CN103618544A - 一种瞬时受保护的隔离器 - Google Patents
一种瞬时受保护的隔离器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103618544A CN103618544A CN201310608538.6A CN201310608538A CN103618544A CN 103618544 A CN103618544 A CN 103618544A CN 201310608538 A CN201310608538 A CN 201310608538A CN 103618544 A CN103618544 A CN 103618544A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- output
- voltage
- transistor
- circuit
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
一种瞬时受保护的隔离器,公开了一种自动稳压器,它具有多个稳压输出,这些稳压输出使用瞬时受保护的隔离器输出级,以防止任何一个输出上的系统故障条件,对其它输出产生不利影响。在一个自动环境中,采用标称14伏的电源,一个单独的输出可以取自-4伏至+26伏,而不会造成损害或在非故障输出上有任何显著的反应。该电路采用了相对较小的NPN输出晶体管,因此,需要一个相对较低的值,来稳定旁路电容。
Description
技术领域:
本发明涉及稳压器,尤其是那些打算在自动应用中使用的稳压器。在一定的条件下,将需要一个自动稳压器来提供多个输出,使几个独立的装置可以提供一个稳定的电压。这些输出各自采用一个隔离级,允许独立或隔离的负载电源。
背景技术:
一个自动系统的主要特点之一,是各部分的机壳接地来呈现不同的电位的倾向。在自动领域内,这是一个众所周知的事实。不同的机壳接地可能会形成多达+4伏的差分。因此,当一个输出变为短路到地时,它可以低至-4伏,另一个问题,就是稳压器输出会短路到高于正常的正电位。例如,高达26伏的电压可以在不经意间与输出端子相关联。其结果是,在不利的条件下的自动稳压输出,可能会在26伏至-4伏的范围内变化。期望的是稳压器在这样的极端条件下幸存下来而且没有损害,对于多个输出端,应用到一个输出上的故障条件,将不会对其它输出产生不利影响。
另一种稳压器的特征涉及其输出阻抗。如果电路中的导通晶体管是PNP极性,这是常有的情况,集电极连接到输出端子。这是高阻抗的晶体管元件,并就此产生的不稳定性,需要相对较大的旁路电容来解决。通常情况下,使用一个PNP输出晶体管将需要一个至少为10微法的旁路电容。最好是钽电容。在本发明中,采用的NPN输出晶体管,要求低阻抗的发射极端子连接到输出端子。该配置允许使用一个相对较小的0.06的微法电容。虽然使用一个小电容在一个单一的稳压器中没有很大的经济意义,多个输出设备可能需要使用一些比较昂贵的电容。这可能是有意义的。
随着进一步的考虑,当稳压器是以一个单片集成电路(IC)的形式制作时,芯片面积基本上被输出晶体管占据。当使用NPN型的输出晶体管时,我们已经发现,相对于使用PNP型,这需要少得多的芯片面积。因此,本发明还产生一个IC的区域经济。
发明内容:
本发明的一个目的是提供一个电压调节器,具有多个隔离的输出级,它们可以提供多个稳定的电压源,在一个单一的参考源中共同操作,并基本上相互隔离。
本发明的再一个目的是提供一个稳压器的输出级,可以承受,而不会损坏,负载瞬变上升时基本高于稳压输出,下降时基本低于地面电位。
本发明的进一步目的是采用单片IC的结构形式,并采用一个NPN输出晶体管,来生成一个芯片面积经济,减少稳定的并联电容器的大小。
本发明的技术解决方案:
这些和其它的目的是在按照如下方法配置的电路中实现的。该稳压器电路包括一个参考电压发生器,形成一个恒定电位下的温度补偿源。这个温度补偿源通常操作多个瞬时受保护的隔离器输出级(TPIOS),其中每一个TPIOS产生一个不同的稳定电压。每个TPIOS电路包括一个NPN导通晶体管,其导通是由一个高增益负反馈回路控制的,通过晶体管的操作来控制相对于参考电压源的输出。每个TPIOS电路还包括一种装置,允许输出端基本上被拉到低于地面,以及基本上高于负载电源电压,而不会在电路元件上产生任何多余的压力。
此外,NPN输出导通晶体管致力于将功率晶体管的发射极连接到输出端子。这种低阻抗连接使稳压器稳定下来,并允许使用一个相对较小的旁路电容。
对比专利文献:CN2652014Y锂离子电池组安全充放电控制器200320112013.5
附图说明:
图1是一个使用PNP输出晶体管的传统的现有技术设备的原理方框图。
图2是本发明的基本电路的原理方框图。
图3是一个自动的多个输出稳压器的方框图。
图4是根据本发明的一个TPIOS的原理方框图。
图5是一个优选集成电路TPIOS的示意图。
具体实施方式:
图1示出了典型的现有技术的稳压器。该电路的运行是从V电源(典型的自动电池和充电电源)接+到端子10,接-到接地端子11。一个较大面积的功率PNP晶体管12,将端子10耦合到提供一个稳定电位的输出端子13上。通常情况下,端子13上的电压约8伏。晶体管12的基极被电路14驱动,已知的电路提供给电路14一个温度稳定的电压,并施加到参考端子15上。电阻器16和17形成一个分压器,将代表稳压输出电压的一小部分的反馈电压,施加到运行中的驱动器电路上。应注意的是,晶体管12的集电极连接到输出端子13上。由于这种电极是一个高阻抗节点,旁路电容器19必须有实质性的值,以提供一个低电源端子阻抗。通常情况下,电容器19将是一个10微法的钽电容器,该电容器在传统的电源线路频率中具有适当低的阻抗。
将会注意到,如果端子13上电压降低了,由于一些系统故障,驱动器14的反馈将被打乱。如果驱动器14使晶体管12上的基极电压降低,这将产生灾难性的过剩的功率晶体管的功耗。
此外,如果端子13上的电压高于V电源,根据系统发生故障,可以看出,晶体管12的集电极将承担发射极的角色。由于这样的PNP晶体管通常是横向建设,该设备可以在这个倒置的状态工作得很好。由于驱动电路在一个接近V电源的电位的基极上运作,晶体管12将大力传送一个可能是灾难性的电流。在同一时间,晶体管12和IC基板之间形成的寄生晶体管将会导通,因此,较大的衬底电流将会变低,由于上述的结果,由于系统故障,图1的电路被视为容易导致失败的电路。
图2是类似于图1的原理方框图,但是示出了本发明的核心。公开了TPIOS。凡涉及相同的元件的地方,采用相同的标号。NPN晶体管20是输出导通元件,和一个大小相等的晶体管21通过二极管连接,并与晶体管20串联耦合。对于具有相同的输出电流能力的晶体管20,只需要图1中PNP晶体管12的约三分之一的区域。因此,NPN晶体管20和21的结合区仍然只有PNP晶体管区域的三分之二,并得到一个显著的集成电路芯片节省的面积。由于输出端子13连接着晶体管20的发射极,该电路呈现一个低阻抗,因此,本质上是稳定的。虽然图1中的电容器19是10微法拉(最少),有相同的额定输出,图2中的电容器22可低至约0.06微法或是更小的167倍。
如果端子13上电压升高,由于系统故障,可以看到的是,与横向PNP晶体管不同,NPN晶体管20将无法在倒立状态有效地发挥作用。电路中包括晶体管21,是为了在端子13上的电压上升到上述晶体管20的V电源电位,并超过齐纳电压时,防止齐纳二极管导通。因此,有可能出现一种破坏性的电流,甚至高过电位。
最后,如果端子13上的电压接地,由于不利的系统故障,可以看出,驱动器14的反馈也被降低。电路结合驱动器14,以减少晶体管20的传导性。此操作将在随后更详细地描述。因此,这样的故障不会导致过多的晶体管导通。
图3是一个本发明的自动应用中的方框图,其中多个TPIOS电路被一个调节器操作,它产生温度下的不变量V参考。可以看出,该设备在那些23-25端子上提供了稳定的输出电压。显然,如果需要的话,可以采用额外的输出。当系统发生故障时,一个输出被扰乱,其他的输出将不会受到影响,这是很重要的。三个输出显示,每一个都包括三个小的旁路电容器26-28,并分别由TPIOS电路29-31提供。一个单一的参考电压发生器32,在节点15处为三个TPIOS输出级提供了一个温度下稳定的参考电压。在将要描述的优选实施例中,输出电压和V参考是8伏。标称14伏的电源,它代表一个充满电的蓄电池,3个8伏的输出可以用来为三个独立的系统提供服务。每个输出可以在+26伏和314伏之间变动,对其他输出没有任何不利影响。即使在这样的系统故障下,受影响的电路不会受到损害。
图4是一个TPIOS电路的详细的方框图。通过举例的方式,详述了图3中的方框29。正如上面指出的,NPN输出晶体管20与等效晶体管21串联耦合,在电源端子10和输出端子25之间通过二极管连接。因此,晶体管20和21构成输出元件。
差分放大器35和缓冲器36在晶体管20的发射极-基极电路周围构成负反馈环路。从而在端子25上保持了一个稳定的输出。稳定的输出被耦合到差分放大器35的反相输入端,端子15的V参考被耦合到同相输入端。因此,差分放大器35将通过缓冲器36驱动晶体管20的基极,直到晶体管的发射极20上的电位匹配V参考,并稳定负载电流和线路输入电压的变化。这种高增益反馈回路,确保在普通工作条件下,输出电压和V参考非常匹配。
如果没有呈现其他的电路功能,是本系统发生故障,将使端子25的电压降至地面以下,可能会在晶体管20和21上产生过度或潜在的破坏性电流。然而,结合次级反馈回路可以防止这样的情况发生。
将会注意到的是,差分放大器35的输出是由可变电流源37所提供,下面将要描述的,在一定条件下,该输出可以提供输入给缓冲器36。差分放大器38包括次级反馈回路的核心部分。它的输出控制电流源37中的电流。晶体管39的基极到发射极电路,与晶体管20的基极到发射极电路相并联,驱动差分放大器38的同相输入。然而,由于晶体管39有晶体管20的1/30的面积,所以将只导通输出级29的输出电流的1/30。晶体管39吸收的电流流过电阻器40和通过二极管连接的晶体管41和42。因此,差分放大器38的同相输入端,是在电阻器40和通过二极管连接的晶体管41的两端的低于V电源的电压降。差分放大器38的反相输入端直接耦合到参考电路,是由恒流源43控制的,它提取由二极管连接的晶体管44和电阻器45上的电流。因此,由于电阻器45和二极管连接的晶体管44两端的电压降,差分放大器38的反相输入端低于V电源。恒流源43,用来传输稍微大于电流源37中流动的额定电流。因此,在静态条件下的差分放大器38的输出,通过电流源37,产生一个电流输入到缓存器36,使晶体管20和39偏置导通。值得注意的是,恒流源43,通过使电阻45的值变为电阻器40的10倍,在晶体管39的电流成为额定电流的十分之一时工作,另外,二极管连接的晶体管41是二极管连接的晶体管44的面积的十倍。因此,端子25上的输出电流有一个最大值,它是恒流源43上的电流的300倍。在下面给出的操作实例中,恒流源43工作在约330微安,端子25产生最大的电路输出,近100毫安。显然,部件可能和采用的最大电流值一样,会是其他值和其它静态值的比值。
重要电路的特点是,由于系统出现故障,使得端子25的电压降低,差分放大器38将降低其同相输入的电压,其输出端将减少电流源37上的电流。反过来,这将降低晶体管39的基极上的偏压,使晶体管39的发射极-基极电压保持不变。这意味着,端子25处的电势降低不会导致一个更大的电流流过晶体管20。
正如上文所指出,对电路来说,保留输出端故障的条件,这是可取的,这可以提高电压到26伏。这将会使端子25上的电压,高于标称值为14伏的V电源12伏左右。可以看出,这使得晶体管20的发射极高于其基极,以便反向偏置其发射极—基极结。如果不是为了晶体管21的存在,晶体管20将进入齐纳传导,就可以摧毁它。然而,晶体管20和21结合的齐纳电压超过施加的12伏,设备将会被保护。同样,二极管连接的晶体管42的作用,是当端子25被升高到26伏的故障条件时,保护晶体管39免于齐纳作用。
图5是在执行图4中TPIOS电路的功能时,优选的一个集成电路示意图。TPIOS使用传统的单片外延PN结隔离建设。相同的部位,使用相同的标号。差分放大器35是由差动连接的晶体管47和48组成的,它们由恒流源49提供恒定的末端电流。
电阻器58A,58B,58C和58D包括一对电压分压器,它们操作低于V参考和V输出电位的晶体管47和48的基极。如果这四个电阻值相等,一个2:1的分频器将会操作,结果是V参考/2。
恒流源37实际上是一个电流镜,是由二极管连接的输入晶体管50和输出晶体管51组成的。因此,在恒流源52中流过的电流,将反映到晶体管48的集电极。镜像输出晶体管51作为晶体管48的负载。应注意的是,晶体管51的大小是晶体管50的两倍。电阻器53和54用来稳定电流镜,电阻器53的阻值是电阻器54的两倍。因此,电流镜37有一个稳定的电流增益,其值为2。通过示例的方式,在恒流源52中流动的150微安将使晶体管51产生300微安的电流。由二极管连接的晶体管55,作为晶体管48的隔离元件,在故障情况下,输出端25的电压被降低时,将断开晶体管48的集电极。这避免了晶体管48的集电极注入少数载流子到IC基板上的可能性,如果NPN晶体管的集电极被降低至接地时,这可能会发生。
缓冲器36是由跟随器晶体管56发射极组成的,它有一个和其发射极-基极电路并联耦合的电阻57。晶体管56的集电极,通过二极管连接的晶体管58,被返回到电源终端10上的“+”极。这种晶体管的出现,是为了在系统故障使得输出端电压变为+26伏时,避免齐纳反应。因此,晶体管21和42的出现,也是如上所述的相同的理由。
可以看出,当端子25上的电压低于标称电平时,导通晶体管的电流就会上升。为了确保这样一个系统故障不会造成过大的电流流出,一个电流折返式的保护电路63,被纳入到TPIOS29中。
相关的参考电压是通过一个分压器形成的,这个分压器是由二极管连接的晶体管65和电阻器66和67组成的。因此,晶体管64的基极是在一个正电位上。在优选的实施例中,在300°K时,晶体管64的基极电位约为4.3伏。因此,由于其发射极的跟随作用,晶体管64的发射极约为3.6伏。晶体管64的发射极的电位等于电阻器68上的电位,也是晶体管69的基极的偏置电压。对于正常的操作条件下,晶体管69的发射极约为8伏,这将是不导电的。然而,由于故障情况下,端子25的电压被降低至某个电位,晶体管69将开始导通,并使得晶体管60的基极电压降低。导通阈值将是约2.9伏的输出端子的电位。输出电压上任何进一步的降低,将导致晶体管69的传导性增加。由于电阻器70的优选值为1.4千欧,约-0.2伏的输出电位将导致晶体管69传输一个1.5毫安的电流。
可以看出,晶体管69作为比较器来起作用。其反相输入端工作在约3.6伏的参考电位,它的同相输入端,被耦合到端子25上,因此将有一个约2.9伏的导通阈值。在任何输入电位的导通将由电阻器70的值决定。这将导致在电阻器40上的一个约76毫伏的电压降,鉴于正常的运算放大器38偏置下的165毫伏,这个76毫伏是比较小的。然而,输出电压上任何进一步的降低,将导致晶体管69的传导性增加。
在-4伏的故障条件下,电阻70的电位将上升至约6.9伏。在这种条件下,晶体管69中的电流将上升至约4.9毫安。这将导致电阻器40两端的电压降约为245毫伏,超越了约165毫伏的正常电压降。涉及运算放大器38和缓冲器36的反馈回路,将使晶体管20的导通值减少到一个非常低的值(小于约20毫安)。在端子25上的电压达到零伏时的输出故障情况下,晶体管20中的电流被限制在约40毫安或小于额定电源容量的一半。在端子25上的电压较低时,电流仍可进一步降低。
举例:
本发明的电路,是用单片IC芯片实验电路板的形式构造,使用常规的外延,PN结型隔离。NPN晶体管是传统的平面器件,它是垂直建设的。PNP晶体管是传统的平面横向建设。载体是采用TPIOS电路的一个自动的多个输出稳压器。它提供了10个孤立的受保护的输出,该输出标称8伏,其中每一个可以提供一个约为90毫安的最大的指定电流。它将被安置在一个15引脚,TO-220封装。
下表列出图5电路的元件值,它构成了本发明的优选实施例:
在一个标称14伏的电源下操作的电路,提供了一个在7.2至8.5伏的范围内变化的输出。对于十个隔离输出中的每一个,额定输出电流都为100毫安。电压降是V电源-2.2伏。静态电流小于35毫安。负载调节为300毫伏,大于5到70毫安的电流范围。当一个1000欧姆的负载被接通和切断到一个输出时,独立的输出端之间的串扰小于20毫伏。短路电流(零输出电压)小于50毫安。
Claims (9)
1.一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:在一个单一的直流电源下工作的复杂的输出电压稳压器,其中,一个单一的电路提供多个稳定的输出电压和电流,它们单独操作彼此独立,以承受由不利的负载条件造成的输出故障,如短路到地面或者较低处,或接到高电压线上,多个瞬时受保护的隔离器输出级(TPIOS)电路,每一个都包括:输入端,用于提供一个参考电压到TPIOS电路,一个具有发射极,基极和集电极的NPN输出晶体管,提供了一个在其发射极的输出电压,一个主要的负反馈回路,把输出电压与参考电压作比较,并驱动输出晶体管的基极,从而使输出电压稳定,一个次要的负反馈回路,把一小部分的输出电流与参考电流进行比较,并控制输出晶体管的基极,以限制输出电流达到预定的最大值。
2.根据权利要求1所述的一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:参考电压是从一个恒定电压的温度不敏感的源中获得的。
3.根据权利要求2所述的一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:多个输出稳压器中所述的主负反馈回路,包括:第一差分放大器,它具有耦合到参考电压上的同相输入端,耦合到输出电压的反相输入端,和通过同相缓冲区耦合到输出晶体管基极上的输出端。
4.根据权利要求3所述的一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:多个输出稳压器中所述的第一差分放大器,包括一个电流源负载。
5.根据权利要求4所述的一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:多个输出稳压器中所述的第二负反馈回路包括一个第二差分放大器,其反相输入端被耦合,以感测一个代表参考电流的电压,其同相输入端被耦合,以感测一个电压,这个电压代表在电路输出端中流动的电流,其输出端被耦合,以控制在第一差分放大器的负载中流动的电流,因此第二负反馈回路开始起作用来限制在电路输出端流过的电流。
6.根据权利要求5所述的一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:多个输出稳压器中的电压,代表在电路输出端流动的电流,并且这个电压是由一个小的NPN晶体管发展而来,该晶体管具有与NPN输出晶体管的一小部分成比例的区域,它的发射极-基极电路与NPN输出晶体管并联连接,从而使第二差分放大器的参考电流是输出电流的一小部分,参考电流值确定电路输出的最大电流。
7.根据权利要求6所述的一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:多个输出稳压器还包括一个电流折返电路,它在稳压输出电压下降到低于预定的阈值时开始起作用,折返电路包括:用于比较参考电压与电路输出电压的装置,当稳压输出电压下降为零或负值时,折返电路将增加的电流传送到第二差分放大器的同相输入端,因此输出电压将导致响应系统故障的输出电流大幅降低。
8.根据权利要求6所述的一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:多个输出稳压器的输出晶体管与基本上相同的NPN晶体二极管串联耦合,以传导输出晶体管中的正向电流,由于TPIOS电路齐纳二极管导通,输出晶体管的阈值将增加一倍,从而在系统故障条件下,增加电路的输出端可以承受的最大正瞬变电压。
9.根据权利要求8所述的一种瞬时受保护的隔离器,其特征是:多个输出稳压器中的小NPN晶体管还包括一系列二极管,连接具有相同面积和同样大小的晶体二极管,并传导小NPN晶体管中流动的电流。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310608538.6A CN103618544A (zh) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 一种瞬时受保护的隔离器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310608538.6A CN103618544A (zh) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 一种瞬时受保护的隔离器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103618544A true CN103618544A (zh) | 2014-03-05 |
Family
ID=50169248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310608538.6A Pending CN103618544A (zh) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 一种瞬时受保护的隔离器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103618544A (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5066901A (en) * | 1990-09-18 | 1991-11-19 | National Semiconductor Corporation | Transient protected isolator output stage |
CN103207637A (zh) * | 2013-04-24 | 2013-07-17 | 苏州硅智源微电子有限公司 | 低压降稳压器中的频率补偿电路 |
-
2013
- 2013-11-26 CN CN201310608538.6A patent/CN103618544A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5066901A (en) * | 1990-09-18 | 1991-11-19 | National Semiconductor Corporation | Transient protected isolator output stage |
CN103207637A (zh) * | 2013-04-24 | 2013-07-17 | 苏州硅智源微电子有限公司 | 低压降稳压器中的频率补偿电路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9429971B2 (en) | Short-circuit protection for voltage regulators | |
CN111033431B (zh) | 用于高速微控制器的片上nmos无电容ldo | |
CN104679087B (zh) | 车载低压差线性稳压器电路及其低压补偿电路 | |
CN104604134A (zh) | 半导体装置 | |
CN101256437A (zh) | 主板电压供电电路 | |
US20120218003A1 (en) | Systems and Methods for Current Sensing | |
CN112684846A (zh) | 低压差线性稳压器的误差放大器以及低压差线性稳压器 | |
CN213843926U (zh) | 用于线性稳压器的防倒灌电路和线性稳压装置 | |
CN101763134B (zh) | 并联稳压电路 | |
CN110502092B (zh) | 供电电路及电子设备 | |
CN106774599A (zh) | 一种高电源抑制比的电压调节器电路 | |
CN103618544A (zh) | 一种瞬时受保护的隔离器 | |
US5066901A (en) | Transient protected isolator output stage | |
US11994887B2 (en) | Low dropout linear regulator with high power supply rejection ratio | |
CN105281744A (zh) | 封装式集成电路元件及其减少电源弹跳方法 | |
CN206226401U (zh) | 一种延时保护电路 | |
CN201853155U (zh) | 精密恒流源电路模块 | |
CN107306129A (zh) | 集成电路的输出级电路 | |
CN113689814B (zh) | 驱动电路 | |
CN215835127U (zh) | 过压保护电路和智能终端 | |
CN210380234U (zh) | 一种直流电源输入过流保护电路 | |
CN220775372U (zh) | 一种短路保护电路 | |
CN219678148U (zh) | 超级电容激活电路 | |
CN220290114U (zh) | 恒流源电路及电池保护板测试机 | |
CN113346729B (zh) | 一种控制开关电源输出电压上升时间的电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140305 |