CN103376339B - 一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法 - Google Patents

一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103376339B
CN103376339B CN201210128565.9A CN201210128565A CN103376339B CN 103376339 B CN103376339 B CN 103376339B CN 201210128565 A CN201210128565 A CN 201210128565A CN 103376339 B CN103376339 B CN 103376339B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mrow
graphene
friction force
msub
crystal orientation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210128565.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103376339A (zh
Inventor
刘连庆
张嵛
席宁
王越超
董再励
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenyang Institute of Automation of CAS
Original Assignee
Shenyang Institute of Automation of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenyang Institute of Automation of CAS filed Critical Shenyang Institute of Automation of CAS
Priority to CN201210128565.9A priority Critical patent/CN103376339B/zh
Publication of CN103376339A publication Critical patent/CN103376339A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103376339B publication Critical patent/CN103376339B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明涉及石墨烯晶向检测技术,具体是一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法,主要用于石墨烯加工制造领域。本发明采用AFM摩擦力扫描成像技术,在石墨烯材料上任意位置获取一条扫描摩擦力曲线,对该扫描数据运用小波变换和快速傅立叶变换,可提取出该摩擦力扫描线所包含的石墨烯原子的功率谱分布信息,进而作出石墨烯不同晶向的判别。本发明可在室温大气环境下,快速、方便、准确地实现石墨烯晶向的判别,具有重要的实用意义。

Description

一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法
技术领域
本发明涉及石墨烯晶向检测技术,具体是一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法,主要用于石墨烯加工制造领域。
背景技术
石墨烯具有优异的电学、物理和机械性能,在纳米器件方面已表现出不凡的性能,如高速自冷却FET、高灵敏传感器、超级电容等。近来,IBM成功研制出了迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管,其截止频率高达155GHz,远远超过目前最先进的具有相同栅极长度的硅晶体管(40GHz)。石墨烯被普遍认为是下一代芯片制造的理想材料。
然而,本征石墨烯没有能隙,因此石墨烯基晶体管无法被完全关闭,并不能实现传统晶体管的功能,这一缺陷将极大地限制它在纳米半导体器件方面的应用。理论和实验研究表明,石墨烯的电学性质与其边缘结构、几何构型密切相关,根据边缘结构不同,石墨烯可以显现不同电特性,其能隙宽度由其几何构型所决定。因此,有效的石墨烯结构切割剪裁技术可以实现其电学特性的调控,进而推动石墨烯基纳米器件的广泛应用。
目前已有的石墨烯切割剪裁技术,虽然能够在石墨烯上构建纳米结构,但是都为“盲加工”,是缺乏石墨烯晶格方向指导下的切割剪裁。无法实现具有特定边缘结构的几何构型剪裁,而研究表明,依据不同的边缘结构,石墨烯将呈现出不同的电学性质(金属性或半导体性)。因此,急需建立一种快速、有效的石墨烯晶向检测方法,在切割剪裁前,快速、准确地将石墨烯的晶向检测出来。这将极大地推进石墨烯在纳米器件方面的应用,对制造领域和国民经济意义重大。但目前还没有这方面的报道。
发明内容
针对现有技术的上述不足之处,本发明的目的是提供一种基于原子力显微术的石墨烯快速检测方法,可在室温、大气环境下在晶圆级大面积石墨烯上实现晶向的快速、准确检测,从而为特定边缘结构石墨烯基纳米器件的制造奠定基础。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法,包括以下步骤:
利用原子力显微镜在石墨烯样品上任意获取一条摩擦力扫描线,得到该扫描线的摩擦力信号;
对所述扫描线数据进行快速傅立叶变换,依据功率谱设计离散小波变换;
对所述扫描线数据小波变换进行分解,提取相关频域的摩擦力信号的数据;
对小波变换后的摩擦力数据进行快速傅立叶变换,获得摩擦力功率谱分布;
根据功率谱分布的不同进行石墨烯不同晶向的判别。
所述摩擦力扫描线不小于5nm。
所述小波变换为
DWT x ( i T s , a ) = T x 1 a Σ n x ( n T s ) ψ * ( ( n - i ) T s a ) - - - ( 1 )
其中,x()是原子力显微镜臂梁获取的摩擦力信号的采样信号;ψ*()是用于逼近采样信号的小波基函数;a为伸缩因子,表示与频率相关的伸缩,用于逼近x();X为被分析信号;n为采样点求和系数;i表示时间平移因子,表示在所有时间内进行变换;Ts为采样间隔,即相邻两次采样间的时间间隔;DWTx(iTs,a)表示离散小波变换,是连续小波变换的采样形式。
所述快速傅立叶变换为
X ( m ) = Σ k = 0 n - 1 x ( k ) e - 2 πi n mk , m = 0,1 , · · · , n - 1 - - - ( 2 )
其中,x()是小波变换后的摩擦力信号的采样信号,n为采样信号的长度,即表示采样点个数,k为求和参数。
本发明具有以下优点:
1.本发明利用AFM(原子力显微镜)控制技术快速获取一条摩擦力扫描线信息,并运用信号处理的知识,对获取的信息进行小波变换,经过FFT后根据功率谱分布不同判别石墨烯晶格方向;
2.本发明可在室温大气环境下,快速、方便、准确地实现石墨烯晶向的判别,具有重要的实用意义。
附图说明
图1是本发明的流程图;
图2是石墨烯样本的AFM扫描图像;其中,图2(a)是石墨烯样本的高度图像;图2(b)是图2(a)白线指示处石墨烯的高度分析曲线;
图3是获取的摩擦力信号图;
图4是摩擦力信号的小波分解图;
图5是摩擦力信号的小波变换信号分解图;
图6是获取的摩擦力信号功率谱图;
图7是石墨烯不同晶向的功率谱分布图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步的详细说明。
图1为本发明的实施流程图。本发明的一个实施例的具体步骤为:
1)、使用AFM摩擦力扫描模式,在图2(a)所示的石墨烯样本上获取一条摩擦力扫描线,进行高度分析(如图2(b)所示)。在本实施例中可以看出,虚线指示的高度差为2.647nm,即石墨烯的厚度。这说明样本是石墨烯而非石墨(当厚度超过3.34nm即为石墨)。摩擦力信号即采集的悬臂梁水平扭转信号。得到如图3的数据,其中横坐标为扫描线长度,纵坐标为摩擦力。
2)、在进行小波变换之前需要首先对悬臂梁获取的摩擦力信号进行一次FFT(傅里叶)变换,依据功率谱设计离散小波变换,通过小波变换保留相关频域,即功率谱密度较大的频域信号,依据功率谱设计离散小波变换。本实施例采用4层离散小波变换分解:由于采样点为512,扫描频率为39.5Hz,因此原始采用频率为20224Hz。根据香农采样定理A0=10112Hz,应用离散小波变换进行分解,
如图4所示。图5给出小波变换信号的分解图,其中x为原始信号,d1、d2、d3、d4和a4分别对应图4中D1、D2、D3、D4和A4频域的信号。
3)、运用FFT,根据晶格周期性规律,去掉多余频域信息,得到有效功率谱对应的有效频率分布(948Hz和1738Hz),如图6所示,横坐标为频率,纵坐标为功率谱密度。
4)、根据有效频率分布,可以做出晶格方向(zigzag或armchair)的判断;
图7给出了不同晶向与对应功率谱的对应情况。第一行图示,左侧为AFM的石墨烯成像;在该样本上,随机做摩擦力扫描,扫描角度为55°,长度5nm,获取3条摩擦力扫描线,分别用所得到的摩擦力扫描信息,运用上述方法,得到判别的晶向为armchair;
第二行和第三行图示意义同上,分别在扫描角度为85°和115°时,所得到的晶向判别为zigzag(锯齿型)和armchair(扶手椅型)。
右侧分别对应原子图像上L=58、L=116和L=216行处的扫描线所得到的功率谱分布以及仿真结果,可以看出,armchair晶向(scan angle分别为55°和115°)功率谱分布两个尖峰,而zigzag晶向(scan angle为85°)功率谱仅分布一个尖峰。

Claims (4)

1.一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
利用原子力显微镜在石墨烯样品上任意获取一条摩擦力扫描线,得到该扫描线的摩擦力信号;
对所述扫描线的摩擦力信号进行快速傅立叶变换,依据功率谱设计离散小波变换;
对所述扫描线的摩擦力信号小波变换进行分解,提取功率谱密度较大的频域的摩擦力信号的数据;
对小波变换后的摩擦力数据进行快速傅立叶变换,获得摩擦力功率谱分布;
根据功率谱分布的不同进行石墨烯不同晶向的判别。
2.根据权利要求1所述的一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法,其特征在于,所述摩擦力扫描线不小于5nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法,其特征在于,所述小波变换为
DWT x ( iT s , a ) = T x 1 a Σ n x ( nT s ) ψ * ( ( n - i ) T s a ) - - - ( 1 )
其中,x(nTs)是原子力显微镜臂梁获取的摩擦力信号的采样信号;是用于逼近采样信号的小波基函数;a为伸缩因子,表示与频率相关的伸缩,用于逼近x(nTs);x为被分析信号;n为采样点求和系数;i表示时间平移因子,表示在所有时间内进行变换;Ts为采样间隔,即相邻两次采样间的时间间隔;DWTx(iTs,a)表示离散小波变换,是连续小波变换的采样形式。
4.根据权利要求1所述的一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法,其特征在于,所述快速傅立叶变换为
X ( m ) = Σ k = 0 n - 1 x ( k ) e - 2 πi n mk , m = 0,1 , . . . , n - 1 - - - ( 2 ) 其中,x(k)是小波变换后的摩擦力信号的采样信号,n为采样信号的长度,即表示采样点个数,k为求和参数。
CN201210128565.9A 2012-04-27 2012-04-27 一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法 Active CN103376339B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210128565.9A CN103376339B (zh) 2012-04-27 2012-04-27 一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210128565.9A CN103376339B (zh) 2012-04-27 2012-04-27 一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103376339A CN103376339A (zh) 2013-10-30
CN103376339B true CN103376339B (zh) 2015-05-20

Family

ID=49461769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210128565.9A Active CN103376339B (zh) 2012-04-27 2012-04-27 一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103376339B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113392473B (zh) * 2020-03-11 2024-01-23 中国科学院沈阳自动化研究所 一种基于傅里叶级数的功图转换优化方法
CN112526173B (zh) * 2020-12-09 2023-05-16 湘潭大学 一种检测材料晶界的晶体结构的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5440121A (en) * 1993-12-28 1995-08-08 Seiko Instruments Inc. Scanning probe microscope
TW463282B (en) * 2000-11-03 2001-11-11 Promos Technologies Inc Integrated circuit defect inspection using Fourier transform spatial filtering technique
CN1476533A (zh) * 2000-09-20 2004-02-18 卡伯特公司 一种量化多晶物质结构均匀性的方法
CN101477022A (zh) * 2009-01-19 2009-07-08 四川大学 基于多尺度系统理论量化表征薄膜表面形貌的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02263102A (ja) * 1989-04-03 1990-10-25 Olympus Optical Co Ltd 逆格子空間像の測定方法および電流像の測定方法
JP3226314B2 (ja) * 1992-03-02 2001-11-05 オリンパス光学工業株式会社 走査型プローブ顕微鏡データ処理装置
JP3123497B2 (ja) * 1998-03-02 2001-01-09 日本電気株式会社 原子間力顕微鏡による液晶配向膜の配向性評価法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5440121A (en) * 1993-12-28 1995-08-08 Seiko Instruments Inc. Scanning probe microscope
CN1476533A (zh) * 2000-09-20 2004-02-18 卡伯特公司 一种量化多晶物质结构均匀性的方法
TW463282B (en) * 2000-11-03 2001-11-11 Promos Technologies Inc Integrated circuit defect inspection using Fourier transform spatial filtering technique
CN101477022A (zh) * 2009-01-19 2009-07-08 四川大学 基于多尺度系统理论量化表征薄膜表面形貌的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Wavelet analysis of the surface morphologic of nanocrystalline TiO2 thin films;Yuan Lin et al.;《SURFACE SCIENCE》;20050320;第579卷(第1期);第37-46页 *
单晶铜原子力显微镜加工过程亚表面变形层的分子动力学仿真;孙俊杰 等;《机械工程学报》;20090131;第45卷(第1期);第174-179页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103376339A (zh) 2013-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. Ion beam modification of two-dimensional materials: Characterization, properties, and applications
Basov et al. Colloquium: graphene spectroscopy
Wojtaszek et al. A road to hydrogenating graphene by a reactive ion etching plasma
Huang et al. Grains and grain boundaries in single-layer graphene atomic patchwork quilts
Xu et al. Thermal and thermoelectric properties of graphene
Zhu Mechanics of crystalline nanowires: an experimental perspective
Favia et al. Nanobeam diffraction: Technique evaluation and strain measurement on complementary metal oxide semiconductor devices
Ochedowski et al. Manipulation of the graphene surface potential by ion irradiation
Musumeci Advanced scanning probe microscopy of graphene and other 2D materials
Pascher et al. Scanning gate microscopy on a graphene nanoribbon
Zhao et al. Coherent thermoelectric power from graphene quantum dots
CN103376339B (zh) 一种基于原子力显微术的石墨烯晶向快速检测方法
Friedensen et al. Materials analysis and focused ion beam nanofabrication of topological insulator Bi2Se3
Kang et al. Enhanced piezoelectric properties of vertically aligned single-crystalline NKN nano-rod arrays
Lanza et al. Nanogap based graphene coated AFM tips with high spatial resolution, conductivity and durability
Ureña et al. Strain in silicon nanowire beams
Wong et al. Site-specific electrical contacts with the two-dimensional materials
Pantano et al. Investigation of charges-driven interactions between graphene and different SiO2 surfaces
Giannazzo et al. Irradiation damage in graphene on SiO2 probed by local mobility measurements
Openov et al. Real-time evolution of the buckled Stone-Wales defect in graphene
Denneulin et al. The addition of strain in uniaxially strained transistors by both SiN contact etch stop layers and recessed SiGe sources and drains
McClarty et al. Piezoresistive characterization of bottom-up, n-type silicon microwires undergoing bend deformation
Michel et al. What can be learnt on the yield stress anomaly of Ni3Al using AFM observations
Kim et al. Strain distribution and interface modulation of highly lattice-mismatched InN/GaN heterostructure nanowires
Yang et al. High intensity induced photocurrent polarity switching in lead sulfide nanowire field effect transistors

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant