CN103500670A - 一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法 - Google Patents
一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法,先准备好可加温的真空浸渍缸、组装好待浸渍的电容器;再按照三个阶段对电容器进行浸渍处理,第三阶段完成之后,持续持续抽真空保持真空度10Pa,时间为6小时;真空时间过后,向真空浸渍缸内灌注已处理好的浸渍料。本发明减少了原先电容内部无法抽尽的气泡和水气;将原先热处理和真空浸渍两个工艺合二为一,减少了生产周期;改变了预先直接真空热处理加热漫长且电容内部芯组受热不均的现象。
Description
技术领域
本发明主要涉及电力电子领域,尤其涉及一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法。
背景技术
现有技术中对电容器的智真空浸渍处理方法为:先将电容单个芯组热处理,待组装焊接后一直进行真空处理加热。
缺点:1、热处理后直接真空浸渍处理,留在电容芯组内部的气泡和水气将无法处理掉。
2、真空后热处理,时间漫长、电容受热不均。
发明内容
本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法,其特征在于,先准备好可加温的真空浸渍缸、组装好待浸渍的电容器;再按照如下三个阶段对电容器进行浸渍处理:
第一阶段:
(1)将组装好待浸渍的电容器放入真空浸渍缸;
(2)将真空浸渍缸加温至45-50℃保持1小时;
(3)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第二阶段:
(4)真空时间过后,破真空至标准大气压下,真空浸渍缸加温至75-80℃保持1小时;
(5)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第二阶段循环2次;
第三阶段:
(6)第二阶段完成之后,破真空至标准大气压下,真空浸渍缸加温至100-105℃保持1小时;
(7)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第三阶段循环4次;
(8)第三阶段完成之后,持续持续抽真空保持真空度10Pa,时间为6小时;
(9)真空时间过后,向真空浸渍缸内灌注已处理好的浸渍料;
(10)灌注浸渍料后保持浸渍缸温度80-85℃,持续真空度10Pa,时间为6小时;
(11)处理时间完成后,破真空,抽回浸渍料,取出电容器。
本发明的原理是:
本发明通过连续的抽真空、破真空热处理使得电容内部芯子因真空收缩和破真空热处理膨胀,减少芯子内部气泡和水气。
本发明的优点是:
1、减少了原先电容内部无法抽尽的气泡和水气。
2、将原先热处理和真空浸渍两个工艺合二为一,减少了生产周期。
3、改变了预先直接真空热处理加热漫长且电容内部芯组受热不均的现象。
具体实施方式
一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法,先准备好可加温的真空浸渍缸、组装好待浸渍的电容器;再按照如下三个阶段对电容器进行浸渍处理:
第一阶段:
(1)将组装好待浸渍的电容器放入真空浸渍缸;
(2)将真空浸渍缸加温至45-50℃保持1小时;
(3)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第二阶段:
(4)真空时间过后,破真空至标准大气压下,真空浸渍缸加温至75-80℃保持1小时;
(5)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第二阶段循环2次;
第三阶段:
(6)第二阶段完成之后,破真空至标准大气压下,真空浸渍缸加温至100-105℃保持1小时;
(7)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第三阶段循环4次;
(8)第三阶段完成之后,持续持续抽真空保持真空度10Pa,时间为6小时;
(9)真空时间过后,向真空浸渍缸内灌注已处理好的浸渍料;
(10)灌注浸渍料后保持浸渍缸温度80-85℃,持续真空度10Pa,时间为6小时;
(11)处理时间完成后,破真空,抽回浸渍料,取出电容器。
Claims (1)
1.一种低压自愈式并联电容器的脉冲式真空浸渍处理方法,其特征在于,先准备好可加温的真空浸渍缸、组装好待浸渍的电容器;再按照如下三个阶段对电容器进行浸渍处理:
第一阶段:
(1)将组装好待浸渍的电容器放入真空浸渍缸;
(2)将真空浸渍缸加温至45-50℃保持1小时;
(3)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第二阶段:
(4)真空时间过后,破真空至标准大气压下,真空浸渍缸加温至75-80℃保持1小时;
(5)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第二阶段循环2次;
第三阶段:
(6)第二阶段完成之后,破真空至标准大气压下,真空浸渍缸加温至100-105℃保持1小时;
(7)加温时间过后持续抽真空保持真空浸渍缸真空度为10Pa,时间为1小时;
第三阶段循环4次;
(8)第三阶段完成之后,持续持续抽真空保持真空度10Pa,时间为6小时;
(9)真空时间过后,向真空浸渍缸内灌注已处理好的浸渍料;
(10)灌注浸渍料后保持浸渍缸温度80-85℃,持续真空度10Pa,时间为6小时;
(11)处理时间完成后,破真空,抽回浸渍料,取出电容器。
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2013
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