CN215835127U - 过压保护电路和智能终端 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种过压保护电路，该过压保护电路包括依次电连接的输入端口、稳压模块、控制模块、开关模块和输出端口，所述输入端口用于外部电源电连接，所述控制模块还与所述输入端口电连接并用于控制所述开关模块开合，所述开关模块还与所述输入端口电连接，所述输出端口用于与外部负载电连接。本实用新型有利于降低过压保护电路的制造成本。此外，本实用新型还公开一种智能终端。

Description

过压保护电路和智能终端

技术领域

本实用新型涉及供电电路技术领域，具体涉及一种过压保护电路和智能终端。

背景技术

众所周知，现有的电子设备一般都是使用直流电源进行供电，而供电接口的形式一般是圆孔或USB的形式，且电子设备对输入的电源电压都有一定的受限压值，当输入一个错误的电压时，极容易损坏设备内部电路。

现有对电子设备进行过压保护的方式一般是通过设置过压保护芯片，以此当过压保护芯片检测到输入的电压位于预设范围之外时停止向电子设备供电。但是，由于芯片的成本较高，从而增加了过压保护电路的制造成本。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种过压保护电路，以解决现有过压保护电路成本较高的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种过压保护电路，该过压保护电路包括依次电连接的输入端口、稳压模块、控制模块、开关模块和输出端口，所述输入端口用于外部电源电连接，所述控制模块还与所述输入端口电连接并用于控制所述开关模块开合，所述开关模块还与所述输入端口电连接，所述输出端口用于与外部负载电连接。

优选地，所述稳压模块包括稳压二极管、第一电阻和第二电阻，所述稳压二极管的正极接地，所述稳压二极管的负极通过所述第一电阻与所述输入端口电连接，所述稳压二极管的负极还通过所述第二电阻与所述控制模块电连接。

优选地，所述第一电阻的阻值为1～10KΩ，所述第二电阻的阻值为1～10KΩ。

优选地，所述控制模块包括三极管，所述三极管的基极与所述稳压模块电连接，所述三极管的发射极与所述输入端口电连接，所述三极管的集电极与所述开关模块电连接。

优选地，所述开关模块包括MOS管、第三电阻和第四电阻，所述MOS管的源极与所述输入端口电连接，所述MOS管的源极还通过所述第三电阻与所述MOS管的栅极电连接，所述MOS管的栅极与所述三极管的集电极电连接，所述MOS管的栅极还通过第四电阻接地，所述MOS管的漏极与所述输入端口电连接。

优选地，所述第三电阻的阻值为1～200KΩ，所述第四电阻的阻值为1～20KΩ。

优选地，所述MOS管为P型MOS管。

优选地，所述三极管为PNP型三极管。

本实用新型进一步提出一种智能终端，该智能终端包括上述过压保护电路，该过压保护电路包括依次电连接的输入端口、稳压模块、控制模块、开关模块和输出端口，所述输入端口用于外部电源电连接，所述控制模块还与所述输入端口电连接并用于控制所述开关模块开合，所述开关模块还与所述输入端口电连接，所述输出端口用于与外部负载电连接。

本实用新型实施例提供的过压保护电路，通过控制控制模块根据稳压模块输出的信息控制开关模块的开合，从而有利于避免输出高于预设电压的电压，以此实现了对电子设备的保护。同时，由于稳压模块、控制模块和开关模块均采用现有的特定部件即可，并不需要采用过压保护芯片，从而有利于降低过压保护电路的制造成本。

附图说明

图1为本实用新型中过压保护电路一实施例的结构示意图；

图2为本实用新型中过压保护电路又一实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提出一种过压保护电路，如图1所示，该过压保护电路包括依次电连接的输入端口10、稳压模块20、控制模块30、开关模块40和输出端口50，输入端口10用于外部电源电连接，控制模块30还与输入端口10电连接并用于控制开关模块40开合，开关模块40还与输入端口10电连接，输出端口50用于与外部负载电连接。

本实施例中，输入端口10和输出端口50可以为单独设置的连接端子，也可以是直接利用开关模块40的一端作为输入端口10，另一端作为输出端口50。具体工作时，稳压模块20会预先设置一个钳位电压，当输入端输入的电压超过钳位电压时，控制模块30会根据稳压模块20输出的对应信息控制开关模块40关闭，以此避免了输入电子设备的电压高于预设电压，实现了对电子设备的保护，反之控制模块30则控制开关模块40开启。本实施例中，通过控制控制模块30根据稳压模块20输出的信息控制开关模块40的开合，从而有利于避免输出高于预设电压的电压，以此实现了对电子设备的保护。同时，由于稳压模块20、控制模块30和开关模块40均采用现有的特定部件即可，并不需要采用过压保护芯片，从而有利于降低过压保护电路的制造成本。

在一较佳实施例中，如图2所示，优选稳压模块20包括稳压二极管D1、第一电阻R1和第二电阻R2，稳压二极管D1的正极接地，稳压二极管D1的负极通过第一电阻R1与输入端口10电连接，稳压二极管D1的负极还通过第二电阻R2与控制模块30电连接。其中，优选稳压二极管D1根据需要输出的电压(即最高输出电压)选择适当的型号，而第一电阻R1为限流电阻，以保护稳压二极管D1，第二电阻R2为分压电阻，以使第二电阻R2两端的电压不一致(即靠近控制模块30的一端电压较低)，从而便于控制模块30将直接获取输入端口10的电压与第二电阻R2输出的电压进行比较，以此控制开关模块40关闭。

在一较佳实施例中，优选第一电阻R1的阻值为1～10KΩ，第二电阻R2的阻值为1～10KΩ。其中，优选第一电阻R1的阻值为1.5KΩ，第二电阻R2的阻值为1.5KΩ。

在一较佳实施例中，如图2所示，优选控制模块30包括三极管Q2，三极管Q2的基极与稳压模块20电连接，三极管Q2的发射极与输入端口10电连接，三极管Q2的集电极与开关模块40电连接。其中，三极管Q2为PNP型三极管，从而便于根据发射极输入的电压和基极输入的电压的差值是否位于预设值内，若位于预设值，则控制开关模块40开启，反之则控制开关模块40关闭。

在一较佳实施例中，如图2所示，优选开关模块40包括MOS管Q1、第三电阻R3和第四电阻R4，MOS管Q1的源极与输入端口10电连接，MOS管Q1的源极还通过第三电阻R3与MOS管Q1的栅极电连接，MOS管Q1的栅极与三极管Q2的集电极电连接，MOS管Q1的栅极还通过第四电阻R4接地，MOS管Q1的漏极与输入端口10电连接。其中，优选MOS管Q1为P型MOS管，第三电阻R3和第四电阻R4均为分压电阻。此时，若输入端口10输入的电压低于钳位电压时，控制模块30则不工作，且由于第三电阻R3和第四电阻R4的分压，从而导致MOS管Q1的栅极电压将远远小于源极的电压，以使得MOS管Q1处于饱和导通状态，从而即可正常输出电压，若输入端口10输入的电压高于钳位电压时，且由于第一电阻R1和第二电阻R2会使得三极管Q2基极的电压为稳压二极管D1的钳位电压，而三极管Q2发射极的电压则高于基极的电压，从而使得三极管Q2导通，使得MOS管Q1的源极电压与栅极电压差值较小，从而使得MOS管Q1截止，以此输出端口50无法输出电压，进而实现了过压保护。

在一较佳实施例中，优选第三电阻R3的阻值为1～200KΩ，第四电阻R4的阻值为1～20KΩ。其中，优选第三电阻R3的阻值为100KΩ，第四电阻R4的阻值为10KΩ。

现以一具体实施例进行工作原理说明：

如图2所示的方案中，第一电阻R1的阻值为1.5KΩ，第二电阻R2的阻值为1.5KΩ，第三电阻R3的阻值为100KΩ，第四电阻R4的阻值为10KΩ，三极管Q2为PNP型三极管，MOS管Q1为P型MOS管。

假设电子设备需要电源电压输入值高于6V时起到保护，那么在正常情况下，当输入低于6V电压时，比如输入端口10输入的电压为5V，此时优选选用稳压二极管D1的钳位电压为5.6V，电压低于其钳位电压，稳压二极管D1不起作用，此时三极管Q2的基级电压与输入端口10输入的电压相同，三极管Q2将处于截止状态，同时MOS管Q1的状态，输入端口10输入的电压由第三电阻R3和第四电阻R4分压后，MOS管Q1的栅级电压将大大低于源极电压，MOS管Q1将处于饱和导通状态，输出端口50可正常输出；当输入端口10输入的电压超过6V时，比如输入电压是6.5V，此时电压高于稳压二极管D1的钳位电压，稳压二极管D1会将第一电阻R1与第二电阻R2之前的电压钳位在5.6V，此时三极管Q2的发射极电压是6.5V，从而使得三极管Q2导通，三极管Q2导通后，其集电极的电压大约在6.3V左右，即此时MOS管Q1的栅级电压是6.3V左右，MOS管Q1将会截止，输出端口50将没有电压输出，从而实现了过压保护。

本实用新型进一步提出一种智能终端，该智能终端包括上述实施例中的过压保护电路，该过压保护电路的具体结构参照上述实施例，由于本智能终端采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上的仅为本实用新型的部分或优选实施例，无论是文字还是附图都不能因此限制本实用新型保护的范围，凡是在与本实用新型一个整体的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型保护的范围内。

Claims (9)

1.一种过压保护电路，其特征在于，包括依次电连接的输入端口、稳压模块、控制模块、开关模块和输出端口，所述输入端口用于外部电源电连接，所述控制模块还与所述输入端口电连接并用于控制所述开关模块开合，所述开关模块还与所述输入端口电连接，所述输出端口用于与外部负载电连接。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述稳压模块包括稳压二极管、第一电阻和第二电阻，所述稳压二极管的正极接地，所述稳压二极管的负极通过所述第一电阻与所述输入端口电连接，所述稳压二极管的负极还通过所述第二电阻与所述控制模块电连接。

3.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为1～10KΩ，所述第二电阻的阻值为1～10KΩ。

4.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述控制模块包括三极管，所述三极管的基极与所述稳压模块电连接，所述三极管的发射极与所述输入端口电连接，所述三极管的集电极与所述开关模块电连接。

5.根据权利要求4所述的过压保护电路，其特征在于，所述开关模块包括MOS管、第三电阻和第四电阻，所述MOS管的源极与所述输入端口电连接，所述MOS管的源极还通过所述第三电阻与所述MOS管的栅极电连接，所述MOS管的栅极与所述三极管的集电极电连接，所述MOS管的栅极还通过第四电阻接地，所述MOS管的漏极与所述输入端口电连接。

6.根据权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述第三电阻的阻值为1～200KΩ，所述第四电阻的阻值为1～20KΩ。

7.根据权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述MOS管为P型MOS管。

8.根据权利要求4所述的过压保护电路，其特征在于，所述三极管为PNP型三极管。

9.一种智能终端，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的过压保护电路。

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