CN102832310B - 发光二极管结构 - Google Patents
发光二极管结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102832310B CN102832310B CN201110195666.3A CN201110195666A CN102832310B CN 102832310 B CN102832310 B CN 102832310B CN 201110195666 A CN201110195666 A CN 201110195666A CN 102832310 B CN102832310 B CN 102832310B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- branch
- electrode
- light emitting
- semiconductor layer
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminium tin-oxide Chemical compound 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种发光二极管结构，包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、第一电极以及第二电极。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极配置于第一型掺杂半导体层上，且包括多个第一分支部。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上，且包括多个第二分支部。相邻的二第一分支部之间配置有至少二第二分支部。
Description
技术领域
本发明涉及一种光电元件结构，尤其涉及一种发光二极管结构。
背景技术
由于发光二极管(lightemittingdiode,LED)结构具有低功率消耗、环保、使用寿命长及反应速率快等优势，因此已被广泛地应用在照明领域及显示领域中。为了提升发光二极管的亮度，大尺寸的芯片逐渐被开发出来。然而，现有的发光二极管结构的电极设计具有造成电流分散性不佳的缺点，而使得此电极设计不适合用于大尺寸的芯片。
为改善上述的电流分散性不佳的问题，另一种现有电极被发展出来。此种现有电极包括配置于N型掺杂半导体层上的第一指叉状电极以及配置于P型掺杂半导体层上的第二指叉状电极。第一指叉状电极与第二指叉状电极分别具有多个第一分支部与多个第二分支部，其中相邻的二个第一分支部中间仅配置有一个第二分支部。虽然此电极设计可改善电流分散性不佳的问题，但在此电极设计下，由于电子与电洞的迁移率(mobility)不同，电子的迁移率较电洞的迁移率快，因此自第一分支部发出的电子传递至第二分支部时(或第二分支部发出的电洞传递至第一分支部时)，第二分支部旁(或第一分支部旁)的电子浓度与电洞浓度差异极大，而使电子与电洞复合(recombination)机率较低，进而使得具有此种现有电极的发光二极管结构的发光效率不佳。
发明内容
本发明提供一种发光二极管结构，其具有高发光效率。
本发明的一实施例提出一种发光二极管结构，包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、第一电极以及第二电极。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极配置于第一型掺杂半导体层上，且包括多个第一分支部。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上，且包括多个第二分支部。相邻的二第一分支部之间配置有至少二第二分支部。
基于上述，本发明的实施例的发光二极管结构藉由在第一电极的相邻二第一分支部之间配置至少二第二电极的第二分支部，可使得发光二极管结构中上的电子与电洞浓度较为匹配，此可有效促进电子与电洞的复合，进而提高发光二极管结构的发光效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的发光二极管结构的上视示意图。
图2为对应图1的A-A’线所示的剖面图。
图3为对应图1的B-B’线所示的剖面图。
图4示出本发明一实施例的发光二极管结构接合在电路板上的情形。
图5为本发明一实施例的发光二极管结构的上视示意图。
附图标记：
100：发光二极管结构
102：第一型掺杂半导体层
102a：平台部
102b：下陷部
104：第二型掺杂半导体层
106：发光层
108：第一电极
108a：第一分支部
108b：第一接垫
108c：第一电极的U字形的开口
110：第二电极
110a：第二分支部
110b：第二接垫
110c：第二电极的U字形的开口
112：透明导电层
200：导电凸块
300：电路板
D1、D2：厚度
H1、H2：距离
T1、T2、T3、T4：端点
具体实施方式
图1为本发明一实施例的发光二极管结构的上视示意图。图2为对应图1的A-A’线所示的剖面图。图3为对应图1的B-B’线所示的剖面图。
请同时参照图1、图2及图3，本实施例的发光二极管结构100包括第一型掺杂半导体层102、第二型掺杂半导体层104、发光层106、第一电极108以及第二电极110。发光层106配置于第一型掺杂半导体层102与第二型掺杂半导体层104之间。第一电极108配置于第一型掺杂半导体层102上，而第二电极110配置于第二型掺杂半导体层104上。在本实施例中，第一型掺杂半导体层102例如为N型半导体层，而第二型掺杂半导体层104例如为P型半导体层。发光层106例如为氮化镓(galliumnitride,GaN)层与氮化铟镓(indiumgalliumnitride,InGaN)层交替堆叠的多重量子阱结构(MultipleQuantumWell，MQW)。然而，在其他实施例中，发光层106亦可以是量子阱结构。第一电极108与第二电极110的材质为导电材料，以单一层或是多层导电材料堆叠，其包括金、钛、铝、铬、铂、其他导电材料或这些材料的组合。但本发明不以上述为限。
更详细地说，本实施例的第一型掺杂半导体层102具有相连接的平台部102a与下陷部102b，平台部102a的厚度D1大于下陷部102b的厚度D2。发光层106与第二型掺杂半导体层104配置平台部102a上，且第一电极108配置于下陷部102b上。在一实施例中，发光二极管结构100可利用覆晶(flipchip)的方式来封装。如图4所示，本实施例可利用导电凸块200接合(bonding)第一电极108与电路板300及接合第二电极110与电路板300。如此一来，使用者便可通过电路板300操作本实施例的发光二极管结构100。然而，在另一实施例中，发光二极管结构100亦可采用打线结合的方式来封装，亦即可利用接合导线来接合第一电极108与电路板300及接合第二电极110与电路板300，而此时第一电极108与第二电极110背对电路板300。
此外，本实施例的发光二极管结构100可进一步包括透明导电层112。透明导电层112可配置于第二电极110与第二型掺杂半导体层104之间。第二型掺杂半导体层104可藉由透明导电层112与第二电极110形成良好的欧姆接触(ohmiccontact)。透明导电层112的材质例如为铟锡氧化物(indiumtinoxide，ITO)、铟锌氧化物(indiumzincoxide,IZO)、氧化锌(zincoxide,ZnO)、铟锡锌氧化物(indiumtinzincoxide,ITZO)、铝锡氧化物(aluminumtinoxide,ATO)、铝锌氧化物(aluminumzincoxide,AZO)或其他适当的透明导电材质。
本实施例的第一电极108包括多个第一分支部108a，而本实施例的第二电极110亦包括多个第二分支部110a。详言之，如图1所示，本实施例的第一电极108包括二个第一分支部108a，而本实施例的第二电极110包括二个第二分支部110a。(图1中示出二个第一分支部108a及二个第二分支部110a为代表，但本发明的发光二极管结构并不限于图1中所示，图5为本发明另一实施例的发光二极管结构的上视示意图，请参照图5，此实施例的电极可由图1所示的第一电极108与第二电极110构成的单元U重复排列而成。
值得特别注意的是，在本实施例中，相邻的二个第一分支部108a之间配置有至少二个第二分支部110a(图1中示出二个第二分支部110a为代表，但本发明不限于此，在其他实施例中，相邻的二个第一分支部108a之间亦可配置有二个以上的第二分支部110a)。在本实施例中，每一所述第一分支部与相邻的所述第二分支部之间的2倍最短距离H1大于或等于相邻的二所述第二分支部之间的最大距离H2，但本发明不限于此，距离H1与距离H2皆可视实施的设计需求而调整。
上述的电极设计(相邻的二个第一分支部108a之间配置有至少二个第二分支部110a)可改善现有技术中因电子与电洞迁移率(mobility)不同而造成的发光效率不佳的问题。详细说明如下：由于电子的迁移率较电洞快，因此电子在远离第一分支部108a处仍可维持较高的浓度。所以，当电子移动至多个相邻的第二分支部110a之间的区域时，电子的浓度与电洞的浓度会较为接近，如此便能够使电子与电洞有较佳的复合率，进而提升发光二极管结构100的发光效率。
在本实施例中，由于每一所述第一分支部与相邻的所述第二分支部之间的2倍最短距离H1大于或等于相邻的二所述第二分支部之间的最大距离H2，因此这些相邻的第二分支部110a之间的电子浓度便能够有效提升，而使得电子的浓度与电洞的浓度更为接近，进而藉由提升电子与电洞的复合率来提升发光二极管结构100的发光效率。
此外，就本实施例的发光二极管结构100的中间区域C而言，中间区域C与第一分支部108a的距离较远，故由第一分支部108a发出的电子传递至中间区域C时，其(电子)浓度已下降。另一方面，虽然中间区域C与第二分支部110a的距离较近，但由于电洞的迁移率(mobility)较电子小，故由第二分支部110a发出的电洞传递至中间区域C时，其(电洞)浓度已下降至与电子浓度接近的程度。如此一来，中间区域C中的电洞浓度刚好可与中间区域C中的电子浓度匹配，进而使得电子电洞在中间区域C附近发生复合(recombination)的机率大幅提高，而更进一步地提升发光二极管结构100的发光效率，且亦能够提升发光二极管结构100的发光均匀性。
请继续参照图1、图3及图4，本实施例的第一电极108可进一步包括至少一第一接垫108b，第一接垫108b连接第一分支部108a。本实施例的第二电极110可进一步包括至少一第二接垫110b，第二接垫110b连接第二分支部110a。在本实施例中，第二接垫110b配置于第一电极108的相邻的二第一分支部108a之间。如图4所示，第一接垫108b与第二接垫110b可通过导电凸块200与电路板300连接，进而让使用者可通过电路板300操作发光二极管结构100。
详言之，本实施例的第一分支部108a具有相对的第一端T1与第二端T2，且第二分支部110a具有相对的第三端T3与第四端T4。第一接垫108b连接相邻第一分支部108a的第一端T1，而第二接垫110b连接相邻第二分支部110a的第三端T3，且第二接垫110b配置于相邻二第一分支部108a的第二端T2之间。
在本实施例中，第一电极108中的二第一分支部108a呈U字形，本实施例的第二电极110中的二第二分支部110a亦呈U字形。并且，第一电极108的U字形的开口108c朝向第二电极110的第二接垫110b，且第二电极110的U字形的开口110c朝向第一电极108的第一接垫108b。
综上所述，本发明的发光二极管结构藉由在第一电极的相邻二第一分支部之间配置至少二第二电极的第二分支部，而使得发光二极管结构各区域上的电子电洞浓度匹配，此可有效促进电子与电洞的复合，进而提高电子电洞复合的机率。如此一来，本发明的发光二极管结构的发光效率光提取效率便可有效提高。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的普通技术人员，当可作些许更动与润饰，而不脱离本发明的精神和范围。
Claims (9)
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
第一型掺杂半导体层；
第二型掺杂半导体层；
发光层，配置于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；
第一电极，配置于所述第一型掺杂半导体层上，且包括多个第一分支部；以及
第二电极，配置于所述第二型掺杂半导体层上，且包括多个第二分支部，其中所述的发光二极管结构的中间区域没有电极配置，相邻的二所述第一分支部之间配置有至少二所述第二分支部，且所述中间区域与所述第一分支部的距离大于所述中间区域与所述第二分支部的距离，每一所述第一分支部与相邻的所述第二分支部之间的2倍最短距离大于或等于相邻的二所述第二分支部之间的最大距离。
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一型掺杂半导体层为N型半导体层，而所述第二型掺杂半导体层为P型半导体层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一型掺杂半导体层具有相连接的平台部与下陷部，所述平台部的厚度大于所述下陷部的厚度，所述发光层与所述第二型掺杂半导体层配置于所述平台部上，且所述第一电极配置于所述下陷部上。
4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一电极还包括至少一第一接垫，所述第一接垫连接所述第一分支部，且所述第二电极还包括至少一第二接垫，所述第二接垫连接所述第二分支部。
5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二接垫配置于所述第一电极的相邻的二所述第一分支部之间。
6.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一电极中的二所述第一分支部呈U字形，且所述第二电极中的二所述第二分支部呈U字形，所述第一电极的所述U字形的开口朝向所述第二电极的所述第二接垫，且所述第二电极的所述U字形的开口朝向所述第一电极的所述第一接垫。
7.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，每一所述第一分支部具有相对的第一端与第二端，且每一所述第二分支部具有相对的第三端与第四端，所述第一接垫连接所述第一分支部的所述第一端，所述第二接垫连接所述第二分支部的所述第三端，且所述第二接垫配置于相邻二所述第一分支部的所述第二端之间。
8.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构用于覆晶方式的封装。
9.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括透明导电层，配置于所述第二电极与所述第二型掺杂半导体层之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510688065.4A CN105390581A (zh) | 2011-06-13 | 2011-07-13 | 发光二极管结构 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100120572A TW201251103A (en) | 2011-06-13 | 2011-06-13 | Light emitting diode structure |
| TW100120572 | 2011-06-13 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510688065.4A Division CN105390581A (zh) | 2011-06-13 | 2011-07-13 | 发光二极管结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102832310A CN102832310A (zh) | 2012-12-19 |
| CN102832310B true CN102832310B (zh) | 2015-11-25 |
Family
ID=47335358
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510688065.4A Pending CN105390581A (zh) | 2011-06-13 | 2011-07-13 | 发光二极管结构 |
| CN201110195666.3A Active CN102832310B (zh) | 2011-06-13 | 2011-07-13 | 发光二极管结构 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510688065.4A Pending CN105390581A (zh) | 2011-06-13 | 2011-07-13 | 发光二极管结构 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN105390581A (zh) |
| TW (1) | TW201251103A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108470810A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-08-31 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led芯片 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200849652A (en) * | 2007-06-11 | 2008-12-16 | Bridgelux Inc | Light-emitting device with improved electrode structures |
| TW201117421A (en) * | 2009-11-02 | 2011-05-16 | Genesis Photonics Inc | LED with high lateral light output |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002319705A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｌｅｄ装置 |
-
2011
- 2011-06-13 TW TW100120572A patent/TW201251103A/zh unknown
- 2011-07-13 CN CN201510688065.4A patent/CN105390581A/zh active Pending
- 2011-07-13 CN CN201110195666.3A patent/CN102832310B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200849652A (en) * | 2007-06-11 | 2008-12-16 | Bridgelux Inc | Light-emitting device with improved electrode structures |
| TW201117421A (en) * | 2009-11-02 | 2011-05-16 | Genesis Photonics Inc | LED with high lateral light output |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105390581A (zh) | 2016-03-09 |
| TW201251103A (en) | 2012-12-16 |
| CN102832310A (zh) | 2012-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103078032B (zh) | 发光器件 | |
| CN102074629B (zh) | 具有夹心式电流阻挡结构的发光二极管 | |
| CN107924969B (zh) | 发光器件 | |
| EP2587541B1 (en) | Light emitting device | |
| CN105895763A (zh) | 发光二极管芯片 | |
| US9153747B2 (en) | Light-emitting element | |
| JP6062149B2 (ja) | 発光素子及び発光素子パッケージ | |
| US9054258B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| KR20120042500A (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| CN102201518B (zh) | 发光器件、电极结构、发光器件封装以及照明系统 | |
| JP2013254991A (ja) | 発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システム | |
| CN104752451A (zh) | 发光器件 | |
| CN105609612A (zh) | 半导体发光元件及覆晶式封装元件 | |
| US9466775B2 (en) | Light-emitting element and the light-emitting array having the same | |
| CN102832310B (zh) | 发光二极管结构 | |
| CN102832311B (zh) | 发光二极管结构 | |
| CN102790156A (zh) | 半导体发光结构 | |
| CN108963043A (zh) | 发光元件 | |
| CN107078184B (zh) | 发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及包括发光器件封装的发光装置 | |
| CN103594591B (zh) | 具有透明电极的倒装发光二极管的制造方法 | |
| CN103594593B (zh) | 具有粗化透明电极的倒装发光二极管的制造方法 | |
| CN205376561U (zh) | Led芯片 | |
| CN103606617B (zh) | 具有透明电极的倒装发光二极管 | |
| KR102239626B1 (ko) | 발광 소자 | |
| TWI610464B (zh) | 發光二極體結構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240115 Address after: Tokushima County, Japan Patentee after: NICHIA Corp. Address before: Three Italy Taiwan Tainan District No. 5 Chinese Shanhua Patentee before: Genesis Photonics Inc. |