CN103489407B - 一种用于led显示屏的无非控点亮消影电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，设置在1／4扫描行列分控的LED显示屏的行驱动电路中，其特征在于：在相应的译码芯片行控制线输出端、场效应管的行线输出端和公共地之间设有三极管开关电路，当行控制线输出端由输出低电平变为高电平时，行线输出端将行电源迅速拉低，随着隔离电容的充电，断开与公共地的连接，且选择器件参数使一帧图像内前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间，与行电源的下降时间近似。电路简单，成本较低，可以有效消除同列它行LED在行电源的驱动下非控点亮，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，也可以显著改善LED显示屏拖尾现象，使人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应。

Description

一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路

技术领域

本发明涉及LED显示屏，特别是涉及一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，缩略词为LED)显示屏大多采用扫描方式，扫描屏通用的控制方式为行列分控方式，即通常所说的扫描方式，LED显示屏的多扫描模式通常包括1／2扫描模式、1／4扫描模式、1／8扫描模式和1／16扫描模式，这些扫描模式下的LED反向漏电改善电路结构类似，下面以1／4扫描模式为例对现有LED反向漏电改善电路予以说明。LED显示屏的驱动电路中的行驱动功率管，基本都是采用双P沟道金属-氧化物-半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect—Transistor，缩略词为MOSFET)4953，其内部包括相互独立的双P沟道场效应管MOSFET1、MOSFET2，具有超低的导通电阻，驱动两个显示行，1／4扫描行列分控驱动电路如图1所示。1／4扫描模式的LED显示屏的一帧图像内每行LED只显示1／4时间，行选信号经高速硅栅互补MOS(Complementary MOS，缩略词为CMOS)译码芯片74HC138译码后分别控制MOSFET4953的双P沟道场效应管MOSFET1、MOSFET2的栅极G1、G2。由于场效应管MOSFET1、MOSFET2的寄生电容以及分布电容的影响，行电源上升时间很短，可以忽略不计，但是，行电源下降时间Tf>100μs，导致在一帧图像内，前一行与后一行存在近似为行电源下降时间Tf的重叠时间Tn约100μs，在列功率管闭合时，显示下一行时前一行仍然会在重叠时间Tn内点亮，在人的视觉里会出现拖尾现象，又称“前一行在微亮”的效应。所述“前一行在微亮”的程度与重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm成正比，如果帧频为500Hz，每行的显示时间为Tm=1000／(500×4)=0.5ms，重叠比值为Tn/Tm=0.1／(1000／(4×500))=20％，如此大的重叠比值对应的“前一行在微亮”的效应会严重影响显示效果。现有解决拖尾现象的方法是在场效应管MOSFET1、MOSFET2的行线输出端各添加一接地用电阻到公共地，将各行线上的电荷泄放到公共地，且通过选择接地用电阻的阻值缩短行电源的下降时间Tf，例如选择接地用电阻的阻值为27KΩ，行电源的下降时间Tf约30ns左右，相应的重叠比值Tn／Tm=30×10-6／(1000)／(4×500))=0.006％，可以一定程度的解决拖尾现象，但是，如果某一列上的某行LED存在反向漏电时，当列功率管关断时，而译码芯片74HC138的二进制加权地址输入端A0、A1输入的行选信号一直在变化。

行选信号经译码芯片74HC138的互斥的低有效的行控制线输出端Y0输出行控制线，至双P沟道MOSFET4953内部的场效应管MOSFET1的控制脚2，即场效应管MOSFET1的栅极G1，控制场效应管MOSFET1相连的7、8脚，即场效应管MOSFET1的行线输出端H1的行线输出；

行选信号经译码芯片74HC138的互斥的低有效的行控制线输出端Y1输出行控制线，至双P沟道MOSFET4953内部包括的两个独立的、P沟道场效应管MOSFET1的控制脚4，即场效应管MOSFET1的栅极G2，控制场效应管MOSFET1相连的5、6脚，即场效应管MOSFET1的行线输出端H2的行线输出；

行选信号经译码芯片74HC138的互斥的低有效的行控制线输出端Y2输出行控制线，至双P沟道MOSFET4953内部包括的两个独立的、P沟道场效应管MOSFET2的控制脚2，即场效应管MOSFET2的栅极G1，控制场效应管MOSFET2相连的7、8脚，即场效应管MOSFET2的行线输出端H3的行线输出；

行选信号经译码芯片74HC138的互斥的低有效的行控制线输出端Y3输出行控制线，至双P沟道MOSFET4953内部包括的两个独立的、P沟道场效应管MOSFET2的控制脚4，即场效应管MOSFET2的栅极G2，控制场效应管MOSFET2相连的5、6脚，即场效应管MOSFET2的行线输出端H4的行线输出。

场效应管MOSFET1的1、3脚连接VCC，只有当场效应管MOSFET1的控制脚2，即场效应管MOSFET1的栅极G1为低电平时，所对应的行电源导通，相连的7、8脚，即场效应管MOSFET1的行线输出端H1输出行线，否则输出为高阻状态，漏极D1开路；只有当场效应管MOSFET1的控制脚4，即场效应管MOSFET1的栅极G2为低电平时，所对应的行电源导通，相连的5、6脚，即场效应管MOSFET1的行线输出端H2输出行线，否则输出为高阻状态，漏极D2开路；

场效应管MOSFET2的1、3脚连接VCC，只有当场效应管MOSFET2的控制脚2，即场效应管MOSFET2的栅极G1为低电平时，所对应的行电源导通，相连的7、8脚，即场效应管MOSFET1的行线输出端H3输出行线，否则输出为高阻状态，漏极D1开路；只有当场效应管MOSFET2的控制脚4，即场效应管MOSFET2的栅极G2为低电平时，所对应的行电源导通，相连的5、6脚，即场效应管MOSFET2的行线输出端H4输出行线，否则输出为高阻状态，漏极D2开路。

当列功率管关断时，在1／4扫描的LED点阵显示屏中的行线H1、H2、H3和H4依次输出过程中，同列的其它行上的LED将通过同列反向漏电的LED以及与反向漏电LED所对应行线上相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在场效应管MOSFET1，MOSFET2行线输出下，即行电源的驱动下同列的其它行上的LED将不受控制的点亮，即非控点亮，如果非控点亮的LED点数大于1／10000，会影响LED显示屏的显示效果。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路。

本发明的技术问题通过以下技术方案予以解决。

这种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，设置在1／4扫描行列分控的LED显示屏的行驱动电路中，所述行驱动电路包括设有二进制加权地址的行选信号输入端A0、A1和互斥的低有效的行控制线输出端Y0、Y1、Y2、Y3的译码芯片74HC138，以及与所述译码芯片74HC138连接的双P沟道金属-氧化物-半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field—Effect-Transistor，缩略词为MOSFET)4953，其内部包括两个独立的、P沟道场效应管MOSFET1、MOSFET2，所述输出端Y0与场效应管MOSFET1的控制脚2，即场效应管MOSFET1的栅极G1连接，所述输出端Y1与场效应管MOSFET1的控制脚4，即场效应管MOSFET1的栅极G2连接，所述输出端Y2与场效应管MOSFET2的控制脚2，即场效应管MOSFET2的栅极G1连接，所述输出端Y3与场效应管MOSFET2的控制脚4，即场效应管MOSFET2的栅极G2连接，场效应管MOSFET1相连的7、8脚是行线输出端H1，场效应管MOSFET1相连的5、6脚是行线输出端H2，场效应管MOSFET2相连的7、8脚是行线输出端H3，场效应管MOSFET2相连的5、6脚是行线输出端H4。

这种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路的特点是：

在所述行控制线输出端Y0、所述行线输出端H1和公共地之间设有第一三极管开关电路，所述第一三极管开关电路包括第一三极管、连接在所述行控制线输出端Y0与所述第一三极管基极之间由第一隔离电阻和第一隔离电容组成的第一耦合支路、连接在所述第一三极管基极与发射极之间的第一极间电阻，以及连接在所述第一三极管集电极与所述行线输出端H1之间的第一集电极电阻，所述行控制线输出端Y0和公共地是所述第一三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H1和公共地是所述第一三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y0由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第一隔离电容两端电压不能突变而为“0”，选择第一隔离电阻和第一极间电阻的比值，使第一三极管饱和导通，行线输出端H1通过第一集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第一隔离电容的充电，其两端电压逐渐升高，通过第一隔离电容的电流逐渐减小，直至使第一三极管截止，第一集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y0由输出高电平变为低电平时，第一隔离电容放电，将恢复到初始状态，第一三极管的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第一隔离电阻和第一极间电阻的阻值和第一隔离电容的容值，使Tf=30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在所述行控制线输出端Y1、所述行线输出端H2和公共地之间设有第二三极管开关电路，所述第二三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第二三极管开关电路包括第二三极管、连接在所述行控制线输出端Y1与所述第二三极管基极之间由第二隔离电阻和第二隔离电容组成的第二耦合支路、连接在所述第二三极管基极与发射极之间的第二极间电阻，以及连接在所述第二三极管集电极与所述行线输出端H2之间的第二集电极电阻，所述行控制线输出端Y1和公共地是所述第二三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H2和公共地是所述第二三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y1由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第二隔离电容两端电压不能突变而为“0”，选择第二隔离电阻和第二极间电阻的比值，使第二三极管饱和导通，行线输出端H2通过第二集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第二隔离电容的充电，其两端电压逐渐升高，通过第二隔离电容的电流逐渐减小，直至使第二三极管截止，第二集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y1由输出高电平变为低电平时，第二隔离电容放电，将恢复到初始状态，第二三极管的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第二隔离电阻和第二极间电阻的阻值和第二隔离电容的容值，使Tf=30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在所述行控制线输出端Y2、所述行线输出端H3和公共地之间设有第三三极管开关电路，所述第三三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第三三极管开关电路包括第三三极管、连接在所述行控制线输出端Y2与所述第三三极管基极之间由第三隔离电阻和第三隔离电容组成的第三耦合支路、连接在所述第三三极管基极与发射极之间的第三极间电阻，以及连接在所述第三三极管集电极与所述行线输出端H2之间的第三集电极电阻，所述行控制线输出端Y2和公共地是所述第三三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H3和公共地是所述第三三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y2由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第三隔离电容两端电压不能突变而为“0”，选择第三隔离电阻和第三极间电阻的比值，使第三三极管饱和导通，行线输出端H2通过第三集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第三隔离电容的充电，其两端电压逐渐升高，通过第三隔离电容的电流逐渐减小，直至使第三三极管截止，第三集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y2由输出高电平变为低电平时，第三隔离电容放电，将恢复到初始状态，第三三极管的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第三隔离电阻和第三极间电阻的阻值和第三隔离电容的容值，使Tf=30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在所述行控制线输出端Y3、所述行线输出端H4和公共地之间设有第四三极管开关电路，所述第四三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第四三极管开关电路包括第四三极管、连接在所述行控制线输出端Y3与所述第四三极管基极之间由第四隔离电阻和第四隔离电容组成的第四耦合支路、连接在所述第四三极管基极与发射极之间的第四极间电阻，以及连接在所述第四三极管集电极与所述行线输出端H4之间的第四集电极电阻，所述行控制线输出端Y3和公共地是所述第四三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H4和公共地是所述第四三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y3由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第四隔离电容两端电压不能突变而为“0”，选择第四隔离电阻和第四极间电阻的比值，使第四三极管饱和导通，行线输出端H2通过第四集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第四隔离电容的充电，其两端电压逐渐升高，通过第四隔离电容的电流逐渐减小，直至使第四三极管截止，第四集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y3由输出高电平变为低电平时，第四隔离电容放电，将恢复到初始状态，第四三极管的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第四隔离电阻和第四极间电阻的阻值和第四隔离电容的容值，使Tf=30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应。

所述第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路的功能如下：

在扫描到下一行时，第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路处于饱和导通状态，当前一行的行电源下降时间Tf后，所述第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路处于截止状态，使所述第一集电极电阻、第二集电极电阻、第三集电极电阻和第四集电极电阻，即原有解决拖尾现象的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，有效消除同列上LED在行电源的驱动下非控点亮。

本发明的技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决。

所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，是截止频率至少为100MHZ的NPN型开关三极管。

所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，是型号为BC817的低功耗NPN型开关三极管。

所述第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻和第四隔离电阻，是片式固定电阻，所述第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻和第四隔离电阻，用于限制电流过大，分别避免烧毁第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管。

优选的是，所述第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻和第四隔离电阻，是引脚加工成F型的精密片式固定电阻。

所述第一隔离电容、第二隔离电容、第三隔离电容和第四隔离电容，是瓷片隔离电容，所述第一隔离电容、第二隔离电容、第三隔离电容和第四隔离电容的充放电时间分别由所述第一隔离电容与所述第一隔离电阻、第二隔离电容与所述第二隔离电阻、第三隔离电容与所述第三隔离电阻和第四隔离电容与所述第四隔离电阻共同决定，用于分别精准控制第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的导通时间。

所述第一极间电阻、第二极间电阻、第三极间电阻和第四极间电阻，是片式固定电阻，所述第一极间电阻、第二极间电阻、第三极间电阻和第四极间电阻，分别用于泄放第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的基极电荷，分别使第一隔离电容、第二隔离电容、第三隔离电容和第四隔离电容恢复到初始状态并且分别确保第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管处于截止状态。

所述第一集电极电阻、第二集电极电阻、第三集电极电阻和第四集电极电阻，是片式固定电阻，其阻值选择是分别确保第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管处于饱和导通状态。

本发明与现有技术相比的有益效果是：

本发明电路简单，成本较低。在相应的译码芯片行控制线输出端、场效应管的行线输出端和公共地之间设有三极管开关电路，当行控制线输出端由输出低电平变为高电平时，行线输出端将行电源迅速拉低，随着隔离电容的充电，断开与公共地的连接，且选择器件参数使一帧图像内前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间，与行电源的下降时间近似，可以有效消除同列它行LED在行电源的驱动下非控点亮，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，也可以显著改善LED显示屏拖尾现象，使人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应。

附图说明

图1是现有1／4扫描的LED显示屏的行列分控驱动电路图；

图2是本发明具体实施方式的行列分控驱动电路图；

具体实施方式

下面结合具体实施方式并对照附图对本发明进行说明。

一种如图2所示的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，设置在1／4扫描行列分控的LED显示屏的行驱动电路中。行驱动电路包括设有二进制加权地址的行选信号输入端A0、A1和互斥的低有效的行控制线输出端Y0、Y1、Y2、Y3的译码芯片74HC138，以及与译码芯片74HC138连接的双P沟道MOSFET4953，其内部包括两个独立的、P沟道场效应管MOSFET1、MOSFET2，输出端Y0与场效应管MOSFET1的控制脚2，即场效应管MOSFET1的栅极G1连接，输出端Y1与场效应管MOSFET1的控制脚4，即场效应管MOSFET1的栅极G2连接，输出端Y2与场效应管MOSFET2的控制脚2，即场效应管MOSFET2的栅极G1连接，输出端Y3与场效应管MOSFET2的控制脚4，即场效应管MOSFET2的栅极G2连接，场效应管MOSFET1相连的7、8脚是行线输出端H1，场效应管MOSFET1相连的5、6脚是行线输出端H2，场效应管MOSFET2相连的7、8脚是行线输出端H3，场效应管MOSFET2相连的5、6脚是行线输出端H4，行线输出端H1、H2、H3和H4分别与LED显示屏显示具体图象的行上发光二极管D1、D2、D3和D4连接，用于驱动LED显示屏的列上发光二极管的16位恒流LED驱动集成电路U2，内建有CMOS位移缓存器与栓锁，可以将串行的输入数据转换成并行的数据输出格式，驱动集成电路U2所有通道的输出电流通过调整电阻BR1设定。

在行控制线输出端Y0、行线输出端H1和公共地之间设有第一三极管开关电路，第一三极管开关电路包括第一三极管Q1、连接在行控制线输出端Y0与第一三极管Q1基极之间由第一隔离电阻RR1和第一隔离电容C1组成的第一耦合支路、连接在第一三极管Q1基极与发射极之间的第一极间电阻HR1，以及连接在第一三极管Q1集电极与行线输出端H1之间的第一集电极电阻NR1，行控制线输出端Y0和公共地是第一三极管开关电路的输入端，行线输出端H1和公共地是第一三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y0由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第一隔离电容C1两端电压不能突变而为“0”，选择第一隔离电阻RR1和第一极间电阻HR1的比值，使第一三极管Q1饱和导通，行线输出端H1通过第一集电极电阻NR1即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第一隔离电容C1的充电，其两端电压逐渐升高，通过第一隔离电容C1的电流逐渐减小，直至使第一三极管Q1截止，第一集电极电阻NR1即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y0由输出高电平变为低电平时，第一隔离电容C1放电，将恢复到初始状态，第一三极管Q1的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第一隔离电阻RR1和第一极间电阻HR1的阻值和第一隔离电容C1的容值，使Tf=30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在行控制线输出端Y1、行线输出端H2和公共地之间设有第二三极管开关电路，第二三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，第二三极管开关电路包括第二三极管Q2、连接在行控制线输出端Y1与第二三极管基极之间由第二隔离电阻RR2和第二隔离电容C2组成的第二耦合支路、连接在第二三极管Q2基极与发射极之间的第二极间电阻HR2，以及连接在第二三极管Q2集电极与行线输出端H2之间的第二集电极电阻NR2，行控制线输出端Y1和公共地是第二三极管开关电路的输入端，行线输出端H2和公共地是第二三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y1由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第二隔离电容C2两端电压不能突变而为“0”，选择第二隔离电阻RR2和第二极间电阻HR2的比值，使第二三极管Q2饱和导通，行线输出端H2通过第二集电极电阻NR2即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第二隔离电容C2的充电，其两端电压逐渐升高，通过第二隔离电容C2的电流逐渐减小，直至使第二三极管Q2截止，第二集电极电阻NR2即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y1由输出高电平变为低电平时，第二隔离电容C2放电，将恢复到初始状态，第二三极管Q2的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第二隔离电阻PR2和第二极间电阻HR2的阻值和第二隔离电容C2的容值，使Tf=30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在行控制线输出端Y2、行线输出端H3和公共地之间设有第三三极管开关电路，第三三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，第三三极管开关电路包括第三三极管Q3、连接在行控制线输出端Y2与第三三极管Q3基极之间由第三隔离电阻RR3和第三隔离电容C3组成的第三耦合支路、连接在第三三极管Q3基极与发射极之间的第三极间电阻HR3，以及连接在第三三极管Q3集电极与行线输出端H2之间的第三集电极电阻NR3，行控制线输出端Y2和公共地是第三三极管开关电路的输入端，行线输出端H3和公共地是第三三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y2由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第三隔离电容C3两端电压不能突变而为“0”，选择第三隔离电阻RR3和第三极间电阻HR3的比值，使第三三极管Q3饱和导通，行线输出端H2通过第三集电极电阻NR3即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第三隔离电容C3的充电，其两端电压逐渐升高，通过第三隔离电容C3的电流逐渐减小，直至使第三三极管Q3截止，第三集电极电阻NR3即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y2由输出高电平变为低电平时，第三隔离电容C3放电，将恢复到初始状态，第三三极管Q3的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第三隔离电阻PR3和第三极间电阻HR3的阻值和第三隔离电容C3的容值，使Tf=30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在行控制线输出端Y3、行线输出端H4和公共地之间设有第四三极管开关电路，第四三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，第四三极管开关电路包括第四三极管Q4、连接在行控制线输出端Y3与第四三极管Q4基极之间由第四隔离电阻RR4和第四隔离电容C4组成的第四耦合支路、连接在第四三极管Q4基极与发射极之间的第四极间电阻HR4，以及连接在第四三极管Q4集电极与行线输出端H4之间的第四集电极电阻NR4，行控制线输出端Y3和公共地是第四三极管开关电路的输入端，行线输出端H4和公共地是第四三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y3由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第四隔离电容C4两端电压不能突变而为“0”，选择第四隔离电阻RR4和第四极间电阻HR4的比值，使第四三极管Q4饱和导通，行线输出端H2通过第四集电极电阻NR4即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第四隔离电容C4的充电，其两端电压逐渐升高，通过第四隔离电容C4的电流逐渐减小，直至使第四三极管Q4截止，第四集电极电阻NR4即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y3由输出高电平变为低电平时，第四隔离电容C4放电，将恢复到初始状态，第四三极管Q4的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第四隔离电阻PR4和第四极间电阻HR4的阻值和第四隔离电容C4的容值，使Tf=30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn／Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应。

第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路的功能如下：

在扫描到下一行时，第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路处于饱和导通状态，当前一行的行电源下降时间Tf后，第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路处于截止状态，使第一集电极电阻NR1、第二集电极电阻NR2、第三集电极电阻NR3和第四集电极电阻NR4，即原有解决拖尾现象的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会通过漏电的某行LED以及与漏电的某行LED相连接的接地用电阻到公共地形成回路，有效消除同列上LED在行电源的驱动下非控点亮。

第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4，是型号为BC817的低功耗NPN型开关三极管，截止频率至少为100MHZ。

第一隔离电阻RR1、第二隔离电阻RR2、第三隔离电阻RR3和第四隔离电阻RR4，是阻值为220欧姆的引脚加工成F型的精密片式固定电阻，用于限制电流过大，分别避免烧毁第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4。

第一隔离电容C1、第二隔离电容C2、第三隔离电容C3和第四隔离电容C4，是容值为1000PF的瓷片隔离电容，第一隔离电容C1、第二隔离电容C2、第三隔离电容C3和第四隔离电容C4的充放电时间分别由第一隔离电容C1与第一隔离电阻RR1、第二隔离电容C2与第二隔离电阻RR2、第三隔离电容C3与第三隔离电阻RR3和第四隔离电容C4与第四隔离电阻RR4共同决定，用于分别精准控制第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4的导通时间。

第一极间电阻HR1、第二极间电阻HR2、第三极间电阻HR3和第四极间电阻HR4，是阻值为27K欧姆的片式固定电阻，第一极间电阻HR1、第二极间电阻HR2、第三极间电阻HR3和第四极间电阻HR4，分别用于泄放第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4的基极电荷，分别使第一隔离电容C1、第二隔离电容C2、第三隔离电容C3和第四隔离电容C4恢复到初始状态并且分别确保第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4处于截止状态。

第一集电极电阻NR1、第二集电极电阻NR2、第三集电极电阻NR3和第四集电极电阻NR4，是阻值为220欧姆的片式固定电阻，其阻值选择是分别确保第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4处于饱和导通状态。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

Claims (9)

1.一种用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，设置在1/4扫描行列分控的LED显示屏的行驱动电路中，所述行驱动电路包括设有二进制加权地址的行选信号输入端A0、A1和互斥的低有效的行控制线输出端Y0、Y1、Y2、Y3的译码芯片74HC138，以及与所述译码芯片74HC138连接的双P沟道金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET 4953，其内部包括两个独立的P沟道场效应管MOSFET1、MOSFET2，所述输出端Y0与场效应管MOSFET1的控制脚2，即场效应管MOSFET1的栅极G1连接，所述输出端Y1与场效应管MOSFET1的控制脚4，即场效应管MOSFET1的栅极G2连接，所述输出端Y2与场效应管MOSFET2的控制脚2，即场效应管MOSFET2的栅极G1连接，所述输出端Y3与场效应管MOSFET2的控制脚4，即场效应管MOSFET2的栅极G2连接，场效应管MOSFET1相连的7、8脚是行线输出端H1，场效应管MOSFET1相连的5、6脚是行线输出端H2，场效应管MOSFET2相连的7、8脚是行线输出端H3，场效应管MOSFET2相连的5、6脚是行线输出端H4，其特征在于：

在所述行控制线输出端Y0、所述行线输出端H1和公共地之间设有第一三极管开关电路，所述第一三极管开关电路包括第一三极管、连接在所述行控制线输出端Y0与所述第一三极管基极之间由第一隔离电阻和第一隔离电容组成的第一耦合支路、连接在所述第一三极管基极与发射极之间的第一极间电阻，以及连接在所述第一三极管集电极与所述行线输出端H1之间的第一集电极电阻，所述行控制线输出端Y0和公共地是所述第一三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H1和公共地是所述第一三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y0由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第一隔离电容两端电压不能突变而为“0”，选择第一隔离电阻和第一极间电阻的比值，使第一三极管饱和导通，行线输出端H1通过第一集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第一隔离电容的充电，其两端电压逐渐升高，通过第一隔离电容的电流逐渐减小，直至使第一三极管截止，第一集电极电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y0由输出高电平变为低电平时，第一隔离电容放电，将恢复到初始状态，第一三极管的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第一隔离电阻和第一极间电阻的阻值和第一隔离电容的容值，使Tf＝30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间，与行电源的下降时间近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在所述行控制线输出端Y1、所述行线输出端H2和公共地之间设有第二三极管开关电路，所述第二三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第二三极管开关电路包括第二三极管、连接在所述行控制线输出端Y1与所述第二三极管基极之间由第二隔离电阻和第二隔离电容组成的第二耦合支路、连接在所述第二三极管基极与发射极之间的第二极间电阻，以及连接在所述第二三极管集电极与所述行线输出端H2之间的第二集电极电阻，所述行控制线输出端Y1和公共地是所述第二三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H2和公共地是所述第二三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y1由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第二隔离电容两端电压不能突变而为“0”，选择第二隔离电阻和第二极间电阻的比值，使第二三极管饱和导通，行线输出端H2通过第二集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第二隔离电容的充电，其两端电压逐渐升高，通过第二隔离电容的电流逐渐减小，直至使第二三极管截止，第二集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y1由输出高电平变为低电平时，第二隔离电容放电，将恢复到初始状态，第二三极管的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第二隔离电阻和第二极间电阻的阻值和第二隔离电容的容值，使Tf＝30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn/Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在所述行控制线输出端Y2、所述行线输出端H3和公共地之间设有第三三极管开关电路，所述第三三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第三三极管开关电路包括第三三极管、连接在所述行控制线输出端Y2与所述第三三极管基极之间由第三隔离电阻和第三隔离电容组成的第三耦合支路、连接在所述第三三极管基极与发射极之间的第三极间电阻，以及连接在所述第三三极管集电极与所述行线输出端H2之间的第三集电极电阻，所述行控制线输出端Y2和公共地是所述第三三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H3和公共地是所述第三三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y2由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第三隔离电容两端电压不能突变而为“0”，选择第三隔离电阻和第三极间电阻的比值，使第三三极管饱和导通，行线输出端H2通过第三集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第三隔离电容的充电，其两端电压逐渐升高，通过第三隔离电容的电流逐渐减小，直至使第三三极管截止，第三集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y2由输出高电平变为低电平时，第三隔离电容放电，将恢复到初始状态，第三三极管的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第三隔离电阻和第三极间电阻的阻值和第三隔离电容的容值，使Tf＝30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn/Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应；

在所述行控制线输出端Y3、所述行线输出端H4和公共地之间设有第四三极管开关电路，所述第四三极管开关电路与第一三极管开关电路的组成以及元器件完全相同，所述第四三极管开关电路包括第四三极管、连接在所述行控制线输出端Y3与所述第四三极管基极之间由第四隔离电阻和第四隔离电容组成的第四耦合支路、连接在所述第四三极管基极与发射极之间的第四极间电阻，以及连接在所述第四三极管集电极与所述行线输出端H4之间的第四集电极电阻，所述行控制线输出端Y3和公共地是所述第四三极管开关电路的输入端，所述行线输出端H4和公共地是所述第四三极管开关电路的输出端；

当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y3由输出低电平变为高电平时，即扫描到下一行，因第四隔离电容两端电压不能突变而为“0”，选择第四隔离电阻和第四极间电阻的比值，使第四三极管饱和导通，行线输出端H2通过第四集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻将行电源迅速拉低，随着第四隔离电容的充电，其两端电压逐渐升高，通过第四隔离电容的电流逐渐减小，直至使第四三极管截止，第四集电极电阻即未改进的电路中的接地用电阻断开与公共地的连接，确保同列的其它行的LED不会在行电源的驱动下非控点亮；当译码芯片74HC138的行控制线输出端Y3由输出高电平变为低电平时，第四隔离电容放电，将恢复到初始状态，第四三极管的导通时间就是行电源下降时间Tf，选择第四隔离电阻和第四极间电阻的阻值和第四隔离电容的容值，使Tf＝30ns，在一帧图像内的前一行与后一行存在约为30ns的重叠时间Tn，与行电源的下降时间Tf近似，即使因LED漏电导致某些LED非控点亮，由于相应的重叠时间Tn与每行的显示时间Tm的重叠比值Tn/Tm非常小，在人的视觉里不会出现拖尾现象，即人眼不足以识别“前一行在微亮”的效应。

2.如权利要求1所述的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，其特征在于：

所述第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路的功能如下：

在扫描到下一行时，第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路处于饱和导通状态，当前一行的行电源下降时间Tf后，所述第一三极管开关电路、第二三极管开关电路、第三三极管开关电路和第四三极管开关电路处于截止状态，使所述第一集电极电阻、第二集电极电阻、第三集电极电阻和第四集电极电阻断开与公共地的连接，有效消除同列上LED在行电源的驱动下非控点亮。

3.如权利要求1或2所述的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，其特征在于：

所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，是截止频率至少为100MHZ的NPN型开关三极管。

4.如权利要求3所述的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，其特征在于：

所述第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，是型号为BC817的低功耗NPN型开关三极管。

5.如权利要求4所述的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，其特征在于：

所述第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻和第四隔离电阻，是片式固定电阻，所述第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻和第四隔离电阻，用于限制电流过大，分别避免烧毁第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管。

6.如权利要求5所述的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，其特征在于：

所述第一隔离电阻、第二隔离电阻、第三隔离电阻和第四隔离电阻，是引脚加工成F型的精密片式固定电阻。

7.如权利要求6所述的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，其特征在于：

所述第一隔离电容、第二隔离电容、第三隔离电容和第四隔离电容，是瓷片隔离电容，所述第一隔离电容、第二隔离电容、第三隔离电容和第四隔离电容的充放电时间分别由所述第一隔离电容与所述第一隔离电阻、第二隔离电容与所述第二隔离电阻、第三隔离电容与所述第三隔离电阻和第四隔离电容与所述第四隔离电阻共同决定，用于分别精准控制第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的导通时间。

8.如权利要求7所述的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，其特征在于：

所述第一极间电阻、第二极间电阻、第三极间电阻和第四极间电阻，是片式固定电阻，所述第一极间电阻、第二极间电阻、第三极间电阻和第四极间电阻，分别用于泄放第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管的基极电荷，分别使第一隔离电容、第二隔离电容、第三隔离电容和第四隔离电容恢复到初始状态并且分别确保第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管处于截止状态。

9.如权利要求8所述的用于LED显示屏的无非控点亮消影电路，其特征在于：

所述第一集电极电阻、第二集电极电阻、第三集电极电阻和第四集电极电阻，是片式固定电阻，其阻值选择是分别确保第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管处于饱和导通状态。