CN103408733B - 二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用 - Google Patents

二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN103408733B
CN103408733B CN201310351686.4A CN201310351686A CN103408733B CN 103408733 B CN103408733 B CN 103408733B CN 201310351686 A CN201310351686 A CN 201310351686A CN 103408733 B CN103408733 B CN 103408733B
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic
monomer
benzo
selenophens
semiconductor material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201310351686.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103408733A (zh
Inventor
肖生强
蒋尊龙
詹春
芦露华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University of Technology WUT
Original Assignee
Wuhan University of Technology WUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University of Technology WUT filed Critical Wuhan University of Technology WUT
Priority to CN201310351686.4A priority Critical patent/CN103408733B/zh
Publication of CN103408733A publication Critical patent/CN103408733A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103408733B publication Critical patent/CN103408733B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

本发明属于有机半导体材料领域，具体的是涉及二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其在光电器件中的应用，其结构通式如通式I所示：其中，R是H、C1～C20的烷基或烷氧基，n为聚合度，为2～100的任一整数，本发明进一步提供上述共轭聚合物材料在有机太阳能电池器件、有机光电材料、有机场效应晶体管器件、有机电致发光器件、有机光存储器件、有机激光器件中的应用，所得共轭聚合物材料具有可控的能级结构、可调的帯隙、宽的光谱吸收范围和高空穴迁移率的优点。

Description

二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用
技术领域
本发明属于有机半导体材料领域，具体的是涉及二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其在光电器件中的应用。
背景技术
开发光电性能优良的有机半导体材料用于构建低成本光电子器件，是近年来非常重要的一个发展方向。这些有机半导体材料，能够广泛应用于如有机场效应晶体管、有机发光二极管、光检测器、有机太阳能电池、传感器、存储器元件和逻辑电路等光电子器件中。其中，有机太阳能电池是目前广受关注的热点领域。
同无机太阳能电池相比，有机太阳能电池具有柔性、轻质、低成本、易于大面积加工等优势。但是，低的光电转换效率使得有机太阳能电池形成商业化产品并走向实际应用受到极大制约。1992年，阿兰·黑格等人发现共轭聚合物电子给体与C60富勒烯电子受体之间能够发生超快的从给体向受体的光致电荷转移(Science1992,258,1474)，使得富勒烯成为有机太阳能电池研究中最受注目和使用最多的电子受体，而溶解性能优异的富勒烯衍生物PC61BM和PC71BM则成为其中的代表。1995年，阿兰·黑格等人提出了一种将聚合物给体和富勒烯受体共混构建形成体异质结太阳能电池，相对给受双层电池结构，能够极大的提高电池效率(Science,1995,270,1789-1791)。从而，共轭聚合物电子给体和富勒烯受体形成的体异质结有机太阳能电池成为科学家们研究的热点。研究人员从聚合物电子给体材料的设计制备、新型富勒烯衍生物受体、异质结加工工艺、器件结构、器件界面化学物理过程以及器件工作物理机制等多方面入手，开展广泛而深入的研究。在聚合物电子给体材料的设计、制备和光伏性能研究中，由于聚合物给体的电子结构很大程度上决定聚合物-富勒烯体异质结太阳能电池的开路电压（Voc）、闭路电流（Jsc）以及能量转换效率（PCE），因而，聚合物给体的研究，主要集中在获得具有窄带结构和低的HOMO能级的聚合物给体材料方面。
近年来，体异质结有机太阳能电池研究热情高涨，聚合物-富勒烯体异质结太阳能电池的性能得到快速提升，达到10%左右。把有机太阳能电池推向市场，不断发掘高性能聚合物给体材料至关重要。聚噻吩类材料普遍具有优越的光电性能，噻吩作为一个基本给电子单元，被广泛应用到聚合物电子材料的设计和合成制备中。例如，Wong等(Org.Lett.2006，8，5033)合成了一种新型的噻吩-苯-噻吩衍生物(TPT)，并报道了含TPT的聚合物材料的能带结构、空穴迁移率，发现其对太阳光有较高的摩尔吸光系数和较宽的吸收范围。但是含TPT的聚合物的迁移率仍然有限，吸收性能也有待进一步改善。Ching Ting等制备了一系列基于噻吩-苯-噻吩衍生物的聚合物电子给体材料，它们的电池能量转换效率可达6%。（Chem.Commun.2010,46,6503-6505）。
目前，发展具有高载流子迁移率、能级结构与富勒烯受体匹配、具有窄带结构、光电性能优良的聚合物半导体材料，十分迫切。作为具有与噻吩类似的芳香结构的硒吩，近年来也受到研发人员的重视。一些噻吩类聚合物中的噻吩结构被硒吩所取代，并获得了对应的优良光电性能。例如，芝加哥大学的Luping Yu等在噻吩并噻吩类聚合物的基础上，开发了一类硒吩并硒吩聚合物，其光电转换效率可达7%(ACS Macro Lett.2012,1,361-365)。一方面，相对于噻吩结构聚合物，基于硒吩结构的聚合物具有较高的HOMO能级和更窄的带隙；另一方面，硒原子比硫原子易于极化，聚合物链间硒原子与硒原子间的相互作用将更强，有利于改善空穴迁移率。由于含硒吩环的聚合物具有很高的载流子迁移率，可以很好的被应用于有机光电器件。因此，开发基于硒吩环单元结构的新的聚合物电子材料，具有重要价值。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术而提供一种二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用，所得共轭聚合物材料具有可控的能级结构、可调的帯隙、宽的光谱吸收范围和高空穴迁移率的优点。
本发明是通过以下技术方案实现的：基于二硒吩并苯并二茚衍生物的共轭聚合物材料，其结构通式如通式I所示：
其中，R是H、C1～C20的烷基或烷氧基，n为聚合度，为2～100的任一整数，共聚结构单元A选自如下结构中的一种：
式中，A单元结构中R7、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R37、R38选自H、C1～C20的烷基或烷氧基；R13、R14、R17、R18、R19、R20、R35、R36、R39选自C1～C20的烷基或烷氧基；m为重复单元数，m=1～20的任一整数；Y选自H、F中任一种原子。
本发明进一步提供上述共轭聚合物材料在有机太阳能电池器件、有机光电材料、有机场效应晶体管器件、有机电致发光器件、有机光存储器件、有机激光器件中的应用。
本发明的有益效果在于，本发明以新型结构二硒吩并苯并二茚为基本结构单元，再通过引入共轭结构A和二硒吩并苯并二茚结构共聚，使得其具有高的空穴迁移率、窄的帯隙和宽的吸收性能。苯并二茚(SePSe)类衍生物本身具有较高的空穴迁移率，通过引入硒吩单元可以进一步提高其迁移率，改善光伏性能，例如，共轭聚合物P(SePSe-2,4-BT)在350-750nm的光谱内有较大的吸收(如图1)，同时具有窄的帯隙为1.65eV。
附图说明
图1是本发明实施例2中所得共轭聚合物P(SePSe-2,4-BT)的紫外-可见吸收光谱图；
图2是本发明实施例2中所得共轭聚合物P(SePSe-2,4-BT)光伏器件的电流-电压曲线图。
具体实施方式
为了更好的阐述本发明的内容，下面将通过具体的实例来说明含二硒吩并苯并二茚共轭聚合物的制备及其应用，但本发明的内容不仅仅限于下面的实施例。
本发明实施例提供的共轭聚合物材料是通过以下方法得到的：
分别提供单体M、单体A；在无水无氧条件下，将单体M和单体A溶于溶剂中，在温度为90-110℃及有机钯催化剂条件下进行Stille反应48小时，得到有机光伏聚合物材料，反应式表示为：
其中，R是H、C1～C20的烷基或烷氧基，n为聚合度，为2～100的任一整数，单体A是如下结构中的一种：
式中，A单元结构中R7、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R37、R38选自H、C1～C20的烷基或烷氧基；R13、R14、R17、R18、R19、R20、R35、R36、R39选自C1～C20的烷基或烷氧基；m为重复单元数，m=1～20的任一整数；Y选自H、F中任一种原子。
实施例1
当R为2-乙基己基链时，单体M就可以表示为单体M1，结构如下：
本发明实施例的单体M1的合成路线如下：
化合物1
在装有干燥管和回流冷凝管的100ml的二颈瓶中加入16.2g2,5-二溴对苯二甲酸(50mmol)和40ml氯化亚砜(SOCl2)加热回流12h，当溶液变澄清后，常压蒸馏除去SOCl2，加入石油醚，冷却析出固体，抽滤，得到17.1g化合物1，产率为95%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：8.21(s，2H)。
化合物2
冰浴下，向含有7.2g(20mmol)化合物1的200mlCH2Cl2溶液中慢慢加入碾碎的6.8gAlCl3(51mmol)粉末，待AlCl3溶解后，加入含有15.6g2-乙基己基苯(82mmol)的25ml CH2Cl2溶液。室温搅拌，TLC监测，反应结束后，将反应混合物慢慢倒入300ml水中，分液，有机相水洗三次，水相CH2Cl2萃取三次，有机相合并后经干燥，浓缩后用石油醚重结晶。得到10.43g化合物2，产率为78%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：7.76(d，J=8.0Hz，4H)，7.59(s，2H)，7.29(d，J=8.4Hz，4H)，2.62(d，J=7.2Hz，4H)，1.64(t，J=6.0Hz，2H)，1.28(m，16H)，0.90(m，12H)。
化合物3
在100ml二颈瓶中加入6.68g(10mmol)化合物2、10.1g(24mmol)三丁基(硒吩-2-烷基)锡烷和130mg Pd(PPh3)4，N2保护下，注入50ml无水甲苯，加热回流，TLC监测反应。反应结束后，将甲苯浓缩，用纯甲苯柱层析，得到6.63g化合物3，产率为86%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：7.86(d，J=5.6Hz，2H)，7.67(d，J=8.0Hz，4H)，7.59(s，2H)，7.14(d，J=3.2Hz，2H)，7.12(m，2H)，2.52(d，J=6.8Hz，4H)，1.58(br，24H)，1.35-1.10(br，16H)，0.95-0.73(br，12H)。
化合物4
N2保护下，在250ml双颈瓶中加入4.3g1-溴4-(2-乙基己基)苯(16mmol)和20ml无水四氢呋喃，置于-78℃下，加入1.6M的正丁基锂9.5ml，反应1小时后，再向此双颈瓶中加入3.85g(5mmol)的化合物3的无水四氢呋喃溶液，一小时后停止制冷，溶液恢复至室温，TLC监测反应。8小时后，反应结束，向反应混合液中加入20ml水淬灭反应，分液，有机相水洗，水相用CH2Cl2萃取，有机相浓缩后用石油醚重结晶，得到3.8g白色固体化合物4，产率66%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：7.84(d，J=5.6Hz，2H)，7.08(m，16H)，6.91(m，2H)，6.67(s，2H)，6.34(d，J=2.8Hz，2H)，3.65(s，2H)，2.53(m，8H)，1.55(m，4H)，1.35-1.15(br，32H)，0.95-0.74(br，24H)。
化合物5
将2.88g(2.5mmol)化合物4溶于300mlCH2Cl2中，滴入0.6ml48%的BF3·Et2O溶液，室温下搅拌20分钟，TLC监测，反应结束后加水淬灭，分液，有机相水洗，水相CH2Cl2萃取、经干燥，浓缩，得到的粗产物用石油醚：甲苯=20:1柱层析。得到2.51g(2.25mmol)化合物5，产率为90%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：7.87(d，J=5.6Hz，2H)，7.40(s，2H)，7.21(d，J=5.2Hz，2H)，7.13(d，J=8.0Hz，8H)，7.01(d，J=8.0Hz，8H)，2.47(m，8H)，1.52(m，4H)，1.35-1.12(br，32H)，0.95-0.75(br，24H)。
单体M1
在冰浴、N2保护下，将2.23g(2mmol)化合物5溶于40ml无水四氢呋喃中，加入2.5M的正丁基锂溶液2ml，40分钟后，加入1M的三甲基氯化锡溶液6ml。2小时后直接加水淬灭，分液，乙醚萃取，有机相经干燥浓缩后真空干燥；在得到的粗产物中加入甲醇，抽滤，得到2.82g单体M1。产率为98%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：7.37(s，2H)，7.29(s，2H)，7.14(d，J=8.0Hz，8H)，7.01(d，J=8.0Hz，8H)，2.47(d，J=7.2Hz，8H)，1.53(m，4H)，1.35-1.15(br，32H)，0.95-0.75(br，24H)，0.33(m，18H)。
实施例2
本发明实施例共轭聚合物材料P(SePSe-2,4-BT)的结构式及合成路线如下：
N2的保护下，在50ml的单颈瓶中加入0.504g(0.35mmol)的单体M1和0.103g(0.35mmol)的单体a以及20mg四(三苯基膦)钯[简写成Pd(PPh3)4]，加入20ml无水甲苯，加热回流48h后，将反应混合液倒入甲醇中(500mL)聚沉，沉淀经过滤得到初产物，初产物用索氏提取器分别用甲醇、丙酮、正己烷抽提24h，再用氯仿收集可溶的部分，真空干燥后得到340mg聚合物材料P(SePSe-2,4-BT)，产率为78%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：8.2-7.9(br,2H)，7.9-7.6(br，2H)，7.6-7.4(br，2H)，7.4-7.2(br，8H)，7.1-6.9(br，8H)，2.75-2.25(br，8H)，1.7-1.45(br，4H)，1.45-1.05(br，32H)，1.05-0.55(br，24H)；GPC(THF)：Mn=24400g/mol，Mw=43700g/mol，PDI=1.79，n=20。
所得共轭聚合物P(SePSe-2,4-BT)在350-750nm的光谱内有较大的吸收(如图1)，同时具有窄的帯隙为1.65eV。
实施例3
本发明实施例共轭聚合物材料P(SePSe-2,4-DTDPP)的结构式及合成路线如下：
N2保护下，将0.432g(0.3mmol)的单体M1和0.272g(0.3mmol)的单体b以及17mg Pd(PPh3)4溶于20ml无水甲苯中，加热回流48h后，将反应混合液倒入甲醇中(500mL)聚沉，沉淀经过滤得到初产物，初产物用索氏提取器分别用甲醇、丙酮、正己烷抽提24h，再用氯仿收集可溶的部分，真空干燥后得到470mg聚合物材料P(SePSe-2,4-DTDPP)，产率为84%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：9.0-8.7(br，2H)，7.5-7.3(br，4H)，7.3-7.1(br，10H)，7.1-6.9(br，8H)，4.2-3.8(br，4H)，2.75-2.25(br，8H)，2.1-1.8(br，2H)，1.7-1.5(br，4H)，1.5-1.0(br，80H)，1.0-0.55(br，36H)；GPC(THF)：Mn=32650g/mol，Mw=62100g/mol，PDI=1.90，n=18。
实施例4
本发明实施例共轭聚合物材料P(SePSe-2,4-TPD)的结构式及合成路线如下：
N2保护下，将0.504g(0.35mmol)的单体M1和0.148g(0.35mmol)的单体c以及20mgPd(PPh3)4溶于20ml无水甲苯中，加热回流48h后，将反应混合液倒入甲醇中(500mL)聚沉，沉淀经过滤得到初产物，初产物用索氏提取器分别用甲醇、丙酮抽提24h，再用正己烷收集可溶的部分，真空干燥后得到365mg聚合物材料P(SePSe-2,4-TPD)，产率为75%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：7.75-7.5(br，2H)，7.5-7.3(br，2H)，7.24-6.7(br，16H)，3.75-3.25(br，2H)，2.7-2.3(br，8H)，1.9-1.75(br，1H)，1.7-1.4(br，4H)，1.4-1.0(br，40H)，1.0-0.55(br，30H)；GPC(THF)：Mn=10050g/mol，Mw=13300g/mol，PDI=1.32，n=7。
实施例5
本发明实施例共轭聚合物材料P(SePSe-2,4-TT)的结构式及合成路线如下：
N2保护下，将0.504g(0.35mmol)的单体M1和0.159g(0.35mmol)的单体d以及9.6mg的三(二亚苄基丙酮)二钯[简写成Pd2(dba)3]和19.2mg的三(邻甲苯基)膦[简写成P(o-tol)3]溶于20ml无水甲苯中，加热回流48h后，将反应混合液倒入甲醇中(500mL)聚沉，沉淀经过滤得到初产物，初产物用索氏提取器分别用甲醇、丙酮、正己烷抽提24h，再用氯仿收集可溶的部分，真空干燥后得到410mg聚合物材料P(SePSe-2,4-TT)，产率为84%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：8.25-7.85(br，2H)，7.5-6.9(br，19H)，4.4-4.2(br，2H)，2.8-2.3(br，8H)，1.9-1.7(br，1H)，1.6-1.45(br，4H)，1.45-1.1(br，40H)，1.1-0.7(br，30H)；GPC(THF)：Mn=25400g/mol，Mw=46000g/mol，PDI=1.81，n=18。
实施例6
本发明实施例共轭聚合物材料P(SePSe-2,4-ffBT)的结构式及合成路线如下：
N2保护下，将0.504g(0.35mmol)的单体M1和0.116g(0.35mmol)的单体e以及9.6mg的Pd2(dba)3和19.2mg的P(o-tol)3溶于20ml无水甲苯中，加热回流48h后，将反应混合液倒入甲醇中(500mL)聚沉，沉淀经过滤得到初产物，初产物用索氏提取器分别用甲醇、丙酮、正己烷抽提24h，再用氯仿收集可溶的部分，真空干燥后得到440mg聚合物材料P(SePSe-2,4-ffBT)，产率为95%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：8.5-8.2(br，2H)，7.6-7.48(br，2H)，7.4-7.18(br，8H)，7.18-6.8(br，8H)，2.7-2.3(br，8H)，2.7-2.3(br，8H)，1.7-1.46(br，4H)，1.45-1.0(br，32H)，1.0-0.55(br，24H)；GPC(o-DCB)：Mn=45100g/mol，Mw=86200g/mol，PDI=1.91，n=35。
实施例7
本发明实施例共轭聚合物材料P(SePSe-2,4-DTBT)的结构式及合成路线如下：
N2保护下，将0.432g(0.3mmol)的单体M1和0.205g(0.3mmol)的单体f以及8.2mg的Pd2(dba)3和18.4mg的P(o-tol)3溶于20ml无水甲苯中，加热回流48h后，将反应混合液倒入甲醇中(500mL)聚沉，沉淀经过滤得到初产物，初产物用索氏提取器分别用甲醇、丙酮、正己烷抽提24h，再用氯仿收集可溶的部分，真空干燥后得到400mg聚合物材料P(SePSe-2,4-DTBT)，产率为82%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：8.0-7.8(br，2H)，7.8-7.6(br，2H)，7.4-7.33(br，2H)，7.33-7.26(br，2H)，7.25-7.1(br，8H)，7.1-6.95(br，8H)，2.85-2.7(br，4H)，2.6-2.4(br，8H)，1.85-1.65(br，2H)，1.6-1.47(br，4H)，1.47-1.05(br，48H)，1.0-0.65(br，36H)；GPC(THF)：Mn=22250g/mol，Mw=38900g/mol，PDI=1.75，n=14。
实施例8
本发明实施例共轭聚合物材料P(SePSe-2,4-DTffBT)的结构式及合成路线如下：
N2保护下，将0.432g(0.3mmol)的单体M1和0.216g(0.3mmol)的单体g以及8.2mg的Pd2(dba)3和18.4mg的P(o-tol)3溶于20ml无水甲苯中，加热回流48h后，将反应混合液倒入甲醇中(500mL)聚沉，沉淀经过滤得到初产物，初产物用索氏提取器分别用甲醇、丙酮、正己烷抽提24h，再用氯仿收集可溶的部分，真空干燥后得到440mg聚合物材料P(SePSe-2,4-DTffBT)，产率为88%。1H-NMR(400MHz，CDCl3，δppm)：8.2-8.0(br，2H)，7.45-7.37(br，2H)，7.36-7.28(br，2H)，7.24-7.1(br，8H)，7.1-6.98(br，8H)，2.85-2.63(br，4H)，2.62-2.38(br，8H)，1.81-1.69(br，2H)，1.61-1.48(br，4H)，1.48-1.15(br，48H)，0.95-0.7(br，36H)。GPC(THF)：Mn=40700g/mol，Mw=71600g/mol，PDI=1.76，n=24。
应用实施例:聚合物太阳能电池器件的制备和性能
ITO玻璃（氧化铟锡导电玻璃）经超声波和紫外臭氧清洗，再在上述ITO玻璃上旋涂得到PEDOT:PSS层，然后将上述实例中得到的聚合物与PC71BM混合后加入邻二氯苯作溶剂制备得到活性层溶液，将活性层溶液旋涂在PEDOT:PSS层上，当溶剂挥发后，最后在活性层上蒸镀Ca/Al电极制成器件，在100mW/m2的AM1.5模拟太阳光照射下测量得到器件的光伏性能，不同给受体比例条件下得到的初步数据如表1，P(SePSe-2,4-BT):PC71BM=1:2条件下所得的I-V曲线如图2。
表1
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.基于二硒吩并苯并二茚衍生物的共轭聚合物材料的制备方法，其特征在于在无水无氧条件下，将单体M1和单体A溶于溶剂中，在温度为90-110℃及有机钯催化剂条件下进行Stille反应48小时，得到共轭聚合物材料，反应式表示为：
其中,
n为聚合度，为2～100的任一整数，A是如下结构中的一种：
式中，A单元结构中R7、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R37、R38选自H、C1～C20的烷基或烷氧基；R13、R14、R17、R18、R19、R20、R35、R36、R39选自C1～C20的烷基或烷氧基；m为重复单元数，m＝1～20的任一整数；Y选自H、F中任一种原子；
所述的单体M1的合成路线如下：
CN201310351686.4A 2013-08-13 2013-08-13 二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用 Expired - Fee Related CN103408733B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310351686.4A CN103408733B (zh) 2013-08-13 2013-08-13 二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310351686.4A CN103408733B (zh) 2013-08-13 2013-08-13 二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103408733A CN103408733A (zh) 2013-11-27
CN103408733B true CN103408733B (zh) 2015-09-30

Family

ID=49601781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310351686.4A Expired - Fee Related CN103408733B (zh) 2013-08-13 2013-08-13 二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103408733B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104672221B (zh) * 2013-11-29 2018-01-23 中国科学院上海有机化学研究所 一种氟代苯并杂环‑杂芳环结构的合成方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201024306A (en) * 2008-12-29 2010-07-01 Eternal Chemical Co Ltd Diindenothiophene derivatives and use thereof
CN101939325A (zh) * 2008-02-06 2011-01-05 住友化学株式会社 有机半导体材料
CN102124044A (zh) * 2008-08-18 2011-07-13 默克专利股份有限公司 引达省并二噻吩和引达省并二硒吩聚合物以及它们作为有机半导体的用途
CN102150086A (zh) * 2008-09-09 2011-08-10 默克专利股份有限公司 用于电子器件的共聚物
CN102639591A (zh) * 2009-12-02 2012-08-15 巴斯夫欧洲公司 二噻吩并苯并噻吩并[3,2-b]噻吩共聚物及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101939325A (zh) * 2008-02-06 2011-01-05 住友化学株式会社 有机半导体材料
CN102124044A (zh) * 2008-08-18 2011-07-13 默克专利股份有限公司 引达省并二噻吩和引达省并二硒吩聚合物以及它们作为有机半导体的用途
CN102150086A (zh) * 2008-09-09 2011-08-10 默克专利股份有限公司 用于电子器件的共聚物
TW201024306A (en) * 2008-12-29 2010-07-01 Eternal Chemical Co Ltd Diindenothiophene derivatives and use thereof
CN102639591A (zh) * 2009-12-02 2012-08-15 巴斯夫欧洲公司 二噻吩并苯并噻吩并[3,2-b]噻吩共聚物及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Synthesis, Characterization, and Photovoltaic Properties of Novel Semiconducting Polymers with Thiophene-Phenylene-Thiophene (TPT) as Coplanar Units;Shu-Hua Chan, et al.;《Macromolecules》;20080807;第41卷(第15期);正文第5520页Scheme1、右栏第3段 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103408733A (zh) 2013-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9214635B2 (en) Anthradithiophene-based semiconducting polymers and methods thereof
CN104004165B (zh) 含s,s-二氧-二苯并噻吩单元的电子给体聚合物及其应用
CN106467547A (zh) 一种基于多稠环类的非富勒烯太阳能电池受体材料及其制备方法和应用
Zhang et al. D–A–Ar-type small molecules with enlarged π-system of phenanthrene at terminal for high-performance solution processed organic solar cells
EP2562197B1 (en) Copolymer comprising anthracene and benzoselenadiazole, preparing method and uses thereof
Su et al. Significantly increasing open-circuit voltage of the benzo [1, 2-b: 4, 5-b′] dithiophene-alt-5, 8-dithienyl-quinoxaline copolymers based PSCs by appending dioctyloxy chains at 6, 7-positions of quinoxaline
CN102686636B (zh) 含芴共轭聚合物、其制备方法和太阳能电池器件
Yu et al. Thiadiazole quinoxaline-based copolymers with∼ 1.0 eV bandgap for ternary polymer solar cells
CN107698744B (zh) 一种聚合物受体材料的制备方法及其应用
Fan et al. Side chain effect on poly (beznodithiophene-co-dithienobenzoquinoxaline) and their applications for polymer solar cells
CN106046044A (zh) 一种双氟代芴类单体、其共轭聚合物及其合成工艺
CN102964570B (zh) 一种萘并二呋喃类化合物和聚合物及制备方法和应用
KR102439270B1 (ko) 신규한 중합체 및 이를 이용하는 유기 전자 소자
CN103936760B (zh) 噻吩并[2,3-f]苯并呋喃化合物及其聚合物和聚合物的应用
CN102924694B (zh) 苝四羧酸酯基聚合物受体材料及其在太阳能电池中的应用
CN103408733B (zh) 二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用
Li et al. A comparative study of diketopyrrolopyrrole and isoindigo based polymers for organic photovoltaic applications
CN105061435A (zh) 吡咯并吡咯烷酮单元的单体及其合成方法与聚合物
CN104557972B (zh) 双(噻吩并[3，2‑b]噻吩)并芴单体、共轭聚合物及其应用
CN103923106A (zh) 一种低能隙宽吸收的共轭聚合物及其制备方法
CN103396534B (zh) 一种二维共轭喹喔啉类聚合物及其用途
JP5667703B2 (ja) 有機半導体材料の作製方法、及び、有機半導体材料
Hou et al. Thieno [2, 3-f] benzofuran based donor-acceptor polymer for fullerene-free solar cells
CN103626976B (zh) 苯并[2，1-b:3，4-b′]二硒吩类聚合物半导体材料及其应用
CN104447802B (zh) 一类基于苯并噻二唑的大平面构筑单元及其衍生物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150930

Termination date: 20180813