CN105790567B - 一种抗振铃电路 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电子技术领域,具体涉及一种抗振铃电路。本发明主要是通过一个同步整流管栅极放电电路,电路在过零之后,并没有立刻把同步整流管关闭,而是将同步整流管栅极迅速放电到一个很低的电位,使其弱导通,等到电感两端电压相等时,彻底关断同步整流管,此时电路处于稳态,SW将稳定等于输出电压,不会振荡,从而达到了抗振铃的效果。
Description
技术领域
本发明属于BUCK型DC-DC变换器技术领域,具体涉及一种抗振铃电路。
背景技术
在一般的BUCK型DC-DC变换器架构中,如图1所示,PCH为功率上管,NCH为同步整流开关管,电容C为PCH和NCH的漏极对地的寄生电容,在CCM模式下,电感电流在整个周期内不会过零,电容C在同步整流管开时被NCH短路,在功率上管开时被PCH和电源形成的低阻抗回路短路,因此不会出现振荡现象,然而在DCM模式下,当电路过零之后,上下管同时关闭,没有低阻抗回路将C短路,因此,由电感L,寄生电容C,负载电容CL和负载电阻R的并联共同构成了LC振荡环路,SW端会形成明显的高频振荡,这些振荡的基波和谐波,都可能通过电感的磁场泄露或寄生电容耦合到RF等敏感电路中,影响电路的正常工作。
发明内容
本发明的目的是为了防止BUCK在检测到过零后直接关断同步整流管造成SW振荡的影响,提出一种可以让同步整流管栅极缓慢放电,泻放电感多余能量的电路。
本发明的技术方案为:一种抗振铃电路,包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第一电阻R1、第二电阻R2、电容C1、反相器、施密特触发器和电流源;其中,
第一PMOS管MP1的源极接电源,其栅极接第十一PMOS管MP11的漏极;
第四PMOS管MP4的源极接第一PMOS管MP1的漏极,第四PMOS管MP4的栅极接反相器的输出端;反相器的输入端接外部过零标识信号;
第五PMOS管MP5的源极接第四PMOS管MP4的漏极,第五PMOS管MP5的栅极接第八PMOS管MP8的漏极;
第一NMOS管MN1的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,第一NMOS管MN1的栅极接第八PMOS管MP8的漏极,第一NMOS管MN1的源极通过第一电阻R1后接地;
第二NMOS管MN2的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,第二NMOS管MN2的栅极接反相器的输出端,第二NMOS管MN2的源极接地;
第九PMOS管MP9的源极接第八PMOS管MP8的漏极,第九PMOS管MP9的栅极接反相器的输出端,第九PMOS管MP9的漏极通过第二电阻R2后接地;
第三NMOS管MN3的漏极接第八PMOS管MP8的漏极,第三NMOS管MN3的栅极接第九PMOS管MP9的漏极,第三NMOS管MN3的源极接地;
第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极接第十一PMOS管MP11的漏极;
第三PMOS管MP3的源极接第二PMOS管MP2的漏极,第三PMOS管MP3的栅极接施密特触发器的输出端;施密特触发器的输入端接第五PMOS管MP5的漏极;
第六PMOS管MP6的源极接电源,其栅极与漏极互连;
第四NMOS管MN4的漏极接第三PMOS管MP3的漏极和第六PMOS管MP6的漏极,第四NMOS管MN4的栅极接施密特触发器的输出端;第四NMOS管MN4漏极、第三PMOS管MP3漏极和第六PMOS管MP6漏极的连接点通过电容后接地;
第五NMOS管MN5的漏极接第四NMOS管MN4的源极,第五NMOS管MN5的栅极接第十PMOS管MP10的漏极,第五NMOS管MN5的源极接地;
第七PMOS管MP7的源极接电源,其栅极接第六PMOS管MP6的漏极;
第八PMOS管MP8的源极接第七PMOS管MP7的漏极,第八PMOS管MP8的栅极接反相器的输出端;
第六NMOS管MN6的漏极和栅极接第八PMOS管MP8的漏极,第六NMOS管MN6的源极接地;
第十PMOS管MP10的源极接电源,其栅极接第十一PMOS管MP11的漏极;
第七NMOS管MN7的漏极和栅极接第十PMOS管MP10的漏极,第七NMOS管MN7的源极接地;
第十一PMOS管MP11的源极接电源,其栅极与漏极互连,其漏极接电流源的一端,电流源的另一端接地;
第五PMOS管栅极、第一NMOS管MN1栅极、第九PMOS管MP9源极、第三NMOS管MN3漏极、第六NMOS管MN6栅极和漏极、第八PMOS管MP8漏极的连接点为抗振铃电路的输出端。
本发明的有益效果为,通过控制下管栅极放电速率使下管缓慢关断,释放掉传统电路中图1中SW处寄生电容和电感的多余能量,使SW能稳定到输出电压,不会振荡。
附图说明
图1为BUCK型DC-DC变换器的结构图;
图2为本发明驱动电路与同步整流管栅极放电电路的连接方式的示意图;
图3为本发明同步整流管栅极放电电路的具体实现图;
图4为本发明过零时同步整流管栅极放电电路的等效图;
图5为同步整流管栅极放电电路模块在阶段1时同步整流管栅极电荷放电示意图;
图6为同步整流管栅极放电电路模块在阶段2时同步整流管栅极电荷放电示意图;
图7为同步整流管栅极放电电路模块在阶段3、4时同步整流管栅极电荷放电示意图;
图8为无抗振铃电路SW电压与电感电流的示意图;
图9为有抗振铃电路SW电压与电感电流的示意图。
具体实施方式
下面结合附图,详细描述本发明的技术方案:
如图2所示,为驱动电路与同步整流管栅极放电电路的连接方式,在轻载模式下,当BG为高时,同步整流管打开,系统检测到过零后,过零比较器输出跳高,通过或门屏蔽环路,使晶体管MP1截止,同步整流管栅信号浮空,同时开关管MN3打开,从而MN2和同步整流管构成了一个电流镜结构,此时同步整流管以一定电流对SW点进行能量的泻放,减小了SW振铃现象。
而同步整流管栅极放电电路的具体实现图如图3所示:
原理为:
1:系统不过零时,过零标志信号ZCD_Flag为低,此时晶体管MP4,MP8,MP9截止,因此同步整流管栅极信号BG在这个模块中处于浮空状态,所以,在不过零时,该电路不会对BG信号有任何影响。
2:系统过零时,同步整流管栅极浮空,ZCD_Flag信号跳高,同步整流管栅极放电电路开始工作,该电路的简化等效电路图如图4所示,其中R1是为了调整BG的翻转电压。
细化整个过程(瞬态过程),应该如下:
检测到系统过零后,图4所示电路可以分为五个阶段工作:
(1)在轻载模式下,开同步整流管时,当检测到系统过零后,BG电压为电源电压VIN,开关管MP3关闭,MN4打开,因为此时BG电位很高,晶体管MP7工作在线性区,且随着BG电压的下降,晶体管MP7逐渐进入饱和区。同时,系统过零后,电感电流开始反灌,SW电压增加,变为正值,但在过零之后的初期,BG电压很高,SW电压接近于零,同步整流管工作在深线性区。并随着SW电压的增加,电感电流逐渐增加。此时,同步整流管栅极电荷通过晶体管MN6和MN3和R2三条支路快速放电,晶体管MP7的电流用于对同步整流栅极放电速率的控制。如图5所示。(CG表示同步整流管栅极等效电容,I表示同步整流管栅极放电电流)
(2)当BG电压下降到一个阈值VBG1时,晶体管MP5打开,MN1关闭,SMIT1触发器输出跳低(其中电阻R4是为了调整翻转阈值VBG1,使VBG1大于电源电压VIN的一半),这时,晶体管MP3打开,MN4关闭,电流I1对电容C1充电,使MP7栅极电压逐渐增加,最终关断MP7,如图6所示。在这一阶段中,由于BG电压仍然很高,同步整流管工作在线性区,反灌的电感电流仍然在增加,SW电压也在增加。
(3)当晶体管MP7关闭后,同步整流管栅极电容通过二极管连接的晶体管MN3和MN6还有电阻R2放电,随着BG电压的进一步下降,SW电压的增加,同步整流管开始进入饱和区,反灌电感电流达到最大值,之后随着BG的电压的继续减小,电感电流开始减小。电阻R2起到分流的作用,使流过MN3和MN6的电流减小,从而使镜像到同步整流管的电流减小,起到了控制电感电流的作用。该过程的同步整流管栅极放电示意图如图7所示。
(4)当BG电压下降很低时,晶体管MN3和MN6工作在亚阈区,此时同步整流管栅极上的电荷放电速率非常缓慢,SW电压接近于输出电压VOUT,电感电流也接近于零,但不会降到零,保证了SW处的寄生电容和电感的多余能量可以通过这个通路进行泄放,从而减小SW点的振铃现象,降低系统EMI干扰。
(5)最后的一个阶段,就是输出电压通过负载下降到了一定的电压后,系统进入下一个周期,此时,才完全关断同步整流管,开启功率上管。周而复始。
综上所述,本发明提出了一种通过使过零后缓慢关断同步整流管的电路,既能控制反灌电感电流大小,又能减小SW的振铃现象。
Claims (1)
1.一种抗振铃电路,包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第一电阻R1、第二电阻R2、电容C1、反相器、施密特触发器和电流源;其中,
第一PMOS管MP1的源极接电源,其栅极接第十一PMOS管MP11的漏极;
第四PMOS管MP4的源极接第一PMOS管MP1的漏极,第四PMOS管MP4的栅极接反相器的输出端;反相器的输入端接外部过零标识信号;
第五PMOS管MP5的源极接第四PMOS管MP4的漏极,第五PMOS管MP5的栅极接第八PMOS管MP8的漏极;
第一NMOS管MN1的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,第一NMOS管MN1的栅极接第八PMOS管MP8的漏极,第一NMOS管MN1的源极通过第一电阻R1后接地;
第二NMOS管MN2的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,第二NMOS管MN2的栅极接反相器的输出端,第二NMOS管MN2的源极接地;
第九PMOS管MP9的源极接第八PMOS管MP8的漏极,第九PMOS管MP9的栅极接反相器的输出端,第九PMOS管MP9的漏极通过第二电阻R2后接地;
第三NMOS管MN3的漏极接第八PMOS管MP8的漏极,第三NMOS管MN3的栅极接第九PMOS管MP9的漏极,第三NMOS管MN3的源极接地;
第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极接第十一PMOS管MP11的漏极;
第三PMOS管MP3的源极接第二PMOS管MP2的漏极,第三PMOS管MP3的栅极接施密特触发器的输出端;施密特触发器的输入端接第五PMOS管MP5的漏极;
第六PMOS管MP6的源极接电源,其栅极与漏极互连;
第四NMOS管MN4的漏极接第三PMOS管MP3的漏极和第六PMOS管MP6的漏极,第四NMOS管MN4的栅极接施密特触发器的输出端;第四NMOS管MN4漏极、第三PMOS管MP3漏极和第六PMOS管MP6漏极的连接点通过电容后接地;
第五NMOS管MN5的漏极接第四NMOS管MN4的源极,第五NMOS管MN5的栅极接第十PMOS管MP10的漏极,第五NMOS管MN5的源极接地;
第七PMOS管MP7的源极接电源,其栅极接第六PMOS管MP6的漏极;
第八PMOS管MP8的源极接第七PMOS管MP7的漏极,第八PMOS管MP8的栅极接反相器的输出端;
第六NMOS管MN6的漏极和栅极接第八PMOS管MP8的漏极,第六NMOS管MN6的源极接地;
第十PMOS管MP10的源极接电源,其栅极接第十一PMOS管MP11的漏极;
第七NMOS管MN7的漏极和栅极接第十PMOS管MP10的漏极,第七NMOS管MN7的源极接地;
第十一PMOS管MP11的源极接电源,其栅极与漏极互连,其漏极接电流源的一端,电流源的另一端接地;
第五PMOS管栅极、第一NMOS管MN1栅极、第九PMOS管MP9源极、第三NMOS管MN3漏极、第六NMOS管MN6栅极和漏极、第八PMOS管MP8漏极的连接点为抗振铃电路的输出端。
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