CN103426987A - 半导体发光元件及覆晶式封装元件 - Google Patents
半导体发光元件及覆晶式封装元件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103426987A CN103426987A CN2012101474928A CN201210147492A CN103426987A CN 103426987 A CN103426987 A CN 103426987A CN 2012101474928 A CN2012101474928 A CN 2012101474928A CN 201210147492 A CN201210147492 A CN 201210147492A CN 103426987 A CN103426987 A CN 103426987A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reflector
- layer
- semiconductor layer
- state doping
- doping semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 180
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 8
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 abstract 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 13
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- -1 ITO) Chemical compound 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010017577 Gait disturbance Diseases 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKJVMGQSGCSQBU-UHFFFAOYSA-N zinc azanidylidenezinc Chemical compound [Zn++].[N-]=[Zn].[N-]=[Zn] AKJVMGQSGCSQBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种半导体发光元件及覆晶式封装元件。该半导体发光元件，包括第一态掺杂半导体层、发光层、第二态掺杂半导体层以及反射层。第一态掺杂半导体层具有平台部与下陷部。发光层配置于平台部上并具有第一表面、第二表面及连接第一表面与第二表面的第一侧壁面。第二态掺杂半导体层配置于发光层上并具有第三表面、第四表面及连接第三表面与第四表面的第二侧壁面。反射层覆盖至少部分第二态掺杂半导体层及至少部分第一态掺杂半导体层，其中以平行于发光层的观察方向来看，反射层覆盖至少部分第一侧壁面与至少部分第二侧壁面。一种覆晶式封装元件也被提出。
Description
技术领域
本发明是有关于一种半导体发光元件及覆晶式封装元件。
背景技术
发光二极管(light-emitting diode，LED)与传统的白炽灯、萤光灯相比，在环保、电光转换效率以及使用寿命上占有绝对的优势，但是在照明普及与应用上仍存在发光效率与制作成本等技术问题。
发光二极体(LED)的发光效率一般称为元件的外部量子效率(Externalquantum efficiency)，其为元件的内部量子效率(Internal quantum efficiency)及元件的光萃取率(Light extraction efficiency)的乘积。所谓元件的内部量子效率其实就是元件本身的电光转换效率，主要与元件本身的特性如元件材料的能带、缺陷、杂质及元件的磊晶组成及结构等相关。例如在同质接面结构中，电子与空穴相遇而复合(产生光)的机率极低，亦即发光效率很低。元件的光萃取率则为元件内部产生的光子，在经过元件本身的吸收、折射、反射后实际上在元件外部可测量到的光子数目。
一般而言，高品质发光二极体的内部量子效率(Internal quantum efficiency)可以达到90％以上，然而主动层(发光层)所产生的光子在到达芯片与空气的界面且当入射角大于临界角时，会发生全反射(Total Internal Reflection，TIR)的现象。换言之，小于临界角(Critical angle)的光子才可射出，而其余的光子则会被反射回芯片内。光子在发光二极体(LED)芯片内经过多次反射后，最终被材料所吸收，造成光萃取(Light extraction efficiency)的损耗，进而影响外部量子效率，成为提升发光二极体发光效率最大的绊脚石。
发明内容
本发明提供一种半导体发光元件，具有良好的发光效率。
本发明提供一种覆晶式封装元件，具有良好的发光效率。
本发明的一实施例提出一种半导体发光元件，包括第一态掺杂半导体层、发光层、第二态掺杂半导体层以及反射层。第一态掺杂半导体层具有平台部与下陷部，其中平台部的厚度大于下陷部的厚度。发光层配置于平台部上，且具有第一表面、相对于第一表面的第二表面及连接第一表面与第二表面的第一侧壁面，其中第一表面朝向第一态掺杂半导体层，且第二表面背对第一态掺杂半导体层。第二态掺杂半导体层配置于发光层上，第二态掺杂半导体层具有第三表面、相对于第三表面的第四表面及连接第三表面与第四表面的第二侧壁面，其中第三表面朝向发光层，且第四表面背对发光层。反射层覆盖至少部分第二态掺杂半导体层及至少部分第一态掺杂半导体层，其中以平行于发光层的观察方向来看，反射层覆盖至少部分第一侧壁面与至少部分第二侧壁面，且反射层的反射率大于98％。
本发明的一实施例提出一种半导体发光元件，包括第一态掺杂半导体层、第二态掺杂半导体层、第一反射层、发光层以及第二反射层。第一态掺杂半导体层具有平台部与下陷部，其中平台部的厚度大于下陷部的厚度。第二态掺杂半导体层配置于平台部上。发光层配置于第一态掺杂半导体层与第二态掺杂半导体层之间。第一反射层配置于第二态掺杂半导体层上。第二反射层配置于第一反射层上，且覆盖至少部分第一反射层，其中第二反射层的反射率大于98％。沿着垂直于该发光层的观察方向来看，至少部分的第二反射层与第一反射层不重叠。
本发明的另一实施例提出一种覆晶式封装元件，包括上述半导体发光元件及线路基板。半导体发光元件倒覆于线路基板而与其电性连接。该半导体发光元件包括：第一态掺杂半导体层，具有平台部与下陷部，其中该平台部之厚度大于该下陷部的厚度；第二态掺杂半导体层，配置于该平台部上，发光层，配置于该第一态掺杂半导体层与该第二态掺杂半导体层之间；第一反射层，配置于该第二态掺杂半导体层上；第二反射层，配置于该第一反射层上，其中该第二反射层的反射率大于98％；第一金属接点，配置于该第二反射层上，且电性连接至该第一态掺杂半导体层；以及第二金属接点，配置于该第二反射层上，且电性连接至该第二态掺杂半导体层；其中，沿着垂直于该发光层的观察方向来看，至少部分的该第二反射层与该第一反射层不重叠。
基于上述，本发明的实施例的半导体发光元件及覆晶式封装元件具有第一、第二反射层，其中沿着垂直于发光层的观察方向来看，至少部分的第二反射层与第一反射层不重叠。如此一来，来自发光层的而未被第一反射层反射的光可以经由第二反射层反射，进而使发光层的光的利用率提高。此外，在本发明的实施例的半导体发光元件中，由于反射层覆盖至少部分第二态掺杂半导体层及至少部分第一态掺杂半导体层，且沿着平行于发光层的观察方向来看，反射层覆盖至少部分第一侧壁面与至少部分第二侧壁面，因此反射层可将来自发光层的光反射，以提升来自发光层的光的利用率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A为本发明一实施例的半导体发光元件的剖面图；
图1B为图1A实施例的半导体发光元件的俯视图；
图1C为另一实施例的半导体发光元件的剖面图；
图2是本发明另一实施例的半导体发光元件的剖面图；
图3是本发明再一实施例的半导体发光元件的剖面图；
图4A是本发明又一实施例的半导体发光元件的剖面图；
图4B是本发明再一实施例的半导体发光元件的剖面图；
图5是本发明一实施例的覆晶式封装元件的示意图。
附图标记说明：
10、10A、20、30、40、40A、1100：半导体发光元件；
12：透光基板；
110、410、1110：第一态掺杂半导体层；
112：平台部；
114：下陷部；
120、420：发光层；
122、124、132、134、112a、112b：表面；
123、423、133、433、112c、412c、112d、412d：侧壁面；
130、430、1120：第二态掺杂半导体层；
140、140A、170、440、540、1130：反射层；
150、360：欧姆接触层；
160：电极；
174：障碍层；
180、480、1140：第一金属接点；
190、490、1150：第二金属接点；
210：图案化绝缘层；
442：图案化分布式布拉格子反射层；
444：图案化金属子反射层；
1000：半导体发光元件封装元件；
1160：共晶材料；
1200：线路基板；
1202：透明基板；
1204：图案化导电层；
542A：侧壁；
140a、444a：第一金属反射部；
140b、444b：第二金属反射部；
210a、510a：第一开口；
210b、510b：第二开口；
L1、L2、L3：光线；
A、B：间隙。
具体实施方式
图1A为本发明的一实施例的半导体发光元件的剖面图。参照图1A，本实施例的半导体发光元件10包括第一态掺杂半导体层110、发光层120、第二态掺杂半导体层130以及反射层140。第一态掺杂半导体层110具有平台部112与下陷部114，其中平台部112的厚度大于下陷部114的厚度。发光层120配置于平台部112上，且具有表面122、相对于表面122的表面124及连接表面122与表面124的侧壁面123，其中表面122朝向第一态掺杂半导体层110，且表面124背对第一态掺杂半导体层110。
第二态掺杂半导体层130配置于发光层120上，第二态掺杂半导体层130具有表面132、相对于表面132的表面134及连接表面132与表面134的侧壁面133，其中表面132朝向发光层120，且表面134背对发光层120。反射层140覆盖至少分第二态掺杂半导体层130及至少部分第一态掺杂半导体层110。
在本实施例中，半导体发光元件10可以形成于透光基板12上，而透光基板12的材质例如为蓝宝石(Sapphire)、氮化镓或其他适当的透光材质。在本实施例中，第一态掺杂半导体层110例如为n型氮化镓(n type gallium nitride，n-GaN)层，而第二态掺杂半导体层130例如为p型氮化镓(p type galliumnitride，p-GaN)层。发光层120可以是量子井层或多重量子井(MultipleQuantum Well，MQW)层，例如为氮化镓(gallium nitride，GaN)层与氮化铟镓(indium gallium nitride，InGaN)层交替堆叠的多重量子井结构。然而，在其他实施例中，亦可以是第一态掺杂半导体层110为p型氮化镓层，而第二态掺杂半导体层130为n型氮化镓层。
此外，请参照图1A，本实施例的半导体发光元件10可进一步包括欧姆接触层150，配置于第二态掺杂半导体层130上。欧姆接触层150的材质例如为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、镍金合金(nickel gold alloy，Ni/Au)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)或铟锡锌氧化物(indium tin zinc oxide，ITZO)等合适的导电性材质。第一态掺杂半导体层110的下陷部114也进一步的包括电极160，而电极160的材质例如为钛、铝、铬、金、镍、铟、锡、锌、铜、钨、铂、钯等其他导电材料及其组合，但本发明不以此为限。在本实施例中，欧姆接触层150上还可配置一层反射层170，其中反射层170可以是由铝和银等高反射金属所组成。反射层170除了导电的功用之外，还可将来自发光层120的光往第一态掺杂半导体层110反射。
图1B为图1的半导体发光元件10的俯视图，而图1A为沿着图1B的I-I’线切开的剖面图。图1B中实线矩形区域114指的是图1A实施例中的下陷部114。当第一态掺杂半导体层110、发光层120以及第二态掺杂半导体层130形成于透光基板12上后，接着腐蚀部分区域并深入到第一态掺杂半导体层110，于是第一态掺杂半导体层110便形成具有平台部112与下陷部114，而且平台部112的厚度大于下陷部114的厚度。此外，依设计需求，如同图1B所显示的，下陷部114可以不止一处，但也可以只有一处。
参照图1A，在本实施例中，半导体发光元件10还包括第一金属接点180与第二金属接点190，第一金属接点180与第二金属接点190皆配置于反射层140上并且分别电性连接至第二态掺杂半导体层130和第一态掺杂半导体层110。
同时参照图1A和图1B，更详细的说，本实施例的半导体发光元件10的反射层140为图案化金属反射层，而图案化反射层的材质例如为金、铝或银等其他高反射率的材料。在本实施例中，反射层140包括第一金属反射部140a及第二金属反射部140b，分别电性连接至第二态掺杂半导体层130与第一态掺杂半导体层110，其中第一金属反射部140a与第二金属反射部140b彼此分离配置。具体来说，在本实施例中，反射层140具有间隙A，间隙A使第一金属反射部140a与第二金属反射部140b彼此分离。此外，第一金属接点180与第二金属接点190之间亦有间隙B，间隙B对应于间隙A，其中间隙B使第一金属接点180与第二金属接点190彼此分离。
在本实施例中，沿着垂直于于发光层120的观察方向来看，至少部分的反射层140与反射层170不重叠，此外沿着平行于于发光层120的观察方向来看反射层140覆盖至少部分侧壁面123与至少部分侧壁面133。换言之，在本实施例中，反射层140本质上是沿着平台部112与下陷部114的形状起伏而分布。参照图1A，其中反射层140从平台部112上方分布然后斜向下延伸靠近下陷部114，而向下延伸至低于发光层120的水平位置或向下延伸至与表面122同高的水平位置。
举例而言，位于下陷部114，然后平行于发光层120并沿着图1B中的I-I’连线方向观察，反射层140会屏蔽到发光层120的侧壁面123。此外，在本实施例中，平台部112具有表面112a、表面112b、侧壁面112c以及侧壁面112d。表面112a背对发光层120。表面112b相对于表面112a且朝向发光层120。侧壁面112c连接表面112b与下陷部114。侧壁面112d连接表面112a与表面112b，其中以平行于发光层120的观察方向来看，反射层140覆盖至少部分侧壁面112c，且覆盖至少部分侧壁面112d。换言之，沿着图1B中的I-I’线方向观察，反射层140屏蔽至少部分侧壁面112d与至少部分侧壁面123，且屏蔽至少部分侧壁面112c。
然而本发明不以上段叙述为限，图1C为另一实施例的半导体发光元件的剖面图。在半导体发光元件10A中，反射层140A从平台部112上方分布，然后以较垂直于下陷部114的方向延伸靠而近下陷部114，而且以平行于发光层120的观察方向来看，反射层140A未延伸而屏蔽平台部112的侧壁面112d。
继续参照图1A，在本实施例中，半导体发光元件10还包括图案化绝缘层210配置于第一金属反射部140a与第一态掺杂半导体层110之间，且配置于第二金属反射部140b与第一态掺杂半导体层110的下陷部114之间，其中图案化绝缘层210具有至少一第一开口210a与至少一第二开口210b，第一金属反射部140a贯穿第一开口210a而与第二态掺杂半导体层130电性连接，且第二金属反射部140b贯穿第二开口210b而与第一态掺杂半导体层110电性连接。其中图案化绝缘层210可由二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氧化铌、氧化钽、氧化铝、氧化铟、氧化镁、氧化锡及上述组合的氧化物中择其一者，或氮化硅、氮化钛、氮化锌、氮化铌、氮化钽、氮化铝、氮化铟、氮化镁、氮化锡及上述组合的氮化物中择其一者所组成，亦或者是其他合适的绝缘材料。配合参照图1B，图中的实线圆形区域指的是图1A中的第一开口210a而虚线矩形区域指的是第二开口210b。进一步来说，在本实施例中，第一金属接点180和第一金属反射部140a皆贯穿第一开口210a而与第二态掺杂半导体层130电性连接，同时，第二金属接点190和第二金属反射部140b皆贯穿第二开口210b而与第一态掺杂半导体层110电性连接。此外，如同图1B所显示的，第一开口210a与第二开口210b的数目可以不止一个，视设计需求而定。
参照图1A，在本实施例中，第一金属接点180贯穿第一开口210a而与第二态掺杂半导体层130电性连接。在本实施例中，第一金属接点180可经由反射层170及欧姆接触层150与第二态掺杂半导体层130电性连接。为了抑制第一金属接点180中的金属原子扩散到反射层170，或抑制反射层170中的金属原子扩散到第一金属接点180，在反射层170与第一金属接点180之间可以配置障碍层174，障碍层174的材质可以是钛、钨或者是其他合适的材质。
参照图1A，本实施例中，反射层170和反射层140形成良好的反射系统，其中反射层140的反射率可大于98％。当光线从发光层120的各方向射出时，射入反射层170的光线L1会反射至透光基板12，而从发光层120的侧壁面123射出且未被反射层170反射的光线L2可经由反射层140反射回透光基板12。此外，部分从透光基板12全反射的光线L3经由反射层140与反射层170可以再反射回透光基板12。由于反射层140的配置，让未经反射层170反射的光线重回至透光基板12，进而使整体的半导体发光元件10有更高的光利用效率。换言之，反射层170只能反射进入某个立体角内的光线，而反射层140扩展可反射的立体角范围到整个半球面，因此从发光层120各角度射出的光中而未被反射层170反射的光线(例如L2)仍然可以经由涵盖整个半球面的反射层140回到透光基板12端。
图2是本发明另一实施例的半导体发光元件的剖面图。图2半导体发光元件20与图1A的半导体发光元件10类似，惟二者主要差异之处在于图1A中的第一态掺杂半导体层110的下陷部114包括电极160，而在图2的半导体发光元件20中，电极可以置换成欧姆接触层360，其中欧姆接触层360的材料可以选择为钛、铝、金、镍、铟、锡、锌、铬、铜、钨、铂、钯及氧化铟锡、氧化铟、氧化锡、氧化铝锌所组成的族群的其中一种。在本实施例中，因为图2的半导体发光元件20与图1A的实施例类似，所以半导体发光元件20的俯视图本质上如图1B所为的。在本实施例中，由于其他的结构和图1A的实施例类似，在此便不再重述。
图3是本发明再一实施例的半导体发光元件的剖面图。图3的半导体发光元件30与图1A的半导体发光元件10类似，惟二者主要差异之处在图1A的半导体发光元件10中，配置于第一金属反射部140a与第一态掺杂半导体层110之间，且配置于第二金属反射部140b与第一态掺杂半导体层110的下陷部114之间的图案化绝缘层210，在本实施例中是以分布式布拉格子反射层442来取代。因此在本实施例中，反射层440包括图案化分布式布拉格子反射层442与图案化金属子反射层444，而且图案化金属子反射层444配置在图案化分布式布拉格子反射层442上。
在本实施例中，图案化分布式布拉格子反射层442可由多个高折射率层以及多个低折射率层交替堆叠而成，其中高折射率层的材料是可选自于硅(Si)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化钛(TiO2)、五氧化三钛(Ti3O5)或五氧化二铌(Nb2O5)，而低折射率层的材料可选自于二氧化硅(SiO2)或氟化镁(MgF2)。如此高折射率和低折射率的交替堆叠结构使发光层420射出的光线在图案化分布式布拉格子反射层442产生建设性干涉，提高反射的强度，换言之，图案化分布式布拉格子反射层442具有反射和加强反射光的功能，使反射层440有更佳的反射性。在本实施例中，不同折射率的介质堆叠层加上金属反射层构成所谓的全方向性反射(omni-directional reflector，ODR)层，如此可高度地反射从发光层420各角度入射的光并加强反射光，进而提高发光效率。
因为图3的半导体发光元件20与图1A的实施例类似，所以半导体发光元件30的俯视图本质上可以参考图1B所为的。如同图1A的实施例，在本实施例中，图案化金属子反射层444包含第一金属反射部444a及第二金属反射部444b，而第一金属反射部444a及第二金属反射部444b经间隙A分离配置以避免导通的情形发生。此外，图案化分布式布拉格子反射层442具有至少一第一开口510a与至少一第二开口510b，然后第一金属接点480与第一金属反射部444a贯穿第一开口510a而电性连接至第二态掺杂半导体层430，而第二金属接点490与第二金属反射部444b贯穿第二开口510b而电性连接至第一态掺杂半导体层410。
在本实施例中，图案化金属子反射层444与分布式布拉格子反射层442覆盖至少部分第二态掺杂半导体层430及至少部分第一态掺杂半导体层410，其中以平行于发光层420的观察方向来看，图案化金属子反射层444与分布式布拉格子反射层442皆覆盖至少部分侧壁面423、至少部分侧壁面433及至少部分侧壁面412d，且屏蔽至少部分侧壁面412c。
图4A是本发明又一实施例的半导体发光元件的剖面图。图4A的半导体发光元件40与图3的半导体发光元件30类似，惟二者主要差异之处在于图4A的半导体发光元件40不具有图3的图案化金属子反射层444，换言之，在本实施例中，反射层540为图案化分布式布拉格反射层。由于本实施例的半导体发光元件40中，其他的结构和图3的实施例类似，在此便不再重述。
图4B是本发明再一实施例的半导体发光元件的剖面图。图4B的半导体发光元件40A与图4A的半导体发光元件40类似，惟二者主要差异之处在于图4B的半导体发光元件40A中，图案化分布式布拉格反射层540A在下陷部114上具有较垂直的侧壁542A。由于本实施例的半导体发光元件40A中，其他的结构和图4A的实施例类似，在此便不再重述。
图5是本发明一实施例的覆晶式封装元件的示意图。参照图5，本实施例的覆晶式封装元件1000包括半导体发光元件1100以及线路基板1200。在本实施例中，半导体发光元件1100例如为上述半导体发光元件10。然而，在其他实施例中，半导体发光元件1100亦可以是上述其他实施例(例如图1C、2、3、4A、或4B的实施例)的半导体发光元件(如半导体发光元件20、30、40)。在本实施例中，覆晶式封装元件1000体可以采用覆晶封装(flip chip)的方式，亦即将半导体发光元件1100倒覆以将第一金属接点1140(例如为图1A的第一金属接点180)以及第二金属接点1150(例如为图1A的第二金属接点190)分别透过二个共晶材料1160与线路基板1200做接合，而使半导体发光元件1100电性连接于线路基板1200。其中，第一金属接点1140及第二金属接点1150与线路基板1200做接合的方式可以是共晶(Eutectic)粘结法。详细而言，第一金属接点1140以及第二金属接点1150的材料例如为金、钛、镍、铝、铬、铂或上述的组合，以单一结构或是多层导电结构堆叠而成，，而共晶材料1160可为金锡合金(Au/Sn)、银锡合金或金锗合金等。在本实施例中，线路基板1200可以包括透明基板1202和配置在基板1202上的图案化导电层1204，其中透明基板1202可以是蓝宝石基板。在本实施例中，半导体发光元件1100经由第一金属接点1140以及第二金属接点1150及共晶材料1160与线路基板1200中的图案化导电层1204作接合，然后再与外部电路连接。
综上所述，本发明的实施例的半导体发光元件及覆晶式封装元件封装元件中，由于反射层覆盖至少部分第二态掺杂半导体层及至少部分第一态掺杂半导体层，且沿着平行于发光层的观察方向来看，反射层至少部分覆盖发光层的侧壁面与至少部分平台步的侧壁面，因此反射层可将来自发光层的光反射，以提升来自发光层的光的利用率。此外，本发明的实施例的半导体发光元件及覆晶式封装元件具有两个反射层，而且沿着垂直于发光层的观察方向来看，这两个反射层至少部分不重叠。如此一来，两个反射层形成较完整的反射区域，可将来自发光层的光有效率的反射，以提升来自发光层的光的利用率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (14)
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：
第一态掺杂半导体层，具有平台部与下陷部，其中该平台部的厚度大于该下陷部的厚度；
第二态掺杂半导体层，配置于该平台部上，
发光层，配置于该第一态掺杂半导体层与该第二态掺杂半导体层之间；
第一反射层，配置于该第二态掺杂半导体层上；以及
第二反射层，配置于该第一反射层上，且覆盖至少部分该第一反射层，其中该第二反射层的反射率大于98％，
其中，沿着垂直于该发光层的观察方向来看，至少部分的该第二反射层与该第一反射层不重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该第二反射层为图案化金属反射层。
3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中该图案化金属反射层包括第一金属反射部及第二金属反射部，分别电性连接至该第一态掺杂半导体层与该第二态掺杂半导体层，其中该第一金属反射部与该第二金属反射部彼此分离配置。
4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，还包括绝缘层，配置于该第二反射层与该第一反射层之间，其中该绝缘层具有至少一第一开口与至少一第二开口，该第一金属反射部披覆该第一开口而与该第一态掺杂半导体层电性连接，且该第二金属反射部披覆该第二开口而与该第二态掺杂半导体层电性连接。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该平台部具有：
第一表面，背对该发光层；
第二表面，相对于该第一表面，且朝向该发光层；
第一侧壁面，连接该第二表面与该下陷部；以及
第二侧壁面，连接该第一表面与该第二表面，其中以平行于该发光层的观察方向来看，该第二反射层进一步覆盖至少部分该第一侧壁面，且覆盖至少部分该第二侧壁面。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，
其中还包括欧姆接触层，配置于该第二态掺杂半导体层与该第一反射层之间。
7.根据权利要求6所述的半导体发光元件，还包括障碍层，配置于该第一反射层之上，且覆盖至该欧姆接触层。
8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该第二反射层为图案化分布式布拉格反射层。
9.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其中该图案化分布式布拉格反射层具有至少一第一开口与至少一第二开口，且该半导体发光元件还包括：
第一金属接点，配置于该图案化分布式布拉格反射层上，且经由该第一开口电性连接至该第一态掺杂半导体层；以及第二金属接点，配置于该图案化分布式布拉格反射层上，且经由该第二开口电性连接至该第二态掺杂半导体层。
10.一种覆晶式封装元件，其特征在于，包括：
线路基板；以及
半导体发光元件，倒覆于该线路基板而与其电性连接，该半导体发光元件包括：
第一态掺杂半导体层，具有平台部与下陷部，其中该平台部之厚度大于该下陷部的厚度；
第二态掺杂半导体层，配置于该平台部上，
发光层，配置于该第一态掺杂半导体层与该第二态掺杂半导体层之间；
第一反射层，配置于该第二态掺杂半导体层上；
第二反射层，配置于该第一反射层上，其中该第二反射层的反射率大于98％；
第一金属接点，配置于该第二反射层上，且电性连接至该第一态掺杂半导体层；以及
第二金属接点，配置于该第二反射层上，且电性连接至该第二态掺杂半导体层；
其中，沿着垂直于该发光层的观察方向来看，至少部分的该第二反射层与该第一反射层不重叠。
11.根据权利要求10所述的覆晶式封装元件，其中该半导体发光元件系通过共晶材料与该线路基板电性连接。
12.根据权利要求10所述的覆晶式封装元件，其中该线路基板包含：
透明基板以及图案化导电层，该图案化导电层配置于该透明基板的表面。
13.根据权利要求12所述的覆晶式封装元件，其中该透明基板为蓝宝石基板。
14.一种半导体发光芯片，其特征在于，包括：
第一态掺杂半导体层，具有平台部与下陷部，其中该平台部的厚度大于该下陷部的厚度；
发光层，配置于该平台部上，该发光层具有第一表面、相对于第一表面的第二表面及连接该第一表面与该第二表面的第一侧壁面，其中该第一表面朝向该第一态掺杂半导体层，且该第二表面背对该第一态掺杂半导体层；
第二态掺杂半导体层，配置于该发光层上，该第二态掺杂半导体层具有第三表面、相对于该第三表面的第四表面及连接该第三表面与该第四表面的第二侧壁面，其中该第三表面朝向该发光层，且该第四表面背对该发光层；以及
反射层，覆盖至少部分该第二态掺杂半导体层及至少部分该第一态掺杂半导体层，其中沿着平行于该发光层的观察方向来看，该反射层覆盖至少部分该第一侧壁面与至少部分该第二侧壁面，且该反射层的反射率大于98％。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610127542.4A CN105609612A (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 |
| CN201210147492.8A CN103426987B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210147492.8A CN103426987B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610127542.4A Division CN105609612A (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103426987A true CN103426987A (zh) | 2013-12-04 |
| CN103426987B CN103426987B (zh) | 2016-04-06 |
Family
ID=49651462
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610127542.4A Pending CN105609612A (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 |
| CN201210147492.8A Active CN103426987B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610127542.4A Pending CN105609612A (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN105609612A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105226177A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-01-06 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒装led芯片的共晶电极结构及倒装led芯片 |
| CN105610047A (zh) * | 2016-01-01 | 2016-05-25 | 西安电子科技大学 | GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 |
| CN106997917A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-01 | 珠海市芯半导体科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制备方法 |
| CN109962134A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-02 | 福建省南安市清信石材有限公司 | 一种氮化物半导体发光二极管 |
| CN110212062A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-06 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种倒装发光二极管及其制造方法 |
| CN110741483A (zh) * | 2017-06-12 | 2020-01-31 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106169531A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-11-30 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种odr结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压led |
| WO2019205328A1 (zh) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 发光二极管的倒装芯片及其制造方法和发光方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203448A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| TW200845424A (en) * | 2006-12-15 | 2008-11-16 | Philips Lumileds Lighting Co | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
| US20090283787A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-11-19 | Matthew Donofrio | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
| US20100117111A1 (en) * | 2007-04-26 | 2010-05-13 | Stefan Illek | Optoelectronic Component and Method for the Manufacture of a Plurality of Optoelectronic Components |
| TW201210074A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5633477B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-12-03 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
-
2012
- 2012-05-14 CN CN201610127542.4A patent/CN105609612A/zh active Pending
- 2012-05-14 CN CN201210147492.8A patent/CN103426987B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203448A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| TW200845424A (en) * | 2006-12-15 | 2008-11-16 | Philips Lumileds Lighting Co | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
| US20100117111A1 (en) * | 2007-04-26 | 2010-05-13 | Stefan Illek | Optoelectronic Component and Method for the Manufacture of a Plurality of Optoelectronic Components |
| US20090283787A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-11-19 | Matthew Donofrio | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
| TW201210074A (en) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105226177A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-01-06 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒装led芯片的共晶电极结构及倒装led芯片 |
| CN105610047A (zh) * | 2016-01-01 | 2016-05-25 | 西安电子科技大学 | GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法 |
| CN106997917A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-01 | 珠海市芯半导体科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制备方法 |
| CN110741483A (zh) * | 2017-06-12 | 2020-01-31 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法 |
| CN110741483B (zh) * | 2017-06-12 | 2022-11-29 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法 |
| CN109962134A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-02 | 福建省南安市清信石材有限公司 | 一种氮化物半导体发光二极管 |
| CN109962134B (zh) * | 2019-04-10 | 2022-02-18 | 福建省南安市清信石材有限公司 | 一种氮化物半导体发光二极管 |
| CN110212062A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-09-06 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种倒装发光二极管及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103426987B (zh) | 2016-04-06 |
| CN105609612A (zh) | 2016-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103426987B (zh) | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 | |
| CN102237463B (zh) | 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统 | |
| CN102194958B (zh) | 发光器件和发光器件封装 | |
| TWI446589B (zh) | A semiconductor light-emitting element, a light-emitting device using a semiconductor light-emitting element, and an electronic device | |
| US6914268B2 (en) | LED device, flip-chip LED package and light reflecting structure | |
| TWI473298B (zh) | 半導體發光元件及覆晶式封裝元件 | |
| CN112164742B (zh) | 一种发光二极管 | |
| CN108461598B (zh) | 发光二极管结构 | |
| EP3131130A1 (en) | Semiconductor light emitting structure | |
| CN103270611A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| KR101047792B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| CN112687775B (zh) | 一种发光二极管 | |
| CN114497314B (zh) | 发光二极管及发光装置 | |
| CN111433921B (zh) | 一种发光二极管 | |
| CN106159043B (zh) | 倒装led芯片及其形成方法 | |
| CN104868028B (zh) | 发光二极管芯片 | |
| US9490409B2 (en) | Light emmiting diode chip | |
| KR20120130847A (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
| CN113540311B (zh) | 一种倒装发光二极管和发光装置 | |
| CN114068786B (zh) | 发光二极管 | |
| KR101710358B1 (ko) | 발광 소자 및 발광소자 패키지 | |
| CN113903840B (zh) | 发光二极管及发光模块 | |
| KR101667817B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
| CN102832310B (zh) | 发光二极管结构 | |
| CN116845161A (zh) | 发光元件及发光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240102 Address after: Tokushima County, Japan Patentee after: NICHIA Corp. Address before: Three Italy Taiwan Tainan District No. 5 Chinese Shanhua Patentee before: Genesis Photonics Inc. |