CN103543044A - 微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法 - Google Patents

微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103543044A
CN103543044A CN201210248876.9A CN201210248876A CN103543044A CN 103543044 A CN103543044 A CN 103543044A CN 201210248876 A CN201210248876 A CN 201210248876A CN 103543044 A CN103543044 A CN 103543044A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
polishing
mems device
section
print
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210248876.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103543044B (zh
Inventor
金志明
刘慧�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CSMC Technologies Corp
Original Assignee
Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd filed Critical Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd
Priority to CN201210248876.9A priority Critical patent/CN103543044B/zh
Priority to PCT/CN2013/078582 priority patent/WO2014012429A1/zh
Publication of CN103543044A publication Critical patent/CN103543044A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103543044B publication Critical patent/CN103543044B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02Devices for withdrawing samples
    • G01N1/04Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting
    • G01N1/06Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting providing a thin slice, e.g. microtome
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/32Polishing; Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

本发明涉及一种微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,包括下列步骤:将待分析样品切片得到样片;将透明的塑料粉用专用固化剂调成糊状,并涂抹在所述样片的上表面;准备一透明片,将所述透明片压平在所述样片涂抹有糊状塑料粉的一面上;待所述糊状塑料粉固化;对所述样片的第一侧面进行抛光,直至磨至待观察的剖面。本发明由于将透明塑料材料填充入MEMS器件悬浮的梳齿结构的缝隙中,增强了结构的强度,避免了抛光过程中悬浮的梳齿结构的坍塌。本发明适用于衬底为任意晶向的器件,且无需采用价格昂贵的CVD设备,相对于传统采用CVD淀积保护膜的方法,能够节约成本。

Description

微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法
技术领域
本发明涉及半导体器件,特别是涉及一种微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法。
背景技术
晶圆代工厂监控在线工艺的方法之一是利用扫描电子显微镜(SEM)观察并测量器件特定结构的剖面形貌。而目前在晶圆代工厂的故障分析(FA)实验室,扫描电镜剖面形貌样品的制备方法主要有手工裂片、MC600定位裂片、抛光及聚焦离子束(FIB)切片等方法。因普通集成电路的制程都是在硅衬底上制造器件然后在表面连接互联线,属于比较整体、稳定的结构,因此上述方法能满足剖面形貌分析的要求。
但随着微机电系统(MEMS)器件的出现,现有的剖面形貌分析样品的制备方法已经不能满足要求。例如,某些MEMS器件结构在硅衬底上腐蚀出很深的槽(通常达几十微米)并在底部横向通透腐蚀形成悬浮的梳齿结构,如图1、图2所示,包括衬底10、氧化层20以及绝缘体上硅(SOI)结构30。这种结构无法通过传统的裂片及FIB切片实现。而传统的抛光方法也会损坏此类悬浮结构。
目前一种传统的解决方案是利用化学气相淀积(CVD)设备在圆片表面淀积一层保护膜如SiO2/SiN等,然后采用裂片的方法制备剖面形貌分析样品。但采用该方法必须满足两个前提条件:1,衬底晶向必须是<100>,否则裂片方向不与所需监控图形垂直;2,梳齿结构交叉部分必须足够多(即镂空结构不能过多),才可能避免裂片时因结构坍塌导致形貌变形。图3是一种非悬空的梳齿结构MEMS器件采用传统CVD淀积保护膜方法制备并裂片后形成的剖面形貌分析样品在显微镜下的照片,可以看到即使对于底部未腐蚀镂空的梳齿结构MEMS器件,裂片时已经会存在结构变形现象,则对于具悬浮的梳齿结构的MEMS器件,采用CVD淀积保护膜的方案就更容易出现裂片时结构坍塌的情况了。另外,该方法还存在成本较高的问题。
发明内容
基于此,有必要针对传统的CVD淀积保护膜制备MEMS器件的剖面形貌分析样品方法成本高、泛用性差的问题,提供一种微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法。
一种微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,包括下列步骤:将待分析样品切片得到样片,所述样片的一个样片的第一侧面靠近待观察的剖面;将透明的塑料粉用专用固化剂调成糊状,并涂抹在所述样片的上表面;准备一透明片,将所述透明片压平在所述样片涂抹有糊状塑料粉的一面上;待所述糊状塑料粉固化;对所述样片的第一侧面进行抛光,直至磨至待观察的剖面。
在其中一个实施例中,所述透明的塑料粉为亚克力粉。
在其中一个实施例中,所述待所述糊状塑料粉固化是放置10分钟。
在其中一个实施例中,所述对所述样片的第一侧面进行抛光,直至磨至待观察的剖面的步骤是依次用由粗到细的抛光砂纸磨至所述待观察的剖面,再通过绒布或抛光液对所述待观察的剖面进行抛光。
在其中一个实施例中,所述抛光砂纸中最粗的粗糙度为9微米,最细的粗糙度为0.1微米。
在其中一个实施例中,所述通过绒布或抛光液对所述待观察的剖面进行抛光的抛光时间为30秒。
在其中一个实施例中,所述透明片为玻璃片。
在其中一个实施例中,所述透明片的大小与所述样片涂抹糊状塑料粉的一面相匹配,能够正好将所述样片涂抹有糊状塑料粉的一面完全覆盖。
适用于衬底为任意晶向的器件,且无需采用价格昂贵的CVD设备,相对于传统采用CVD淀积保护膜的方法,能够节约成本。
附图说明
图1是一种具悬浮的梳齿结构的MEMS器件表面的俯视示意图;
图2是一种具悬浮的梳齿结构的MEMS器件的剖视示意图;
图3是一种非悬空的梳齿结构MEMS器件采用传统CVD淀积保护膜方法制备并裂片后形成的剖面形貌分析样品在显微镜下的照片;
图4是一实施例中微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法的流程图;
图5是一实施例中样片上表面的俯视图;
图6是一实施例中采用微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法打磨样片至沿图5所示A-A线的剖面的示意图;
图7是采用本发明微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法制得的样品剖面在光学显微镜下的照片;
图8是采用本发明微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法制得的样品剖面在扫描电子显微镜下的照片。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
图4是一实施例中微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法的流程图,包括下列步骤:
S410,将待分析样品切片,得到样片。
将待分析的MEMS器件样品切到适合抛光的尺寸,如长乘以宽为8X4cm的样片。取样时将待观察区域安排在靠近样片一短边边缘中部,即待观察的剖面靠近样片的一个侧面。本发明中将该侧面称为第一侧面。如图5所示,为样片100上表面的俯视图,沿A-A线得到的剖面即为待观察的剖面,其靠近样片的第一侧面101。对样品切片时注意不应切至梳齿结构的齿部,以免造成坍塌。
S420,将透明的塑料粉用专用固化剂调成糊状,并涂抹在样片的上表面。
透明的塑料粉用固化剂调好后迅速涂抹于样片上表面,稀浆糊状的塑料粉会填入MEMS器件中的缝隙中,并在样片的上表面形成一薄层。在优选的实施例中,透明的塑料粉为亚克力(聚甲基丙烯酸甲酯,PMMA)粉。亚克力材料透光性好,且易于固化。在其它实施例中也可以采用透明性较好的环氧树脂或其它透明塑料材料。
S430,准备一透明片,将透明片压平在样片涂抹有糊状塑料粉的一面上。
在优选的实施例中,透明片为玻璃薄片。在其它实施例中也可以使用透明塑料片等代替。图6是一实施例中采用微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法制成的样片的剖视示意图,包括衬底10、氧化层20、绝缘体上硅(SOI)结构30、玻璃薄片40以及亚克力50。在该实施例中,玻璃薄片40的大小应与样片涂抹糊状塑料粉的一面相匹配,能够正好将样片涂抹有糊状塑料粉的一面完全覆盖。玻璃薄片40可以保护样片表面,同时压平后可以更好地透射光线,以便后续显微镜观察形貌,另外也能使亚克力均匀填充在器件结构的缝隙中。
S440,待糊状塑料粉固化。
将样片放置10分钟待亚克力固化。固化温度并无严格的限定,可参考固化剂的使用说明,一般可以于室温条件下进行。
S450,对样片的第一侧面进行抛光,直至磨至待观察的剖面。
上述微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,采用透明的塑料粉加固化剂调成液态(稀浆糊状)均匀涂抹在MEMS梳齿结构表面,并使糊状物填充入器件结构的缝隙中。接着用透明片贴在样片表面,待塑料粉完全固化后再采用抛光的方法制备样品。由于缝隙被填充增强了结构的强度,避免了抛光过程中悬浮的梳齿结构的坍塌。该方法适用于衬底为任意晶向的器件,且只需要普通抛光机台,无需采用价格昂贵的CVD设备,所需的耗材用量也非常少,能够节约成本。适合故障分析实验室使用。
在其中一个实施例中,步骤S450是依次用由粗到细的抛光砂纸磨至待观察的剖面,再通过绒布或抛光液对待观察的剖面进一步抛光30秒左右。抛光砂纸的粗糙度(Ra)从9微米逐渐替换减小成0.1微米。玻璃薄片40在抛光时会被一并磨去一部分。
图7、图8分别是采用上述微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法制得的样品剖面在光学显微镜和扫描电镜下的照片。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,包括下列步骤:
将待分析样品切片得到样片;
将透明的塑料粉用专用固化剂调成糊状,并涂抹在所述样片的上表面;
准备一透明片,将所述透明片压平在所述样片涂抹有糊状塑料粉的一面上;
待所述糊状塑料粉固化;
对所述样片的第一侧面进行抛光,直至磨至待观察的剖面。
2.根据权利要求1所述的微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,其特征在于,所述透明的塑料粉为亚克力粉。
3.根据权利要求2所述的微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,其特征在于,所述待所述糊状塑料粉固化是放置10分钟。
4.根据权利要求1所述的微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,其特征在于,所述对所述样片的第一侧面进行抛光,直至磨至待观察的剖面的步骤是依次用由粗到细的抛光砂纸磨至所述待观察的剖面,再通过绒布或抛光液对所述待观察的剖面进行抛光。
5.根据权利要求4所述的微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,其特征在于,所述抛光砂纸中最粗的粗糙度为9微米,最细的粗糙度为0.1微米。
6.根据权利要求4或5所述的微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,其特征在于,所述通过绒布或抛光液对所述待观察的剖面进行抛光的抛光时间为30秒。
7.根据权利要求1所述的微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,其特征在于,所述透明片为玻璃片。
8.根据权利要求1或7所述的微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法,其特征在于,所述透明片的大小与所述样片涂抹糊状塑料粉的一面相匹配,能够正好将所述样片涂抹有糊状塑料粉的一面完全覆盖。
CN201210248876.9A 2012-07-17 2012-07-17 微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法 Active CN103543044B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210248876.9A CN103543044B (zh) 2012-07-17 2012-07-17 微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法
PCT/CN2013/078582 WO2014012429A1 (zh) 2012-07-17 2013-07-01 一种mems器件剖面形貌分析样品的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210248876.9A CN103543044B (zh) 2012-07-17 2012-07-17 微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103543044A true CN103543044A (zh) 2014-01-29
CN103543044B CN103543044B (zh) 2016-03-30

Family

ID=49948263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210248876.9A Active CN103543044B (zh) 2012-07-17 2012-07-17 微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103543044B (zh)
WO (1) WO2014012429A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104168716A (zh) * 2014-08-13 2014-11-26 景旺电子科技(龙川)有限公司 一种微切片的制作方法
CN105987836A (zh) * 2015-02-17 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Tem样品及其制备方法
CN110940689A (zh) * 2018-09-20 2020-03-31 无锡华润上华科技有限公司 SiC器件样品的制备方法及SiC器件的形貌分析方法
CN111039254A (zh) * 2018-10-15 2020-04-21 无锡华润上华科技有限公司 Mems样品纵向截面的制备方法及形貌观察方法
CN111152072A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 无锡华润上华科技有限公司 半导体样品的抛光方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002055030A (ja) * 2000-08-10 2002-02-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の解析方法
JP2005043106A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Casio Comput Co Ltd 基板断面観察用試料の作成方法
KR20080102877A (ko) * 2007-05-22 2008-11-26 정태승 투과전자현미경용 시편 제조방법
CN101846601A (zh) * 2010-03-31 2010-09-29 伟创力电子科技(上海)有限公司 球栅阵列封装切片试块的制作方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7214935B2 (en) * 2004-09-30 2007-05-08 International Business Machines Corporation Transmission electron microscopy sample preparation method for electron holography
KR20060076105A (ko) * 2004-12-29 2006-07-04 동부일렉트로닉스 주식회사 전자현미경 분석에 이용될 수 있는 시편의 제작 기구 및시편 제작 방법
CN101692026B (zh) * 2009-10-14 2012-02-01 承德建龙特殊钢有限公司 金相试样制作的工艺方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002055030A (ja) * 2000-08-10 2002-02-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の解析方法
JP2005043106A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Casio Comput Co Ltd 基板断面観察用試料の作成方法
KR20080102877A (ko) * 2007-05-22 2008-11-26 정태승 투과전자현미경용 시편 제조방법
CN101846601A (zh) * 2010-03-31 2010-09-29 伟创力电子科技(上海)有限公司 球栅阵列封装切片试块的制作方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104168716A (zh) * 2014-08-13 2014-11-26 景旺电子科技(龙川)有限公司 一种微切片的制作方法
CN105987836A (zh) * 2015-02-17 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Tem样品及其制备方法
CN105987836B (zh) * 2015-02-17 2018-10-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Tem样品及其制备方法
CN110940689A (zh) * 2018-09-20 2020-03-31 无锡华润上华科技有限公司 SiC器件样品的制备方法及SiC器件的形貌分析方法
CN110940689B (zh) * 2018-09-20 2022-06-21 无锡华润上华科技有限公司 SiC器件样品的制备方法及SiC器件的形貌分析方法
CN111039254A (zh) * 2018-10-15 2020-04-21 无锡华润上华科技有限公司 Mems样品纵向截面的制备方法及形貌观察方法
CN111152072A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 无锡华润上华科技有限公司 半导体样品的抛光方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014012429A1 (zh) 2014-01-23
CN103543044B (zh) 2016-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103543044B (zh) 微机电系统器件剖面形貌分析样品的制备方法
CN106153413A (zh) 碳酸盐岩岩屑微观孔隙铸模方法
CN104819876B (zh) 一种用于透射电镜原位加电场和应力的薄膜样品制备方法
CN105092897B (zh) 一种用于氩离子束切割的粉末样品的处理方法
CN104364905B (zh) 半导体用复合基板的操作基板
CN109291446B (zh) 胶体粘接方法及胶体粘接装置
CN103900889A (zh) 一种电工硅钢ebsd样品化学抛光方法
CN111693736B (zh) 一种用于原子力显微镜表征的锂离子电池电极片的截面样品及其制备方法
CN102539200B (zh) 辐照后核燃料芯体电镜样品的制备工艺
CN104133302B (zh) 一种强激光取样衰减器
CN104458373A (zh) 一种适用于ebsd检测的金属基复合材料试样的制备方法
CN104792595B (zh) 一种细钢丝透射电镜纵截面样品的制备方法
CN103792119A (zh) 一种用于金相制样的模具和金相制样方法
CN105652040A (zh) 一种tem样品的制备方法
CN110186733A (zh) 大幅面岩心切片标本及其制作方法
CN110057751A (zh) 光学微粒探针的制作设备和方法
CN105842027A (zh) 一种可用于显微观察的沥青混合料试件超薄片的制备方法
CN111551574A (zh) 一种用于电镜观察的粉末截面样品制备方法及样品制备装置
CN107364049B (zh) 风电叶片主梁模具挡边制作方法及风电叶片主梁模具
CN105699341A (zh) 一种金属材料中疏松/孔隙的荧光金相测量方法
KR101760363B1 (ko) 오팔과 그 제조방법
CN107228870A (zh) 一种硬质合金粉末ebsd制样方法
Watson et al. Confocal and multi-photon microscopy of dental hard tissues and biomaterials.
CN105628479A (zh) 一种针对孔洞封闭型多孔材料金相试样的抛光方法
CN105780112B (zh) 一种铸锭石墨护板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171017

Address after: 214028 Xinzhou Road, Wuxi national hi tech Industrial Development Zone, Jiangsu, China, No. 8

Patentee after: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd.

Address before: 214028 Wuxi provincial high tech Industrial Development Zone, Hanjiang Road, No. 5, Jiangsu, China

Patentee before: Wuxi CSMC Semiconductor Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right