具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明作进一步的详细说明。
通常来说,影响光离子化检测器灵敏度的因素很多,主要有电离室的结构与池体积,PID光源对电极直射所产生的光电效应以及各种电磁噪声(特别是PID光源的驱动电路)的干扰。因此,本发明将以提高灵敏度为目的,在技术上将解决以下关键问题:1)尽可能减少电离室的池体积,并提高气体的电离效率和离子被捕获效率;2)防止电极(包括发射极和收集极)被PID光源直射而产生光电效应,带来噪声影响;3)消除电磁噪声带来的干扰。
本发明提出的光离子化检测器中,设计了喷嘴结构,一方面能减少电离室的池体积,提高气体电离效率和离子的捕获效率,另一方面,将收集极和发射极屏蔽起来,真空紫外灯发出的紫外光无法直射到收集极和发射极上,因此避免了光电效应的产生。该检测器还设计了电磁屏蔽结构,能消除PID光源驱动电路以及外界的电磁噪声。因此这种光离子化检测器具有超低的噪声水平,大大提高了检测器的检测灵敏度和降低了检测器的检出限。
图1是本发明的高灵敏度光离子化检测器的结构示意图,所述的收集极3、发射极4以及喷嘴5位于光离子化电离室2中,真空PID紫外灯1发出的紫外光直接射到喷嘴5上,收集极3紧贴光离子化电离室2的顶部内壁,而发射极4则嵌入在喷嘴5中部的凹槽内,因此,紫外光都无法直射到收集极3和发射极4的表面,消除了光电效应的影响。在收集极3和发射极4之间加一直流高压源9,形成电场。混合气体经色谱柱6分离后,由于色谱柱的末端直接嵌入在喷嘴5的中心,并与电离室相连通,因此,分离后的气体组分经喷嘴5直接进入光离子化电离室2中,被真空紫外灯1电离成正负离子,正负离子在电场的作用下,分别被收集极3和发射极4捕获,而转化成微弱电流信号,再经微电流放大器10放大后输出到数据采集卡。
所述的喷嘴5,位于电离室2中,并处于真空紫外灯的正下方,距紫外灯发光窗口面的距离可在1mm-9mm选择,优选地,距紫外灯发光窗口面的距离为2mm。喷嘴形状可以是柱形、方形或其它形状,优选地,其形状如图4所示,上部分为圆锥形或圆台形,中间部分有一凹槽,是用来放置发射极4,下部分为圆柱形。整个喷嘴采用聚四氟乙烯(PTEF)、聚醚醚酮(PEEK)聚甲醛、聚砜等材料加工,其体积为电离室的1/3-4/5。优选地,采用聚四氟乙烯加工而成,喷嘴的体积为电离室池体积的2/3,也就是说,电离室的池体积由于喷嘴的存在,其池体积减少了2/3。因此,这种设计,一方面减少了电离室的池体积,另一方面完全消除了PID光源直射到收集极3上而产生光电效应。
根据本发明,所述的收集极3与发射极4一起组成光离子化检测器(photo-ionization detector,PID)的两电极(如图2所示),在PID的两电极间加上直流高压电源9,即可在两电极间形成强电场,气体组分被PID紫外灯1电离后,正负离子就会被收集极3与发射极4分别捕获,形成电流,然后经微电流放大器10后,即可形成色谱峰。所述的收集极采用Pt、Au、Cu、Al等材料加工,可位于电离室2的顶部内壁(如图5中13)或侧内壁(如图5中14),在本实施例中,位于电离室2的顶部内壁,由于被电离室内壁所保护,PID光源无法直射其表面。其形状可以是圆环,同心圆盘或其他形状。所述的发射极4,其位置位于喷嘴5中部的凹槽内11,采用Pt、Au、Cu、Al等材料加工,形状可以是同心圆环、同心圆盘或细杆。
所述的光离子化电离室2,可采用聚四氟乙烯、聚醚醚酮、聚甲醛、聚砜等材料加工而成,其池体积在10微升-200微升选择优选地,采用四氟乙烯加工而成,池体积为15微升。
所述的电磁屏蔽8,嵌入在PID光源窗口平面的下方和收集极3上方之间的任何位置,只露出PID光源的发光窗口。可采用电镀、蒸发、溅射等方法,按照图3(b)所示得到一层金属,金属层的厚度可在50nm-2mm选择,优选地,采用溅射的方法得到一层200nm的Au金属层。然后该金属层与PID光源驱动电路的电磁屏蔽层连成一体。
所述的尾气出口7,其出口位于电离室的底部,并与外部相通,其作用是将电离后的气体及时排出电离室;所述的真空紫外灯驱动电路12,其位置与PID光源直接相连,并将PID光源嵌入其中,其作用是驱动PID光源使其产生紫外光,将气体电离成正、负离子。
以上描述了本发明的光离子化检测器的具体结构及其工作原理,下面通过具体示例来描述制造该检测器的方法。
光离子化电离室2的加工可选择聚四氟乙烯、聚醚醚酮、聚甲醛、聚砜等材料。整个光离子化电离室可分为图3(a)、(b)、(c)三个部分分别加工,待三部分加工完毕后,利用螺钉、过渡垫以及密封胶组装成一个整体。
图3(a)部分的加工,其喷嘴部分如图4所示,喷嘴5位于电离室中,并置于真空紫外灯1的正下方,距紫外灯1发光窗口面的距离可在1mm-9mm选择,其体积为电离室的1/3-4/5,在本实施例中,喷嘴距紫外灯1发光窗口面的距离为2mm,喷嘴的体积为电离室池体积的2/3,色谱柱6通过喷嘴的中心通孔将气体导入电离室2内。喷嘴5的形状,其上部分为圆锥形或圆台形,中间部分有一凹槽,下部分为圆柱形。整个喷嘴5可采用聚四氟乙烯、聚醚醚酮、聚甲醛、聚砜等材料加工,优选地,采用聚四氟乙烯加工而成。发射极4置于喷嘴的凹槽内,其形状为同心圆环或同心圆盘或其他形状,可采用Pt、Au、Cu、Al或不锈钢等材料加工,优选地,采用Pt细丝紧密绕在凹槽内。
图3(b)部分的加工,采用精密机械加工技术加工而成,其材料可采用聚四氟乙烯、聚醚醚酮、聚甲醛、聚砜等材料加工,优选地,采用聚四氟乙烯加工而成。收集极3采用Pt、Au、Cu、Al等材料加工,可位于电离室2的顶部内壁(如图5中13)或侧内壁(如图5中14),其形状可以是圆环,同心圆盘或其他形状,其厚度不超过1mm,优选地,位于电离室2的顶部内壁,其形状为同心圆盘,厚度为0.3mm。所述的电磁屏蔽8嵌入在PID光源窗口平面的下方和收集极3上方之间的任何位置,只露出PID光源的发光窗口。可采用电镀、蒸发、溅射等方法,按照图3(b)所示得到一层金属,金属层的厚度可在50nm-2mm选择,优选地,采用溅射的方法得到一层200nm的Au金属层。然后该金属层与PID光源驱动电路的电磁屏蔽层连成一体。
图3(c)部分的加工,采用精密机械加工技术加工而成,其材料可采用聚四氟乙烯、聚醚醚酮、聚甲醛、聚砜等材料加工,优选地,采用聚四氟乙烯加工而成。真空紫外灯1的窗口紧贴着电离室,其窗口到喷嘴的距离不大于9mm,真空紫外灯1通过O形圈和螺钉固定密封,然后整个3(c)部分,通过强力密封胶与3(b)连接。
再将3(b)通过螺钉、过渡垫与3(a)连接,形成光离子化电离室。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。