CN104201288B - 有机电致发光器件及包含该器件的显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种有机电致发光器件,包括,第一电极层;有机功能层,位于所述第一电极层上;第二电极层,位于所述有机功能层上;无机层,位于所述第二电极层上,其中所述无机层为二氧化钛层或碳化硅层。本发明还提供了一种包含上述有机电致发光器件的显示器。本发明的有机电致发光器件能够有效抑制对人眼具有伤害的蓝紫光,避免高能蓝光对人体造成伤害。同时,无机层可起到保护覆盖层及第二电极层作用,提高了OLED器件的寿命,且无机层与有机材料的微腔结构可共同提高OLED器件的色纯度。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件(OLED),具体为一种可抑制蓝光的有机电致发光器件。
背景技术
研究表明,435nm以下波长的蓝光对视网膜有很大的伤害,人的视网膜中有一种叫做A2E的成分,A2E的吸收峰位于紫外光335nm、可见蓝光435nm,使其能够吸收蓝光而进行光氧化,造成细胞的凋亡,从而引起人眼黄斑部病变。另外,蓝光的波长较短,容易造成散射炫光,眼睛必须更用力聚焦,长时间下来,睫状肌疲劳、酸痛,造成假性近视。
现有的OLED会发出一定强度的435nm以下波长的蓝光,而生活中使用的3C产品(计算机、通信和消费类电子产品)大多涉及OLED器件,因此,长时间实用该类产品会对人的眼睛造成严重的伤害,影响人们的健康。
为避免高能蓝光对人体的伤害,现有技术中主要采用的方式是对3C产品贴合抗蓝光保护膜,然而,抗蓝光保护膜的加入虽可以抑制部分高能蓝光,但各波长段光的透过率均有所下降,使得贴膜产品的亮度受到一定程度的影响。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括,第一电极层;有机功能层,位于所述第一电极层上;第二电极层,位于所述有机功能层上;无机层,位于所述第二电极层上,其中所述无机层为二氧化钛层或碳化硅层。
根据本发明的另一实施方式,其中所述无机层的厚度为10nm~20nm。
根据本发明的另一实施方式,其中所述无机层的厚度为15nm。
根据本发明的另一实施方式,其中还包括覆盖层,所述覆盖层位于所述第二电极层和所述无机层之间。
根据本发明的另一实施方式,其中所述覆盖层的材质选自Alq3、Bphen或BCP。
根据本发明的另一实施方式,其中所述覆盖层的厚度为40nm~80nm。
根据本发明的另一实施方式,其中所述有机功能层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层,所述空穴注入层位于所述第一电极层上。
根据本发明的另一实施方式,其中所述第一电极层选自氧化铟锡层、氧化铟锌层、氧化锡层或氧化锌层。
根据本发明的另一实施方式,其中所述第二电极层为合金电极或金属氟化物与金属的复合电极。
根据本发明的另一实施方式,其中所述金属选自锂、镁、铝、钙、锶或铟。
根据本发明的另一实施方式,其中所述合金为锂、镁、铝、钙、锶、铟中的一种与铜、金、银中的一种形成的合金。
本发明还提供一种显示器,包括上述任一项的有机电致发光器件。
本发明的有机电致发光器件能够有效抑制对人眼具有伤害的蓝紫光,避免高能蓝光对人体造成伤害。同时,无机层可起到保护覆盖层及第二电极层作用,提高了OLED器件的寿命,且无机层与有机材料的微腔结构可共同提高OLED器件的色纯度。
附图说明
图1为本发明一实施方式的OLED的结构示意图;
图2为本发明的实施例1至3及对比例1至3的OLED的发光谱图;
图3为本发明的实施例4至6及对比例1至3的OLED的发光谱图。
具体实施方式
体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化,其皆不脱离本发明的范围,且其中的说明及图示在本质上是当作说明之用,而非用以限制本发明。
如图1所示,本发明一实施方式的有机电致发光器件,包括,第一电极层1,可以为阳极层;有机功能层2,位于第一电极层1上;第二电极层3,可以为阴极层,位于有机功能层2上;无机层5,位于第二电极层3上。
在本发明的另一实施方式中,还可包括覆盖层4,位于第二电极层3和无机层5之间。
第一电极层1可通过蒸镀形成于基板上,其可以为氧化铟锡(ITO)层、氧化铟锌层、氧化锡层或氧化锌层,优选为ITO/Ag/ITO复合电极;第一电极层1的厚度可以为1nm~500nm,优选为30nm~100nm。
有机功能层2可包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
空穴注入层可通过蒸镀芳胺化合物或星型胺形成于第一电极层1上,形成空穴注入层的材质具体可以包括4,4′,4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[4-(3-甲基-苯基-苯基-氨基)苯基]苯(m-MTDATB)和铜酞菁(CuPc);形成空穴注入层的材料还可以为HAT-CN(Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile)。空穴注入层的厚度可以为1nm~200nm,优选为90nm~120nm。
空穴传输层可通过蒸镀形成于空穴注入层上,其材料可以为亚芳基二胺衍生物、星暴型化合物、具有螺环基的联苯二胺衍生物或梯状化合物,具体可以为N,N′-二苯基-N,N′-双(3-甲基苯基)-1,1′-联苯基-4,4′二胺(TPD)、N,N′-二-[(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1′-联苯基]-4,4′-二胺(NPB)。空穴传输层的厚度可以为1nm~200nm,优选为5nm~100nm。
发光层可通过蒸镀形成于空穴传输层上,其材料可选自金属有机配合物(如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)),芳香稠环类化合物(如rubrene),邻菲咯啉类化合物及咔唑类衍生物中的一种;或者发光材料可以为荧光、磷光染料掺杂,具体地,主体材料可以包括CBP(4,4-N,N-二咔唑-联苯)及其衍生物、mCP(N,N-二咔唑基-3,5-苯)及其衍生物,掺杂材料可以包括具有选自Ir、Pt、Tb、和Eu的中心金属原子的磷光有机金属络合物,该磷光有机金属络合物包括PQIr、PQIr(acac)、PQ2Ir(acac)、PIQIr(acac)和PtOEP。其中,蓝光材料可以为DPVBi(4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯):5%BCzVB(1,4-二[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]-苯)。发光层的厚度可以为5nm~50nm,优选为10nm~40nm,进一步优选为15nm~30nm。
电子传输层可通过蒸镀形成于发光层上,其材质可以为三嗪,例如4,4′-双-[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1′-联苯、2,4,6-三(4-联苯基)-1,3,5-三嗪;也可以为蒽化合物、菲化合物、荧蒽化合物、二唑化合物或亚乙烯基化合物,电子传输层的厚度可以为1nm~200nm,优选为5nm~100nm。
电子注入层可通过蒸镀形成于电子传输层上,其材质可包括8-羟基喹啉-锂(Liq)或者四(8-羟基喹啉)硼锂(LiBq4)等。电子注入层的厚度可以为1nm~200nm,优选为5nm~100nm。
第二电极层3可通过蒸镀形成于有机功能层2上,其可以为金属、合金或金属氟化物与金属复合电极,所述金属选自锂、镁、铝、钙、锶或铟,所述合金是锂、镁、铝、钙、锶、铟中的一种与铜、金或银中的一种的合金。第二电极层3的厚度可以为10nm~500nm。
覆盖层4可通过蒸镀形成于第二电极层3上,其材质可选自Alq3、Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)或BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline);覆盖层4的厚度可以为40nm~80nm,优选为60nm。
无机层5可通过热蒸发形成,其材质可以为二氧化钛或碳化硅,厚度可以为10nm~20nm,优选为15nm。
覆盖层通常为有机材料形成,其阻水氧能力很弱,使得OLED器件的使用寿命较短。在OLED顶部设置稳定的无机层,不仅可保护覆盖层及阴极,延长器件的使用寿命,且无机层与有机材料的微腔结构可共同提高器件的色纯度,抑制对人眼有伤害的蓝紫光。
本发明中各层的材质、形成方式等不限于上述描述。下面,通过实施例对本发明的有机电致发光器件做进一步说明,其中各实施例的制备方法相同,各层均通过蒸镀的方式形成,所使用原料均可通过市售获得。
实施例1
在玻璃基板上依次形成ITO膜、Ag膜、ITO膜,以ITO/Ag/ITO复合膜作为阳极;
在该阳极层上蒸镀HAT-CN作为空穴注入层;
在空穴注入层上形成NPB膜作为空穴传输层;
在空穴传输层上蒸镀DPVBi:5%BCzVB的混合物作为蓝色发光层;
在发光层上蒸镀Alq3层作为电子传输层;
在电子传输层上蒸镀Liq层形作为电子注入层;
在电子注入层上形成Mg/Ag作为阴极层;
在阴极层上形成Alq3覆盖层;
在阴极层上形成二氧化钛层,得到发蓝光的OLED,其结构如下:
ITO(315nm)/HAT-CN(100nm)/NPB(20nm)/DPVBi:BCzVB(25nm)/Alq3(35nm)/Liq(100nm)/Mg(15nm)/Alq3(60nm)/TiO2(15nm)。
实施例2
实施例2的OLED的制备方法与实施例1相同,故省略了相同技术内容的说明,实施例2以喹丫啶酮(Quinacridone)掺杂Alq3形成绿色发光层,其OLED的结构如下:
ITO(200nm)/HAT-CN(150nm)/NPB(10nm)/Qui:Alq3(20nm)/Alq3(50nm)/Liq(100nm)/Mg(10nm)/Alq3(60nm)/TiO2(15nm)。
实施例3
实施例3的OLED的制备方法与实施例1相同,故省略了相同技术内容的说明,实施例3以DCJTB掺杂Alq3形成红色发光层,其OLED的结构如下:
ZnO(150nm)/m-MTDATA(150nm)/NPB(10nm)/DCJTB:Alq3(20nm)/Alq3(50nm)/LiBq4(150nm)/Mg(10nm)/BCP(60nm)/TiO2(15nm)。
实施例4
实施例4的OLED的制备方法、使用的原料与实施例1相同,故省略了相同技术内容的说明,其与实施例1的区别仅在于无机层为碳化硅层,实施例4的OLED的结构如下:
ITO(315nm)/HAT-CN(100nm)/NPB(20nm)/DPVBi:BCzVB(25nm)/Alq3(35nm)/Liq(100nm)/Mg(15nm)/Alq3(60nm)/SiC(15nm)。
实施例5
实施例5的OLED的制备方法、使用的原料与实施例2相同,故省略了相同技术内容的说明,其与实施例2的区别仅在于无机层为碳化硅层,实施例5的OLED的结构如下:
ITO(200nm)/HAT-CN(150nm)/NPB(10nm)/Qui:Alq3(20nm)/Alq3(50nm)/Liq(100nm)/Mg(10nm)/Alq3(60nm)/SiC(15nm)。
实施例6
实施例6的OLED的制备方法、使用的原料与实施例3相同,故省略了相同技术内容的说明,其与实施例3的区别仅在于无机层为碳化硅层,实施例6的OLED的结构如下:
ZnO(150nm)/m-MTDATA(150nm)/NPB(10nm)/DCJTB:Alq3(20nm)/Alq3(50nm)/LiBq4(150nm)/Mg(10nm)/BCP(60nm)/SiC(15nm)。
对比例1
对比例1的OLED的制备方法、使用的原料与实施例1相同,故省略了相同技术内容的说明,其与实施例1的区别仅在于缺少二氧化钛层。
对比例2
对比例2的OLED的制备方法、使用的原料与实施例2相同,故省略了相同技术内容的说明,其与实施例2的区别仅在于缺少二氧化钛层。
对比例3
对比例3的OLED的制备方法、使用的原料与实施例3相同,故省略了相同技术内容的说明,其与实施例3的区别仅在于缺少二氧化钛层。
图2所示为实施例1至3及对比例1至3的OLED的发光谱图,图3所示为实施例4至6及对比例1至3的OLED的发光谱图。其中,B组曲线表示的是实施例、对比例的发蓝光的OLED的光谱图,虚线是实施例的谱图,实线是对比例的谱图。G组曲线表示的是实施例、对比例的发绿光的OLED的光谱图,虚线是实施例的谱图,实线是对比例的谱图。R组曲线表示的是实施例、对比例的发红光的OLED的光谱图,虚线是实施例的谱图,实线是对比例的谱图。
图2及图3中各组曲线的分布说明,相较于对比例,本发明实施例的OLED不仅提高了色纯度,且有效抑制了对人体有伤害的短波长的蓝紫光,435nm以下的蓝紫光可抑制30%,438nm以下的蓝紫光可抑制40%。
本发明的OLED的其它实施例的测试结果与图2、3相类似,故在此省去相关测试结果的描述。
除非特别限定,本发明所用术语均为本领域技术人员通常理解的含义。
本发明所描述的实施方式仅出于示例性目的,并非用以限制本发明的保护范围,本领域技术人员可在本发明的范围内作出各种其他替换、改变和改进,因而,本发明不限于上述实施方式,而仅由权利要求限定。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,包括,
第一电极层;
有机功能层,位于所述第一电极层上;
第二电极层,位于所述有机功能层上;
覆盖层,位于所述第二电极层上;以及
无机层,位于所述覆盖层上;
其中,所述无机层为二氧化钛层或碳化硅层,所述无机层的厚度为10nm~20nm;所述覆盖层为有机材料形成。
2.根据权利要求1的有机电致发光器件,其中所述无机层的厚度为15nm。
3.根据权利要求1的有机电致发光器件,其中所述覆盖层的材质选自Alq3、Bphen或BCP。
4.根据权利要求1的有机电致发光器件,其中所述覆盖层的厚度为40nm~80nm。
5.根据权利要求1至4中任一项的有机电致发光器件,其中所述有机功能层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层,所述空穴注入层位于所述第一电极层上。
6.根据权利要求5的有机电致发光器件,其中所述第一电极层选自氧化铟锡层、氧化铟锌层、氧化锡层或氧化锌层。
7.根据权利要求5的有机电致发光器件,其中所述第二电极层为合金电极或金属氟化物与金属的复合电极。
8.根据权利要求7的有机电致发光器件,其中所述金属选自锂、镁、铝、钙、锶或铟。
9.根据权利要求7的有机电致发光器件,其中所述合金为锂、镁、铝、钙、锶、铟中的一种与铜、金、银中的一种形成的合金。
10.一种显示器,包括权利要求1至9中任一项的有机电致发光器件。
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