CN103515377A - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents
一种阵列基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103515377A CN103515377A CN201210224451.4A CN201210224451A CN103515377A CN 103515377 A CN103515377 A CN 103515377A CN 201210224451 A CN201210224451 A CN 201210224451A CN 103515377 A CN103515377 A CN 103515377A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- array base
- base palte
- pixel cell
- pixel
- array substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 15
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 37
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板及包含该阵列基板的显示装置,所述阵列基板包括多个像素单元,每个所述像素单元均为双畴结构;并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板;在所述阵列基板中,每一行中的像素单元的结构相同,每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。本发明通过将双畴像素结构与Z反转结构相结合,有效改善了画面显示的均一性,因而能够显著提升液晶显示器的显示特性,并且显著降低了功耗。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及包含该阵列基板的显示装置。
背景技术
高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch,ADS),通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD(薄膜场效应晶体管液晶显示器)产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(pushMura)等优点。
为了提升液晶显示器的视角特性,ADS技术已经成为了技术发展的主流趋势,而最初的单畴ADS像素结构虽然能改善液晶显示器的视角,但是在个别角度上,仍然会出现色偏现象,这降低了液晶显示器的显示特性。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及显示装置,以提升液晶显示器的显示特性。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
本发明实施例一方面提供一种阵列基板,包括多个像素单元,每个所述像素单元均为双畴结构;并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板;其中,
在所述阵列基板中,每一行中的像素单元的结构相同,每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。
进一步地,在所述阵列基板的任意相邻的两行像素单元中,其中一行像素单元的结构为“<”型,另一行像素单元的结构为“>”型。
上述阵列基板中,所述像素单元的薄膜场效应晶体管TFT可以布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置。
进一步地,上述阵列基板中,每一个像素单元所对应的数据线与所述像素单元保持相同的<”型或“>”型结构,且与同一列中相邻的像素单元对应的数据线相连接。
进一步地,每一行像素单元对应的栅极线为直线。
本发明实施例另一方面提供一种显示装置,其包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明通过将双畴像素结构与Z反转结构相结合,有效改善了画面显示的均一性,因而能够显著提升液晶显示器的显示特性,并且显著降低了功耗。另外,通过将像素单元的TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置,能够使设计更加方便灵活,提高了设计的准确度和便利性。
附图说明
图1为本发明实施例的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
传统技术中,像素的TFT都会布置在相对数据线的同一侧,需要实现点反转时,需要通过变换数据线上信号的极性来实现,而且是每行扫描时都要进行极性反转,因此在液晶显示器工作时,数据线上的信号进行着高频率的极性反转。而液晶显示器的面板功耗跟信号的频率成正比,因此这种扫描反转方式的功耗较大。
基于以上情况,可以应用Z反转(Z-inversion Design)的方式。Z反转是一种通过变换像素中的TFT与数据线的连接关系来实现点反转的技术方案。具体而言,Z反转的实现结构为,相邻行的像素单元中的TFT与相对侧的数据线连接,比如中国专利申请CN200410075861.2就公开了这样一种Z反正的像素结构。对于Z反转结构,在显示器工作时,数据线上的信号只需要按照每一帧画面进行一次极性反转,即可实现相对的点反转;而且由于是每帧进行一次极性反转,相对而言,数据信号线的信号频率降低,功耗则有显著降低。
本发明实施例通过将像素的双畴像素结构与Z反转结合,融合了双畴与Z反转二者的优势,可以同时起到改善画面均一性和降低功耗的作用。本发明实施例提供一种双畴与Z反转相结合的阵列基板,参见图1,图1中所示的阵列基板包括多个像素单元,每个所述像素单元均为双畴结构;并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板。
在所述阵列基板中,每一行中的像素单元的结构相同,每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。
具体而言,对于双畴的像素单元,TFT的布置位置可能是不同的,如:TFT可以布置在像素的左下角,也可以布置在像素的右下角,当然也可以布置在像素的左上角或者右上角。但因为双畴像素的对称性,其本质上和TFT布置在左下角或者右下角是一样的。因此,为了设计的方便,可以将TFT布置在像素的右下角位置,因为这里的像素栅极扫描线和数据信号线形成钝角(即:将像素的TFT布置在便于布线的栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置),这种布置方式在空间上更加有利。
另外,为了保证液晶显示器的显示特性,在阵列单元中的两个像素单元对接后,可以设置数据线的连接具有连续性,即两个像素单元的数据线延长后可以重合,这样做的目的是尽量保证像素数据线的连续性。
需要说明的是,在上述的像素结构中,将像素单元的TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置时,能够使设计更加方便灵活;在实际应用中,也可以将基本像素单元的TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的锐角位置。
综上所述可见,本发明的阵列基板包括多个像素单元,每个所述像素单元均为双畴结构;并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板;并且,在所述阵列基板中,每一行中的像素单元的结构相同,每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。
再有,由图1可见,在所述阵列基板的任意相邻的两行像素单元中,其中一行像素单元的结构可以为“<”型,另一行像素单元的结构可以为“>”型。所述像素单元的TFT可以布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置。
并且,每一个像素单元所对应的数据线与所述像素单元可以保持相同的<”型或“>”型结构,且与同一列中相邻的像素单元对应的数据线相连接。数据线与像素单元保持一致结构,可以有效保证像素的开口率(例如,如果像素为“>”型,数据线为直线,则会导致有效显示面积变小)。
另外,每一行像素单元对应的栅极线可以为直线。
本领域的技术人员可以理解,本发明实施例的阵列基板结构可以根据实际情况进行变化。比如,每一个像素单元所对应的数据线可以不与该像素单元保持相同的<”型或“>”型结构,而采用直线型或其他形状;比如,每一行像素单元对应的栅极线可以为折线。本发明实施例并不对此进行限制。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述阵列基板。所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述可见,无论是阵列基板还是包含该阵列基板的显示装置,本发明通过将双畴像素结构与Z反转结构相结合,有效改善了画面显示的均一性,因而能够显著提升液晶显示器的显示特性,并且显著降低了功耗。另外,通过将像素单元的TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置,能够使设计更加方便灵活,提高了设计的准确度和便利性。
以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种阵列基板,包括多个像素单元,每个所述像素单元均为双畴结构;并且所述阵列基板为Z反转型的阵列基板;其特征在于,
在所述阵列基板中,每一行中的像素单元的结构相同,每一列中的任意相邻的两个像素单元的结构成镜像对称。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的任意相邻的两行像素单元中,其中一行像素单元的结构为“<”型,另一行像素单元的结构为“>”型。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元的薄膜场效应晶体管TFT布置在栅极线和数据线交叉所形成区域中的钝角位置。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,每一个像素单元所对应的数据线与所述像素单元保持相同的<”型或“>”型结构,且与同一列中相邻的像素单元对应的数据线相连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每一行像素单元对应的栅极线为直线。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210224451.4A CN103515377A (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种阵列基板及显示装置 |
PCT/CN2012/085372 WO2014000372A1 (zh) | 2012-06-28 | 2012-11-27 | 阵列基板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210224451.4A CN103515377A (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种阵列基板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103515377A true CN103515377A (zh) | 2014-01-15 |
Family
ID=49782147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210224451.4A Pending CN103515377A (zh) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 一种阵列基板及显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103515377A (zh) |
WO (1) | WO2014000372A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105700259A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1624547A (zh) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法 |
CN1818766A (zh) * | 2004-12-14 | 2006-08-16 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 共平面开关模式液晶显示器件 |
US20060214575A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent display device and curing method of the device |
KR20090058368A (ko) * | 2007-12-04 | 2009-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
CN101576673A (zh) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | 索尼株式会社 | 液晶显示器 |
CN101685230A (zh) * | 2008-09-23 | 2010-03-31 | 乐金显示有限公司 | 液晶面板及装有该液晶面板的液晶显示器 |
-
2012
- 2012-06-28 CN CN201210224451.4A patent/CN103515377A/zh active Pending
- 2012-11-27 WO PCT/CN2012/085372 patent/WO2014000372A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1624547A (zh) * | 2003-12-02 | 2005-06-08 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法 |
CN1818766A (zh) * | 2004-12-14 | 2006-08-16 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 共平面开关模式液晶显示器件 |
US20060214575A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic electroluminescent display device and curing method of the device |
KR20090058368A (ko) * | 2007-12-04 | 2009-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
CN101576673A (zh) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | 索尼株式会社 | 液晶显示器 |
CN101685230A (zh) * | 2008-09-23 | 2010-03-31 | 乐金显示有限公司 | 液晶面板及装有该液晶面板的液晶显示器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105700259A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014000372A1 (zh) | 2014-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10809551B2 (en) | Liquid crystal display device having switchable viewing angles and viewing angle switching method thereof | |
EP2908171B1 (en) | Array substrate, liquid crystal display panel and display device | |
US20160357073A1 (en) | Pixel structure, array substrate and display device | |
CN110082969B (zh) | 液晶显示面板及其制作方法和显示装置 | |
US10324340B2 (en) | Pixel electrode | |
US10417979B2 (en) | Array substrate, display panel and driving method thereof | |
WO2012128085A1 (ja) | 液晶表示パネル及び液晶表示装置 | |
US9500924B2 (en) | Array substrate and liquid crystal display device | |
US20140054630A1 (en) | TFT-LCD Array Substrate And Display Device | |
JP2005346064A (ja) | 横電界液晶表示装置及びその駆動方法 | |
US20140160416A1 (en) | Array substrate for tft-led, method of manufacturing the same, and display device | |
US11754883B2 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same, and display device | |
CN106169483B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN105093726B (zh) | 一种像素结构、显示面板及显示装置 | |
US9766510B2 (en) | Pixel unit and array substrate | |
CN108681160B (zh) | 液晶显示面板及其驱动方法 | |
CN108490696B (zh) | 液晶显示装置及其视角切换方法 | |
CN102629058A (zh) | 一种阵列基板、液晶显示装置及取向摩擦方法 | |
CN103676353A (zh) | 像素结构、阵列基板及显示装置 | |
US9354474B2 (en) | Array substrate and liquid crystal display device | |
JP2014533848A (ja) | アレイ基板及び液晶パネル | |
US20180107076A1 (en) | Pixel Structure, Display Panel and Display Device | |
CN102629036B (zh) | 阵列基板以及显示器件 | |
US9482911B2 (en) | Display panel and display device | |
CN103515377A (zh) | 一种阵列基板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140115 |