CN103510066A - 用于化学气相沉积的双室反应器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于化学气相沉积的双室反应器。更特别地，本发明涉及一种用于进行膜沉积的装置，包括一个或多个工艺管，热源，一个或多个反应物气体歧管，和一个或多个排气歧管。一个或多个工艺管限定了第一反应空间和第二反应空间。第二反应空间不与第一反应空间气体连通。同时，该热源可移动从而当能量源在第一位置时，将能量引入第一反应空间的至少一部分中，以及当能量源在第二位置时，将能量引入第二反应空间的至少一部分中。一个或多个反应物气体歧管用于将第一反应物气流引入第一反应空间，以及将第二反应物气流引入第二反应空间。最后，一个或多个排气歧管用于从第一反应空间和第二反应空间排出气体。

Description

用于化学气相沉积的双室反应器

技术领域

本发明总体上涉及用于化学处理的装置和方法,以及更特别地,涉及用于化学气相沉积的反应器。

背景技术

化学气相沉积(CVD)广泛用于半导体工业以及其他工业以在基材上形成非挥发性固态膜。在典型的CVD过程中，将给定组成和流量的反应物气体引入基材位于其中的反应空间。这里，反应物在气相中和/或与基材进行化学反应以在基材上形成膜。接着，将反应副产物排出反应空间。

管式炉CVD系统（水平或立式）通常用于通过CVD沉积膜。在典型的管式炉CVD系统中，柱状石英或氧化铝工艺管用作反应室。工艺管被包含电阻加热的加热元件（例如加热线圈）的加热炉所围绕，所述加热元件用于加热位于工艺管内的基材。化学反应物一般从管的一端流入工艺管，以及未反应的反应物和反应副产物从工艺管的相对端排出。

然而，尽管管式炉CVD系统应用广泛，但是其可遭受若干缺点。一个缺点是，对快速热处理（RTP）的限制，所述快速热处理要求快的加热和/或冷却速率。将管式炉CVD系统用于RTP的一个方法是使用可沿着工艺管的长度而滑动的长的工艺管和炉子，尽管在此背景部分提及了这种方法，但不承认其是现有技术。快速加热过程可通过将预加热的炉子移到围绕工艺管内基材而实现，并且快速冷却过程可通过将炉子从基材位于工艺管之处移开而实现。但是，当进行膜沉积过程并且将热炉移向冷位置时，一些吸附在工艺管的该位置处的壁上的分子可由于快速升温而解吸。这些解吸的分子可污染和/或破坏沉积在基材上的膜。这种方法的其他缺点是，系统生产量显著受冷却、装载和卸载基材所需要的时间的影响。

由于前述原因，需要这样一种CVD反应器，其可实现高的加热和冷却速率、高的生产量并且不会污染或破坏产品膜。

发明内容

本发明的实施方案通过提供用于由CVD沉积膜的新装置及其使用方法解决了上文确定的需求。

根据本发明的一个方面，用于进行膜沉积的装置包括一个或多个工艺管、热源、一个或多个反应物气体歧管、和一个或多个排气歧管。一个或多个工艺管限定了第一反应空间和第二反应空间。第二反应空间不与第一反应空间气体连通。同时，当能量源在第一位置时，移动热源以将能量引入第一反应空间的至少一部分中，以及当能量源在第二位置时，将能量引入第二反应空间的至少一部分中。一个或多个反应物气体歧管用于将第一反应物气流引入第一反应空间，以及将第二反应物气流引入第二反应空间。最后，一个或多个排气歧管用于将气体从第一反应空间和从第二反应空间排出。

根据本发明的另一方面，使用反应器沉积膜。将第一基材放置在第一反应空间内，同时在不与第一反应空间气体连通的第二反应空间内进行膜沉积。接着将第一反应物气体引入第一反应空间中并且将热源移动到第一位置以将能量引到第一反应空间的至少一部分中。随后，将第二基材放置到第二反应空间内，同时在第一反应空间内进行膜沉积。在第二基材于合适放置时，将第二反应物气流引入到第二反应空间中并且将热源移动到第二位置以将能量引到第二反应空间的至少一部分中。

根据本发明的再一方面，制造的产品包含在装置内沉积的膜。该装置包括一个或多个工艺管、热源、一个或多个反应物气体歧管、和一个或多个排气歧管。一个或多个工艺管限定了第一反应空间和第二反应空间。这样，第二反应空间不与第一反应空间气体连通。当能量源在第一位置时，移动热源以将能量引到第一反应空间的至少部分中，以及当能量源在第二位置时，将能量引到第二反应空间的至少部分中。一个或多个反应物气体歧管用于将第一反应物气流引入第一反应空间，以及将第二反应物气流引入第二反应空间。最后，一个或多个排气歧管用于将气体从第一反应空间和从第二反应空间排出。

附图说明

参考下文描述、所附的权利要求和附图，将更好地理解本发明的这些和其他特征、方面和优点，其中：

图1显示了根据本发明说明性实施方案的CVD反应器的至少一部分的侧面正视图；

图2A显示了在图1的CVD反应器实施方案中的工艺管的端部正视图；

图2B显示了在图1的CVD反应器实施方案中的工艺管的截面图；

图3A显示了在图1的CVD反应器实施方案中一个内部气体管的端部正视图；

图3B显示了在图1的CVD反应器实施方案中一个内部气体管的截面图；

图4显示了在图1的CVD反应器实施方案中一个端部适配器的部分截面图；

图5A显示了用于与根据本发明的说明性实施方案的图1的CVD反应器实施方案一起使用的说明性反应物气体歧管的框图；

图5B显示了使用与根据本发明的说明性实施方案的图1的CVD反应器实施方案一起使用的说明性排气歧管的框图；

图6A和6B显示了使用根据本发明的说明性实施方案的图1的CVD反应器实施方案进行膜沉积的方法的流程图；

图7显示了根据本发明说明性的实施方案的替代性工艺管装置的截面图；和

图8A-8C显示了根据本发明的说明性实施方案的三个替代性的内部气体输送管装置的侧面正视图。

发明详述

将参考说明性实施方案来描述本发明。出于这种原因，可对这些实施方案进行多种修改并且其结果将仍在本发明的范围中。关于这里所描述的特定实施方案，不意在或不应推论为限制性的。

如这里所使用的术语“膜沉积”意在包含通常所称的膜沉积、膜生长、和膜合成。因此，术语“膜沉积”将包含：形成与其所沉积于其上的各自基材在组成和/或结晶度方面不同的膜，和形成基本上与其所沉积的各自基材的组成和结晶度相匹配的膜。

图1显示了根据本发明的说明性实施方案的CVD反应器100的至少部分的侧部正视图。CVD反应器100包括带有加热元件104的热源102，所述加热元件限定了中空柱形的受热空间106。柱形工艺管108穿过这种受热空间106。

图2A显示了工艺管108的端部正视图，而图2B显示了沿着图2A中所说明的平面切开的工艺管108的截面图。工艺管108具有两个开放端。在工艺管108的中部，分隔体110用于将左边反应空间112与右边反应空间114分开，由此产生可称之为“双室”CVD反应器的反应器。分隔体110为气密的，意味着左边反应空间112不与右边反应空间114气体连通。左边基材支撑件116和左边基材118设置在左边反应空间112中。类似地，右边基材支撑120和右边基材122设置在右边反应空间114中。

通过将左端适配器124和右端适配器126分别与左边反应物气体歧管128、右边反应物气体歧管130，左边排气歧管132，和右边排气歧管134结合使用便利了将反应物气流引入左边和右边反应空间112，114并且将未使用的反应物气体和反应副产物从这些反应空间112，114中排出。对于左边反应空间112，制造左边反应物气体歧管128以将反应物气流穿过左边气体入口136引入左端适配器124，这里所述反应物气体传到设置在左边反应空间112内的左边内部气体管138处。在进入左边内部气体管138后，在被释放到左边反应空间112前，反应物气流基本上沿着左边反应空间112的整体长度而输送。图3A显示了左边内部气体管138的端部正视图，而图3B显示了左边内部气体管138的截面图。第一开口300接收反应物气流而第二开口302将反应物气流排入左边反应空间112。同时，在左边反应空间112内的气体穿过也构造在左端适配器124中的左边气体排出口140被排出，这里气体涌入左边排气歧管132中。这样，在左边反应空间112内建立了越过左边基材118的从右到左模式的气流，如图1中的箭头所示。以类似的方式，使用右边反应物气体歧管130、右边排气歧管134、右入口142、右边内部气体管144、和右边气体排出口146在右边反应空间114内建立了越过右边基材122的从左到右模式的反应物气流（也如图1中的箭头所示）。

仍参考图1，热源102由两个平行的导轨148（由于图中视角，仅其中的一个可见）可滑动地支撑。这两个平行的导轨148又由两个例如固定到地上（未明确示出）的导轨支撑件150支撑。由此，热源102可沿着工艺管108的纵轴移动。注意，左和右端适配器124，126也通过适配器支撑件152由导轨148可滑动地支撑。这些适配器支撑件152也可沿着导轨移动，给予CVD反应器100改变左和右端适配器124，126之间的距离的能力，并且因此容纳不同长度的工艺管。同时，适配器支撑件152也可调整自身高度使得CVD反应器100可容纳不同直径的工艺管。为了方便这些高度变化，每一适配器支撑件152可包含各自组的伸缩式接合管，所述伸缩式连接管可通过排列的孔和插脚、气动驱动、液压驱动等（未明确示出）以不同的延伸长度固定。

在图4中的部分截面图中显示了左端部适配器124的额外细节。右端适配器126基本类似并且因此为了说明书的简要，这里未详细描述。左端适配器124包含水冷法兰400和带有左法兰404，右法兰406，上法兰408和下法兰410的交叉异径管（cross reducer）402。下部法兰410用作左边气体入口136的一部分，而上部法兰408用作左边气体排出口140的一部分。为了将工艺管108接合于左端适配器124，工艺管108的左端穿过水冷法兰400并且穿过交叉异径管402的右法兰406，但是不阻挡左边气体入口136和左边气体排出140。将右O型圈412放置在水冷法兰400和右法兰406之间。接着，使用螺栓414将交叉异径管402稳固地连接于水冷法兰400。这样，在水冷法兰400和右法兰406上的角（angle）用于将右边O型圈412相对于工艺管108的外壁上压制以在左端适配器124和工艺管108之间产生气密密封。交叉异径管402的左法兰404由盲法兰416覆盖。中心环418和左O型圈420设置在盲法兰416和交叉异径管402之间从而也密封其间的间隙。使用夹具422将盲法兰416固定于交叉异径管402。通过收紧和松开夹具422，盲法兰416可容易地固定于交叉异径管402或从交叉异径管402移开，表现为用于加载和卸载左边基材118的便捷的门。柔性管424用于将左边气体入口136与左边内部气体管138相连。这种连接的柔性也促进了使用不同直径的工艺管。

如上文所说明的，通过使用两个分开的反应物气体歧管128，130和两个分开的排气歧管132，134促进了将反应物气流引入左边和右边反应空间112，114以及将未使用的反应物气体和反应副产物从说明性的CVD反应器100内的这些反应空间112，114中排出。图5A显示了两个反应物气体歧管128，130中代表性的一个（在该情况下为左边反应物气体歧管128）的示意图。在本说明性的实施方案中，左边反应物气体歧管128包含两个反应物气体源502，然而反应物气体源的这种特定数量很大程度上是任意的并且带有较少或较多量的反应物气体源的气体歧管仍落入本发明的范围中。每个反应物气体源502与各自的质量流量控制器504气体连通，所述气体控制器用于调节从所述反应物气体源502进入左边气体入口136的气体流量。

图5B又显示了两个排气歧管132、134中代表性的一个（在该特定的情况下为左边排气歧管132）的示意图。这里，任何离开左边反应空间112的气体在进入节流阀508之前会穿过压力传感器506（例如压力控制器）。压力传感器506测量压力并且通过常规电子反馈机制来控制节流阀508的打开以调节左边反应空间112内的预设压力。一旦经过节流阀508，气体接着穿过阱510（例如液氮阱），接着由旋转机械泵512泵送，然后被送到排气514。旋转机械泵512用于将左边反应空间112内的相应压力降低到低于大气压。如果认为需要，可提供化学洗涤器（未明确示出）。

使用分开的反应物气体歧管128、130和分开的排气歧管132、134用于左边和右边反应空间112、114具有为这些反应空间112、114的每个提供独立工艺控制的优点。也就是说，可认为图5A和5B中显示的数个组件可视情况而定在反应物气体歧管128、130和排气歧管132、134之间共享以帮助设计的经济性。例如，考虑反应物气体歧管128、130可共享共同的反应物气体源，或排气歧管132、134可共享共同的旋转机械泵。实际上，如果不要求对反应空间112、114的每个进行独立工艺控制，则可完全不必隔开反应物气体歧管128、130和排气歧管132、134。作为替代，通用的反应物气体歧管和通用的排气歧管可足以服务两个反应空间112、114。

热源102的加热元件104可包含一个或多个电阻加热的丝元件，其缠绕（即围绕）在中空柱形加热空间106周围并且由绝缘基体（例如耐火金属氧化物或纤维耐火金属氧化物）支撑。因此，热源102形成有时称之为“CVD管式炉”的装置。如果需要，可沿着加热空间106的纵轴布置数个单独的线圈以产生可独立控制的加热区域。这种区域例如有时对于解决反应物损耗作用是有用的。对于温度调节，可将来自反应空间112、114内的热电偶（未明确示出）的信号返回到用于热源102的电源（例如可编程的电源）以保持预定的温度设定点。受热空间106的长度例如可为约100厘米(cm)-约120(cm)，而直径可为约8cm，然而这些尺寸是纯说明性的。如根据这里的教导本领域的技术人员将理解地是，热源102可为任何给定应用所需的任何尺寸。

CVD反应器100的各种元件可很大程度上由常规的材料形成。工艺管108和内部气体管138、144例如可包含材料，例如但不限于石英或氧化铝。基材支撑件116、120可包含材料，例如但不限于石英、氧化铝或金属。端部适配器124、126，两个平行导轨148，两个导轨支撑件150，和两个适配器支撑152可包含金属，例如但不限于铝或不锈钢。橡胶元件例如O型圈412、420可由高温弹性体例如橡胶制成。形成反应物气体歧管128、130和排气歧管132、134的质量流量控制器504、节流阀508、泵512等等可来源于商业渠道（例如MKSInstruments,Inc.(Andover,MA,USA)）。

图6A和6B共同显示了用于根据本发明的说明性实施方案，使用CVD反应器100进行膜沉积的方法600的流程图。

在图6A的步骤602中，将左基材118装载到左边反应空间112内，并且将右基材122装载到右反应空间114内。随后，在步骤604中，使用左边反应物气体歧管128和左边排气歧管132在左边反应空间112内产生所需的反应物气体流量和压力。在此时，在步骤606中，移动热源102使得左边反应空间112包括左基材118的部分落入热源102的受热空间106中。因此，将左基材118加热到所需的反应温度。在步骤608中，将在左边反应空间112中刚刚建立的反应条件维持足以允许在左基材118上发生所需的膜沉积的足够时间。

现参照图6B，方法600开始于步骤610，其中右边反应物气体歧管130和右边排气歧管134用于在右边反应空间114内产生所需的反应物气体流量和压力。在步骤612中，接着移动热源102使得右边反应空间114的包括右边基材122的部分落入热源102的受热空间106中，因此允许将右边基材122加热到所需的反应温度。在步骤614中，再次将在右边反应空间114内的刚刚建立的反应条件维持足以允许在右边基材122上发生所需的膜沉积的足够时间。但是，非简单闲置，而是使过程继续，在右边反应空间114内进行膜沉积的同时给予左边反应空间112内的左基材118足够的时间以冷却并且接着由另一个（例如裸露的）左基材118来更换。这样，步骤614包含在一个基材上的两种膜沉积（在该情况中，在右边反应空间114内的右基材122）以及另一个基材的同时冷却和更换（在该情况中，在左边反应空间112内的左基材118）。

在步骤616-620中连续进行这种模式的同时处理和装载/卸载基材118。当完成步骤614时，方法600进行到步骤616。在步骤616中，在左边反应空间112内以与步骤604相似的方式再次建立反应物流量和压力。在步骤618中，以与步骤606相似的方式再次将热源102移动跨过左边基材118。最后，在步骤620中，允许在左边反应空间112内发生膜沉积，而在右边反应空间114内允许冷却右边基材122并且将其更换。接着，方法600返回到步骤610并且如果需要的话则继续步骤610-620。

如上文说明，在说明性的CVD反应器100中，左边反应物气体歧管128和左边排气歧管132服务于左边反应空间112，而右边反应物气体歧管130和右边排气歧管134服务于右边反应空间114。因此，在每个反应空间112、114内可以以非常不同的过程参数的膜沉积过程，甚至当以上文参照图6A和6B提出的方式来进行该过程时。

根据本发明的各方面的装置，例如CVD反应器100可手动、使用自动化、或通过其一些结合来操作。例如，如果需要则可考虑通过使用机器人完成基材118、122到反应空间112、114内的装载和卸载。此外，热源102的移动可通过一个或多个电动机或其他形式的驱动力来完成。这种自动化例如广泛用于例如当制造集成电路时的半导体领域。因此，一旦从这里提出的教导来理解本发明的各方面，则对于本领域的技术人员而言，这种自动化将是熟知的并且不需要在本文中详细说明。在多个已经可获得的公开物中也描述了这种自动化，所述公开物包括例如一个实例，K.Mathia,Robotics for ElectronicsManufacturing:Principles and Applications in CleanroomAutomation,Cambridge University Press,2010，这里所述文章通过引用结合到本文中。

根据本发明一些各方面的实施方案提供了相对于常规单室管式CVD反应器的多个优点。例如，通过提供带有例如可通过单个热源102分开加热的两个独立的反应空间112、114的工艺管108，说明性的CVD反应器100，以及更一般地，根据本发明各方面的装置提供了与可由常规CVD反应器可实现的产量相比更大的产量。更具体地，通过使用根据本发明各方面的CVD反应器，以及在一个反应空间内进行膜沉积过程，而同时在另一个反应空间内冷却基材并将其更换，当CVD反应器没有进行膜沉积时，会花费显著较少的时间。再者，根据本发明各方面的CVD反应器可避免与将热源移动到刚刚发生膜沉积的相同反应空间的冷区域相关的膜污染和损坏的问题，如在单反应空间的RTP管式CVD反应器（见背景技术）中可发生的一样。最后，根据本发明各方面的CVD反应器不产生显著大于常规单室管式CVD反应器的物理尺寸（footprint），其也不消耗显著更大量的每次运行能量。

应当再次强调地是，上文描述的本发明的装置和方法的实施方案仅是说明性的。其他实施方案可使用不同类型和布置的元件以实施所描述的功能。在所附权利要求范围内的这些多种替代性的实施方案对于本领域的技术人员是明了的。

如一个实施例，尽管说明性的CVD反应器100使用带有分隔体110的单个工艺管108以限定左边和右边反应空间112、114，但根据本发明各方面的替代性的实施方案也可使用两个分开的工艺管。图7显示了根据本发明的说明性实施方案的替代性的工艺管装置700的至少部分的截面图。在这种替代性的实施方案中，左边工艺管702限定了左边反应空间704，而不同的右边工艺管706限定了右边反应空间708。如图中说明，左边工艺管702包括与容纳在右边工艺管706中的阳接头712交叠的阴接头710。因此，两个工艺管702、706布置成直线以方便热源如热源102的直线式移动。实际上，通过极少量进一步改变，两个工艺管702、706可替换CVD反应器100内的单个工艺管108。

如另一个实施例,图8A-8C显示了根据本发明的说明性实施方案的可替换CVD反应器100内的左边和右边内部气体管138、144的三个替代性的内部气体输送管装置的侧部正视图。与在图1和3B中显示的内部气体管138、144相比，在图8A中显示的内部气体管800具有弯折的端部，而在图8B中显示的内部气体管802具有“L”形状。在图8C中显示的替代性的内部气体管806为简单的直形管而没有弯曲或弯折。

虽然说明性CVD反应器100内的热源102使用电阻加热的加热元件104，但是根据本发明各方面的替代性实施方案可使用数个替代性的热能源。这些替代性的源包括但不限于使用高强度辐射灯的辐射加热和电感应加热。在多个已可获得的公开物中描述了这些加热选择和其他适当的选择，所述公开物包括A.C.Jones,Chemical VapourDeposition:Precursors,Processes and Applications,RoyalSociety of Chemistry,2009，这里所述文章通过引用结合到本文中。为了在CVD反应器100内使用高强度辐射灯，热源102可装配有多个由电压/电流调节器驱动的辐射灯（例如钨丝灯）。理想地是，辐射灯将产生通过辐射加热有效加热基材118、122和/或基材支撑件116、120同时通过工艺管108的壁传播而吸收极少的光谱。可在热源102中结合入反射器以帮助通过辐射灯提供均匀的照明。作为替代，如果需要电感应加热，热源102可由一个或多个围绕加热空间106的电线圈构成并且由射频（rf）发生器驱动。电线圈可构造为能够循环冷却液体的管以帮助其冷却。因此，在加热空间106内形成的强磁场可引起布置在受热空间内的任何导电性元件（例如基材118、120和/或基材支撑件116、120）的感应加热。视情况而定，热电偶和/或高温计可用于反馈温度指示性信号到电压/电流调节器或高频发射器，以再次保持预定的温度设定点。

这里所公开的所有技术特征可由用于相同、等效或类似目的的替代性的技术特征而代替，除非另有明文规定。因此，所公开的每个特征仅是通用系列的等效或类似技术特征的一个例子，除非另有明文规定。

在未明确记载进行特定功能的“工具”或进行特定功能的“步骤”的权利要求中的任何元件不被解释为如35 U.S.C.§112,中规定条件的“工具”或“步骤”。特别是，这里在权利要求中使用“步骤”不意在援引35 U.S.C.§112,

的规定。

Claims (22)

1.一种用于进行膜沉积的装置，该装置包含：

一个或多个工艺管，该一个或多个工艺管限定了第一反应空间和第二反应空间，第二反应空间不与第一反应空间气体连通；

热源，该热源能够移动使得当能量源在第一位置时，将能量引入第一反应空间的至少一部分中，以及当能量源在第二位置时，将能量引入第二反应空间的至少一部分中；

一个或多个反应物气体歧管，该一个或多个反应物气体歧管用于将第一反应物气流引入第一反应空间，以及将第二反应物气流引入第二反应空间；和

一个或多个排气歧管，该一个或多个排气歧管用于从第一反应空间和第二反应空间排出气体。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置对于如下有效：当装置在第二反应空间内进行膜沉积时允许更换第一反应空间内的基材，以及当装置在第一反应空间内进行膜沉积时允许更换第二反应空间内的基材。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述热源包含电阻加热的加热元件。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述电阻加热的加热元件限定了适合于如下的线圈：当热源在第一位置时，环绕第一反应空间的至少一部分，以及当热源在第二位置时，环绕第二反应空间的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述热源包含加热灯。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述热源包含电线圈，所述电线圈用于：当热源在第一位置时，在第一反应空间的至少一部分中产生磁场，以及当热源在第二位置时，在第二反应空间的至少一部分中产生磁场。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述热源包含多个能独立控制区域。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述热源由一个或多个导轨支撑，热源能在所述导轨上传送。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个工艺管由单个工艺管组成，该单个工艺管带有将第一反应空间和第二反应空间分开的分隔体。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个工艺管由第一工艺管和第二工艺管组成，第二工艺管不同于第一工艺管并且它们排列成直线。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个工艺管包含石英和氧化铝中的至少一者。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个反应物气体歧管用于引起第一反应物气流和第二反应物气流具有显著不同的组成。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个排气歧管用于为第一反应空间和第二反应空间确定显著不同的各自压力。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个排气歧管用于将第一反应空间和第二反应空间内的各自压力降低为低于大气压。

15.根据权利要求1所述的装置，还包含第一内部气体管线，该第一内部气体管线至少部分地布置在第一反应空间内并且适合于接收第一反应物气流以及在将第一反应物气流释放到第一反应空间内之前，沿着第一反应空间的长度输送第一反应物气流。

16.根据权利要求15所述的装置，还包含第二内部气体管线，该第二内部气体管线至少部分地布置在第二反应空间内并且适合于接收第二反应物气流以及在将第二反应物气流释放到第二反应空间内之前，沿着第二反应空间的长度输送第二反应物气流。

17.根据权利要求1所述的装置，还包含第一端适配器，该第一端适配器密封式接合于一个或多个工艺管中的一个并且包含：

第一装载口，该第一装载口适合于允许将第一基材装载到第一反应空间中；

第一气体进入口，该第一气体进入口与一个或多个反应物气体歧管和第一反应空间中的一者气体连通；和

第一气体排出口，该第一气体排出口与一个或多个排气歧管和第一反应空间中的一者气体连通。

18.根据权利要求17所述的装置，其中所述第一端适配器由一个或多个导轨支撑，第一端适配器能在所述导轨上移动。

19.根据权利要求18所述的装置，其中所述第一端适配器相对于一个或多个导轨的高度能调节。

20.根据权利要求17所述的装置，还包含第二端适配器，该第二端适配器密封式接合于一个或多个工艺管中的一者并且包含：

第二装载口，该第二装载口适合于允许将第二基材装载到第二反应空间中；

第二气体进入口，该第二气体进入口与一个或多个反应物气体歧管和第二反应空间中的一者气体连通；和

第二气体排出口，该第二气体排出口与一个或多个排气歧管和第二反应空间中的一者气体连通。

21.一种用于在反应器内进行膜沉积的方法，该方法包含步骤：

将第一基材放置到第一反应空间内，同时在第二反应空间内进行膜沉积，第二反应空间不与第一反应空间气体连通；

将第一反应物气流引入第一反应空间；

将热源移到第一位置以将能量引到第一反应空间的至少一部分中；

将第二基材放置到第二反应空间内，同时在第一反应空间内进行膜沉积；

将第二反应物气流引入第二反应空间；和

将热源移到第二位置以将能量引到第二反应空间的至少一部分中。

22.一种生产的产品，所述生产的产品包含在装置内沉积的膜，所述装置包含：

一个或多个工艺管，该一个或多个工艺管限定了第一反应空间和第二反应空间，第二反应空间不与第一反应空间气体连通；

热源，该热源能移动从而当能量源在第一位置时将能量引入第一反应空间的至少一部分中，以及当能量源在第二位置时，将能量引入第二反应空间的至少一部分中；

一个或多个反应物气体歧管，该一个或多个反应物气体歧管用于将第一反应物气流引入第一反应空间，以及将第二反应物气流引入第二反应空间；和

一个或多个排气歧管，该一个或多个排气歧管用于从第一反应空间和第二反应空间排出气体。

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