CN103460435A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机发光器件，其包括堆叠层，该堆叠层包括：具有发光表面（12）的电光层结构（10）；与发光表面相邻的光提取结构（20），所述光提取结构具有纳米结构层（22）；以及回填层（24），所述回填层包括具有不同于第一折射率的第二折射率的材料，其中回填层（24）在纳米结构层（22）之上形成平坦化层。发光器件包括阻挡膜，所述阻挡膜包括第一无机层（22）和第二无机层（26）以及布置在所述无机层之间的有机层（24）。阻挡膜的无机层中的最靠近电光层结构的一个无机层（22）形成纳米结构层，并且在无机层之间的有机层（24）形成回填层。

Description

发光器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及发光器件。

本发明还涉及制造发光器件的方法。

背景技术

有机发光二极管（OLED）是新的显示和照明技术的基础。OLED器件包括夹在阴极和阳极之间的电致发光有机材料的薄膜，其中这些电极中的至少一个是透明导体。当在器件两端施加电压时，电子和空穴从它们各自的电极被注入并且通过发射激子的中间形成而在电致发光有机材料中复合。

底部发射OLED可以被认为是由如下芯组成：该芯含有高折射率层（用于光产生，载流子输运、注入或阻挡的有机层，以及通常的透明导电氧化物层）和低折射率衬底材料（例如玻璃板或聚合物膜）。因此，在芯内产生的光可能遇到高折射率到低折射率的界面，在该界面处它可能经历内反射。由于在第一界面处的遭遇而不能逃离芯的光被约束为波导模式，而穿过该界面但由于在衬底-空气界面处的反射而不能从衬底逃离的光被约束为衬底模式。由于在顶部发射OLED中的界面，所以发生类似的光损耗。

以此方式，在OLED器件中，由于在靠近电致发光有机层的瞬逝区（evanescentzone）和衬底空气界面中的过程，通常所产生的光中超过70%的光被损耗掉。大部分光经历内反射，导致光从器件的边缘发出或者被约束器件内并最终在反复的通过之后在器件内吸收损耗掉。

改善在衬底到空气界面处光的向外耦合的解决方案很常见，并且依赖于在衬底表面处的散射或（微）透镜。

改善光从OLED进入衬底的耦合的解决方案不太常见。已经提出了各种解决方案以通过干扰所述界面来影响到达衬底的光。在瞬逝区中，在此区域中呈指数衰减的电磁场还被称为瞬逝场。只有一部分发射光通过透明电极射出作为“有用”光进入衬底。

WO2009011961公开了一种用于制造用于增强光提取的光学膜。该方法包括以下步骤：

将具有第一折射率的有机材料的层涂覆到柔性衬底上；

向有机材料赋予纳米结构特征，以生成纳米结构表面；以及

向纳米结构表面施加回填层，以在纳米结构表面上形成平坦化层，其中所述回填层包括具有不同于第一折射率的第二折射率的材料，并且其中当光学膜相对于自发光光源设置时，纳米结构特征的主要部分在与自发光光源的发光区域相邻的瞬逝区内。

如此得到的光学膜被用于增强OLED中的光提取。该OLED包括：具有至少一个将光从器件输出的表面的自发光光源；以及与自发光光源的至少一个表面相邻的光提取膜。其中光提取膜包括：柔性衬底；具有第一折射率的提取元件的结构层，其中提取元件的主要部分在自发光光源的光输出表面的瞬逝区内；以及包含具有不同于第一折射率的第二折射率材料的回填层，，其中回填层在提取元件之上形成平坦化层，其中结构层和回填层足够接近自发光光源的光输出表面以至少部分地增强光从该表面的提取。在从WO2009011961已知的器件中，回填层布置在结构层的面向OLED表面的一侧。

对于以这种方式制造的光学膜必要的是，从OLED的表面到结构层与回填层之间的界面的距离仍然比较大。为了提供足够的平坦化，回填层应具有相对大的厚度。

WO2009011961提及“当回填层具有比结构层的折射率更低的折射率时，则回填层优选地具有基本等于提取元件的厚度。当回填层具有比结构层的折射率更高的折射率时，则回填层可以比提取元件厚，只要其仍然可以与瞬逝波相互作用即可。在这两种情况中，结构层和回填层优选地足够接近光输出表面，以至少部分地影响光从该表面的提取”。

WO2009011961还提到，通过在任选的超阻挡膜上形成提取结构，可以在光提取膜产品中引入提供优异的湿气和氧阻挡性能的另外功能。超阻挡膜包括通过以下方法制成的多层膜，例如通过以多层方式在玻璃或其他适当的衬底上依次真空沉积两种无机介电材料，或无机材料和有机聚合物的交替层，如美国专利第5,440,446号、第5,877,895号和第6,010,751号中所描述的，其全部内容通过引用合并到本文中。

存在进一步改善OLED器件的提取效率的需求。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种根据权利要求1所述的有机发光器件。

在根据第一方面的有机发光器件中，第一无机层和第一有机层执行双重功能。第一无机层是面向发光表面的纳米结构层。第一有机层在第一无机层之上形成平坦化层。于是这些层之间的界面具有提供改善的光提取效率的纳米图案化结构。只要第一无机层的无机材料的折射率具有与有机层的折射率相差至少0.1的折射率，则具有纳米图案化界面的无机层和有机层形成光提取膜。当第一无机层具有比有机层的折射率更高的折射率时，得到最好的结果。在实际中，与有机材料相比，无机材料具有相对高的折射率。可以做出有机层和无机层的各种组合，其中第一无机层的无机材料具有比有机层的折射率高至少0.1的折射率。通过示例的方式，无机层（如例如通过PECVD沉积的SiN气相沉积层）具有在1.6至1.8范围内的折射率。许多有机材料具有在1.5至1.6范围内的折射率。

此外，第一无机层和第一有机层与第二无机层配合形成阻挡膜。

第一无机层可以以如下方式纳米结构化：向第一无机层设置例如圆柱体、角锥或圆锥形式的提取元件。然而其他形状也是适用的。提取元件应该具有在纳米范围内的尺寸。优选地，提取元件的在由第一无机层所限定的平面中的外接圆具有在40nm至200nm范围内的直径D。提取元件通常具有在约0.5D至2D范围内的高度H，优选地约等于I。显著较高值的直径或间距（例如大于300nm）导致较低效的光提取。显著较低值的直径（例如小于30nm）要求第一无机层相对薄，作为其结果，第一无机层不再具有阻挡功能。

根据本发明的第二方面，如权利要求5中所要求保护的，提供了用于制造根据本发明的第一方面的发光器件的非常实用的方法。

在根据本发明的第二方面的方法中，使用了临时衬底作为模具以在无机层中形成纳米结构。

在实施方案中，临时衬底是金属箔，例如是铝或铜的金属箔。金属箔的主表面设置有纳米图案化凸纹（relief）。各种选择可以用来提供纳米图案凸纹。根据第一选择，例如通过压纹或通过图案化蚀刻工艺来对箔材料进行处理以得到所期望的结构。根据第二选择，设置具有所述纳米图案凸纹的第二材料。例如，可以根据纳米图案凸纹来沉积所述第二材料。可替代地，可将第二材料沉积为均匀层并随后对其图案化，例如压印。压印方法包括热压印和紫外线（UV）固化树脂印刷。在热压印的情况下，通过利用纳米印模按压来对被加热软化的箔进行压印。在（UV）固化树脂印刷的情况下，利用纳米印模来压印树脂层并且例如通过（UV）处理来直接固化树脂层。

随后，在临时衬底被设置了纳米图案凸纹之后，利用共形沉积法施加第一无机层，并且在共形沉积的第一无机层之上形成第一有机层作为平坦化层。由于其共形沉积，形成纳米结构层的第一无机层在两侧具有相互共形的纳米图案凸纹。

随后，在第一无机层之上沉积第二无机层。第一无机层、第一有机层和第二无机层形成第一阻挡膜。由于第一无机层的共形沉积，所以在第一无机层与有机平坦化层之间形成纳米图案化界面。

可以在该堆叠的具有第二无机层的一侧施加透明衬底。可以通过层压步骤（例如使用中间粘合层）来施加透明衬底。在施加透明衬底之后，例如通过蚀刻或溶解临时衬底的材料来移除临时衬底。或者，布置在第一无机层与第二无机层之间的有机层可以具有足够的厚度，例如至少25μm，以作为器件的衬底。

随后，在所述堆叠的移除了临时衬底的一侧施加有机发光结构。可以以已知的方式施加有机发光结构。于是，形成纳米结构层且在两侧具有相互共形的纳米图案化凸纹的第一无机层是阻挡膜的无机层中的最靠近电光层结构的无机层。

在实施方案中，纳米结构层被被不规则图案化。这对电光层结构产生宽带辐射是有利的。不规则图案防止了结构层的颜色依赖行为（colordependentbehaviour）。

在根据本发明的第一方面的电光器件中，提取元件的结构层与回填层之间的界面可以靠近自发光光源的至少一个表面，从而改善光提取。

在根据本发明的器件中，在不赋予结构层与回填层之间的界面以光向外耦合功能的情况下，回填层可以具有相对大的厚度。回填层可以例如具有在0.1μm至100μm范围内，优选地5μm至50μm的厚度。如果厚度足够大，例如大于25μm时，回填层可以提供足够的支承性以省去衬底。

在根据本发明的第一方面的器件的实施方案中，在结构层与回填层之间布置有阻挡层。

阻挡层在实际中具有相对小的厚度，即，大约在10nm至1000nm的范围内，更优选地在100nm至300nm的范围内，并且共形地覆盖结构层。

阻挡层在本文中被定义为形成水蒸汽的阻挡物的层。即，阻挡层应该具有至多10^-4g/m²/天，优选10-6g/m2/天或更少的水蒸汽透过率（WVTR）。

阻挡层通常由通常具有相对高折射率的无机材料制成，而结构层和回填层通常由具有相对低折射率的有机材料制成。

在根据本发明的方法中，从纳米结构层释放临时衬底的步骤留下了适用于制造光源的表面。光源于是与纳米结构层相邻，并且回填层可以具有任意厚度，其甚至可以足够厚以用作器件的衬底。

附图说明

参照附图较详细地描述这些和其他方面。其中：

图1示出根据本发明的第一方面的电光器件的第一实施方案，

图1A示出根据图1的器件的细节IA，

图1B示出图1的器件的、根据图1A中视角IB的横截面图，

图1C更详细地示出器件的一部分，

图2A至图2I示出根据本发明的第二方面的方法的第一实施方案，

图2J和图2K示出根据本发明的第二方面的方法的第二实施方案的步骤，

图2BA示出图2B中所示步骤的替代步骤，

图2GA示出图2G中所示步骤的替代步骤，

图2GB更详细地示出该步骤，

图2GC示出替代步骤，

图3示出根据本发明的第一方面的电光器件的第二实施方案，

图3A至图3D示出第二实施方案的变型的细节，

图4A至图4D示出根据本发明的第二方面的、适用于制造根据图3的电光器件的方法的第三实施方案的步骤，

图5示出根据本发明的第一方面的电光器件的第三实施方案，

图6示出根据本发明的第一方面的电光器件的第四实施方案。

具体实施方式

在下面的详细描述中，阐述了许多具体的细节以提供对本发明的全面理解。然而，本领域技术人员应理解，没有这些具体细节也可以实施本发明。在其他情况下，未详细描述众所周知的方法、步骤和部件以免模糊本发明的方面。

本文使用的术语仅用于描述具体实施方案的目的而并不意在限制本发明。如在本文中所使用的，除非上下文清楚地指出，否则单数形式“一个”、“一种”以及“该/所述”也意在包括复数形式。还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”明确指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。

此外，除非明确地相反指明，否则“或”是指包容性的“或”，而不是排他性的“或”。例如，条件A或B被以下任何一种满足：A为真（或存在）而B为假（或不存在），A为假（或不存在）而B为真（或存在），以及A和B两者均为真（或存在）。

下面参照附图来更充分地描述本发明，在附图中，示出了本发明的实施方案。然而，本发明可以以许多不同形式来实施，而不应该解释为限于本文所阐述的实施方案。而是这些实施方案被提供来使得本公开更透彻和完整，从而将本发明的范围更充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为清楚起见，可能会放大层和区域的尺寸和相对尺寸。

应理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”，“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，其可以是直接在另一元件或层上、直接连接或耦接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称为“直接”在另一元件或层“上”。“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。还应理解，当方法的特定步骤被称为在另一步骤之后时，其可以直接跟随所述另一步骤，或者可以在执行所述特定步骤之前执行一个或多个中间步骤。贯穿全文，相似的附图标记指代相似的元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的列举项中的一个或更多个中的任何项和所有组合。

应理解，尽管在本文中可能使用了术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本发明的教导。

为了便于描述，在文中，使用了空间相关术语例如“下方”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等，以描述如图所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。

应理解，除了在图中描述的方位之外，空间相关术语还意在包括使用中或操作中的器件的不同方位。例如，如果将图中的器件翻转，那么被描述为在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件则将被定位为在其它元件或特征“之上”。因此，示例性术语“之下”可以包括之上和之下两个方位。可以另外定位（旋转90度或在其他方向）器件并且相应地解释文中使用的空间相关描述符。

参照本发明的理想化实施方案（和中间结构）的示意图的截面图来描述文中的本发明的实施方案。这样，由例如制造技术和/或公差所导致的视图的形状变化是可以预料的。因此，本发明的实施方案不应被解释为限于文中所示的区域的具体形状，而是包括由例如制造所导致的形状偏差。

除非另有定义，否则本文中所用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明所属领域的技术人员的一般理解相同的含义。还应理解，术语，如在一般使用的词典中定义的那些术语，应该被理解为具有与相关领域的背景下的含义一致的含义，并且除非在本文中清楚地定义，否则不应以理想化或过度形式化的意义来理解。本文所提及的所有出版物、专利申请、专利和本文提及的其它参考文献通过引用其全部内容并入本文。在冲突的情况下，将以本说明书（包括定义）为准。另外，材料、方法和实例只是说明性的，而不是意在限制。

图1示出包括电光层结构10的发光器件，该电光层结构10被施加在衬底40上并且具有发光表面12。与电光层结构10的发光表面12相邻布置有光提取膜20，在图1A中示出了光提取膜20的一部分。

从图1A中可以明显看出，光提取膜20具有提取元件23的纳米结构层22，所述提取元件23具有第一折射率，其中提取元件的主要部分在电光层结构10的发光表面的瞬逝区内。光提取膜具有回填层24，所述回填层24包括具有不同于第一折射率的第二折射率的材料，其中回填层24在提取元件23的之上形成平坦化层。

图1B示出根据图1A中的方向IB所看到的光提取膜20的一部分。在图1B所示的实例中，提取元件23形成为在无机层中的圆柱凹坑。在所示的实例中，圆柱凹坑具有约150nm的直径D并且以约300nm的平均距离布置。形成提取元件23的凹坑具有约150nm的高度H。在所示实施方案中，随机地分布提取元件。这对于电光层结构10生成相对宽波长范围的辐射的情况是有利的。以此方式，光提取膜20的效果基本上与波长无关。可替代地或者另外地，可以任意地改变提取元件23的尺寸或形状。

可替代地，例如在电光层结构10产生小波长范围的光的情况下，提取元件23可以是规则的尺寸和形状并且可以根据如带状物之类的规则图案来施加。

图1、图1A和图1B示出的发光器件包括阻挡膜，所述阻挡膜包括第一无机层22和第二无机层26以及布置在所述无机层之间的有机层24。阻挡膜的无机层中的最靠近电光层结构10的无机层22形成提取元件的结构层，而无机层22、26之间的有机层24形成回填层。

在所示实施方案中，第一无机层22和第二无机层26的每个均是通过CVD法例如PECVD法得到的氮化硅层。其他透明陶瓷材料如氧化硅（SiO₂）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化钛（TiO₂）、碳化硅（SiC）、氮氧化硅（SiON）也是适用的。无机层的每个均具有在10nm至1000nm范围内，优选地在50nm至300nm范围内的厚度。在该情况下，无机层22、26具有50nm的厚度。在本情况下，有机层24是通过旋涂施加的丙烯酸酯聚合物层。在下表中，包括了具有相对低折射率的丙烯酸酯聚合物的实例。

有机层24应该具有至少约为第一无机层中的凹坑深度的两倍的厚度。通常，有机层24的厚度在0.1μm至100μm的范围内，优选地在5μm和50μm之间。在本实施方案中，厚度为20μm。

在所示实施方案中，发光器件还具有另一阻挡膜30，所述阻挡膜30位于电光层结构10的与由层22、24和26形成的阻挡膜相反的一侧。为清楚起见，所述另一阻挡膜30作为单层示出。几种选择是可以的。在实施方案中，另一阻挡膜30可以由玻璃或金属层形成。在又一实施方案中，另一阻挡膜30可以由具有彼此不同的组分的无机层的堆叠体形成，例如氮化硅层和氧化硅层相互交替的堆叠。在又一实施方案中，另一阻挡膜30可以包括无机层、有机层和无机层的堆叠。也可以使用这些选择的组合。

图1C示意性地示出具有发光表面12的电光层结构10。电光层结构10还包括第一电极13和第二电极19以及至少一个电光层16。假定第一电极13是透明阳极，那么电光层结构随后可包括阳极13、空穴注入层14、空穴传输层15、电光层16、电子传输层17、电子注入层18以及阴极19。在该情况下，发光表面12在由阳极13形成的堆叠体的一侧。可替代地，电光层结构10可以使其发光表面位于由阴极19形成的一侧。参照图1C所描述的层并非全部都必须存在。只要电光层结构10包括第一电极13和第二电极19以及至少一个电光层16就足够了。然而，可以通过额外的层14、15、17和18中的一个或更多个的存在来改善器件的效率。

图2A至图2K示出根据本发明的第二方面的、可以制造图1的发光器件的方法的实施方案。

图2A示出了第一步骤，其中设置临时衬底TS。通常，临时衬底TS是聚合物箔。箔优选地具有至少0.010mm至0.2mm的厚度。显著较小的厚度例如小于0.005mm的箔对于通常的制造工艺来说太脆。在显著较大的厚度，例如大于1mm，箔变得较不易弯曲，这在当将箔通过轧辊引导至轧辊系统时使其处理复杂化。对于其他制造技术，可使用较大的厚度。

随后，在临时衬底TS的表面施加具有第一折射率的第一材料的纳米结构层22。在所示实施方案中，这通过以下步骤来实现：首先在临时衬底中形成纳米图案化凸纹，如图2B所示；以及在具有纳米图案化凸纹的临时衬底的表面上沉积第一材料，如图2C所示。

在本实施方案中，通过压印临时衬底TS来得到在临时衬底TS中的纳米图案化凸纹。随后通过气相沉积法沉积第一材料，这里是氮化硅。氮化硅层的折射率n在1.6<n<1.8范围内。

可以通过各种物理气相沉积法如热蒸发法、电子束蒸发法、溅射法、磁控溅射、反应溅射、反应蒸镀等以及各种化学气相沉积法如热化学气相沉积（CVD）、光辅助化学气相沉积（PACVD）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等来施加阻挡结构的无机层。原子层沉积ALD对于用于无机层的共形沉积的沉积也是非常适合的。由于共形沉积方法，所以得到在两侧具有相互共形的纳米图案化凸纹的纳米结构层22。

图2D示出了如何在第一材料的纳米结构层22上沉积第二材料的回填层24。第二材料具有约1.6的折射率，即与第一材料的折射率相差至少0.1。

可以通过以下技术来施加阻挡结构20的形成回填层的第一有机层24：各种涂覆技术，例如旋涂、狭缝挤压式涂覆、轻触式涂覆（kiss-coating）、热熔涂覆和喷涂等；以及各种印刷技术，例如喷墨印刷、凹版印刷、柔版印刷、丝网印刷和轮转丝网印刷等。

如图2E所示，在回填层24上沉积无机材料的另一层26。纳米结构层22、回填层24和另一层26形成阻挡膜。

图2F示出如何将另一衬底40与先前步骤中得到的层22、24、26的堆叠层层压到一起。另一衬底40应该是透明材料，如玻璃或聚合物。

在将另一衬底40层压至堆叠层之后，从堆叠中移除临时衬底TS，如图2G所示。由金属箔形成的临时衬底TS可以例如通过蚀刻剂移除。临时衬底于是释放了用于进一步处理的纳米结构层的表面。通过示例的方式，可以利用蚀刻剂如FeCl₃、硝酸或硫酸来移除铜衬底。作为另一实例，可以通过NaOH、KOH以及磷酸与硝酸的混合物来蚀刻铝衬底。

在图2H所示的下一步骤中，在纳米结构层22的由临时衬底TS释放的表面沉积电光层结构10。电光层结构10具有面向纳米结构层22的释放表面的发光表面。于是形成纳米结构层的阻挡膜的无机层中的最靠近电光层结构10的一个无机层22在两侧具有相互共形的纳米图案化凸纹。

随后，在图2I所示的步骤中，在电光层结构10的与由层22、24和26形成的阻挡膜相反的一侧施加另一阻挡膜30。

作为对参照图2B所描述的步骤的替代步骤，可替代地，可以如图2J和图2K所示对临时衬底TS设置纳米图案化凸纹。根据图2J，临时衬底TS在主表面设置有有机层21，随后如图2K所示，在有机层中压印纳米图案化凸纹。随后，如图2K所示的步骤之后可以是上述参照图2C至图2I所描述的步骤。可用各种其他选择来对临时衬底TS设置纳米图案化凸纹。例如，可以通过包括在主表面施加光刻胶层的标准光刻步骤在临时衬底的主表面施加纳米图案化凸纹。通过施加对应于所期望的凸纹的纳米结构辐射图案、对光刻胶层进行显影、对临时衬底TS的露出部分进行蚀刻以及移除剩余的光刻胶层来对光刻胶层进行图案化。随后，可以实施上述参照图2C至图2I所描述的步骤。在又一变化方案中，如图2BA所示，通过按照在凸纹中的所期望的纳米图案将辅助材料的层25印刷至主表面上来对临时衬底设置纳米图案化凸纹。可替代地，可以通过将层25沉积为均匀层并且随后压印层25来得到在临时衬底TS上具有纳米图案化凸纹的辅助材料的层25。随后，可以实施上述参照图2C至图2I所描述的步骤。

辅助材料可以是透明的，例如透明聚合物。在根据第二方面的方法的实施方案中，仅移除临时衬底TS，使得层25的辅助材料保留在纳米结构层22内，如图2GA所示，并且在图2GB中更详细地示出。在根据第二方面的方法的可替代实施方案中，如图2GC所示，纳米结构层22完全使在辅助材料25中的凸纹平坦化。

图3示出根据第一方面的有机发光器件的替代实施方案。其中与图1、图1A和图1B中的部件相对应的部件具有相同的附图标记。除了图1、图1A和图1B中所示的实施方案以外，有机发光器件包括在回填层24与电光结构10之间延伸的导电结构50。导电结构50电连接至电光结构10的电极13。具体地，相对于电极13施加导电结构50。导电结构可以具有在0.3μm至30μm范围内的厚度和在数微米至约1mm范围内的宽度。

导电结构50布置在第一无机层22与电光结构10之间。

图3A是根据图3中的III-III的横截面，其中示出了导电结构50。为清楚起见，未示出有机发光器件的其它元件。从图3A中可以明显的看出，导电结构50具有在由导电结构所限定的平面中延伸的细长元件51。在图3A所示的实施方案中，细长元件51被形成为在有机发光器件的整个宽度或长度上延伸的直线。

示出了根据相同横截面III-III的导电结构50的其它实施方案。

图3B示出另一实施方案，其中细长元件52被形成为相互连接的圆，所述相互连接的圆形成像迷宫的结构。

图3C示出了另一可替代实施方案，其中细长元件53被布置成形成六边形迷宫。在图3D的实施方案中，细长元件54形成矩形迷宫。

图4A至图4D示出制造根据图3所示的实施方案的有机发光器件的方法。

如图4A所示，在第一步骤中，设置临时衬底TS。该步骤对应于参照图2A所示出的第一步骤。在下一步骤中，在临时衬底TS的主表面施加纳米图案化凸纹21。在此情况下，通过按照纳米图案来压印临时衬底TS的主表面来形成纳米图案化凸纹21。替代压印临时衬底TS的主表面，可将图案压印到在压印之前被沉积到衬底上湿层中并且该湿层在压印工艺之后固化。例如可以通过UV辐射来固化光敏聚合物的湿层，或者可以将热硬化聚合物的湿层热固化。对于压印，硬模板用作印模。所述模板可以由例如镍做出来。

然而，如之前参照图2B所描述的，各种其他选择都可以来得到纳米图案化凸纹。

如图4C所示，随后施加导电结构50。如果需要，可以交换图4B和图4C中所示的步骤。

随后，可以通过继续参照图2C至图2I所描述的步骤来得到如图3所示的有机发光器件。

通过示例的方式，图4D示出与参照图2C所描述的步骤等效的步骤。

如图5和图6中更详细示出的，在后续步骤中，器件可以例如被设置有密封件和设置有连接到电极的电连接器。

在图5中，通过柔性边缘密封件70来密封电光器件的侧面，该柔性边缘密封件70被使用密封剂75附接至器件的侧面。柔性边缘密封件70可以由金属箔（如铜箔或铝箔）形成。可能的密封剂75包括例如环氧树脂、丙烯酸酯、UV固化的Norland68、热固化粘合剂、压敏粘合剂、例如热固性树脂和热塑性树脂、或室温硫化（RTV）粘合剂。密封剂75通常包括具有低渗透性和提供粘附力的任何材料。可以经由另一阻挡层30来将第一外部接触件60施加至电极19。第二外部接触件65可以连接至导电结构50。例如通过在另一阻挡层30中钻孔（优选地通过激光钻孔）并且用导电性粘合剂来填充孔来形成第一电接触件60的中间导体。可以以类似的方式制造用于第二电接触件65的电连接件。

在图6所示的实施方案中，电光器件被包裹到金属箔80中，金属箔80既作为阻挡层又作为电极19的电导体。

在权利要求书中，词语“包括”不排除其他元件或步骤，并且单数不排除复数。单个元件或其他单元可以实现权利要求中所述的几项功能。在彼此不同的权利要求中描述了一些措施的这一事实并不表示这些措施的组合不能被有利地使用。权利要求中的任何附图标记不应当被解释为限制范围。

Claims (11)

1.一种包括堆叠层的有机发光器件，所述堆叠层包括：

-具有发光表面（12）的电光层结构（10），

-与所述发光表面相邻的光提取结构（20），所述光提取结构具有纳米结构层（22），所述纳米结构层（22）具有第一折射率；以及

回填层（24），所述回填层包括具有第二折射率的材料，所述第二折射率与所述第一折射率相差至少0.1，其中所述回填层（24）在所述纳米结构层（22）之上形成平坦化层，

所述发光器件包括阻挡膜，所述阻挡膜包括第一无机层（22）和第二无机层（26）以及布置在所述无机层之间的有机层（24），

其特征在于，所述阻挡膜的所述无机层中最靠近所述电光层结构的无机层（22）形成所述纳米结构层，并且在所述无机层之间的所述有机层（24）形成所述回填层。

2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中形成所述纳米结构层的所述阻挡膜的所述无机层中最靠近所述电光层结构的无机层（22）在两侧具有相互共形的纳米图案化凸纹。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光器件，还包括在所述回填层（24）与所述电光层结构（10）之间延伸的导电结构（50），并且所述导电结构（50）电连接至所述电光层结构的电极（13），所述导电结构具有在由所述导电结构（50）所限定的平面中延伸的细长元件（51、52、53、54）。

4.根据权利要求3所述的有机发光器件，其中所述导电结构（50）布置在所述第一无机层（22）与所述电光层结构（10）之间。

5.一种用于制造有机发光器件的方法，所述方法包括形成堆叠层的以下步骤：

-设置具有主表面的临时衬底（TS），

-在所述主表面设置纳米图案化结构，

-利用共形沉积法在所述临时衬底的具有纳米图案化凸纹的所述主表面施加第一无机材料的层（22），

-在所述共形沉积的第一无机层（22）之上施加第一有机层（24），

-在所述第一有机层（24）之上施加第二无机层（26），

-移除所述临时衬底（TS），

-在堆叠件的由所述临时衬底（TS）释放的一侧施加电光层结构（10）。

6.根据权利要求5所述的方法，其中通过利用图案化沉积工艺在所述临时衬底的所述表面施加辅助有机材料来施加所述纳米图案化凸纹。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述图案化沉积工艺是印刷工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述图案化沉积工艺是气相沉积工艺。

9.根据权利要求5所述的方法，其中通过压印所述临时衬底的所述主表面来形成在所述临时衬底的所述主表面的所述纳米图案化凸纹。

10.根据权利要求5所述的方法，其中通过在所述临时衬底的所述主表面沉积另外的有机层并且在所述另外的有机层中压印所述纳米图案化凸纹来形成在所述临时衬底的所述主表面的所述纳米图案化凸纹。

11.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括在沉积所述第一无机材料的层之前，在所述临时衬底的所述主表面沉积具有细长元件的导电结构的步骤。

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