CN103440985B - 一种多电极线性可调节的mems电容器 - Google Patents
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Abstract
一种多电极线性可调节的MEMS电容器,包括介质衬底、电容上极板、电容下极板、第一锚点、第二锚点以及多组控制电极,电容下极板位于第一锚点和第二锚点间,电容上极板位于第一锚点和第二锚点上,第一锚点和第二锚点的高度不同,电容上极板呈倾斜状态,沿电容上极板倾斜下端向上端方向,对多组控制电极逐次加电压,每组控制电极上的电压均由低到高变化,使电容上极板与电容下极板之间的电容值呈近似线性的变化。
Description
技术领域
本发明属于射频微机电系统(RF MEMS)领域,具体涉及一种电容值线性可调节的MEMS电容器。
背景技术
射频微机电系统(RF MEMS)是用微加工工艺制作的,集微结构、微传感器、微执行器、信号处理和控制电路为一体的射频器件或系统,与传统固态器件相比,拥有显著的优势,例如功率耗散低、插入损耗小、可靠性高、品质因数高等。基于MEMS的开关和电容是射频应用中极为重要的元件,他们的机械结构能够对控制电路和信号电路进行隔离,并且防止射频信号对电容值产生调制作用,因此线性度很高。
电容元件广泛的应用于基于MEMS的器件中,例如可调滤波器、谐振器、传感器、可调天线等。常见的MEMS可调电容有两种基本形式,一种是调节上下电容极板间的间距来改变电容值,这种可调电容反应灵敏、Q值高、尺寸小,然而却有间距调节范围的限制,其上极板运动范围不能大于上下极板初始间距的三分之一,否则电容上极板会被迅速下拉,因此可调范围较小;另一种是调节电容的正对面积来改变电容值,典型的是应用插指状结构,通过改变指间正对面积来改变电容值,这种结构制作工艺复杂,电容值有限,电容的控制精度差。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出了一种电容值线性可调节的MEMS电 容器,具有线性度高、变容范围大、可程控调节的特点。
为实现上述目的,本发明采取如下技术方案:
一种多电极线性可调节的MEMS电容器,包括:
介质衬底100;
设置于介质衬底100上的电容下极板300、第一锚点401、第二锚点402和多组控制电极,电容下极板300位于第一锚点401和第二锚点402之间,且相互分离,每组控制电极由对称分布于电容下极板300两侧的结构相同的a部分和b部分组成,a部分和b部分之间电气连接;
以及,
位于第一锚点401和第二锚点402上的电容上极板200。
所述第一锚点401和第二锚点402的高度不同,电容上极板200呈倾斜状态,沿电容上极板200倾斜下端向上端方向,对多组控制电极逐次加电压,每组控制电极上的电压均由低到高变化,使电容上极板200与电容下极板300之间的电容值呈近似线性的变化。在控制电极上施加控制电压时,电容上极板200在静电力作用下向电容下极板方向移动。
所述相邻组的控制电极之间间距相等或者不相等。
所述控制电极为N组,N为正整数,控制电极上覆盖一层介质层,以实现与电容上极板200之间的电隔离。例如,所述N为10。
所述电容下极板300设置于电容上极板200的正下方中间位置,比电容上极板200小,电容下极板300上覆盖一层介质层,以实现与电容上极板200之间的电隔离。
所述第一锚点401和第二锚点402的高度相同,电容上极板200呈水 平状态,沿电容上极板200中间向两端方向,对多组控制电极逐次加电压,每组控制电极上的电压均由低到高变化,使电容上极板200与电容下极板300之间的电容值呈近似线性的变化。
位于电容下极板300的中心部位有一组控制电极,其余各组控制电极沿该中心部位的控制电极对称,且相对称的两组控制电极之间电气连接。
本发明的优点是:电容上极板200呈倾斜状态,在控制电极上逐次加由小变大的电压时,电容上极板200由底端向高端逐渐下拉,可保证每一驱动电极在驱动时电容上极板200与驱动电极之间的初始间距均较小,以此保证每个控制电极上的下拉电压均处于一个较小的水平,减小了电荷注入发生的可能性,提高了器件可靠性,并且使电容器在将达到最大电容值时仍保持较好的线性度,扩大了可变电容的线性范围和变容比。
附图说明
图1为本发明的三维结构图。
图2为本发明的侧视图。
图3为本发明部分电极上施加下拉电压后的侧视图。
图4为本发明的工艺流程图。
图5为本发明结构的一个变形结构的三维结构图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作进一步详细说明。
参见图1和图2,其结构主要包括介质衬底100、电容上极板200、电容下极板300、第一锚点401、第二锚点402、第一控制电极501、第二控制电极502、第三控制电极503、第四控制电极504、第五控制电极505、第六控 制电极506、第七控制电极507、第八控制电极508、第九控制电极509和第十控制电极5010,每组控制电极由对称分布于电容下极板300两侧的结构相同的a部分和b部分组成,a部分和b部分之间电气连接。即,第一控制电极501由第一控制电极a部分501a和第一控制电极b部分501b组成,第二控制电极502由第二控制电极a部分502a和第二控制电极b部分502b组成,第三控制电极503由第三控制电极a部分503a和第三控制电极b部分503b组成,第四控制电极504由第四控制电极a部分504a和第四控制电极b部分504b组成,第五控制电极505由第五控制电极a部分505a和第五控制电极b部分505b组成,第六控制电极506由第六控制电极a部分506a和第六控制电极b部分506b组成,第七控制电极507由第七控制电极a部分507a和第七控制电极b部分507b组成,第八控制电极508由第八控制电极a部分508a和第八控制电极b部分508b组成,第九控制电极509由第九控制电极a部分509a和第九控制电极b部分509b组成,第十控制电极5010由第十控制电极a部分5010a和第十控制电极b部分5010b组成。
电容下极板300、第一锚点401、第二锚点402、第一控制电极501至第十控制电极5010都设置在介质衬底100上,第一锚点401的高度低于第二锚点402,电容上极板200设置在第一锚点401和第二锚点402上,呈倾斜状态,由第一控制电极501向第十控制电极5010逐次加电压,每组控制电极上的电压均由低到高变化,可使电容上极板200与电容下极板300之间的电容值呈近似线性的变化。假设在第一控制电极501上施加电压Vpull-in时,电容上极板200左端会发生下拉,则向第一控制电极501上施加从0到Vpull-in逐渐上升的电压,使电容上电极200的最左端逐渐下拉,第一控制电极501上维持 Vpull-in的电压不变,在第2控制电极502上施加从0到Vpull-in逐渐上升的电压,最后维持在Vpull-in不变,以此类推,从第一控制电极501向第十控制电极5010方向逐次加由0到Vpull-in变化的电压,每个控制电极上的电压达到Vpull-in后均维持在Vpull-in不变,这样分阶段的控制电容上极板200的下拉,实现了对电容值线性可调的控制,并且由于最大电容值可用,因此线性变容的范围得到扩大。
参见图3,其结构为在部分控制电极上施加下拉电压后的侧视图,第一控制电极501、第二控制电极502、第三控制电极503上的电压均维持在Vpull-in,电容上电极200的左半部分已经发生下拉,可继续在后续控制电极上逐个施加从0到Vpull-in变化的电压。
参见图4,为本发明的工艺流程图,首先制作电容下极板300及各控制电极,可用Al等金属作为电极材料;接着制作牺牲层并刻蚀出锚点通孔;使用数字曝光技术并显影,使牺牲层形成斜坡状;溅射或电镀形成电容上极板200,可用Al、Au等金属作为上极板材料;刻蚀牺牲层,释放器件结构。
作为本发明结构的一个变形和改进,第一锚点401和第二锚点402的高度相同,电容上极板200呈水平状态,沿电容上极板200中间向两端方向,对多组控制电极逐次加电压,每组控制电极上的电压均由低到高变化,使电容上极板200与电容下极板300之间的电容值呈近似线性的变化。位于电容下极板300的中心部位有一组控制电极,其余各组控制电极沿该中心部位的控制电极对称,且相对称的两组控制电极之间电气连接。
该结构的详细结构可参见图5,具体可包括结构二衬底110,结构二电容上极板210,结构二电容下极板310,结构二第一锚点411,结构二第二锚 点412和八组结构二控制电极。
其中,第一组结构二控制电极为中间控制电极,位于结构二电容下极板310的中间位置,由电气互连的结构二第一控制电极a部分511a和结构二第一控制电极b部分511b组成;第二组结构二控制电极由电气互连的结构二第二控制电极a部分512a、结构二第二控制电极b部分512b、结构二第二控制电极c部分512c和结构二第二控制电极d部分512d组成,结构二第二控制电极a部分512a和结构二第二控制电极b部分512b位于中间控制电极的一侧,结构二第二控制电极c部分512c和结构二第二控制电极d部分512d位于中间控制电极的另一侧;第三组结构二控制电极由电气互连的结构二第三控制电极a部分513a、结构二第三控制电极b部分513b、结构二第三控制电极c部分513c和结构二第三控制电极d部分513d组成,结构二第三控制电极a部分513a和结构二第三控制电极b部分513b位于中间控制电极的一侧,结构二第三控制电极c部分513c和结构二第三控制电极d部分513d位于中间控制电极的另一侧;依次地,第四组结构二控制电极由电气互连的结构二第四控制电极a部分514a、结构二第四控制电极b部分514b、结构二第四控制电极c部分514c和结构二第四控制电极d部分514d组成;第五组结构二控制电极由电气互连的结构二第五控制电极a部分515a、结构二第五控制电极b部分515b、结构二第五控制电极c部分515c和结构二第五控制电极d部分515d组成;第六组结构二控制电极由电气互连的结构二第六控制电极a部分516a、结构二第六控制电极b部分516b、结构二第六控制电极c部分516c和结构二第六控制电极d部分516d组成;第七组结构二控制电极由电气互连的结构二第七控制电极a部分517a、结构二第七控制电极b部分517b、结构二 第七控制电极c部分517c和结构二第七控制电极d部分517d组成;第八组结构二控制电极由电气互连的结构二第八控制电极a部分518a、结构二第八控制电极b部分518b、结构二第八控制电极c部分518c和结构二第八控制电极d部分518d组成。
本结构中,结构二电容上极板210由于自身应力作用或其他外力作用在中间位置发生下塌,使结构呈现出对称的两个部分,每一部分与上述多电极线性可调节的MEMS电容器结构相同,结构二第一控制电极a部分511a和结构二第一控制电极b部分511b上被施以同样的控制电压,其他控制电极均包括a、b、c、d四个部分,四部分在电气上相连接,被施以同样的控制电压,从中间控制电极向两边控制电极逐个施加从0到Vpull-in变化的电压,可使该结构电容器电容值实现线性可调节,该结构制作工艺较简单,不用使用数字曝光技术,可先制作与结构二电容下极板310平行的结构二电容上极板210,利用其自身应力作用或其他外力作用实现在中间部位的下塌。
Claims (6)
1.一种多电极线性可调节的MEMS电容器,包括:
介质衬底(100);
设置于介质衬底(100)上的电容下极板(300)、第一锚点(401)、第二锚点(402)和多组控制电极,电容下极板(300)位于第一锚点(401)和第二锚点(402)之间,每组控制电极由对称分布于电容下极板(300)两侧的结构相同的a部分和b部分组成,a部分和b部分之间电气连接;
以及,
位于第一锚点(401)和第二锚点(402)上的电容上极板(200);
其中:
所述第一锚点(401)和第二锚点(402)的高度不同,电容上极板(200)呈倾斜状态,沿电容上极板(200)倾斜下端向上端方向,对多组控制电极逐次加电压,每组控制电极上的电压均由低到高变化,使电容上极板(200)与电容下极板(300)之间的电容值呈近似线性的变化;或者,
所述第一锚点(401)和第二锚点(402)的高度相同,电容上极板(200)呈水平状态,沿电容上极板(200)中间向两端方向,对多组控制电极逐次加电压,每组控制电极上的电压均由低到高变化,使电容上极板(200)与电容下极板(300)之间的电容值呈近似线性的变化。
2.如权利要求1所述的多电极线性可调节的MEMS电容器,其特征在于,相邻组的控制电极之间间距相等或者不相等。
3.如权利要求1所述的多电极线性可调节的MEMS电容器,其特征在于,所述控制电极为N组,N为正整数,控制电极上覆盖一层介质层,以实现与电容上极板(200)之间的电隔离。
4.如权利要求3所述的多电极线性可调节的MEMS电容器,其特征在于,所述N为10。
5.如权利要求1所述的多电极线性可调节的MEMS电容器,其特征在于,所述电容下极板(300)设置于电容上极板(200)的正下方中间位置,比电容上极板(200)小,电容下极板(300)上覆盖一层介质层,以实现与电容上极板(200)之间的电隔离。
6.如权利要求1所述的多电极线性可调节的MEMS电容器,其特征在于,位于电容下极板(300)的中心部位有一组控制电极,其余各组控制电极沿该中心部位的控制电极对称,且相对称的两组控制电极之间电气连接。
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