CN103389574B - 电润湿显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种电润湿显示装置，所述电润湿显示装置包括覆盖第一电极的第一阻挡层和覆盖第二电极的第二阻挡层。电润湿显示装置包括面对第二基体基板的第一基体基板、在第一基体基板上的第一电极、覆盖第一电极的第一阻挡层、在第二基体基板上的第二电极、覆盖第二电极的第二阻挡层、在第一基体基板和第二基体基板之间的阻挡壁以及在第一基体基板和第二基体基板之间的电润湿层。阻挡壁限定与第一电极对应的像素区域，电润湿层在像素区域中。电润湿层包括彼此分离的极性流体和非极性流体。
Description
本申请要求于2012年5月9日提交的第10-2012-0049079号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种通过利用电润湿效应操作的电润湿显示装置。
背景技术
作为平板显示装置，液晶显示器（LCD）、等离子体显示面板（PDP）、有机发光显示器（OLED）、场效应显示器（FED）、电泳显示器（EPD）和电润湿显示器（EWD）等是众所周知的。
在它们中，电润湿显示器包括像素，每个像素包括第一电极和第二电极。第一电极和第二电极彼此隔开，并且不同的电压被施加到第一电极和第二电极。另外，包括非极性流体和极性流体的电润湿层设置在第一电极和第二电极之间。当将电压分别施加到第一电极和第二电极时，极性流体被极化。另外，当在非极性流体和极性流体之间存在表面张力差时，非极性流体聚集到像素的侧部。
极性流体是电解质溶液，阻挡层设置在第一电极上以防止极性流体与第一电极接触。
发明内容
本公开的一个或多个示例性实施例提供了一种能够减小漏电流的电润湿显示装置。
本发明的实施例提供了一种电润湿显示装置，所述电润湿显示装置包括：面对第二基体基板的第一基体基板、设置在第一基体基板上的第一电极、覆盖第一电极的第一阻挡层、在第二基体基板上的第二电极和覆盖第二电极的第二阻挡层。阻挡壁和电润湿层设置在第一基体基板和第二基体基板之间。阻挡壁限定与第一电极对应的像素区域，电润湿层包括保持彼此分离的极性流体和非极性流体。
所述电润湿显示装置还可以包括设置在第一阻挡层上的疏水层。第一阻挡层可以包括覆盖第一电极的第一无机层和设置在第一无机层上的第一有机层。第二阻挡层可以包括第二无机层。
所述电润湿显示装置还可以包括设置在第一电极下方的有机层。有机层可以具有红色、绿色和蓝色中的一种。
第一阻挡层和第二阻挡层可以包括无机层。与形成第一阻挡层的化学气相沉积工艺相比，第二阻挡层可以利用在较高温度下执行的化学气相沉积工艺形成。第二阻挡层可以比第一阻挡层具有更大的密度。
第一阻挡层和第二阻挡层中的每个可以包括堆叠在彼此上的多个层。
根据一个或多个示例性实施例，电润湿显示装置包括覆盖第一电极的第一阻挡层和覆盖第二电极的第二阻挡层。第一阻挡层和第二阻挡层保护第一电极和第二电极免受电润湿层的影响。
虽然第一阻挡层可能被损坏，但是第二阻挡层覆盖第二电极以减少漏电流的量。因此，即使第一阻挡层可能被损坏，电润湿显示装置仍正常操作。
附图说明
通过参照以下结合附图考虑时的详细描述，本发明的上述和其它优点将变得容易理解，其中：
图1是示出根据本发明的电润湿显示装置的示例性实施例的框图；
图2是图1中示出的像素的示例性实施例的等效电路图；
图3是图1中示出的显示面板的像素的示例性实施例的剖视图；
图4A至图4C是示出图3中示出的像素的部分AA的示例性实施例的剖视图；
图5是示出根据本发明的电润湿显示装置的示例性实施例的驱动电压（单位为伏特（V））相对于第二阻挡层的厚度（单位为纳米（nm））的曲线图；
图6是示出根据本发明的像素的示例性实施例的平面图；
图7是沿图6的线I-I'截取的剖视图；
图8是示出根据阻挡层的示例性实施例的漏电流（单位为安培每平方厘米（A/cm2））的图示。
具体实施方式
将理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层“上”或者“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者也可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接”在另一元件或层“上”或者“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。同样的标号始终指示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。
将理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如“下”、“在…上方”、“上”、“在…下方”等来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附图中装置被翻转，则描述为在其它元件或特征“下”或“下方”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可被另外定位（旋转90度或者在其它方位），相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个（种）”和“所述（该）”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语（例如在通用的字典中定义的术语）应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而不是以理想的或过于形式化的意思来解释。
除了这里另外指出或另外地与上下文明显矛盾，否则这里描述的所有方法可以以适当的次序执行。除非另外声明，否则任何和所有示例或者示例性语言（例如，“诸如（例如）”）的使用仅意在更好地对本发明进行举例说明，并不对本发明的范围造成限制。说明书中的语言不应当被解释为指示任何未声明的元件对如这里使用的本发明的实施来说是必要的。
在下文中，将参照附图详细地解释本发明。
图1是示出根据本发明的电润湿显示装置的示例性实施例的框图。
参照图1，电润湿显示装置100包括显示面板110、时序控制器120、栅极驱动器130和数据驱动器140。根据电润湿显示装置100的诸如反射模式、透射模式或透反射模式的操作模式，电润湿显示装置100具有在设计上改变的构造。换言之，电润湿显示装置100还可以包括背光单元（未示出），但不限于此或受此限制。
显示面板110包括多条栅极线GL1至GLn、多条数据线DL1至DLm和多个像素PX，每个像素连接到栅极线GL1至GLn中的相应的栅极线和数据线DL1至DLm中的相应的数据线。像素PX可以按“n”行דm”列的方式布置。
栅极线GL1至GLn连接到栅极驱动器130并接收栅极信号。数据线DL1至DLm连接到数据驱动器140并接收数据信号。
时序控制器120从外部源（未示出）接收图像信号RGB和控制信号CS。时序控制器120将图像信号RGB的数据格式转换为适合于数据驱动器140和时序控制器120之间的接口的数据格式。时序控制器120将转换的图像信号R'G'B'提供到数据驱动器140。
另外，时序控制器120响应于控制信号CS产生数据控制信号DCS和栅极控制信号GCS。时序控制器120将栅极控制信号GCS施加到栅极驱动器130，并将数据控制信号DCS施加到数据驱动器140。
栅极驱动器130响应于来自时序控制器120的栅极控制信号GCS顺序地输出栅极信号。栅极信号被顺序地施加到栅极线GL1至GLn，因此像素PX以行为单元或逐行地导通。
数据驱动器140响应于数据控制信号DCS将图像信号R'G'B'转换为数据电压（例如，数据信号），并输出数据电压。数据电压通过数据线DL1至DLm被施加到像素PX。
图2是图1中示出的像素的示例性实施例的等效电路图，图3是图1中示出的显示面板的像素的示例性实施例的剖视图，图4A至图4C是示出图3中示出的像素的部分AA的示例性实施例的剖视图。图1中示出的每个像素PX的结构与图2和图3中示出的像素的结构相同，因此，将参照图2和图3详细地描述一个像素。
参照图2，像素PX包括开关器件TR、第一电容器CAP1和第二电容器CAP2。开关器件TR可以是包括控制端、输出端和输入端的薄膜晶体管。在可选的示例性实施例中，像素PX可以包括两个或更多个开关器件TR。在下文中，开关器件TR将被称作薄膜晶体管。
薄膜晶体管TR连接到一条栅极线GLi、一条数据线DLj以及第一电容器CAP1和第二电容器CAP2，但不限于此或受此限制。薄膜晶体管TR响应于施加到栅极线GLi的栅极电压将施加到数据线DLj的数据电压施加到第一电容器CAP1和第二电容器CAP2。
第一电容器CAP1是包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的流体（未示出）的电润湿电容器。在下文中，第一电极将被称作连接到薄膜晶体管TR的像素电极，第二电极将被称作被施以共电压Vcom的共电极。
第二电容器CAP2是包括连接到薄膜晶体管TR的第一电极、连接到存储线STL的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的绝缘层（未示出）的存储电容器。
参照图3，显示面板110包括第一基体基板BS1和第二基体基板BS2。虽然在图3中未示出，但是栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm设置在第一基体基板BS1上。
第一基体基板BS1和/或第二基体基板BS2可以是透明基板，例如玻璃基板、塑料基板等。
像素电极EL1设置在第一基体基板BS1上。虽然在图3中未示出，但是多个绝缘层设置在第一基体基板BS1和像素电极EL1之间。
第一阻挡层BL1设置在第一基体基板BS1上，以覆盖像素电极EL1。第一阻挡层BL1与像素电极EL1叠置，并可以接触像素电极EL1的上表面和/或侧表面，但不限于此或受此限制。第一阻挡层BL1可以包括有机层或无机层。另外，第一阻挡层BL1可以具有有机层和无机层堆叠在彼此上的多层结构。无机层可以包括氧化硅、氮化硅或氧化铝，但不限于此或受此限制。
疏水层HPL设置在第一阻挡层BL1上。疏水层HPL反射或透射向其入射的光。疏水层HPL可以反射特定波长的入射光。入射到疏水层HPL的光可以是室外的自然光或来自光源（例如，背光单元）的人造光。
参照图4A，第一阻挡层BL1包括覆盖像素电极EL1的无机层BL-I和设置在无机层BL-I上的有机层BL-O。无机层BL-I具有比有机层BL-O的湿气透过率小的湿气透过率，以防止电润湿层渗入像素电极EL1。
有机层BL-O防止电润湿层渗入像素电极EL1，并改善疏水层HPL的粘附力。即，疏水层HPL和有机层BL-O之间的粘附力大于疏水层HPL和无机层BL-I之间的粘附力。有机层BL-O的绝缘性质高于无机层BL-I的绝缘性质，以减少漏电流的量。
参照图4B，第一阻挡层BL1可以包括覆盖像素电极EL1的第一无机层BL-I1、设置在第一无机层BL-I1上的有机层BL-O和设置在有机层BL-O上的第二无机层BL-I2。第一无机层BL-I1和第二无机层BL-I2具有彼此相同或不同的材料。
如图4C所示，第一阻挡层BL1包括覆盖像素电极EL1的第一有机层BL-O1、设置在第一有机层BL-O1上的无机层BL-I和设置在无机层BL-I上的第二有机层BL-O2。第一有机层BL-O1和第二有机层BL-O2具有彼此相同或不同的材料。
返回参照图3，阻挡壁WL设置在疏水层HPL上并在第一基体基板BS1上。阻挡壁WL限定与像素PX对应的像素区域PXA。阻挡壁WL设置在相邻的像素之间，以减少或有效地防止像素PX中的第一流体FL1与相邻的像素中的第一流体FL1混合。另外，阻挡壁WL的极性与第一流体FL1的极性相同，从而阻挡壁WL推挤或排斥第一流体FL1。
在可选的示例性实施例中，阻挡壁WL可以设置在第二基体基板BS2上。
第二基体基板BS2设置为与第一基体基板BS1隔开。共电极EL2设置在第二基体基板BS2的表面上，例如设置在第二基体基板BS2的下表面上。共电极EL2可以直接在第二基体基板BS2上，但不限于此或受此限制。
第二阻挡层BL2设置在第二基体基板BS2上，以覆盖共电极EL2。第二阻挡层BL2与共电极EL2叠置，并可以接触共电极EL2的上表面和/或侧表面，但不限于此或受此限制。第二阻挡层BL2可以包括有机层或无机层。
虽然在图中未示出，但是与图4B和图4C中示出的第一阻挡层BL1类似，第二阻挡层BL2可以具有有机层和无机层堆叠在彼此上的多层结构。稍后将描述第二阻挡层BL2的细节。
电润湿层可以包括第一流体FL1和第二流体FL2。第一流体FL1和第二流体FL2设置在第一基体基板BS1和第二基体基板BS2之间。第一流体FL1和第二流体FL2彼此不混合，且保持彼此分离。
第一流体FL1是非极性材料，例如疏水材料。第一流体FL1设置在由疏水层HPL和阻挡壁WL限定的空间中。
第一流体FL1吸收向其入射的光。第一流体FL1可以吸收向其入射的特定波长的光。第一流体FL1可以包括具有特定颜色的染料。在示例性实施例中，第一流体FL1可以包括溶剂和溶解在溶剂中的溶质（例如，染料）。被第一流体FL1吸收的特定波长取决于染料的颜色。
第二流体FL2是极性材料，例如亲水材料。第二流体FL2可以是电解质溶液，例如其中溶有氯化钾的水与乙醇的混合物。
第二流体FL2是透明的。另外，第二流体FL2设置在第一流体FL1和第二基体基板BS2之间。根据示例性实施例，第二流体FL2可以具有颜色。
当将电压施加到像素PX时，第一流体FL1聚集。详细地说，当将电压分别施加到像素电极EL1和共电极EL2时，第二流体FL2被极化并使第一流体FL1移动。第一流体FL1可以被第二流体FL2移动，以暴露疏水层HPL，因此第二流体FL2与疏水层HPL接触。移动的第一流体FL1可以根据第二流体FL2的移动聚集到像素区域PXA的侧部。
在下文中，将电压未施加到像素PX的状态称作关闭状态，并将电压施加到像素PX的状态称作开启状态。在关闭状态下，电压未施加到像素PX的表述意味着像素电极EL1和共电极EL2被施加相同的电压。
在开启状态下，像素电极EL1和共电极EL2被施以彼此不同的电压。在一个示例性实施例中，例如，像素电极EL1在开启状态下被施以比共电压低的像素电压。
在关闭状态下，第一流体FL1在整个像素区域PXA上分散。在关闭状态下，在平面图中，第一流体FL1可以与由疏水层HPL和阻挡壁WL限定的空间的全部叠置。在这种情况下，像素PX显示颜色，例如黑色。
在开启状态下，第一流体FL1被第二流体FL2推挤到像素区域PXA的侧部。即，第一流体FL1被推挤到阻挡壁WL。在开启状态期间，当第一流体FL1被推挤到阻挡壁WL时，第一流体FL1具有由虚线表示的形状FL-10，如图3所示。由于第一流体FL1的移动，疏水层HPL的表面被暴露。光被疏水层HPL的暴露表面反射或透射穿过疏水层HPL的暴露表面。
当施加到像素PX的电压停止时，第一流体FL1移动并再次覆盖疏水层HPL。
在开启状态下，第二流体FL2因施加到像素PX的电压而极化。在像素电极EL1和共电极EL2在开启状态下与第二流体FL2接触的情况下，像素电极EL1和共电极EL2发生电短路。当像素电极EL1和共电极EL2发生电短路时，电润湿显示装置100发生故障。
在根据本发明的一个或多个示例性实施例中，第二阻挡层BL2保护共电极EL2免受第二流体FL2的影响。即，第二流体FL2和共电极EL2之间的第二阻挡层BL2减小或有效地防止第二流体FL2和共电极EL2的接触。即使在第一阻挡层BL1和疏水层HPL中出现缺陷，因为共电极EL2被第二阻挡层BL2覆盖，所以也减少或有效地防止了像素电极EL1和共电极EL2的电短路。
为了容易地引起第二流体FL2的极化，第一阻挡层BL1的厚度等于或小于大约500纳米（nm）。另外，第一阻挡层BL1的厚度等于或大于大约300nm，以减少或有效地防止电润湿层向像素电极EL1的渗透。即，第一阻挡层BL1的厚度可以在大约300nm和大约500nm之间。
图5是示出根据本发明的电润湿显示装置的示例性实施例的驱动电压（单位为伏特（V））相对于第二阻挡层的厚度（单位为纳米（nm））的曲线图。通过在下面的条件下测量电润湿显示装置来获得图5中示出的曲线图。
第一阻挡层BL1包括厚度为大约100nm的第一氮化硅层、设置在第一氮化硅层上且厚度为大约100nm的氧化硅层和设置在氧化硅层上且厚度为大约100nm的第二氮化硅层。疏水层HPL的厚度为大约200nm。第二阻挡层BL2为氮化硅层。
图5中示出的曲线图示出了驱动电压随着第二阻挡层BL2的厚度的增大率。在省略第二阻挡层BL2的情况下，电润湿显示装置的驱动电压为大约20伏特。
当第二阻挡层BL2的厚度为大约100nm时，驱动电压为大约21.6伏特，当第二阻挡层BL2的厚度为大约300nm时，驱动电压为大约24.9伏特。当第二阻挡层BL2为大约300nm时，驱动电压的增大率为大约25%。
驱动电压的增大率取决于第二阻挡层BL2的材料。在一个示例性实施例中，第二阻挡层BL2的厚度可以等于或小于大约300nm，以减小驱动电压。
图6是示出根据本发明的像素的示例性实施例的平面图，图7是沿图6的线I-I'截取的剖视图。在图6和图7中，将由阻挡壁WL围绕的区域称作像素区域PXA，像素PX设置在像素区域PXA中。在图6和图7中，省略了与在图1至图5中示出的元件相同的元件。另外，在图6中省略了第二基体基板BS2和共电极EL2。
栅极线GLi-1和GLi具有沿第一方向D1延伸的纵向轴。栅极线GLi-1和GLi位于第一基体基板BS1的表面上。薄膜晶体管TR的栅电极GE从栅极线GLi-1和GLi中的一条栅极线GLi分支出。
另外，存储线STL具有沿第一方向D1延伸的纵向轴且在第一基体基板BS1的表面上。存储电极STE从存储线STL分支出。存储电极STE用作图2中示出的第二电容器CAP2的第二电极。
栅极绝缘层GIL设置在第一基体基板BS1上，并覆盖栅电极GE和存储电极STE。栅极绝缘层GIL可以包括氮化硅或氧化硅。
薄膜晶体管TR的半导体层SM设置在栅极绝缘层GIL上。半导体层SM与栅电极GE叠置，同时栅极绝缘层GIL布置在半导体层SM和栅电极GE之间。半导体层SM可以包括设置在栅极绝缘层GIL上的有源层和设置在有源层上的欧姆接触层，但不限于此或受此限制。
数据线DLj和DLj+1具有沿第二方向D2延伸的纵向轴。数据线DLj和DLj+1位于栅极绝缘层GIL上。薄膜晶体管TR的源电极SE从数据线DLj和DLj+1中的一条数据线DLj分支出。源电极SE与半导体层SM叠置。
薄膜晶体管TR的漏电极DE设置在栅极绝缘层GIL上。漏电极DE与源电极SE隔开并与半导体层SM叠置。
源电极SE和漏电极DE之间的区域用作薄膜晶体管TR的沟道部分。薄膜晶体管TR的有源层的上表面可以在沟道部分处被暴露。当薄膜晶体管TR导通时，电流流经源电极SE和漏电极DE之间的沟道部分。
有机层INS设置在栅极绝缘层GIL上，并覆盖源电极SE、漏电极DE和沟道部分。有机层INS是提供平坦表面的平坦化层。有机层INS可以提供具有红色、绿色或蓝色的滤色器。
像素电极EL1设置在有机层INS上。像素电极EL1通过接触孔CH电连接和/或物理连接到漏电极DE。在示例性实施例中，漏电极DE的一部分用作第二电容器CAP2的第一电极。
在透射类型的电润湿显示装置中，像素电极EL1可以包括透明材料，例如氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化铟锡锌（ITZO）等。
在反射类型的电润湿显示装置中，像素电极EL1可以包括反射材料，例如金属材料（例如，铝）。另外，在电润湿显示装置是透反射型的情况下，像素电极EL1可以包括反射来自外部的自然光的反射部分和透射自然光的透射部分。
第一阻挡层BL1设置在有机层INS上，并覆盖像素电极EL1。疏水层HPL设置在第一阻挡层BL1上。阻挡壁WL设置在疏水层HPL上。阻挡壁WL与栅极线GLi-1和GLi以及数据线DLj和DLj+1叠置。
共电极EL2设置在与第一基体基板BS1隔开设置的第二基体基板BS2上。第二阻挡层BL2设置在共电极EL2上。
第一阻挡层BL1和第二阻挡层BL2中的每个可以包括有机层或无机层。另外，第一阻挡层BL1和第二阻挡层BL2可以具有有机层和无机层堆叠在彼此上的多层结构。
在制造电润湿显示装置100的示例性实施例中，可以通过化学气相沉积工艺形成第一阻挡层BL1和第二阻挡层BL2的无机层。可以通过低温化学气相沉积工艺形成第一阻挡层BL1的无机层，从而减小或有效地防止在制造工艺过程中对设置在第一基体基板BS1上的有机层INS的损坏。
因为与第一基体基板BS1不同，有机层未设置在第二基体基板BS2上，所以与形成包括无机层的第一阻挡层BL1不同，可以通过高温化学气相沉积工艺形成第二阻挡层BL2的无机层。
通过高温化学气相沉积工艺形成的第二阻挡层BL2具有比第一阻挡层BL1的密度大的密度。虽然第二阻挡层BL2的厚度相对小，使得第二阻挡层BL2薄，但是第二阻挡层BL2具有高的漏电流防止效果。将参照图8对此加以详细描述。
图8是示出根据使用不同材料在不同工艺下形成的阻挡层的示例性实施例的作为安培每平方厘米（A/cm2）（例如，漏电流的值域）的对数函数的漏电流的图示。在第一实验示例DA1至第四实验示例DA4中，第一电极或第二电极被阻挡层覆盖。
第一实验示例DA1中的阻挡层是氧化硅（SiOx）层，并且利用化学气相沉积工艺在大约245摄氏度（℃）的温度下形成。第一实验示例DA1的阻挡层具有大约300nm的厚度。大约245℃的温度是有机层不被损坏的临界温度，并且考虑到化学气相沉积工艺被视为低温。
在第二实验示例DA2中，阻挡层是氧化硅层，并且利用化学气相沉积工艺在大约373℃的温度下形成。第二实验示例DA2的阻挡层具有大约300nm的厚度。
如图8所示，因为利用在相对高的温度下执行的化学气相沉积工艺来形成第二实验示例DA2的阻挡层，所以即使第二实验示例DA2的阻挡层具有与第一实验示例DA1的阻挡层的厚度相同的厚度，第二实验示例DA2的阻挡层也可以减小漏电流。参照图8，第二实验示例DA2中的漏电流为大约1.6×10-7A/cm2（其为若干实验值中的中间值），并且此值是第一实验示例DA1中的大约4.8×10-7A/cm2（其为若干实验值中的中间值）的漏电流的三分之一。
第三实验示例DA3和第四实验示例DA4中的阻挡层为氮化硅层。第三实验示例DA3的阻挡层具有大约300nm的厚度，并且利用化学气相沉积工艺在大约245℃的温度下形成。第四实验示例DA4的阻挡层具有大约200nm的厚度，并利用化学气相沉积工艺在373℃的温度下形成。
如图8所示，利用在相对高的温度下执行的化学气相沉积工艺形成第四实验示例DA4的阻挡层。第四实验示例DA4的阻挡层可以减小漏电流。即使第四实验示例DA4的阻挡层比第三实验示例DA3的阻挡层薄，第四实验示例DA4的漏电流也小于第三实验示例DA3的漏电流。参照图8，第三实验示例DA3中的漏电流为大约1.3×10-7A/cm2（其为若干实验值的中间值），并且第四实验示例DA4的漏电流为大约1.5×10-9A/cm2（其为第四实验示例DA4中的若干实验值的中间值）。
根据图8，通过利用化学气相沉积工艺在较高温度下形成的阻挡层的漏电流防止效果高于通过利用化学气相沉积工艺在较低温度下形成的阻挡层。因此，根据本发明的电润湿显示装置的一个或多个示例性实施例的第二阻挡层BL2可以具有比第一阻挡层BL1的厚度小的厚度。在一个示例性实施例中，例如，第二阻挡层BL2的厚度等于或小于大约300nm。
虽然电润湿显示装置包括第二阻挡层BL2，但是因为第二阻挡层BL2的厚度薄，所以驱动电压的增大率小。
下面的表1示出了仅包括第一阻挡层BL1的电润湿显示装置的对比示例的漏电流和包括第一阻挡层BL1和第二阻挡层BL2二者的电润湿显示装置的示例性实施例的漏电流。
第一阻挡层BL1包括厚度为大约100nm的氮化硅层、厚度为大约50nm的氧化硅层和厚度为大约350nm的氮化硅层。利用化学气相沉积工艺在大约245℃的温度下顺序地沉积这些层。第二阻挡层BL2包括厚度为大约250nm的氮化硅层，并且利用化学气相沉积工艺在373℃的温度下形成。
表1中示出的漏电流是在电润湿显示装置的多个位置上测量的。在电润湿显示装置仅包括第一阻挡层BL1的情况下，在四个位置处测量漏电流。对于电润湿显示装置的示例性实施例，在电润湿显示装置中的十六个位置处测量漏电流。
表1
如表1中所示，与根据本发明的电润湿显示装置的示例性实施例相比，仅包括第一阻挡层BL1的电润湿显示装置具有更高的漏电流。仅包括第一阻挡层BL1的电润湿显示装置的漏电流是示例性实施例电润湿显示装置的漏电极的一百倍。
虽然已经描述了本发明的示例性实施例，但是应当理解，本发明不应当限于这些示例性实施例，而是可以在所要求保护的本发明的精神和范围内由本领域的普通技术人员做出各种改变和修改。
Claims (14)
1.一种电润湿显示装置，所述电润湿显示装置包括：
第一基体基板，面对第二基体基板；
第一电极，在第一基体基板上；
第一阻挡层，覆盖第一电极；
第二电极，在第二基体基板上；
第二阻挡层，覆盖第二电极，其中，所述第二阻挡层包括堆叠结构，所述堆叠结构包括第一无机层、第一有机层以及第二无机层；
阻挡壁，在第一基体基板和第二基体基板之间，其中，阻挡壁限定与第一电极对应的像素区域；以及
电润湿层，在像素区域中，在第一基体基板和第二基体基板之间，并包括第一流体和第二流体，其中，所述第一流体是电解质溶液，并且所述第二流体与所述第一流体不能混合。
2.根据权利要求1所述的电润湿显示装置，所述电润湿显示装置还包括位于第一阻挡层上的疏水层。
3.根据权利要求2所述的电润湿显示装置，其中，
第一阻挡层包括覆盖第一电极的第三无机层和位于无机层上的有机层。
4.根据权利要求1所述的电润湿显示装置，所述电润湿显示装置还包括位于第一电极和第一基体基板之间的有机层。
5.根据权利要求4所述的电润湿显示装置，其中，有机层具有红色、绿色和蓝色中的一种。
6.根据权利要求4所述的电润湿显示装置，其中，第一阻挡层包括第三无机层。
7.根据权利要求1所述的电润湿显示装置，其中，第一阻挡层包括多个层。
8.根据权利要求7所述的电润湿显示装置，其中，第一阻挡层的所述多个层中的至少一个包括无机层。
9.根据权利要求8所述的电润湿显示装置，其中，无机层包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。
10.根据权利要求8所述的电润湿显示装置，其中，所述第一阻挡层的所述多个层中的至少一个包括有机层。
11.根据权利要求1所述的电润湿显示装置，其中，所述第一阻挡层具有等于或大于300纳米且等于或小于500纳米的厚度。
12.根据权利要求1所述的电润湿显示装置，其中，所述第二阻挡层具有等于或小于300纳米的厚度。
13.一种制造电润湿显示装置的方法，所述方法包括：
在第一基体基板上设置第一电极；
设置覆盖所述第一电极的第一阻挡层；
在第二基体基板上设置第二电极，其中，所述第一基体基板面对所述第二基体基板；
设置覆盖所述第二电极的第二阻挡层，其中，所述第二阻挡层包括堆叠结构，所述堆叠结构包括第一无机层、第一有机层以及第二无机层；
在所述第一基体基板和所述第二基体基板之间设置阻挡壁，其中，所述阻挡壁限定与所述第一电极对应的像素区域；以及
在所述像素区域中并且在所述第一基体基板和所述第二基体基板之间设置电润湿层，其中，所述电润湿层包括第一流体和第二流体，其中，所述第一流体是电解质溶液，并且所述第二流体与所述第一流体不能混合。
14.根据权利要求13所述的方法，其中
设置第二阻挡层包括在第一温度执行的化学气相沉积处理，
设置第一阻挡层包括在第二温度执行的化学气相沉积处理，所述第一温度高于所述第二温度，并且
所述第二阻挡层的密度大于所述第一阻挡层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG LCD NETHERLANDS R + D CENTER Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20131218 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Holland Ian Deho Finn Applicant after: LIQUAVISTA B.V. Address before: Holland Ian Deho Finn Applicant before: Samsung LCD Netherlands Research and Development Center |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: SAMSUNG LCD NETHERLANDS R + D CENTER TO: LIQUAVISTA B. V. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20131218 Address after: Holland Ian Deho Finn Applicant after: Samsung LCD Netherlands Research and Development Center Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant before: Samsung Display Co.,Ltd. |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170825 |