CN103606601B - 一种台阶型发光二极管的制造方法 - Google Patents

一种台阶型发光二极管的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103606601B
CN103606601B CN201310496312.1A CN201310496312A CN103606601B CN 103606601 B CN103606601 B CN 103606601B CN 201310496312 A CN201310496312 A CN 201310496312A CN 103606601 B CN103606601 B CN 103606601B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparency conducting
layer
conducting layer
projection
roughened
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310496312.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103606601A (zh
Inventor
丛国芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Liyang Technology Development Center
Original Assignee
LIYANG DONGDA TECHNOLOGY TRANSFER CENTER Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LIYANG DONGDA TECHNOLOGY TRANSFER CENTER Co Ltd filed Critical LIYANG DONGDA TECHNOLOGY TRANSFER CENTER Co Ltd
Priority to CN201310496312.1A priority Critical patent/CN103606601B/zh
Publication of CN103606601A publication Critical patent/CN103606601A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103606601B publication Critical patent/CN103606601B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种台阶型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层、第二底透明导电层；（2）在第二底透明导电层的第二区域上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（3）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层、第二顶透明导电层；（4）在第二底透明导电层的第一区域上以及第二顶透明导电层上形成底电极和顶电极。

Description

一种台阶型发光二极管的制造方法
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种台阶型发光二极管的制造方法。
背景技术
半导体发光二极管(Light Emitting Diode)应用日益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光灯的趋势。发光二极管是由半导体材料所制成的发光元件，元件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子电洞的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同于一般白炽灯泡，发光二极管是属冷发光，具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或阵列式的元件，目前发光二极管已普遍使用于资讯、通讯及消费性电子产品的指示器与显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要元件。
目前发光二极管还面临一些技术上的问题，特别是光取出效率比较低。这导致了发光二极管的亮度不足等缺陷。针对上述问题，业内已经提出了通过粗化方法来改善发光二极管出光效率的问题，但是现有技术中粗化方法仍然存在缺陷，例如仅对发光二极管进行水平面式粗化，这种粗化方式无法进一步提高粗化面积，因此出光效率无法进一步提高。
发明内容
本发明针对现有技术的问题，提出了一种高出光效率的台阶型发光二极管的制造方法，通过增大粗化面积，从而提高发光二极管的出光效率。
首先对本发明所采用的“上”、“下”进行定义，在本发明中，通过参照附图，本发明所述的“上”为附图中面向附图时垂直向上的方向。本发明所述的“下”为附图中面向附图时垂直向下的方向，本文所述的“厚度”是指面向附图时垂直方向上的距离，本文所述的“宽度”是指面向附图时水平方向上的距离。
本发明提出的台阶型发光二极管的制造方法依次包括如下步骤：
（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层、第二底透明导电层；
（2）在第二底透明导电层的第二区域上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；
（3）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层、第二顶透明导电层；
（4）在第二底透明导电层的第一区域上以及第二顶透明导电层上形成底电极和顶电极。
其中，在衬底上形成第一底透明导电层的工艺为：先在衬底上淀积透明导电材料，然后经过光刻、刻蚀工艺，从而在透明导电材料上形成凹槽，以此形成第一底透明导电层，此后采用化学腐蚀工艺对第一底透明导电层的表面进行腐蚀，从而在第一底透明导电层表面形成一定厚度的底粗化层，接着在底粗化层上淀积透明导电材料，经过平坦化后形成第二底透明导电层；
其中，在n型半导体层上淀积平坦的透明导电材料，然后经光刻、刻蚀后形成具有凸起的第一顶透明导电层，此后对第一顶透明导电层的表面进行化学腐蚀，从而在第一顶透明导电层的表面形成一定厚度的顶粗化层，接着在顶粗化层上淀积透明导电材料，经平坦化后形成第二顶透明导电层；
其中，同时采用金属溅射工艺，从而在第二底透明导电层的第一区域的表面上以及第二顶透明导电层的表面上分别形成底电极和顶电极；
进一步的，所述底电极和顶电极为导热性能良好的金属材料，例如但不限于：金、银、铜、铝、镍、钛、钴、钯或铂，或者也可以采用金属合金来形成，例如但不限于：金铂合金、银铝合金、镍铝合金、镍钛合金等。
进一步的，第一底透明导电层、第二底透明导电层、第一顶透明导电层和第二顶透明导电层为导电性能良好的透明导电材料，例如金属化合物材料，该金属化合物材料为：ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2或ＩＴＯ;
第二底透明导电层和第一顶透明导电层分别具有凸块，从截面上看，所述第二底透明导电层和第一顶透明导电层的外形与方波相同；并且第二底透明导电层凸块的边缘与第一顶透明导电层凸块的边缘对齐；
进一步的，p型半导体层为p型GaN层或p型AlGaN层，n型半导体层为n型GaN层或n型AlGaN层，半导体发光层为交替形成的超晶格结构的AlxInyGazN/AIxInyGazP多量子阱层，其中x+y+z=1、并且0<x≤0.05、0<y≤0.05、0<z≤0.9；
进一步的，底粗化层和顶粗化层均匀覆盖在第二底透明导电层和第一顶透明导电层具有凸块的表面上，并且底粗化层和顶粗化层的厚度相同，都为80-100nm；
进一步的，第二底透明导电层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；同样的，第一顶透明导电层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；对于底电极和顶电极来说，其厚度无需特别要求，只要底电极和顶电极的厚度能满足所述台阶型发光二极管与外部电路电连接的需要即可。
进一步的，第二底透明导电层凸块的宽度与第二底透明导电层上两个凸块之间的距离相同，第一顶透明导电层凸块的宽度与第一顶透明导电层上两个凸块之间的距离也相同；在某些场合，如果需要粗化层的粗化面积更大，那么凸块之间的距离可以与凸块的宽度不同，例如凸块宽度为凸块之间距离的1.5-2倍。
附图说明
图1为本发明提出的发光二极管结构示意图。
具体实施方式
实施例1
台阶型发光二极管的制造方法依次包括如下步骤：
（1）在衬底S上依次形成第一底透明导电层1、底粗化层21、第二底透明导电层22；
（2）在第二底透明导电层22的第二区域上依次形成p型半导体层3、半导体发光层4和n型半导体层5；
（3）在n型半导体层5上依次形成第一顶透明导电层61、顶粗化层62、第二顶透明导电层7；
（4）在第二底透明导电层22的第一区域上以及第二顶透明导电层7上形成底电极11和顶电极12。
其中，在衬底S上形成第一底透明导电层1的工艺为：先在衬底S上淀积透明导电材料，然后经过光刻、刻蚀工艺，从而在透明导电材料上形成凹槽，以此形成第一底透明导电层1，此后采用化学腐蚀工艺对第一底透明导电层1的表面进行腐蚀，从而在第一底透明导电层1表面形成一定厚度的底粗化层21，接着在底粗化层21上淀积透明导电材料，经过平坦化后形成第二底透明导电层22；
其中，在n型半导体层5上淀积平坦的透明导电材料，然后经光刻、刻蚀后形成具有凸起的第一顶透明导电层61，此后对第一顶透明导电层61的表面进行化学腐蚀，从而在第一顶透明导电层61的表面形成一定厚度的顶粗化层62，接着在顶粗化层62上淀积透明导电材料，经平坦化后形成第二顶透明导电层7；
其中，同时采用金属溅射工艺，从而在第二底透明导电层22的第一区域的表面上以及第二顶透明导电层7的表面上分别形成底电极11和顶电极12；
进一步的，所述底电极11和顶电极12为导热性能良好的金属材料，例如但不限于：金、银、铜、铝、镍、钛、钴、钯或铂，或者也可以采用金属合金来形成，例如但不限于：金铂合金、银铝合金、镍铝合金、镍钛合金等。
进一步的，第一底透明导电层1、第二底透明导电层22、第一顶透明导电层61和第二顶透明导电层7为导电性能良好的透明导电材料，例如金属化合物材料，该金属化合物材料为：ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2或ＩＴＯ;
第二底透明导电层22和第一顶透明导电层61分别具有凸块，从截面上看，所述第二底透明导电层22和第一顶透明导电层61的外形与方波相同；并且第二底透明导电层22凸块的边缘与第一顶透明导电层61凸块的边缘对齐，参见图1，所述边缘的对齐以虚线A1和A2所示；
进一步的，p型半导体层3为p型GaN层或p型AlGaN层，n型半导体层5为n型GaN层或n型AlGaN层，半导体发光层4为交替形成的超晶格结构的AlxInyGazN/AIxInyGazP多量子阱层，其中x+y+z=1、并且0<x≤0.05、0<y≤0.05、0<z≤0.9；
进一步的，底粗化层21和顶粗化层62分别均匀覆盖在第二底透明导电层22的下表面和第一顶透明导电层61的上表面，并且底粗化层21和顶粗化层62的厚度相同，都为80-100nm；
进一步的，第二底透明导电层22没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；同样的，第一顶透明导电层61没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；对于底电极11和顶电极12来说，其厚度无需特别要求，只要底电极11和顶电极12的厚度能满足所述台阶型发光二极管与外部电路电连接的需要即可。
进一步的，第二底透明导电层22凸块的宽度与第二底透明导电层22上两个凸块之间的距离相同，第一顶透明导电层61凸块的宽度与第一顶透明导电层61上两个凸块之间的距离也相同；在某些场合，如果需要粗化层的粗化面积更大，那么凸块之间的距离可以与凸块的宽度不同，例如凸块宽度为凸块之间距离的1.5-2倍。
实施例2
下面介绍本发明的优选实施例。
参见图1，台阶型发光二极管的制造方法依次包括如下步骤：
（1）在衬底S上依次形成第一底透明导电层1、底粗化层21、第二底透明导电层22；
（2）在第二底透明导电层22的第二区域上依次形成p型半导体层3、半导体发光层4和n型半导体层5；
（3）在n型半导体层5上依次形成第一顶透明导电层61、顶粗化层62、第二顶透明导电层7；
（4）在第二底透明导电层22的第一区域上以及第二顶透明导电层7上形成底电极11和顶电极12。
其中，在衬底S上形成第一底透明导电层1的工艺为：先在衬底S上淀积透明导电材料，然后经过光刻、刻蚀工艺，从而在透明导电材料上形成凹槽，以此形成第一底透明导电层1，此后采用化学腐蚀工艺对第一底透明导电层1的表面进行腐蚀，从而在第一底透明导电层1表面形成一定厚度的底粗化层21，接着在底粗化层21上淀积透明导电材料，经过平坦化后形成第二底透明导电层22；
其中，在n型半导体层5上淀积平坦的透明导电材料，然后经光刻、刻蚀后形成具有凸起的第一顶透明导电层61，此后对第一顶透明导电层61的表面进行化学腐蚀，从而在第一顶透明导电层61的表面形成一定厚度的顶粗化层62，接着在顶粗化层62上淀积透明导电材料，经平坦化后形成第二顶透明导电层7；
其中，同时采用金属溅射工艺，从而在第二底透明导电层22的第一区域的表面上以及第二顶透明导电层7的表面上分别形成底电极11和顶电极12；
进一步的，所述底电极11和顶电极12为导热性能良好的金属材料，例如但不限于：金、银、铜、铝、镍、钛、钴、钯或铂，或者也可以采用金属合金来形成，例如但不限于：金铂合金、银铝合金、镍铝合金、镍钛合金等。
进一步的，第一底透明导电层1、第二底透明导电层22、第一顶透明导电层61和第二顶透明导电层7为导电性能良好的透明导电材料，例如金属化合物材料，该金属化合物材料为：ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、Ｉｎ2Ｏ3、ＴｉＯ2或ＩＴＯ;
第二底透明导电层22和第一顶透明导电层61分别具有凸块，从截面上看，所述第二底透明导电层22和第一顶透明导电层61的外形与方波相同；并且第二底透明导电层22凸块的边缘与第一顶透明导电层61凸块的边缘对齐，参见图1，所述边缘的对齐以虚线A1和A2所示；
进一步的，p型半导体层3为p型GaN层或p型AlGaN层，n型半导体层5为n型GaN层或n型AlGaN层，半导体发光层4为交替形成的超晶格结构的AlxInyGazN/AIxInyGazP多量子阱层，其中x=0.045、y=0.055、z=0.9；
进一步的，底粗化层21和顶粗化层62分别均匀覆盖在第二底透明导电层22的下表面和第一顶透明导电层61的上表面，并且底粗化层21和顶粗化层62的厚度相同，都为90nm；
进一步的，第二底透明导电层22没有凸块的区域的厚度为0.8微米，具有凸块的区域的厚度为8微米；同样的，第一顶透明导电层61没有凸块的区域的厚度为0.8微米，具有凸块的区域的厚度为8微米；对于底电极11和顶电极12来说，其厚度无需特别要求，只要底电极11和顶电极12的厚度能满足所述台阶型发光二极管与外部电路电连接的需要即可。
进一步的，第二底透明导电层22凸块的宽度与第二底透明导电层22上两个凸块之间的距离相同，第一顶透明导电层61凸块的宽度与第一顶透明导电层61上两个凸块之间的距离也相同；在某些场合，如果需要粗化层的粗化面积更大，那么凸块之间的距离可以与凸块的宽度不同，例如凸块宽度为凸块之间距离的1.7倍。
至此，上述描述已经详细的说明了本发明的制造方法，本发明提出的方法能够大幅度提高发光亮度。前文的描述的实施例仅仅只是本发明的优选实施例，其并非用于限定本发明。本领域技术人员在不脱离本发明精神的前提下，可对本发明做任何的修改，而本发明的保护范围由所附的权利要求来限定。

Claims (4)

1.一种台阶型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：
(1)在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层、第二底透明导电层；
(2)在第二底透明导电层的第二区域上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；
(3)在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层、第二顶透明导电层；
(4)在第二底透明导电层的第一区域上以及第二顶透明导电层上形成底电极和顶电极；
其中，步骤(1)的工艺具体为：先在衬底上淀积透明导电材料，然后经过光刻、刻蚀工艺，从而在透明导电材料上形成凹槽，以此形成第一底透明导电层，此后采用化学腐蚀工艺对第一底透明导电层的表面进行腐蚀，从而在第一底透明导电层表面形成一定厚度的底粗化层，接着在底粗化层上淀积透明导电材料，经过平坦化后形成第二底透明导电层；
其中，步骤(3)的工艺为：在n型半导体层上淀积平坦的透明导电材料，然后经光刻、刻蚀后形成具有凸起的第一顶透明导电层，此后对第一顶透明导电层的表面进行化学腐蚀，从而在第一顶透明导电层的表面形成一定厚度的顶粗化层，接着在顶粗化层上淀积透明导电材料，经平坦化后形成第二顶透明导电层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
第二底透明导电层和第一顶透明导电层分别具有凸块，从截面上看，所述第二底透明导电层和第一顶透明导电层的外形与方波相同；并且第二底透明导电层凸块的边缘与第一顶透明导电层凸块的边缘对齐。
3.如权利要求2的方法，其特征在于：
第二底透明导电层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；同样的，第一顶透明导电层没有凸块的区域的厚度为0.5-1微米，具有凸块的区域的厚度为5-10微米；
第二底透明导电层凸块的宽度与第二底透明导电层上两个凸块之间的距离相同，第一顶透明导电层凸块的宽度与第一顶透明导电层上两个凸块之间的距离也相同。
4.如权利要求2的方法，其特征在于：
第二底透明导电层凸块的宽度与第二底透明导电层上两个凸块之间的距离不同；
第一顶透明导电层凸块的宽度与第一顶透明导电层上两个凸块之间的距离也不同。
CN201310496312.1A 2013-10-21 2013-10-21 一种台阶型发光二极管的制造方法 Active CN103606601B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310496312.1A CN103606601B (zh) 2013-10-21 2013-10-21 一种台阶型发光二极管的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310496312.1A CN103606601B (zh) 2013-10-21 2013-10-21 一种台阶型发光二极管的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103606601A CN103606601A (zh) 2014-02-26
CN103606601B true CN103606601B (zh) 2016-08-24

Family

ID=50124815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310496312.1A Active CN103606601B (zh) 2013-10-21 2013-10-21 一种台阶型发光二极管的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103606601B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101355119A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 中国科学院半导体研究所 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法
CN103022301A (zh) * 2011-09-20 2013-04-03 上海蓝光科技有限公司 具有光抽取微结构的大功率GaN基垂直结构LED及其制备方法
CN103325913A (zh) * 2013-05-27 2013-09-25 江苏晶瑞半导体有限公司 具有复合透明导电层的发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009039212A1 (en) * 2007-09-21 2009-03-26 Bridgelux, Inc. Light-emitting diode chip with high extraction and method for manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101355119A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 中国科学院半导体研究所 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法
CN103022301A (zh) * 2011-09-20 2013-04-03 上海蓝光科技有限公司 具有光抽取微结构的大功率GaN基垂直结构LED及其制备方法
CN103325913A (zh) * 2013-05-27 2013-09-25 江苏晶瑞半导体有限公司 具有复合透明导电层的发光二极管及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103606601A (zh) 2014-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102130104B (zh) 发光器件及制造方法
CN101320766B (zh) 电流扩散层、发光二极管装置及其制造方法
CN102130226A (zh) 发光器件及制造方法
CN103165781A (zh) 发光二极管元件
CN101771119B (zh) 一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作方法
CN101315962A (zh) 发光二极管装置及其制造方法
CN103178185A (zh) 发光器件
CN102110753A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102169948A (zh) 发光设备和照明系统
CN102315349B (zh) 发光器件及其制造方法
CN102130287A (zh) 具有静电损伤保护功能的发光二极管器件及其制造方法
CN102790156B (zh) 半导体发光结构
US8247247B2 (en) Method of manufacturing LED module
CN103606601B (zh) 一种台阶型发光二极管的制造方法
CN102751393A (zh) 发光二极管结构
CN102237353A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN201918389U (zh) 具有静电损伤保护功能的发光二极管器件
CN103594567B (zh) 一种高出光效率的垂直型发光二极管的制造方法
CN103606609B (zh) 一种发光二极管电极的制造方法
CN103594582B (zh) 一种高出光效率的垂直型发光二极管
CN103594581B (zh) 一种平台型发光二极管的制造方法
CN102683550A (zh) 半导体发光器件及其制造方法
CN103606605B (zh) 一种平台型发光二极管
CN103606608A (zh) 一种高出光效率的垂直型发光二极管
CN103606611B (zh) 一种高出光效率的垂直型发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170724

Address after: Licheng Town East Street Liyang city 213300 Jiangsu city of Changzhou province No. 182

Patentee after: Liyang Technology Development Center

Address before: Li Town of Liyang City, Jiangsu province 213300 Changzhou City Dongmen Street No. 67

Patentee before: LIYANG DONGDA TECHNOLOGY TRANSFER CENTER CO., LTD.

TR01 Transfer of patent right