CN103377963A - 用于叠加度量的工具所致移位减少量的确定 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于叠加度量的工具所致移位减少量的确定，其中，一个实施例涉及一种用于半导体工件加工的方法。在这一方法中，通过对第一半导体工件执行基线数目的工具所致移位(TIS)测量来确定基线TIS。在已经确定迹线TIS之后，该方法基于对第一后续半导体工件取得的后续数目的TIS测量确定后续TIS。TIS测量的后续数目少于TIS测量的基线数目。

Description

用于叠加度量的工具所致移位减少量的确定
技术领域
本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及用于叠加度量的工具所致移位减少量的确定。
背景技术
在过去四十年，集成电路密度已经按照称为摩尔定律的趋势而增加。简而言之，摩尔定律认为集成电路(IC)上的晶体管数目约每18个月翻一倍。因此，只要半导体产业可以继续维护这一简单“定律”，IC就能在速度和功率上约每18个月翻一倍。在很大程度上，IC速度和功率的这一明显增加已经催生了当今的信息时代的曙光。
不同于无论人类的活动如何都成立的自然定律，摩尔定律只在创造者克服与其关联的技术挑战时才成立。继续允许摩尔定律成立的进展之一是光学叠加度量(overlay metrology)，该进展允许在图案化的层之间执行极为准确的叠加测量。例如，光学叠加度量可以测量第一图案化层相对于在第一图案化层以上或者以下的第二图案化层的对准的准确度。如果工件包含未对准的层，则衬底可以被重新加工(例如可以剥离作为光阻剂的第一或者第二层)并且返回到光刻工艺以在正确对准时再次曝光。遗憾的是，这些度量技术的容限或者测量不确定性对于下一代器件而言还是太大了。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种用于测量工具所致移位(TIS)的方法，包括：对半导体工件进行定位，以使与半导体工件上的第一对准标记对应的视野(FOV)将视野的有向定向从第一角定向改变成第二角定向，其中，相对于延伸经过半导体工件的第一直径轴测量第一角定向和第二角定向；在第一角定向和第二角定向均以多个光学角度观看第一对准标记；以及针对第一对准标记分别在第一角定向和第二角定向测量多个光学角度的第一多个叠加偏移。
该方法还包括：使用第一多个叠加偏移，以确定作为光学角度函数的表示第一对准标记的TIS的第一曲线或线条。
该方法进一步包括：对半导体工件重新定位，以使FOV对应于半导体工件上的第二对准标记；在第一角定向和第二角定向均以多个光学角度观看第二对准标记；针对第二对准标记分别在第一角定向和第二角定向测量多个光学角度的第二多个叠加偏移；以及根据第二多个叠加偏移确定多个TIS。
该方法进一步包括：针对第二对准标记将多个TIS拟合成第二线条或曲线；基于第一线条或曲线与第二线条或曲线的交点确定最小TIS。
该方法进一步包括：将最小TIS与在后续半导体工件上的层之间测得的叠加偏移求和，并且将该和与最大可接受对准容限进行比较。
该方法进一步包括：通过得到第一叠加偏移与第二叠加偏移之差来确定第一TIS，其中，以第一光学角度和第一角定向测量第一叠加偏移，以及以第一光学角度和第二角定向测量第二叠加偏移。
该方法进一步包括：通过得到第三叠加偏移与第四叠加偏移之差来确定第二TIS，其中，以第二光学角度和第一角定向测量第三叠加偏移，以及以第二光学角度和第二角定向测量第三叠加偏移。
该方法进一步包括：针对第一对准标记将第一TIS和第二TIS拟合成第一线条或曲线。
此外，还提供了一种用于半导体工件加工的方法，包括：通过对第一半导体工件执行基线数目的工具所致移位(TIS)测量来确定基线TIS；在确定基线TIS之后，基于对第一后续半导体工件进行的后续数目的TIS测量来确定后续TIS，其中，TIS测量的后续数目少于TIS测量的基线数目。
该方法进一步包括：确定针对第一后续半导体工件测量的后续TIS与基线TIS的差值。
该方法进一步包括：基于差值是否与预定TIS阈值具有预定关系，通过针对第二后续半导体工件执行基线数目的TIS测量而选择性地重新确定基线TIS。
该方法进一步包括：当差值未表现出与预定TIS阈值的预定关系时，对第二后续半导体工件执行第二数目的TIS测量。
其中，对第一半导体工件执行基线数目的TIS测量包括：对第一半导体工件进行定位，以使与半导体工件上的第一对准标记对应的视野(FOV)将视野的有向定向从第一角定向改变成第二角定向，其中，相对于延伸经过第一半导体工件的第一直径轴测量第一角定向和第二角定向；在第一角定向和第二角定向均以多个光学角度观看第一对准标记；以及针对第一对准标记分别在第一角定向和第二角定向测量多个光学角度的第一多个叠加偏移。
该方法进一步包括：使用第一多个叠加偏移，以确定作为光学角度函数的表示第一对准标记的TIS的第一曲线或线条。
该方法进一步包括：对第一半导体工件重新定位，以使FOV对应于第一半导体工件上的第二对准标记；在第一角定向和第二角定向均以多个光学角度观看第二对准标记；针对第二对准标记分别在第一角定向和第二角定向测量多个光学角度的第二多个叠加偏移；以及根据第二多个叠加偏移确定多个TIS。
该方法进一步包括：针对第二对准标记将多个TIS拟合成第二线条或曲线；基于第一线条或曲线与第二线条或曲线的交点确定最小TIS。
此外，还提供了一种度量系统，包括：光源，用于向度量系统的光轴提供光；可移动台架，被配置成保持其上具有一个或多个对准标记的工件，以使来自光源的光撞击对准标记，并且进一步被配置成相对于光轴将工件旋转至相对于延伸经过工件的第一直径轴测得的第一角定向和第二角定向；焦点诊断元件，用于测量从对准标记反射的光，并且基于所测得的光移动台架，以将对准标记移入焦点；以及成像器件，被布置成针对第一角定向和第二角定向步进通过多个光学角度，以测量度量系统的工具所致移位(TIS)。
该度量系统进一步包括控制器，控制器被配置成：针对工件上的第一对准标记分别在第一角定向和第二角定向测量多个光学角度的第一多个叠加偏移；基于所测得的第一多个叠加偏移确定作为光学角度函数的表示第一对准标记的第一TIS的第一线条或曲线；针对工件上的第二对准标记分别在第一角定向和第二角定向测量多个光学角度的第二多个叠加偏移；以及基于所测得的第二多个叠加偏移确定作为光学角度函数的表示第二对准标记的第二TIS的第二线条或曲线。
其中，控制器进一步被配置成基于第一线条或曲线与第二线条或曲线的交点确定最小TIS。
其中，控制器进一步被配置成将最小TIS与在后续工件上的层之间测得的叠加偏移求和，并且将该和与可接受对准容限进行比较。
附图说明
图1A示出了条中条(bar in bar)对准标记的俯视图。
图1B示出了图1的条中条对准标记的横截面测量。
图1C-图1E示出了各种类型的叠加偏移条件。
图2A-图2D示出了用于测量工具所致移位(TIS)的技术。
图3是示出了用于在提供增加的晶片吞吐量的同时确定工具所致移位(TIS)的一个实施例的流程图。
图4是根据一些实施例的测量系统。
图5是示出了根据一些实施例的用于在考虑工具所致移位(TIS)的同时对准工件的方法的流程图。
具体实施方式
现在将参照附图描述本公开内容，其中相似标号用来全篇指代相似元件，以及其中所示结构未必按比例绘制。应理解，这一具体描述和对应图未以任何方式限制本公开内容的范围并且具体描述和附图仅提供一些实例以举例说明其中本发明概念可以表现它们本身的一些方式。
为了测量在半导体工件上的图案化层之间的叠加偏移而使用对准标记。最常用的叠加对准标记是通常称为“条中条”标记的方形(如图1A-图1E中示出了这些标记的一些实例)。虽然本文出于说明的目的而讨论条中条对准标记，但是应理解，也可以使用多种其它对准标记，并且本发明决不限于条中条对准标记。
图1A示出了具有分别设置于上层和下层上的内和外条标记102、104的条中条标记100的俯视图。例如，其上形成有外条标记104的下层可以是半导体衬底、金属层、介电层或者任何其它一层或者多层；而其上形成有内条标记102的上层可以例如是光阻剂层或者其它掩模层。
图1B示出了图1A的条中条标记100的截面图，其中上层(例如内条标记)和下层(例如外条标记)相隔高度差106，该高度差是在z轴112上测量的。z轴112与其上形成有条中条标记100的半导体衬底的正表面基本上垂直延伸，而x和y轴114、116(见图1A)在正表面的平面中而相互垂直地延伸。
为了确定在内与外条标记102、104之间的未对准或者叠加偏移的程度，度量系统进行光学测量以确定左和右内条标记102L、102R的位置。基于这些位置102L、102R，度量系统计算内中点108的位置。类似地，在测量左和右外条标记104L、104R的位置之后，度量系统计算外中点110。通过计算中点108与中点110之差来确定在X方向上的叠加偏移(如果有)(见图1C中的OLx)。这一相同方法可以用来确定在Y方向上的叠加偏移(见图1D中的OLy)和/或在层之间的偏斜或者旋转(见图1E中的OL
Figure BDA00002982845500051
)。
零叠加偏移意味着内条标记102(例如上光阻剂层)在经过显微镜观看时看上去确实在下外条标记104(例如下衬底、电介质或者金属层)内居中。然而，即使测量的叠加偏移为零(例如，如图1A中的情况所示)，即便有上层和下层在经过显微镜观看时看上去确实对准这样的事实，在上层与下层之间的基本的位移误差也可能仍然存在。这一基本位移误差的一个原因是工具所致移位(TIS)。工具所致移位(TIS)是光学测量工具中的缺陷所致的测量误差。可能例如在来自光源的光未与衬底表面确切垂直或者不是远心时引起TIS。
如现在关于图2A-图2D讨论的那样，为了测量TIS，度量系统可以执行一系列测量，其中，在0°和180°测量半导体工件上的多个对准标记在经过工件延伸的直径轴上的叠加偏移。给定的对准标记在0°和180°测量的叠加偏移大小相等并且符号相反，从而实现相互抵消(尽管有TIS)。在0°和180°测量的叠加偏移之间的任何残差是用于该对准标记的TIS的指示。
例如，图2A-图2B示出了针对在用于度量工具的视野(FOV，field ofview)204内定位的第一对准标记202A的叠加偏移测量。第一对准标记202A包括可能不合需要地相对于彼此偏移或者偏斜的第一层206和第二层208。在图2A的实例中，当工件定向于0°时，在x轴上测量在第一层206与第二层208之间的叠加偏移为+Δx(即，第二层208相对于第一层206在图2A中向右偏移)。当工件旋转180°时(图2B)，测量在第一层与第二层之间的叠加偏移为-Δx(即，第二层208相对于第一层206在图2A中向左偏移)。虽然这些叠加偏移应当在理想条件下正好大小相等符号相反，但是在实际情形中它们由于TIS而略有不同。因此，通过将分别在0°和180°取得的两个叠加偏移测量相减，可以基于第一对准标记202A确定TIS值。类似地，在图2C-图2D中，FOV204已经移向第二对准标记202B，并且可以在0°针对这一对准标记202B测量在第一层206与第二层208之间的叠加偏移(在这一情况下叠加偏移为+Δy)。工件再次旋转180°(图2D)，并且重新测量在第一层206与第二层208之间的叠加偏移(产生测量的叠加偏移-Δy)。通过将图2C-图2D中的两个叠加偏移测量值相减(其同样往往相互抵消(尽管有TIS))，可以基于第二对准标记202B确定TIS值。FOV 204可以移向附加对准标记(例如202C、202D)，在相应对准标记取得0°和180°叠加偏移测量，并且确定附加TIS测量。以这一方式，可以用相对好的准确度测量确定工件的TIS。
遗憾的是，对每一个工件的每个对准标记进行全方位(full-blow)TIS测量需要大量TIS测量，这可能减少从制作厂输出的每小时工件(WPH)数目。一种用于减少这一开销的方式将是仅对所选工件进行全方位TIS测量(例如，针对加工的每100个工件之中的12个工件进行TIS测量)，但是这样的技术带有如下风险：测量的工件在TIS方面在统计上适当高于平均值，因此可能遗漏改变的TIS，从而由于那些忽略的工件引起不良产出结果。此外，仅对所选工件执行全方位TIS测量也可能需要大量TIS测量，这可能减少从制作厂输出的每小时工件数目。因此，下文将阐述改进的TIS测量技术。
图3示出了TIS度量300，该度量提供良好工件吞吐量，同时还在工件加工期间不断提供相对准确的TIS测量。图3的度量方法提供对初始工件的严格TIS测量。只要测得的TIS测量值大于TIS阈值，该方法就对后续工件执行有限的TIS测量。因此，这一方案还提供相对高水平的TIS测量，以防范大量意外TIS改变，同时还能达到相对高水平的工件吞吐量。
方法300在302中开始，其中接收第一半导体工件。
在304中，通过对第一半导体工件执行基线数目(N基线)的TIS测量来确定TIS基线水平(TIS基线)。例如，考虑如下场景，其中第一工件包括分布于工件的正面上的12个对准标记，并且在每个对准标记上有8个采样点。在进行TIS测量时，12个对准标记中的每个对准标记会有8个采样。如先前在图2A-图2D中所述，将针对每个对准标记的0°定向和每个对准标记的180°定向测量这些采样。因此，在本实例中，将取得共计8×12×2＝192个采样以确定TIS基线水平。对准标记的数目和每个对准标记上的采样点数目并不限于这些值，并且可以根据运用的技术而任意变化。此外，在许多实施例中，也可以改变光学角度以确定TIS基线。
在306中，接收后续半导体工件。
在308中，通过对后续工件执行后续数目(N后续)的TIS测量来确定后续工具所致移位(TIS后续)。为了提高工件吞吐量，后续数目少于基线数目。例如，如果第二工件(如同第一工件)包括12个对准标记并且在每个对准标记上有8个采样点，则该方法可以仅对12个对准标记之中的三个标记(例如针对用于TIS后续的共计3×12×2＝72个采样)进行TIS测量。因此，这提供了一定水平的TIS校验以帮助防范TIS骤变，同时还保证了相当高水平的工件吞吐量。
在310中，方法300确定后续TIS与基线TIS之差，并且比较差值与预定TIS阈值。只要差值小于预定TIS阈值(在301为‘是’)，就仍然认为基线TIS测量值有效，因此该方法继续以减少数目的TIS测量(N后续)处理后续工件，以保持高工件吞吐量。
另一方面，如果差值大于预定TIS阈值(在310为‘否’)，则基线TIS可能过时，因而如路径314所示重新测量基线TIS。
图4示出了根据本公开内容一些实施例的度量系统400的框图。度量系统400包括具有光轴或者Z轴403的光学组件402、用于保持半导体工件406的台架404、以及控制器430。台架404可以在X、Y和Z方向上移动并且可以绕着Z轴旋转角度
Figure BDA00002982845500081
注意，该X、Y、Z移动和
Figure BDA00002982845500082
旋转是在光学组件402与台架404之间的相对移动/旋转，从而使台架404可以移动或者光学组件402可以移动(或者台架和光学组件可以按照协调方式移动)，以实现所需移动/旋转。
半导体工件406包括一个或者多个对准标记408，该对准标记表示工件上的两层或者更多层相对于彼此准确对准。半导体工件406可以例如是硅晶片、玻璃或者石英衬底、或者由除了硅之外的半导体材料制成的衬底。半导体工件406也可以包括非半导体材料(比如，介电层和光阻剂层)。
在操作期间，台架404和光学组件402移动，以在光学组件402的视野(FOV)内对工件上的对准标记408B定位。光源410朝着第一透镜412输出光，该透镜在光撞击棱镜或者分光器414之前对光进行平行化或者校准。光的第一部分沿着z轴403由分光器414朝着第二透镜416反射并且聚焦到对准标记408B上。撞击对准标记408B的光中的一部分从第二透镜416往回散射开，而其它光向第二透镜416中往回反射。该光往回穿过第二透镜416并且由分光器414再次分光。同样，一些光穿过第三透镜418，其中它以光学角度θ聚焦到成像器件420(例如CCD)上。如下文将更具体理解的那样，可以经过多个不同位置421对成像器件420的位置进行步进，以改变光学角度θ。例如，当成像器件420在位置421a时，光学角度将比在成像器件420处于421b时更大。
光最终沿着Z轴403向上穿过第四透镜422(例如，管形透镜)并且撞击第二分光器424。该光中的一些然后由焦点诊断(FD)元件426处理，该元件监视光强度并且创建用于自动聚焦的信号。因此，FD可以例如在Z方向上调整台架404的高度。光也撞击CCD428，该CCD针对用于工件406上的每个对准标记的每个光学角度(θ)和每个角定向
Figure BDA00002982845500083
测量反射光的强度。然后，控制器430(例如，微处理器)针对这些测量确定TIS3西伽马最小值。TIS3-西伽马最小值可以用来帮助确定后续对准测量值是否在规范内。
图5示出了根据本公开内容一些实施例的TIS度量方法500。尽管可以将这一方法和这里公开的其它方法示出和/或描述为一系列动作或者事件，但是应理解，这些动作或者事件的所示排序不应理解为限制性的。例如，一些动作可以按不同顺序或者与除了本文示出和/或描述的动作或者事件之外的其它动作或者事件并行出现。此外，可以并不需要所有所示动作以实施本文公开内容的一个或者多个方面或者实施例。另外，可以在一个或者多个分离的动作和/或阶段中进行本文描绘的动作中的一个或者多个动作。
如图5所示，该方法在502中开始，其中初始化一系列变量。在这一实例中，j是对准标记指数并且初始化成1；M是每个工件的对准标记数目并且初始化成12；θmax是最大光学角度并且设置成60°；θ是当前光学角度(见图4中的421)并且初始化成10°；并且θstep是光学角度步进并且设置成10°。这里出于理解的目的而选择这些初始化值，而这些值可以在实际实施中任意变化。因此，这些初始化值决不限制本公开内容的范围。
在初始化变量之后，该方法在半导体工件加载到光学组件的台架上时(比如图4中所示)继续504。工件通常包括布置于工件的表面之上的多个对准标记。
在506中，相对于光学组件移动台架，以将第一对准标记放入光学组件的视野内。
在508中，将角定向设置成第一值
Figure BDA00002982845500092
例如，如果工件的中心对应于原点并且向工件上的对准槽被分配0°角度，则在一些实施例中将角定向设置于0°。
在510中，在将角定向设置成第一值
Figure BDA00002982845500094
之时，测量叠加偏移(比如先前在图1A-图1B中描述的)。
在512中，相对于彼此旋转工件和光学组件使得角定向
Figure BDA00002982845500095
现在对应于第二值
Figure BDA00002982845500096
例如，假设向工件上的对准槽分配0°角度，在一些实施例中，将角定向设置于180°。
在514中，在将角定向
Figure BDA00002982845500101
设置成第二值
Figure BDA00002982845500102
时，重新测量叠加偏移。如果工件的表面未垂直于照明系统的光轴和/或光学系统的表面未垂直于衬底，则在510和514中测量的叠加偏移可能由于视差而不同。然而，由于180°工件旋转而应当抵消这一叠加偏移到视差。然而将不抵消TIS。
因而，在516中，根据下式计算TIS：
其中是在第一角定向测量的叠加偏移，而
Figure BDA00002982845500105
是在第二角定向测量的叠加偏移。
在518中，该方法按照预定步进递增光学角度θ(见图4中的421)，然后在520中评估是否已经针对当前对准标记评估了所有光学角度。如果有将针对当前对准标记评估的更多光学角度θ(在520为是)，则该方法回到506，并且对台架重新定位以及针对下一光学角度测量TIS。在本实例中，预定步进出于示例的目的而为10°，但是在其它实施例中，范围从一度的小部分到数十或者数百度的其它步进值均会出现。
当已经评估用于工件上的给定对准标记的所有光学角度时(在520为否)，该方法继续到522，并且针对对准标记绘制TIS比光学角度的线条或者曲线图。具体而言，“步进”光学角度θ并且测量对应叠加偏移(例如针对每个光学角度θ在0°和180°光学角度)有助于提供准确TIS测量。在效果上，其有助于保证显微镜准确聚焦于给定对准标记。
在524，该方法继续工件上的下一对准标记并且依次步进通过角定向和光学角度，以针对下一对准标记计算TIS比光学角度的另一线条或者曲线图。
该方法继续以这一方式评估对准标记，直至已经评估所有对准标记(在526为否)。当已经针对工件评估所有对准标记时，该方法继续至528并且基于来自522的测得的线条/曲线确定TIS3西格玛最小值。在530中，该方法通过使用确定的TIS3西格玛最小值针对后续工件评估叠加偏移。例如，当确定针对后续工件的偏移叠加测量是否在可接受容限内时，可以考虑确定的TIS3西格玛最小值以确定测量的偏移叠加是否可接受或者在可接受容限以外。因此，考虑其中最大可接受叠加偏移容限在两层之间为1nm的实例。如果测得的叠加偏移(尽管有TIS)为0.8nm并且确定的TIS3西格玛最小值为0.3nm，则实际叠加偏移(考虑TIS)可以是1.1nm，这大于1nm的最大容限，因此可以进行重新对准。另一方面，如果测得的叠加偏移(尽管有TIS)为0.8nm并且确定的TIS3西格玛最小值为0.1nm，则实际叠加偏移(考虑TIS)可以是0.9nm，这小于1nm的最大容限，因此无需对准。
将理解可以按不同顺序布置图5的方法中的块。例如在一些实施例中，将为给定对准标记针对第一角定向
Figure BDA00002982845500111
测量所有光学角度θ，并且随后将针对第二角度位置
Figure BDA00002982845500112
测量用于给定对准标记的所有光学角度θ。其他的顺序也是可能的。因此，图5仅为一种实例方法而不在任何意义上有限制作用。
因此，应理解，本文公开的一些方法涉及一种测量工具所致移位(TIS)的方法。在这一方法中，移动半导体工件使得与工件上的第一对准标记对应的视野(FOV)将它的有向定向(directional orientation)从第一角定向改变成第二角定向。相对于经过工件延伸的第一直径轴测量第一和第二有向定向。该方法在第一角定向和第二角定向按多个光学角度观看第一对准标记。该方法分别在第一和第二角定向针对多个光学角度测量第一多个叠加偏移。
其它方法涉及一种用于半导体工件加工的方法。在这些方法中的一些方法中，通过对第一半导体工件执行基线数目的TIS测量来确定基线工具所致移位(TIS)。在已经确定基线TIS之后，基于对第一后续半导体工件进行的后续数目的TIS测量确定后续TIS。TIS测量的后续数目少于TIS测量的基线数目。
其它实施例涉及一种度量系统。该系统包括用于朝着度量系统的光轴提供光的光源。可移动台架保持其上具有一个或者多个对准标记的工件，从而来自光源的光撞击对准标记。可移动台架相对于光轴将工件旋转至相对于经过工件延伸的第一直径轴测量的第一和第二角定向。焦点诊断元件测量从对准标记反射的光并且基于测量的光移动台架以将对准标记带入焦点。成像器件针对第一和第二角定向步进通过多个光学角度以测量度量系统的工具所致移位(TIS)。
虽然已经关于某些方面或者各种方面示出和描述了本公开，但是本领域普通技术人员将在阅读和理解本说明书和附图时想到等效变更和修改。具体地，关于由上文描述的部件(组件、器件、电路等)执行的各种功能，用来描述这样的部件的术语(包括参照“装置”)(除非另有明示)均旨在对应于任何如下部件，该部件执行描述的部件的指定功能(即，在功能上等效)、即使未在结构上等效于在本公开的本文中所示示例实施例中执行功能的公开结构。此外，尽管可能已经参照本公开的若干方面中的仅一个方面公开了本公开内容的特定特征，但是这样的特征可以如对于任何给定或者特定应用而言可能希望和有利的那样与其它方面的一个或者多个其它特征组合。另外，在术语“包括”、“具有”、“有”或者其变体在具体描述和权利要求中使用的范围上，这样的术语旨在以与术语“包括”相似的方式有包含意义。

Claims (10)

1.一种用于测量工具所致移位(TIS)的方法，包括：
对半导体工件进行定位，以使与所述半导体工件上的第一对准标记对应的视野(FOV)将所述视野的有向定向从第一角定向改变成第二角定向，其中，相对于延伸经过所述半导体工件的第一直径轴测量所述第一角定向和所述第二角定向；
在所述第一角定向和所述第二角定向均以多个光学角度观看所述第一对准标记；以及
针对所述第一对准标记分别在所述第一角定向和所述第二角定向测量所述多个光学角度的第一多个叠加偏移。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使用所述第一多个叠加偏移，以确定作为光学角度函数的表示所述第一对准标记的TIS的第一曲线或线条。
3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：
对所述半导体工件重新定位，以使所述FOV对应于所述半导体工件上的第二对准标记；
在所述第一角定向和所述第二角定向均以多个光学角度观看所述第二对准标记；
针对所述第二对准标记分别在所述第一角定向和所述第二角定向测量所述多个光学角度的第二多个叠加偏移；以及
根据所述第二多个叠加偏移确定多个TIS。
4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：
针对所述第二对准标记将所述多个TIS拟合成第二线条或曲线；
基于所述第一线条或曲线与所述第二线条或曲线的交点确定最小TIS。
5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：
将所述最小TIS与在后续半导体工件上的层之间测得的叠加偏移求和，并且将该和与最大可接受对准容限进行比较。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
通过得到第一叠加偏移与第二叠加偏移之差来确定第一TIS，其中，以第一光学角度和所述第一角定向测量所述第一叠加偏移，以及以所述第一光学角度和所述第二角定向测量所述第二叠加偏移。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
通过得到第三叠加偏移与第四叠加偏移之差来确定第二TIS，其中，以第二光学角度和所述第一角定向测量所述第三叠加偏移，以及以所述第二光学角度和所述第二角定向测量所述第三叠加偏移。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：
针对所述第一对准标记将所述第一TIS和所述第二TIS拟合成第一线条或曲线。
9.一种用于半导体工件加工的方法，包括：
通过对第一半导体工件执行基线数目的工具所致移位(TIS)测量来确定基线TIS；
在确定所述基线TIS之后，基于对第一后续半导体工件进行的后续数目的TIS测量来确定后续TIS，其中，TIS测量的所述后续数目少于TIS测量的所述基线数目。
10.一种度量系统，包括：
光源，用于向所述度量系统的光轴提供光；
可移动台架，被配置成保持其上具有一个或多个对准标记的工件，以使来自所述光源的光撞击所述对准标记，并且进一步被配置成相对于所述光轴将所述工件旋转至相对于延伸经过所述工件的第一直径轴测得的第一角定向和第二角定向；
焦点诊断元件，用于测量从所述对准标记反射的光，并且基于所测得的光移动所述台架，以将所述对准标记移入焦点；以及
成像器件，被布置成针对所述第一角定向和所述第二角定向步进通过多个光学角度，以测量所述度量系统的工具所致移位(TIS)。
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