CN103427624B - 用于集成式降压型dc/dc开关变换器的抗振铃电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及一种集成式降压型DC/DC开关变换器中的抗振铃电路。本发明所述的用于集成式降压型DC/DC开关变换器的抗振铃电路,其特征在于,还包括P型场效应晶体管和控制逻辑电路;所述P型场效应晶体管的源极与电感L的一端连接、漏极与电感L的另一端连接、栅极与控制逻辑电路的输入端连接,控制逻辑电路三个输入端分别连接PMOS管控制信号、NMOS管控制信号和振铃信号。本发明的有益效果为,在传统降压型DC/DC开关变换器基础上,增加了一个连接在电感两端的集成式P型场效应晶体管,实现了集成式DC/DC开关变换器抗振铃的目标。本发明尤其适用于DC/DC开关变换器。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及一种集成式降压型DC/DC开关变换器中的抗振铃电路。
背景技术
降压型DC/DC变换器在很宽的输入输出电压范围内都可以高效率的工作,使得它在锂离子电池供电的电子产品中成为理想的电源管理拓扑。但是,由于DC/DC变换器工作在开关状态,较大的输出噪声电压可能对RF等敏感单元造成影响,尤其是当DC/DC变换器工作在电感电流断续导通模式(Discontinuous Current Mode,DCM)时,由电感和变换器开关管、续流管寄生电容构成的LC回路会产生严重的高频振荡。因此,有必要采用对应的抗振铃电路进行振铃衰减。振铃虽然也可以通过外围电路来消除,但从降低成本、减小体积、减小干扰及增强可靠性等方面讲,对抗振铃电路进行有效的集成是非常必要的。
对于降压型DC/DC变换器,主要由P型场效应开关管MP和N型场效应续流管MN构成,MP的源端和输入电压VIN相接,MP的漏端、MN的漏端及电感的一端相接在一起,MN的源端接地。故存在由MP的漏端、MN的漏端到地的寄生电容C,由于MP、MN的尺寸往往很大,所以寄生电容C的值也比较大。
当降压型DC/DC变换器工作于电感电流连续导通模式(Continuous Current Mode,CCM)时,输出电流一般较大,负载等效电阻RL比较小,电路将进入过阻尼状态,振荡衰减很快,所以不会在一个周期内构成明显的影响。当负载RL较大时,电感电流在一个周期中会出现降为零的情况,即电路工作于DCM。当MP、MN均处于关断状态时,没有低阻抗回路将寄生电容C短路,由电感L、寄生电容C,负载电容CL和等效负载电阻RL的并联构成了LC振荡回路。电路会出现衰减振荡,振荡频率为:
考虑到负载电容CL远大于寄生电容C,可以得到振荡频率为:
这个振荡频率比较高,会在MP和MN的漏端形成明显的振荡。由于MP和MN的寄生二极管的限幅作用,振铃的振幅被限制在-0.7V~VIN+0.7V之间,所以有时还会产生高次谐波,这些振铃的基波和谐波,都可能通过电感的磁场泄露或寄生电容耦合到RF等敏感电路,影响整个系统的正常工作。因此,对于降压型DC/DC开关变换器,须要对开关管、续流管漏端的振铃电压进行控制,防止系统进入DCM模式工作时,开关管、续流管漏端出现振铃。
发明内容
本发明所要解决的技术问题,就是针对上述问题,提供一种用于集成式降压型DC/DC开关变换器的抗振铃电路。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:用于集成式降压型DC/DC开关变换器的抗振铃电路,包括第一P型场效应晶体管MP、N型场效应晶体管MN、电感L和负载电容CL,所述第一P型场效应晶体管MP的源极接电源VDD、栅极接第一栅极逻辑信号P_GATE、漏极与N型场效应晶体管MN的漏极和电感L的一端连接形成振铃点;所述N型场效应晶体管MN的栅极接第二栅极逻辑信号N_GATE;所述电感L的另一端与负载电容CL的一端连接,电容CL的另一端和N型场效应晶体管MN的源极均接地;其特征在于,还包括第二P型场效应晶体管MP1和控制逻辑电路;所述第二P型场效应晶体管MP1的源极与电感L的一端连接、漏极与电感L的另一端连接、栅极与控制逻辑电路的输出端连接;控制逻辑电路的第一输入端连接第一栅极逻辑信号P_GATE、第二输入端连接振铃点电压信号、第三输入端连接第二栅极逻辑信号N_GATE。
本发明总的技术方案,通过在抗振铃电路增加跨接在电感L两端的第二P型场效应晶体管MP1及其栅极SWITCH控制逻辑电路LOGIC,从而确保第二P型场效应晶体管MP1在DCM工作模式的第一P型场效应晶体管MP、N型场效应晶体管MN都关断期间导通,消除第一P型场效应晶体管MP、N型场效应晶体管MN漏极连接点LX的振铃。其原理为:当降压型DC/DC开关变换器工作于DCM模式时,将存在第一P型场效应晶体管MP、N型场效应晶体管MN同时关断的状态,这时第一P型场效应晶体管MP、N型场效应晶体管MN的寄生电容和电感L将在其漏极连接点LX点形成振铃。利用控制逻辑电路LOGIC产生的SWITCH信号控制第二P型场效应晶体管MP1的栅极,当第一P型场效应晶体管MP、N型场效应晶体管MN都关断时,使得第二P型场效应晶体管MP1导通,则电感两端将由第二P型场效应晶体管MP1形成回路,即可消除连接点LX点的振铃。
具体的,所述控制逻辑电路包括过零检测电压比较器、两路复用器、RS锁存器、三输入与非门和反向器;所述过零检测电压比较器的负输入端输入振铃点电压信号、正输入端输入地信号GND、输出端连接两路复用器的第一输入端;两路复用器的第二输入端连接电源VDD、第三输入端连接第二栅极逻辑信号N_GATE、输出端通过第一反向器连接RS锁存器的S输入端;第一栅极逻辑信号P_GATE通过第二反向器连接RS锁存器的R输入端,RS锁存器的Q输出端连接三输入与非门的第一输入端;三输入与非门的第二输入端连接第一栅极逻辑信号P_GATE、第三输入端连接第二栅极逻辑信号N_GATE、输出端连接第二P型场效应晶体管MP1的栅极。
本发明的有益效果为,在传统降压型DC/DC开关变换器基础上,增加了一个连接在电感两端的集成式P型场效应晶体管,结合脉冲宽度控制(Pulse-Width Modulation,PWM)逻辑,实现了集成式DC/DC开关变换器抗振铃的目标。
附图说明
图1为本发明的电路原理结构示意图;
图2为本发明的控制逻辑电路的原理结构示意图;
图3为增加抗振铃电路前后的电压波形示意图。
具体实施方式
下面结合附图,详细描述本发明的技术方案:
为了方便叙述,下文中第一P型场效应晶体管MP以MP代替,N型场效应晶体管MN以MN代替,第一栅极逻辑信号P_GATE以P_GATE代替,第二栅极逻辑信号N_GATE以N_GATE代替,第二P型场效应晶体管MP1以MP1代替,第一P型场效应晶体管MP的漏极、N型场效应晶体管MN的漏极和电感L一端形成的振铃连接点以LX代替,第二P型场效应晶体管MP1的栅极信号即控制逻辑电路的输出信号以SWITCH代替。
如图1所示,本发明由降压型DC/DC开关变换器主拓扑、跨接电感L两端的P型场效应管MP1及其栅极SWITCH控制逻辑电路LOGIC组成。控制逻辑电路LOGIC的输出控制信号SWITCH控制MP1在DCM模式开关管MP和续流管MN都关断期间导通,以消除LX点振铃。
P型场效应晶体管MP作为开关管,N型场效应晶体管MN作为续流管,MP的源极连接电源VDD,MP的漏极和MN的漏极串联,公共点为LX,MN的源极接地,P_GATE为MP的栅极控制信号,N_GATE为MN的栅极控制信号。电感L和P型场效应晶体管MP1并联,LOGIC为控制逻辑电路,其输出SWITCH作为MP1的栅极控制信号,连接MP1源极的一端与LX点相连,另一端与负载电容CL串联,CL的另一端接地。
如图2,控制逻辑电路LOGIC主要由过零检测电压比较器A0、两路复用器MUX2-1、RS锁存器、三输入与非门NAND3及反相器构成。LX点连接比较器A0的反相输入端,A0的同相输入端接地,比较器A0的输出接入两路复用器MUX2-1的b输入端,MUX2-1的选择输入端S接MN栅极控制信号N_GATE,MUX2-1的a输入端接电源VDD。MUX2-1的输出串联一个反相器接入RS锁存器的S输入端,P_GATE串联一个反相器接入RS锁存器的R输入端。RS锁存器的输出Q接入三输入与非门NAND3的一个输入端,NAND3的另外两个输入端分别连接P_GATE和N_GATE串联反相器的输出信号,NAND3的输出信号SWITCH控制MP1的导通与关断,从而消除LX点振铃。P_GATE为低电平时,N_GATE为低电平,开关管MP导通,续流管MN关段,电感电流线性上升,此时SWITCH为高电平,MP1关段。P_GATE为高电平时,开关管MP关断,N_GATE可能为高电平也可能为低电平,若N_GATE为高电平,则续流管MN导通,此时SWITCH为高电平,MP1关断,电感电流线性下降,最终降为零;若N_GATE为低电平,则续流管MN关断,此时开关变换器工作于DCM模式,RS触发器输出高电平,则SWITCH变为低电平,MP1导通,消除LX点的振铃。电压比较器A0比较LX点电压和地电位,当LX点电位高于地电位时,比较器A0输出低电平。两路复用器MUX2-1通过S端连接的N_GATE电平高低选择输出,当N_GATE为低电平时,选择a端输入的VDD作为输出,当N_GATE为高电平时,选择b端输入的比较器A0的输出作为两路复用器的输出,避免在开关管MP和续流管MN都关断的死区时间内MP1的错误开启。SR锁存器将两路复用器MUX2-1的输出状态锁存输出至三输入与非门NAND3的输入端。当MP关断时,MN导通,则LX点电位为负电位,随着电感电流的逐渐减小,LX点电位逐渐上升,一旦LX点电位上升至大于地电位,则电压比较器A0输出低电平,此时N_GATE为高电平,两路复用器MUX2-1选择输出b端,由于P_GATE为高电平,则SR锁存器输出为高电平,此时NAND3的输出SWITCH为低电平,P型场效应晶体管MP1导通,消除LX点的振铃。
如图3所示,P_GATE和N_GATE分别为开关管MP与续流管MN的栅极电压,SWITCH为跨接在电感L两端的MP1的栅极电压,LX为MP、MN相连的漏端电压波形。在t1时刻前,MP1一直处于关断状态,LX点电压出现振铃;在t1时刻后,SWITCH控制MP1的开关,LX点电压的振铃被消除。
Claims (1)
1.用于集成式降压型DC/DC开关变换器的抗振铃电路,包括第一P型场效应晶体管MP、N型场效应晶体管MN、电感L和负载电容CL,所述第一P型场效应晶体管MP的源极接电源VDD、栅极接第一栅极逻辑信号P_GATE、漏极与N型场效应晶体管MN的漏极和电感L的一端连接形成振铃点;所述N型场效应晶体管MN的栅极接第二栅极逻辑信号N_GATE;所述电感L的另一端与负载电容CL的一端连接,负载电容CL的另一端和N型场效应晶体管MN的源极均接地;其特征在于,还包括第二P型场效应晶体管MP1和控制逻辑电路;所述第二P型场效应晶体管MP1的源极与电感L的一端连接、漏极与电感L的另一端连接、栅极与控制逻辑电路的输出端连接;控制逻辑电路的第一输入端连接第一栅极逻辑信号P_GATE、第二输入端连接振铃点电压信号、第三输入端连接第二栅极逻辑信号N_GATE;所述控制逻辑电路包括过零检测电压比较器、两路复用器、RS锁存器、三输入与非门、第一反向器、第二反向器和第三反向器;所述过零检测电压比较器的负输入端输入振铃点电压信号、正输入端输入地信号GND、输出端连接两路复用器的第一输入端;两路复用器的第二输入端连接电源VDD、第三输入端连接第二栅极逻辑信号N_GATE、输出端通过第一反向器连接RS锁存器的S输入端;第一栅极逻辑信号P_GATE通过第二反向器连接RS锁存器的R输入端,RS锁存器的Q输出端连接三输入与非门的第一输入端;三输入与非门的第二输入端连接第一栅极逻辑信号P_GATE、第三输入端连接第三反向器的输出端、输出端连接第二P型场效应晶体管MP1的栅极;第三反向器的输入端接第二栅极逻辑信号N_GATE。
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