CN103413866B - 一种基于tps烧结炉所改进的se丝网印刷烧结工艺 - Google Patents
一种基于tps烧结炉所改进的se丝网印刷烧结工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103413866B CN103413866B CN201310361483.3A CN201310361483A CN103413866B CN 103413866 B CN103413866 B CN 103413866B CN 201310361483 A CN201310361483 A CN 201310361483A CN 103413866 B CN103413866 B CN 103413866B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sintering
- tps
- sintering furnace
- grid line
- serigraphy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000003079 width control Methods 0.000 claims description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009770 conventional sintering Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺，首先将通过前端工艺做好的SE硅片，进行印刷背电极和背电场，然后分别印刷正电极主栅和细栅，最后经过TPS烧结炉烧结成为成品电池片。本发明对于SE电池工艺与TPS烧结炉的匹配问题，解决了在使用TPS烧结炉的常规工艺进行烧结SE电池片时产生的大量烧结不良片的问题，提高了太阳电池的光电转换效率0.2％。与二次印刷相结合，降低了SE生产成本，使SE的生产成本比传统工艺降低35.7％。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺。
背景技术
SE工艺(反刻蚀选择性发射极工艺)近几年已经成为高效太阳电池的发展路线之一，在使用Despatch烧结炉匹配SE工艺过程中，烧结工艺一般不需要做太大变化；但是，在使用TPS烧结炉过程中，如果不改进烧结工艺，就会产生大量的烧结不良，并且太阳电池的效率也会因为低挡片的影响和降低。现在SE工艺在匹配二次印刷工艺过程中，一般会存在成本过高的问题。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺，本发明的工艺是基于TPS烧结炉，针对SE的丝网印刷烧结工艺，它能够降低生产成本，提高光电转换效率。
本发明采取的技术方案为：
一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺，包括如下步骤：
首先将通过前端工艺做好的SE硅片，进行印刷背电极和背电场，然后分别印刷正电极主栅和细栅，最后经过TPS烧结炉烧结成为成品电池片。
所述SE硅片的前端工艺为喷蜡反刻蚀工艺，喷蜡线宽控制在200μm～300μm。
所述的SE硅片喷蜡位置的方阻为90～120Ω/□，栅线位置的方阻为50～55Ω/□。
所述的正电极的主栅线和细栅线分开印刷(传统的丝网印刷工艺，正电极和细栅线印刷一起完成)，细栅线的宽度为50μm，印刷重量为0.07g，主栅线的印刷重量为0.02g，比传统丝网印刷工艺(Ag耗量为0.14g)节省Ag浆耗量35.7％。
所述主栅线盖过细栅线2～3μm。
所述的烧结炉为TPS烧结炉，烧结炉的峰值温度为880℃，烧结8区为780℃，烧结7区的温度为805℃，烧结7、8、9区主要完成银浆的烧结，该三个温区的温度过高或则过低都会导致太阳电池的串联电阻RS偏高，从而导致电流和光电转换效率过低。
本发明的有益效果是，解决了传统烧结工艺，在烧结过程中产生的烧结不良的问题，提高了成品率和太阳电池的光电转换效率。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明。
本工艺的具体步骤为：SE电池片→丝网印刷背电极→丝网印刷背电场→丝网印刷主栅线→丝网印刷细栅线→TPS烧结炉→测试分选。
实施例1：
SE硅片喷蜡位置的方阻为90Ω/□，栅线位置的方阻为50Ω/□。栅线位置上，细栅线的印刷宽度为50μm，细栅线与主栅线分开印刷，为节省成本，主栅线采用膜厚为5μm的网版。另外，为保证主栅线和细栅线良好的接触，主栅线要求盖过细栅线2μm的长度。丝网印刷之后，进行烧结工艺，烘干区的温度不需要调整，烧结峰值温度需要降低10度；8区的烧结温度保持不变，也可以根据烧结的具体情况略微调整；烧结7区的温度提升10度。然后经过测试分选，分析电性能参数。
实施例2：
SE硅片喷蜡位置的方阻为120Ω/□，栅线位置的方阻为55Ω/□。栅线位置上，细栅线的印刷宽度为50μm，细栅线与主栅线分开印刷，为节省成本，主栅线采用膜厚为5μm的网版。另外，为保证主栅线和细栅线良好的接触，主栅线要求盖过细栅线3μm的长度。丝网印刷之后，进行烧结工艺，烘干区的温度不需要调整，烧结峰值温度需要降低10度；8区的烧结温度保持不变，也可以根据烧结的具体情况略微调整；烧结7区的温度提升10度。然后经过测试分选，分析电性能参数。
实施例3：
SE硅片喷蜡位置的方阻为105Ω/□，栅线位置的方阻为55Ω/□。栅线位置上，细栅线的印刷宽度为50μm，细栅线与主栅线分开印刷，为节省成本，主栅线采用膜厚为5μm的网版。另外，为保证主栅线和细栅线良好的接触，主栅线要求盖过细栅线3μm的长度。丝网印刷之后，进行烧结工艺，烘干区的温度不需要调整，烧结峰值温度需要降低10度；8区的烧结温度保持不变，也可以根据烧结的具体情况略微调整；烧结7区的温度提升10度。然后经过测试分选，分析电性能参数。
经过综合统计上述三个实施例，本发明的成品率提高了1.2％，太阳电池的光电转换效率提高了0.2％。
上述虽然对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。
Claims (1)
1.一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺，其特征是，包括如下步骤：首先将通过前端工艺做好的SE硅片，进行印刷背电极和背电场，然后分别印刷正电极主栅和细栅，最后经过TPS烧结炉烧结成为成品电池片；
所述SE硅片的前端工艺为喷蜡反刻蚀工艺，喷蜡线宽控制在200μm～300μm；
所述的SE硅片喷蜡位置的方阻为90～120Ω/□，栅线位置的方阻为50～55Ω/□；
所述的正电极的主栅线和细栅线分开印刷，细栅线的宽度为50μm，印刷重量为0.07g，主栅线的印刷重量为0.02g；
所述主栅线盖过细栅线2～3μm；
所述的烧结炉为TPS烧结炉，烧结炉的峰值温度为880℃，烧结8区为780℃，烧结7区的温度为805℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310361483.3A CN103413866B (zh) | 2013-08-19 | 2013-08-19 | 一种基于tps烧结炉所改进的se丝网印刷烧结工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310361483.3A CN103413866B (zh) | 2013-08-19 | 2013-08-19 | 一种基于tps烧结炉所改进的se丝网印刷烧结工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103413866A CN103413866A (zh) | 2013-11-27 |
| CN103413866B true CN103413866B (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=49606864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310361483.3A Active CN103413866B (zh) | 2013-08-19 | 2013-08-19 | 一种基于tps烧结炉所改进的se丝网印刷烧结工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103413866B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101414647A (zh) * | 2007-10-17 | 2009-04-22 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种高效太阳能电池局域深浅结扩散方法 |
| CN101533874A (zh) * | 2009-04-23 | 2009-09-16 | 中山大学 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN102185033A (zh) * | 2011-04-19 | 2011-09-14 | 润峰电力有限公司 | 选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺 |
| CN102270696A (zh) * | 2011-05-30 | 2011-12-07 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种正面电极二次套印工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE202008017782U1 (de) * | 2007-07-26 | 2010-06-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Silizium-Solarzelle mit einem rückgeätzten hochdotierten Oberflächenschichtbereich |
-
2013
- 2013-08-19 CN CN201310361483.3A patent/CN103413866B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101414647A (zh) * | 2007-10-17 | 2009-04-22 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种高效太阳能电池局域深浅结扩散方法 |
| CN101533874A (zh) * | 2009-04-23 | 2009-09-16 | 中山大学 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN102185033A (zh) * | 2011-04-19 | 2011-09-14 | 润峰电力有限公司 | 选择性发射极高效晶体硅太阳能电池的制备工艺 |
| CN102270696A (zh) * | 2011-05-30 | 2011-12-07 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种正面电极二次套印工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103413866A (zh) | 2013-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105895738A (zh) | 一种钝化接触n型太阳能电池及制备方法和组件、系统 | |
| CN202293614U (zh) | 一种丝网印刷晶体硅太阳能电池正银网版 | |
| CN205564789U (zh) | 一种钝化接触n型太阳能电池及其组件和系统 | |
| CN103633191A (zh) | 太阳能电池电极的制备方法 | |
| CN202076274U (zh) | 一种用于太阳能电池的四回型正电极结构 | |
| CN104752529B (zh) | 一种3d打印的太阳能电池锥形渐变式电极结构 | |
| CN202142542U (zh) | 一种用于太阳能电池的x型正电极结构 | |
| CN104387714A (zh) | 一种硅太阳能电池铝浆用有机粘合剂的制备方法 | |
| CN103854719B (zh) | 一种太阳能电池背面电极浆料及其制备方法 | |
| CN103123812A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池铝浆 | |
| CN105118873B (zh) | 晶体硅太阳能电池正面电极银浆 | |
| CN103413866B (zh) | 一种基于tps烧结炉所改进的se丝网印刷烧结工艺 | |
| CN103594534B (zh) | 铝发射极背结背接触晶体硅太阳电池及其制造方法 | |
| CN104134706A (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池及其制作方法 | |
| CN102024869B (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
| CN204102912U (zh) | 一种石墨烯硅太阳电池 | |
| CN103904144B (zh) | 晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极 | |
| CN104733567A (zh) | 一种高效低成本n型背结前接触单晶电池的制作方法 | |
| CN205122598U (zh) | 一种mis晶体硅太阳能电池 | |
| CN101388421A (zh) | 太阳电池磷浆的使用方法 | |
| CN104282772A (zh) | 一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池 | |
| CN203300655U (zh) | 用于高方阻晶硅太阳能电池的正电极网版 | |
| CN103117314B (zh) | 太阳能电池片 | |
| CN203218271U (zh) | 一种太阳能电池片 | |
| CN204118082U (zh) | 一种晶硅太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231123 Address after: Room 104, No. 169 Kuiwen East Road, Xiazhen Street, Weishan County, Jining City, Shandong Province, 277600 Patentee after: Weishan County Shunyang Trading Co.,Ltd. Address before: 277600 Runfeng Industrial Park, Weishan Economic Development Zone, Weishan County, Jining City, Shandong Province Patentee before: REALFORCE POWER Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |