CN103639142A - 一种有蜡抛光陶瓷盘的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明创造提供一种高效低成本有蜡抛光陶瓷盘的清洗方法。该方法是先配制KOH溶液作为去蜡清洗剂,然后采用所述去蜡清洗剂对有蜡抛光后的陶瓷盘进行药洗,药洗至少两次后,再用纯水清洗至少两次。本方法可有效去除陶瓷盘表面蜡迹,成本低,效果稳定。
Description
技术领域
本发明创造涉及有蜡抛光陶瓷盘表面蜡迹的去除领域,特别涉及一种高效低成本的有蜡抛光陶瓷盘的清洗方法。
背景技术
近年来,由于对抛光片几何参数要求愈加严格,越来越多的企业采用加工精度较好的有蜡抛光设备。由于贴片用的陶瓷盘是循环使用,为了保证加工精度,陶瓷盘表面必须平整,即贴片前要将陶瓷盘表面铲片后残留的蜡去除干净,目前很多企业使用DEVEL-A作为去蜡剂,但DEVEL-A价格较高,用量较大,清洗时间较长,导致产品加工成本较高,使企业在日趋激烈的市场竞争中处于不利位置。这就需要研发一种高效去蜡,成本较低的陶瓷盘清洗方法。
发明内容
本发明创造要解决的问题是克服现有技术的不足,提供一种高效低成本的有蜡抛光陶瓷盘的清洗方法,以满足生产的需要。
为解决上述技术问题,本发明创造采用的技术方案是:
一种有蜡抛光陶瓷盘的清洗方法,所述的清洗方法是先配制KOH溶液作为去蜡清洗剂,然后采用所述去蜡清洗剂对有蜡抛光后的陶瓷盘进行药洗,药洗至少两次后,再用纯水清洗至少两次。
所述KOH溶液是质量分数为3%-5%的KOH溶液。
优选地,所述KOH溶液是质量分数为3%的KOH溶液。
所述药洗过程的温度为55-70℃,清洗时间为90-120s,所述水洗过程的温度为70-80℃,清洗时间设为90-120s。
优选地,所述药洗过程的温度为55℃,清洗时间为90s,所述水洗过程的温度为80℃,清洗时间设为90s。
更优选的,所述的清洗方法是先配制质量分数为3%的KOH溶液作为去蜡清洗剂,然后采用所述去蜡清洗剂对有蜡抛光后的陶瓷盘进行药洗,药洗温度为55℃,清洗时间设为90s,药洗两次后,再用纯水清洗两次,水洗温度为80℃,清洗时间设为90s。
本发明创造具有的优点和积极效果是采用本方法对有蜡抛光陶瓷盘进行清洗,可迅速有效去除表面蜡迹,具有清洗时间短、不会影响贴片机贴片速度等优点,可以提高生产效率,同时本方法所用去蜡剂成本低,降低了产品加工成本。与DEVEL-A相比,每次配液可节省1600元(DEVEL-A的市场价格为1800元/桶,每桶20L,每次配液用量1桶;固体KOH市场价格为10元/瓶,每瓶500g,每次配液用量20瓶。)
具体实施方式
为了更清楚的理解本发明,下面结合具体实施例对本发明进行进一步详细描述:
实施例1
本实施例是采用本发明所公开方法对200个有蜡抛光陶瓷盘进行清洗。加工设备为有蜡抛光陶瓷盘清洗机YWA-19;辅助材料包括KOH(固体)、纯水和陶瓷盘。
清洗方法如下:
(1)先用固体KOH配置成浓度为3%的KOH溶液作为去蜡清洗剂;
(2)将陶瓷盘清洗机的1、2槽作为药液槽,3、4槽作为纯水槽,并将3%的KOH溶液放进1、2槽内,将纯水放进3、4槽内;
(3)将1、2槽内的温度设定为55℃,3、4槽温度设定为80℃,清洗时间均设为90s,对有蜡抛光陶瓷盘进行逐一清洗,清洗顺序为由1至4,先药洗两次再水洗两次;
(4)将清洗过的陶瓷盘收集备用。
实施例2
对200个有蜡抛光陶瓷盘进行清洗:加工设备为有蜡抛光陶瓷盘清洗机YWA-19;辅助材料包括KOH(固体)、纯水和陶瓷盘。清洗方法同实施例1,具体条件见表1。
表1
1#槽 | 2#槽 | 3#槽 | 4#槽 | |
槽内液体 | 5%KOH溶液 | 5%KOH溶液 | 纯水 | 纯水 |
温度 | 70℃ | 70℃ | 70℃ | 70℃ |
清洗时间 | 120s | 120s | 120s | 120s |
针对于采用本发明中的方法清洗后的陶瓷盘进行抽样并检测其表面平整度,检测结果如表2所示:
表2
综上所述,采用本发明所公开的方法对表面贴蜡的陶瓷盘进行清洗,然后用表面平整度测试仪分别对未贴过蜡的陶瓷盘、贴过蜡未洗的陶瓷盘和上述表面贴蜡的陶瓷盘进行检测,结果显示:上述表面贴过蜡并用本发明中公开的方法清洗过的陶瓷盘与未贴过蜡的陶瓷盘表面平整度相同或非常相近,与贴过蜡未洗的陶瓷盘表面平整度相差很大,说明表面的蜡已去除。该检测结果表明,本方法能实现高效低成本有蜡抛光陶瓷盘的批量清洗。
以上对本发明创造的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明创造的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明创造的实施范围。凡依本发明创造申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明创造的专利涵盖范围之内。
Claims (6)
1.一种有蜡抛光陶瓷盘的清洗方法,其特征在于:所述的清洗方法是先配制KOH溶液作为去蜡清洗剂,然后采用所述去蜡清洗剂对有蜡抛光后的陶瓷盘进行药洗,药洗至少两次后,再用纯水清洗至少两次。
2.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于:所述KOH溶液是质量分数为3%-5%的KOH溶液。
3.根据权利要求2所述的清洗方法,其特征在于:所述KOH溶液是质量分数为3%的KOH溶液。
4.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于:所述药洗过程的温度为55-70℃,清洗时间为90-120s,所述水洗过程的温度为70-80℃,清洗时间设为90-120s。
5.根据权利要求4所述的清洗方法,其特征在于:所述药洗过程的温度为55℃,清洗时间为90s,所述水洗过程的温度为80℃,清洗时间设为90s。
6.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于:所述的清洗方法是先配制质量分数为3%的KOH溶液作为去蜡清洗剂,然后采用所述去蜡清洗剂对有蜡抛光后的陶瓷盘进行药洗,药洗温度为55℃,清洗时间设为90s,药洗两次后,再用纯水清洗两次,水洗温度为80℃,清洗时间设为90s。
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2013
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PB01 | Publication | ||
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140319 |