CN103606608A - 一种高出光效率的垂直型发光二极管 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- HLXZNVUGXRDIFK-UHFFFAOYSA-N nickel titanium Chemical compound [Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni] HLXZNVUGXRDIFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种垂直型发光二极管，所述垂直型发光二极管具有底电极，在底电极上具有底粗化层，底粗化层上形成有底透明导电层，底透明导电层上形成有p型半导体层，p型半导体层上形成有半导体发光层，半导体发光层上形成有n型半导体层，在n型半导体层上形成有顶透明导电层，顶透明导电层上形成有顶粗化层，在顶粗化层上形成有顶电极。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种高出光效率的垂直型发光二极管。
背景技术
半导体发光二极管(Light Emitting Diode)应用日益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光灯的趋势。发光二极管是由半导体材料所制成的发光元件，元件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子电洞的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同于一般白炽灯泡，发光二极管是属冷发光，具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或阵列式的元件，目前发光二极管已普遍使用于资讯、通讯及消费性电子产品的指示器与显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要元件。
目前发光二极管还面临一些技术上的问题，特别是光取出效率比较低。这导致了发光二极管的亮度不足等缺陷。针对上述问题，业内已经提出了通过粗化方法来改善发光二极管出光效率的问题，但是现有技术中粗化方法仍然存在缺陷，例如仅对发光二极管进行水平面式粗化，这种粗化方式无法进一步提高粗化面积，因此出光效率无法进一步提高。
发明内容
本发明针对现有技术的问题，提出了一种高出光效率的垂直型发光二极管，通过增大粗化面积，从而提高发光二极管的出光效率。
首先对本发明所采用的“上”、“下”进行定义，在本发明中，通过参照附图，本发明所述的“上”为附图中面向附图时垂直向上的方向。本发明所述的“下”为附图中面向附图时垂直向下的方向，本文所述的“厚度”是指面向附图时垂直方向上的距离，本文所述的“宽度”是指面向附图时水平方向上的距离。
本发明提出的高出光效率的垂直型发光二极管的结构为：
在底电极上具有底粗化层，底粗化层上形成有底透明导电层，底透明导电层上形成有p型半导体层，p型半导体层上形成有半导体发光层，半导体发光层上形成有n型半导体层，在n型半导体层上形成有顶透明导电层，顶透明导电层上形成有顶粗化层，在顶粗化层上形成有顶电极。
进一步的，所述底电极和顶电极为导热性能良好的金属材料，例如但不限于：金、银、铜、铝、镍、钛、钴、钯或铂，或者也可以采用金属合金来形成，例如但不限于：金铂合金、银铝合金、镍铝合金、镍钛合金等。
进一步的，底透明导电层和顶透明导电层为导电性能良好的金属化合物材料，例如但不限于：ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2或ＩＴＯ;底透明电极层和顶透明电极层分别具有凸块，从截面上看，所述底透明电极层和顶透明电极层的外形与方波相同；并且底透明电极层凸块的边缘与顶透明电极层凸块的边缘对齐；
进一步的，p型半导体层为p型GaN层或p型AlGaN层，n型半导体层为n型GaN层或n型AlGaN层，半导体发光层为交替形成的超晶格结构的AlxInyGazN/AIxInyGazP多量子阱层，其中x+y+z=1、并且0<x≤0.05、0<y≤0.05、0<z≤0.9；
进一步的，底粗化层和顶粗化层为ITO层，底粗化层和顶粗化层均匀覆盖在底透明电极层和顶透明电极层具有凸块的表面上，并且底粗化层和顶粗化层的厚度相同，都为80-100nm；
进一步的，底透明电极层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；同样的，顶透明电极层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；对于底电极和顶电极来说，其厚度无需特别要求，只要底电极和顶电极分别将底粗化层和顶粗化层覆盖即可。
进一步的，底透明电极层凸块的宽度与两个凸块之间的距离相同，顶透明电极层凸块的宽度与两个凸块之间的距离也相同；在某些场合，如果需要粗化层的粗化面积更大，那么凸块之间的距离可以与凸块的宽度不同，例如凸块宽度为凸块之间距离的1.5-2倍。
附图说明
图1为本发明提出的发光二极管结构示意图。
具体实施方式
实施例1
参见图1，
本发明提出的高出光效率的垂直型发光二极管的结构为：
在底电极1上具有底粗化层21，底粗化层21上形成有底透明导电层22，底透明导电层22上形成有p型半导体层3，p型半导体层3上形成有半导体发光层4，半导体发光层4上形成有n型半导体层5，在n型半导体层5上形成有顶透明导电层61，顶透明导电层61上形成有顶粗化层62，在顶粗化层62上形成有顶电极7。
所述底电极1和顶电极7为导热性能良好的金属材料，例如但不限于：金、银、铜、铝、镍、钛、钴、钯或铂，或者也可以采用金属合金来形成，例如但不限于：金铂合金、银铝合金、镍铝合金、镍钛合金等。
底透明导电层22和顶透明导电层61为导电性能良好的金属化合物材料，例如但不限于：ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2或ＩＴＯ;底透明电极层22和顶透明电极层61分别具有凸块，从截面上看，所述底透明电极层22和顶透明电极层61的外形与方波相同；并且底透明电极层22凸块的边缘与顶透明电极层62凸块的边缘对齐，见图1，由虚线A1和A2所示，底透明电极层22凸块的边缘与与顶透明电极层61凸块的边缘对齐；
p型半导体层3为p型GaN层或p型AlGaN层，n型半导体层5为n型GaN层或n型AlGaN层，半导体发光层4为交替形成的超晶格结构的AlxInyGazN/AIxInyGazP多量子阱层，其中x+y+z=1、并且0<x≤0.05、0<y≤0.05、0<z≤0.9；
底粗化层21和顶粗化层62为ITO层，底粗化层21和顶粗化层62均匀覆盖在底透明电极层22和顶透明电极层61具有凸块的表面上，并且底粗化层21和顶粗化层62的厚度相同，都为80-100nm；
底透明电极层22没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；同样的，顶透明电极层61没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；对于底电极1和顶电极3来说，其厚度无需特别要求，只要底电极1和顶电极3分别将底粗化层和顶粗化层覆盖即可。
底透明电极层22凸块的宽度与两个凸块之间的距离相同，顶透明电极层61凸块的宽度与两个凸块之间的距离也相同；在某些场合，如果需要粗化层的粗化面积更大，那么凸块之间的距离可以与凸块的宽度不同，例如凸块宽度为凸块之间距离的1.5-2倍。
实施例2
下面介绍本发明的优选实施例。
参见图1，在底电极1上具有底粗化层21，底粗化层21上形成有底透明导电层22，底透明导电层22上形成有p型半导体层3，p型半导体层3上形成有半导体发光层4，半导体发光层4上形成有n型半导体层5，在n型半导体层5上形成有顶透明导电层61，顶透明导电层61上形成有顶粗化层62，在顶粗化层62上形成有顶电极7。
所述底电极1和顶电极7为导热性能良好的金属材料，例如但不限于：金、银、铜、铝、镍、钛、钴、钯或铂，或者也可以采用金属合金来形成，例如但不限于：金铂合金、银铝合金、镍铝合金、镍钛合金等。
底透明导电层22和顶透明导电层61为导电性能良好的金属化合物材料，例如但不限于：ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2或ＩＴＯ;底透明电极层22和顶透明电极层61分别具有凸块，从截面上看，所述底透明电极层22和顶透明电极层61的外形与方波相同；并且底透明电极层22凸块的边缘与顶透明电极层62凸块的边缘对齐，见图1，由虚线A1和A2所示，底透明电极层22凸块的边缘与与顶透明电极层61凸块的边缘对齐；
p型半导体层3为p型GaN层或p型AlGaN层，n型半导体层5为n型GaN层或n型AlGaN层，半导体发光层4为交替形成的超晶格结构的AlxInyGazN/AIxInyGazP多量子阱层，其中x =0.045、y=0.055、z=0.9；
底粗化层21和顶粗化层62为ITO层，底粗化层21和顶粗化层62均匀覆盖在底透明电极层22和顶透明电极层61具有凸块的表面上，并且底粗化层21和顶粗化层62的厚度相同，都为90nm；
底透明电极层22没有凸块的区域的厚度为0.8微米，具有凸块的区域的厚度为7微米；同样的，顶透明电极层61没有凸块的区域的厚度为0.8微米，具有凸块的区域的厚度为7微米；对于底电极1和顶电极3来说，其厚度无需特别要求，只要底电极1和顶电极3分别将底粗化层和顶粗化层覆盖即可。
底透明电极层22凸块的宽度与两个凸块之间的距离相同，顶透明电极层61凸块的宽度与两个凸块之间的距离也相同；在某些场合，如果需要粗化层的粗化面积更大，那么凸块之间的距离可以与凸块的宽度不同，例如凸块宽度为凸块之间距离的1.6倍。
至此，上述描述已经详细的说明了本发明的发光二极管结构，相对于现有的发光二极管，本发明提出的结构能够大幅度提高发光亮度。前文的描述的实施例仅仅只是本发明的优选实施例，其并非用于限定本发明。本领域技术人员在不脱离本发明精神的前提下，可对本发明做任何的修改，而本发明的保护范围由所附的权利要求来限定。
Claims (5)
1.一种垂直型发光二极管，其特征在于：
所述垂直型发光二极管具有底电极，在底电极上具有底粗化层，底粗化层上形成有底透明导电层，底透明导电层上形成有p型半导体层，p型半导体层上形成有半导体发光层，半导体发光层上形成有n型半导体层，在n型半导体层上形成有顶透明导电层，顶透明导电层上形成有顶粗化层，在顶粗化层上形成有顶电极。
2.如权利要求1所述的垂直型发光二极管，其特征在于：
底透明电极层和顶透明电极层分别具有凸块，从截面上看，所述底透明电极层和顶透明电极层的外形与方波相同；并且底透明电极层凸块的边缘与顶透明电极层凸块的边缘对齐。
3.如权利要求1或2所述的垂直型发光二极管，其特征在于：
底粗化层和顶粗化层为ITO层，底粗化层和顶粗化层均匀覆盖在底透明电极层和顶透明电极层具有凸块的表面上，并且底粗化层和顶粗化层的厚度相同，都为80-100nm；底透明电极层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；同样的，顶透明电极层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米。
4.如权利要求1-3之一的垂直型发光二极管，其特征在于：
底透明电极层凸块的宽度与两个凸块之间的距离相同，顶透明电极层凸块的宽度与两个凸块之间的距离也相同。
5.如权利要求1-3之一的垂直型发光二极管，其特征在于：
底透明电极层以及顶透明电极层凸块的宽度与凸块之间的距离之比为1.5-2，优选1.6倍。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310495807.2A CN103606608A (zh) | 2013-10-21 | 2013-10-21 | 一种高出光效率的垂直型发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310495807.2A CN103606608A (zh) | 2013-10-21 | 2013-10-21 | 一种高出光效率的垂直型发光二极管 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103606608A true CN103606608A (zh) | 2014-02-26 |
Family
ID=50124822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310495807.2A Pending CN103606608A (zh) | 2013-10-21 | 2013-10-21 | 一种高出光效率的垂直型发光二极管 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN103606608A (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140226 |