧化铪原料。
在步骤(2)中,取一定量的破碎后氢氧化铪原料,用盐酸溶液或结晶母液溶解,所述的盐酸溶液或结晶母液中H+浓度为4.5mol/L~8.5mol/L、HfO2浓度为0.0g/L~40.0g/L,溶解温度为80℃~100℃。
在步骤(3)中,通过添加去离子水、浓盐酸、氢氧化铪和/或通过蒸发浓缩来调整溶液的H+浓度为4.5mol/L~7.5mol/L,HfO2浓度为140g/L~240g/L;自然冷却结晶为氧氯化铪。
在步骤(4)中,自然冷却结晶后进行过滤,过滤后的结晶体(氧氯化铪)加去离子水溶解,溶解液过滤,通过添加水、浓盐酸和/或蒸发浓缩,调整溶液的H+浓度为4.5mol/L~7.5mol/L,HfO2浓度为140g/L~240g/L,加热至沸,进行二次结晶、除杂。
在步骤(5)中,经二次结晶后过滤,结晶体用H+浓度为6.5mol/L~8.5mol/L的盐酸溶液或洗涤母液进行多次洗涤,至结晶体化学成分分析合格。
通过重复步骤(4)和(5),进行多次结晶及多次酸洗涤,可以制备不同级别的高纯氧氯化铪,氧氯化铪含量可大于等于99.99wt%。
本发明的有益效果为:本发明提供了一种回收铪金属废料制备氧氯化铪含量大于等于99.99wt%的高纯氧氯化铪的制备方法。所得高纯氧氯化铪杂质含量较低,可用于制备生产紫外级氧化铪等铪的高端产品。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1:
(1)以金属铪及铪合金废料(车、切、磨、洗等加工废弃金属屑、金属灰粉等,金属铪的含量为30%~100%不等,从铪制品加工厂家购进,以下同)为原料,加入硫酸溶液加热(100℃~200℃)溶解,硫酸溶液中H+浓度为12.0mol/L;硫酸溶解后的铪硫酸溶液及硫酸铪结晶体加去离子水进行水浸,过滤,滤液加工业氢氧化钠沉淀至pH大于9,沉淀物加水漂洗至近中性,pH≈7,过滤,滤饼氢氧化铪100℃下烘干,经破碎后为氢氧化铪原料。
(2)取烘干破碎的氢氧化铪1000克,加入3.6升H+浓度为6.5mol/L的盐酸溶液中加热溶解;溶解温度为80℃~100℃。
(3)溶解后溶液取样分析,H+浓度为4.5mol/L,HfO2浓度为220g/L;加750ml分析纯浓盐酸,调整溶液H+浓度为5.68mol/L,HfO2浓度为185.3g/L;自然冷却结晶为氧氯化铪。
(4)氧氯化铪过滤,过滤后晶体加去离子水溶解,过滤,通过添加分析纯浓盐酸和/或蒸发浓缩调整溶液的H+浓度为6.5mol/L,HfO2浓度为200g/L,加热至沸,进行二次结晶除杂。
(5)二次结晶过滤,晶体用H+浓度为6.5mol/L~8.5mol/L的盐酸溶液或洗涤母液进行六次过滤洗涤,抽干后氧氯化铪化学分析见表1中1#。
实施例2:
(1)以金属铪及铪合金废料为原料,加入硫酸溶液加热(100℃)溶解,硫酸溶液中H+浓度为15.0mol/L;硫酸溶解后的铪硫酸溶液及硫酸铪结晶体加去离子水进行水浸,过滤,滤液加工业氢氧化钠沉淀至pH大于9,沉淀物加水漂洗至近中性,pH≈7,过滤,滤饼氢氧化铪100℃下烘干,经破碎后为氢氧化铪原料。
(2)取烘干破碎的氢氧化铪1000克,加入3.6升H+浓度为6.3mol/L,HfO2浓度为25g/L的铪结晶母液中加热溶解;溶解温度为80℃。
(3)溶解后溶液取样分析,H+浓度为4.2mol/L,HfO2浓度为250g/L;加750ml分析纯浓盐酸,调整溶液H+浓度为5.21mol/L,HfO2浓度为210.5g/L;自然冷却结晶为氧氯化铪。
(4)氧氯化铪过滤,过滤后晶体加去离子水溶解,过滤,通过添加分析纯浓盐酸和或蒸发浓缩,调整溶液的H+浓度为6.3mol/L,HfO2浓度为180g/L,加热至沸,进行二次结晶除杂。
(5)二次结晶过滤,晶体用H+浓度为6.5mol/L~8.5mol/L的洗涤母液及盐酸溶液进行七次过滤洗涤,抽干后氧氯化铪化学分析见表1中2#。
实施例3:
(1)以金属铪及铪合金废料为原料,加入硫酸溶液加热(200℃)溶解,硫酸溶液中H+浓度为16.0mol/L;硫酸溶解后的铪硫酸溶液及硫酸铪结晶体加去离子水进行水浸,过滤,滤液加工业氢氧化钠沉淀至pH大于9,沉淀物加水漂洗至近中性,pH≈7,过滤,滤饼氢氧化铪100℃下烘干,经破碎后为氢氧化铪原料。
(2)取烘干破碎的氢氧化铪1000克,加入3.6升H+浓度为8.5mol/L,HfO2浓度为20g/L的铪结晶母液中加热溶解;溶解温度为100℃。
(3)溶解后溶液取样分析,H+浓度为4.2mol/L,HfO2浓度为220g/L;加750ml分析纯浓盐酸,调整溶液H+浓度为5.21mol/L,HfO2浓度为185.3g/L;自然冷却结晶为氧氯化铪。
(4)氧氯化铪过滤,过滤后晶体加去离子水溶解,过滤,通过添加分析纯浓盐酸和或蒸发浓缩,调整溶液的H+浓度为5.5mol/L,HfO2浓度为158g/L,加热至沸,进行二次结晶除杂。
(5)二次结晶过滤,晶体用H+浓度为6.5mol/L~8.5mol/L的洗涤母液及盐酸溶液进行七次过滤洗涤,抽干后氧氯化铪化学分析见表1中3#。
实施例4:
(1)以金属铪及铪合金废料为原料,加入硫酸溶液加热(150℃)溶解,硫酸溶液中H+浓度为18.0mol/L;硫酸溶解后的铪硫酸溶液及硫酸铪结晶体加去离子水进行水浸,过滤,滤液加工业氢氧化钠沉淀至pH大于9,沉淀物加水漂洗至近中性,pH≈7,过滤,滤饼氢氧化铪100℃下烘干,经破碎后为氢氧化铪原料。
(2)取烘干破碎的氢氧化铪1000克,加入3.6升H+浓度为4.5mol/L,HfO2浓度为40g/L的铪结晶母液中加热溶解;溶解温度为90℃。
(3)溶解后溶液取样分析,H+浓度为4.0mol/L,HfO2浓度为235g/L;加750ml分析纯浓盐酸,调整溶液H+浓度为5.26mol/L,HfO2浓度为197.9g/L;自然冷却结晶为氧氯化铪。
(4)氧氯化铪过滤,过滤后晶体加去离子水溶解,过滤,通过添加分析纯浓盐酸和或蒸发浓缩,调整溶液的H+浓度为5.3mol/L,HfO2浓度为150g/L,加热至沸,进行二次结晶除杂。
(5)二次结晶过滤,晶体用H+浓度为6.5mol/L~8.5mol/L的洗涤母液及盐酸溶液进行七次过滤洗涤,抽干后氧氯化铪化学分析见表1中4#。
表1实施例1-4氧氯化铪样品分析结果(wt%)
杂质含量% |
1# |
2# |
3# |
4# |
Si% |
0.0065 |
0.0050 |
0.0040 |
0.0035 |
Fe% |
0.00050 |
0.00032 |
0.00028 |
0.00030 |
Mn% |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
Cu% |
0.00040 |
0.00030 |
0.00045 |
0.00015 |
Mg% |
0.00040 |
0.00040 |
0.0013 |
0.00060 |
Ni% |
0.00030 |
0.00030 |
0.00030 |
0.00030 |
Co% |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
Pb% |
<0.0001 |
|
0.00018 |
0.00010 |
Sn% |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
Bi% |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
Cd% |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
V% |
<0.001 |
<0.001 |
<0.001 |
<0.001 |
Ti% |
<0.001 |
<0.001 |
<0.001 |
<0.001 |
Mo% |
<0.001 |
<0.001 |
<0.001 |
<0.001 |
Ca% |
0.0034 |
0.0032 |
0.0080 |
0.0055 |
Sb% |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
<0.0003 |
由表1可看到,本发明所得高纯氧氯化铪杂质含量较低,可用于制备生产紫外级氧化铪等铪的高端产品。经过多次结晶及多次酸洗涤,本发明方法可以制备不同级别的高纯氧氯化铪,氧氯化铪含量可大于等于99.99wt%。