JPH02263102A - 逆格子空間像の測定方法および電流像の測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野］ この発明は、結晶構造解析に関する。

［従来の技術］ 従来、試料表面の結晶構造などの原子ザイズでの構造を
解析する手段として、回折法を用いたＸ線回折法などに
よる測定が行なわれている。

以下、Ｘ線回折を用いた構造解析の原理について説明す
る。

電子が連続的に分布している物質に、波長λ、振動数ν
の単色Ｘ線が入射されると、物質中の電子は入射Ｘ線と
同じ振動数で振動する。この結果、各電子を中心として
Ｘ線が散乱される。このとき、物質中の適当な位置に原
点をとり、この原点からみた電子の座標をｒとし、座標
ｒにおける電子密度をρ（ｒ）とすると、座標ｒにおけ
る散乱波は、ｐ　（ｒ）ｅｘｐ　（２πｉ　（νｔ＋δ
（ｒ）））で示される。ここに、変数ｔは時間、２πδ
（ｒ）は位相を示す。上式において、指数関数部が波を
数学的に表現した部分で、波が振動数νで周期的に変動
するのを示している。測定の際、観測点において実際に
観測される回折Ｘ線（散乱Ｘ線）は、物質のあらゆる所
から同じ振動数の波がρ（ｒ）に比例して散乱されるの
で、物質中の各電子からの散乱Ｘ線の位相を考慮した重
ね合わせとなる。

このとき、散乱振幅Ｅは、 Ｅ＝、ｌ’ρ（ｒ）ｅｘｐ （２πｉ（νｔ＋δ（ｒ））ｌｄｖ ＝ｊｐ　（ｒ）ｅｘｐ　（２πｉδ（ｒ））ｄｖ・ｅＸ
ｌ）（２πｉνｔ） ！ＦＩＩｅｘｐ（２πｉνｔ） で示される。ここにＦは、 Ｆ−ｆｐ　（ｒ）ｅｘｐ　（２πｉδ（ｒ）ｌｄｖであ
る。

回折Ｘ線として観察されるのは、散乱振幅Ｅの２乗に比
例した量、すなわち、 Ｅ−Ｅ　　＝Ｆ・ｅｘｐ　（２πｉνｔ）ｅＦ　　　　
　・　　ｅｘｐ　　　（−２π　ｉ　　　ν　ｔ）−Ｆ
−Ｆ　　−［Ｆ］　２ に比例した量である。

座標「において散乱される波の位相δ（ｒ）は、原点に
おいて散乱される波の位相δ（０）を基準にすると、２
つの波（座標ｒにおける散乱波と原点における散乱波）
の位相差で表わされる。すなわち、２つの波の行路差ｄ
は、入射Ｘ線の方向をＳ　（０）　、散乱波の方向を５
（１）とし、５（１）の方向で十分遠い距離の点でＸ線
を観察するとき、ｄ−３（１）　・ｒ−８（０）　・ｒ であられされる。従って、位相差りは、Ｄ−２πｄ／λ 一２ｙｒ　（Ｓ　（１）　／λ−８（０）　／λ）・ｒ
となる。ここで、（Ｓ　（１）　／λ−５（０）／λ）
は散乱ベクトルにと呼ばれ、散乱Ｘ線の入射Ｘ線に対す
る相対的な方向を示す。

この散乱ベクトルＫを用いると、位相δ（ｒ）および散
乱Ｘ線強度Ｉ　（Ｋ）は、 δ（ｒ）−にやｒ Ｉ　（Ｋ）−Ｅ−Ｅ　　−Ｆ−Ｆ　　−［Ｆ］　２＝ｊ
ｐ　（ｒ）ｅｘｐ　（２πｉＫ・ｒ）ｄｖで表わされる
。すなわち、散乱Ｘ線の強度は測定試料の電子密度をに
空間でフーリエ変換したものに対応している。

Ｘ線回折による試料表面の構造解析の場合、散乱Ｘ線と
入射Ｘ線のなす角度を変化させながら、すなわち散乱ベ
クトルにの大きさを変化させながら、Ｘ線散乱強度の散
乱ベクトル依存性１　（Ｋ）を測定する。これをフーリ
エ逆変換して、ρ（ｒ） ＝Ｊ’Ｆ　（Ｋ）ｅｘｐ　（−２πｉＫ争ｒ）ｄｖ試料
中の電子密度ρ（ｒ）の空間分布を求め、試料表面の結
晶構造などを推定する。

一般に結晶の電子密度の空間分布は、主に、単位格子を
基本構造として結晶全体に広がっている周期構造（基本
ベクトル：ａ、ｂ、ｃ）、単位格子内の原子（分子）配
列で決まる単位格子内の構造（基本ベクトル：ｒｊ）、
および、単位格子内のそれぞれの原子（分子）内部の電
子密度の空間分布（基本ベクトル：Ｒ）の３つの要因か
ら決定される。

この他の要因としては超格子を基本格子として結晶全体
に広がっている周期構造などが考えられる。

結晶上の座標ｒは、上述した３種類の基本ベクトルを用
いて、 ｒ−（ｈ−ａ＋に拳ｂ＋１　・ｃ）＋ｒ　ｊ＋Ｒで示さ
れる。この関係式を用いると、電子密度ρ（ｒ）のフー
リエ変換で表わされる散乱Ｘ線強度Ｉは、 ■＝（ｆρ（（ｈ−ａ十に−ｂ＋１拳ｃ）十ｒ　ｊ十Ｒ
）　　・ｅｘｐ　（２π１Ｋ（（ｈ＠ａ十にφｂ＋１１
１ｃ）十ｒｊ十Ｒ）　）　ｌ　２ ＝（（Σｅｘｐ　（２π　Ｉ　Ｋ　−ｈ　拳　ａ）φ　
Σ　ｅ　Ｘ　ｐ　（２π　ｉ　Ｋ　−ｋ　−ｂ）・　Σ
　ｅｘｐ（２π　ｉ　Ｋ　・　１　・　ｃ））・　Σ　
ｅｘｐ　　（２π　ｉＫ−ｒ　　ｊ）・　ｆρ　（Ｒ）
　ｅＸｐ　（２π　ｉ　−Ｒ））　２＝　　（Ｌ　　（
Ｋ）　　・　Ｆ　　（Ｋ）　　・　ｆ　　（Ｋ）　　＋
　　２となる。ここに、 Ｌ　（Ｋ）　＝　（ΣｅＸｐ（２π１Ｋ−ｈ−ａ）争Σ
ｅｘｐ（２π１ＫＩＩｋ＋１ｂ） ・　Σ　ｅｘｐ　　　（２π　ｉＫ　　−１拳　ｃ）Ｉ
Ｆ　（Ｋ）　＝Σｅｘｐ　（２πｉＫφｒ　ｊ）ｆ　　
（Ｋ）＝ｆρ（Ｒ）ｅＸｐ　（２π１−Ｒ）である。こ
のように散乱Ｘ線強度■は、結晶構造因子Ｌ　（Ｋ）と
単位胞構造因子Ｆ　（Ｋ）と原子構造因子ｆ　（Ｋ）と
の積で表わされる。

この結果、Ｘ線回折法により得られた測定結果、すなわ
ち散乱Ｘ線強度Ｉから、試料表面の電子密度ρを求める
ことにより、試料表面の結晶構造、単位胞構造、あるい
は超周期構造などを推定することができる。

［発明が解決しようとする課題］ 上述したＸ線回折法において測定される回折Ｘ線の強度
は、観測領域全体にわたる各電子の散乱強度の積分で表
わされるため、得られる情報は観測領域における平均構
造を表わす。従って、試料の局所構造の回折像を得るに
は、照射するＸ線のビームスポットを小さくすればよい
。しかし、Ｘ線ビームは、数十人平方程度まで絞り込む
ことはできない。このため、試料の局所構造は観測でき
ない。

例えば、室温付近でのフェノチアジンのように、単斜晶
形結晶ドメインがミクロな双晶構造をとる結晶の場合、
Ｘ線回折の測定結果は単斜晶形双晶の平均構造として斜
方晶形となってしまう。このため、単斜晶形結晶ドメイ
ンに関する情報はＸ線回折法からは得られない。このよ
うに、１．００〜１０６個の原子から構成されるドメイ
ンなどの局所構造を回折法を用いた測定から推定するこ
とは困難である。

この発明は、試料の局所構造を観測できる逆格子空間像
の測定方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明の逆格子空間像の測定方法は、試料表面に探針
を接近させて配置し、前記探針にバイアス電圧を印加さ
せて前記試料表面を走査させ、探針試料間に流れるトン
ネル電流を検出してトンネル電流像を得た後、このトン
ネル電流像をフーリエ変換して逆格子空間像を得ること
を特徴とし、この発明の電流像の測定方法は、試料表面
に探針を接近させて配置し、前記探針にバイアス電圧を
印加させて前記試料表面を走査させ、探針試料間に流れ
るトンネル電流を検出してトンネル電流像を得る工程と
、このトンネル電流像をフーリエ変換して逆格子空間像
を得る工程と、この逆格子空間像から特定の周期構造の
像を選択する工程と、この周期構造の像を逆フーリエ変
換して、特定の周期構造をもつ電流像を得る工程とを有
することを特徴とする。

［作用］ この発明では、試料表面に探針を接近させて配置し、前
記探針にバイアス電圧を印加させて前記試料表面を走査
させ、探針試料間に流れるトンネル電流を検出してトン
ネル電流像を得る走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）にお
いて、 得られるトンネル電流像をフーリエ変換して逆格子空間
像を得る。

さらに、この逆格子空間像から特定の周期構造の像を選
択し、この周期構造の像を逆フーリエ変換して、特定の
周期構造をもつ電流像を得る。

上述したＳＴＭは、特許国際公開Ｗ　ｏ　８９１０１６
０３において公知である。このＳＴＭにおいて、探針−
試料間に流れるトンネル電流の大きさＪは、 Ｊ＝Ａ−ｅｘｐ　（−２ｋＬ）ｐ　（ｒ）で表わされる
。ここに、Ｌは探針−試料間距離、ρ（ｒ）は試料表面
の電子密度の空間分布である。

上式かられかるように、トンネル電流は、探針−試料間
距離が長くなると指数関数的に減少し、試料表面におけ
る電子密度ρ（ｒ）の面内分布に比例している。測定さ
れるトンネル電流信号は、１０人平方〜１０μｍ平方程
度の走査領域内における試料表面の電子密度の空間分布
を示す。電子密度の空間分布は、走査領域内の試料表面
の位置に関する情報、例えば、どの位置に凹凸があり、
どの位置に電荷が集中しているかなどといった情報を示
す。しかし、このトンネル電流像から局所構造内部の周
期や周期構造の乱れの度合などに関する定量的データを
直接的に求めることはできない。

ＳＴＭにより得たトンネル電流像をフーリエ変換するこ
とにより、逆格子空間像を得る。この逆格子空間像は、
探針の走査領域、すなわち１０人平方〜１０μｍ平方程
度の局所領域の回折像の情報に等しい。従って、試料の
局所構造を解析する情報を得ることができる。

［実施例］ 走査型トンネル電流顕微鏡の上面図および側面図を、第
１Ａ図および第１Ｂ図に示す。

方形の基板１の一方の端部上面に立設されたほぼ三角状
のマイクロベース２のほぼ中心部には、このマイクロベ
ース２に直交するように差動マイクロメーター３が固定
されている。この差動マイクロメーター３は、その先端
部がマイクロベース２の前面に突出する一方、後端に設
けられた操作部がマイクロベース２の後面に突出してい
る。差動マイクロメーター３の先端部は、基板上に配置
されたゴニオメータ−４に垂直に設けられた板バネ５に
接している。板バネ５の上部には、板バネ５に直交する
ように積層型圧電アクチュエーター６が固定されている
。さらに積層型圧電アクチュエーター６の先端部は、ゴ
ニオメータ−４に直交して固定された試料台７に接して
いる。試料８は、試料台７の上端部に保持される。

また、基板１の他方の端部上面にはスキャナーベース１
０が立設されている。スキャナーベース１０のほぼ中央
部には、スキャナーである円筒型圧電アクチュエーター
１１が、その軸線が差動マイクロメーター３の軸線に一
致するように、スキャナーベース１０に固着されたスキ
ャナー受け１２により保持されている。円筒型圧電アク
チュエーター１１の先端の中心部には、トンネル電流を
検出する探針１３が、ホルダー１４を介して垂直に設け
られている。この結果、探針１３は試料面に垂直に配置
される。

差動マイクロメーター３は、操作部を所定角度回転させ
ることにより、その先端部が前方に微小距離移動し、積
層型圧電アクチュエーター６及び試料台７を前方に押し
出す。この結果、試料台７に保持された試料８は探針１
３に接近する。このように、差動マイクロメーター３は
、試料面に垂直な方向（Ｚ方向）の粗動機構を構成する
。

円筒型圧電アクチュエーター１１は、長さ４０ｎ＋ｍ、
肉厚０．５訂の中空構造をなし、内側には試料面に垂直
なＺ方向制御用の単一電極を備え、外側には試料面に平
行なＸ、Ｙ方向に位置制御するための４分割電極を備え
る。これらの電極に電圧が印加されることにより、３次
元方向に走査される。この円筒型圧電アクチュエーター
゛のＸ、　Ｙ方向の最大走査範囲は１０μｍ平方で、Ｚ
方向の最大移動距離は３μｍである。

測定動作について説明すると、まず試料８と探針１３の
間にはトンネルバイアス電圧が印加される。また、積層
型圧電アクチュエーター６がオートアプローチ駆動回路
により駆動されて、探針１３が試料８に接近される。こ
のとき、探針−試料間に流れるトンネル電流の値（実際
には電流−電圧変換された後の電圧信号である）は、常
時、コンパレーターにより基準値（電流信号換算で０．
５ｎＡに対応する電圧信号）と比較される。トンネル電
流の値が０．５ｎＡを越えると、オートアプローチ駆動
用パルス発生回路が停止されて、探針１３の接近が停止
される。

次に、探針１３と試料８の間に流れるトンネル電流が５
ｎＡになるように、サーボ回路により制御された電圧が
、円筒型圧電アクチュエーター１１のＺ方向制御用電極
に印加されて探針１３と試料８の間の距離が制御される
。このとき、探針］３が試料８と接触しないように、探
針１３は試料の表面構造の空間周波数（周期）よりも十
分低い周波数でザーボ制御される。さらに、円筒型圧電
アクチュエーター１１のＸ、Ｙ走査用電極にＸ、　Ｙ走
査用の交流信号が印加され、探針１３がＸ、　Ｙ方向に
走査される。このとき、オートアプローチ回路により積
層型圧電アクチュエーター６に印加される電圧が調整さ
れ、探針１３と試料８の間の距離か微調整される。

検出されたトンネル電流信号は適当に増幅され、アナロ
グのバイパスフィルター　ローパスフィルター、バンド
パスフィルター等によりフィルタリングされた後、Ａ／
Ｄ変換されてコンピュータに取り込まれる。このフィル
タリングは、注目する周期構造を効率よく取り出すため
に設けられる。

またトンネル電流信号の取り込みは、Ｘ、Ｙ走査信号に
同期させて行なわれる。コンピューターに取り込まれた
トンネル電流は、画像処理（スムリング、デジタルフィ
ルタリング）された後、ＣＲＴあるいはビデオプリンタ
ー上に出力され、トンネル電流像が得られる。

このようにして得られたトンネル電流像をフーリエ変換
する。以下、フーリエ変換の手法について述べる。

Ｘ、ｙを変数とする連続関数ｇ　（ｘ、ｙ）の２次元フ
ーリエ変換Ｇ（ｋｘ、ｋｙ）は、Ｇ　（ｋｘ、　ｋｙ）
　＝ｆ″、Ｉ”　ｇ　（ｘ、　ｙ）ｅｘｐ　（−２πｉ
　（ｋ）（ｘ十ｋｙ　ｙ）ｌ　ｄｘｄｙ逆変換は、 ６Ｘｐ　（２πｉ　（ｋＸ　ｘ＋Ｉｃｙ　ｙ）ｌ　ｄｘ
ｄｙである。

しかし、実際のＳＴＭの画像は第２図にしめされるよう
に２５６Ｘ２５６の画素から構成される。

各画素は試料表面のその点におけるトンネル電流を反映
した信号を諧調表示したものである。従って、上記した
フーリエ変換（およびフーリエ逆変換）は適用できず、
離散フーリエ変換が有効である。離散フーリエ変換を２
次元に拡張して適用すると、 Ｇ　（ｐｋｘ、　　ｑｋＹ） Ｗｘ”ｐＷｙｏｑｇ　　（ｍｘｏ　、　　ｎ　’５’ｏ
　）＝１／（Ｍ−Ｎ） ＷｘＷＹ−ｎｑ −ｎ＋ｐ となる。ここに、 ｋ×＝２７ｒ／Ｍｘ（１、ｋｙ　＝２π／　Ｎ　Ｙ　ｏ
　。

ＷＸ　＝ｅｘｐ　（−２πｉ／Ｍ）。

Ｗｙ　＝　ｅ　ｘ　ｐ　（−２７（１／Ｎ）である。

ところで、フーリエ変換を行なった結果得られるＧ（ｋ
ｘ、ｋｖ）あるいはＧ　（ｐｋｘ　、　　Ｑ　ｋｖ　）
は複素振幅スペクトルと呼ばれる複素数である。

逆字間（ｋ空間、周波数空間）で表示する場合にはパワ
ースペクトルＰ　（ｋ）を用いる。

Ｇ　（ｋ）　＝Ｒ（ｋ）　＋　ｉ　Ｉ　　（ｋ）とする
と、パワースペクトルは、 Ｐ　（ｋ）＝ｌＧ　（ｋ）＋２ ＝Ｒ（ｋ）　２　＋Ｉ　（ｋ）　２ となる。パワースペクトルを計算すると、２次元フーリ
エ変換した画像を逆字間で表示される。

グラファイトのトンネル電流像が第３図に示される。こ
れをフーリエ変換してパワースペクトルを計算して表示
したものが第４図に示される。第４図はグラファイトの
結晶構造の３回対称性を反映している。

ところで、ＳＴＭにおいてアクチュエーターの変位量は
、圧電定数から求めている。あるいは、ＳＴＭで標準試
料の測定を行い、その結果を用いて較正が行なわれてる
。

この発明によれば、結晶の対称性またはＸ線回折のデー
タを第４図の結果と合わせて解析することにより、アク
チュエーターの変位量を正確に求めることかできる。さ
らに、アクチュエーターのｘ、Ｘ方向の変位量の違いに
よるひずみなどを較正することができる。

実空間で全ての周期構造をコンシステントに較正するこ
とは難しいが、逆字間で１次変換のパラメータを求める
ことは容易である。第４図かられかるように、たかだか
６・点がリファレンスにあるように１次変換のパラメー
タを決めればよい。パラメータが決まれば座標変換は実
空間で行なっても、逆字間で行なってもよい。すなわち
全ての画素に同じ変換をすればよい。

さらに逆字間でフィルターをかけることで任意の周期構
造、あるいはバックグラウンドなどの情報のみを取り出
すことができる。

次に、別の実施例であるＩＴ　　ＴａＳ２　　（遷移金
属力ルゴゲナイド）の測定について説明する。

測定装置には、上記の実施例と同様に第１Ａ図および第
２Ｂ図に示される装置が使用される。このとき、探針の
走査範囲は４８人平方で、この走査範囲が２５６Ｘ２５
６の画素に分割される。探針は、１画素あたり０，１５
秒でＸ方向に走査され、Ｘ方向走査が１ライン終了ごと
にＸ方向に走査される。また、２方向のサーボ回路は、
０．５Ｓ程度の時定数で駆動される。この結果、探針は
試料表面の大きな凹凸だけを追随し、測定する構造は追
随しない。

このような装置の探針に１０ｍＶのバイアス電圧が印加
され、平均５ｎＡ、変動幅１ｎＡ程度のトンネル電流が
検出される。検出されたトンネル電流は、２〜２００Ｈ
ｚ帯の信号を通すアナログのバンドフィルターを透過し
た後、ＩＯＶ程度まで増幅され、Ａ／Ｄ変換される。Ａ
／Ｄ変換された信号は、１２ビツト、入力定格１０Ｖの
コンピュータに取り込まれて処理され、トンネル電流像
が得られる。

このようにして得られたＩＴ−ＴａＳ２のトンネル電流
像が第５図に示される。トンネル電流像は２次元の濃淡
像として表わされる。図において、小さな周期構造は原
子を表わし、大きな周期構造はＣＤＷを表わしている。

このトンネル電流像を２５６Ｘ２５６の２次元配列とし
て取り込み、２次元フーリエ変換してパワースペクトル
計算し、このパワ−スペクトルを２次元画像として逆字
間で表示したのが第６図に示される。この画像において
、パワースペクトルの強度は画像の濃淡として表わされ
ている。このパワースペクトルの画像はラウェパターン
に対応する。内側の６つのスペクトルがＣＤＷの構造で
あり、外側の６つのスペクトルが原子の構造である。い
ずれも結晶の３回対称性を反映している。

コンピューターを用いて第６図の画像上のスポットのミ
ラー指数付けを行なった結果が第７図に示される。第７
図において、白丸が結晶構造に対応するスポットであり
、黒丸が電荷密度波の構造に起因するスポットである。

図に示されるように、白丸のスポットが６回対称で、空
間周波数が１８Ｈｚであることから、ＩＴ−ＴａＳ２の
結晶構造が６回対称であり、格子定数が３人であること
がわかる。また、黒丸のスポットが６回対称で、空間周
波数が４１１２であることから、ＩＴ　　ＴａＳ２上の
電荷密度波が６回対称であり、周期は１２人であること
がわかる。さらに、白丸のスポットと黒丸のスポットと
のなす角度が１２．５°であることから、電荷密度波の
構造が結晶格子に対して１２．５°ずれていることがわ
かる。

第７図に示されるパワースペクトル像の黒丸のスポット
に対応する周波数成分だけをフィルタリングして抜き出
し、これを逆フーリエ変換した結果、すなわちＣＤＷ像
が第８図に示される。これは、電荷密度波成分だけのト
ンネル電流像に対応している。これにより、第６図に示
されるトンネル電流像では不明確であった電荷密度波の
構造が明確にわかる。また、パワースペクトル像から白
丸のスポットだけを抜き出し、逆フーリエ変換した結果
、すなわち原子像が第９図に示される。

つぎに、原子とＣＤＷの周期構造を分離する方法を説明
する。ｍ５図の画像から原子像を取り出す方法について
説明すると、逆字間で原子を反映したスペクトルのみを
通すフィルターを用い、原子の周期構造を反映した外側
のスペクトルを中心として適当な半径の窓をあけて必要
なスペクトル成分を通すことにより得られる。

実際には、窓をあけた部分には１または任意の形の関数
をかけ、他の部分には０をかけることでフィルタリング
できる。任意の形の関数としては、スペクトルの位置を
中心とするガウス関数やローレンツ関数などが適当であ
る。

このように逆字間上でフィルターを通したものを逆フー
リエ変換すれば原子像のみが得られる。

同様にして、ＣＤＷの周期のみを取り出すことも可能で
あり、２との周期構造を分離できる。この結果、ＩＴ−
ＴａＳ２の結晶構造に起因する周期構造と、ＩＴＴａＳ
２上の電荷密度波に起因する構造の２つが同時に観測す
ることができる。

［発明の効果コ この発明によれば、トンネル電流像をフーリエ変換する
ことにより、局所領域の逆格子空間像が得られるので、
結晶構造の決定および結晶性の評価がより正確に行える
ようになる。さらに、逆格子空間像を逆フーリエ変換す
ることにより、観測する周期構造のみを分離することが
できるので、トンネル電流像からはわからない結晶構造
の決定や観察が容易に行えるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図および第２Ｂ図は、走査型トンネル顕微鏡の構
成説明図、 第２図は、トンネル電流像の画像構成を説明する図、 第３図は、グラファイトのトンネル電流像、第４図は、
グラファイトのパワースペクトル像、第一５１、図は、
ＩＴ−ＴａＳ２のトンネル電流像、第６図は、Ｉ　Ｔ　
　Ｔ　ａ　Ｓ　２のパワースペクトル像、 第７図は、第６図の画像上のスポットのミラー指数付け
を行なった結果を示し、 第８図は、ＩＴ−ＴａＳ２のＣＤＷ像、第９図は、ＩＴ
ＴａＳ２の原子像を示す。 （符号の説明） ８・・・試料、１３・・・探針。 出願人代理人　弁理士　坪井　　淳 第 図 第４ 図 図面の浄書（内容に変更なし） 牙 図 牙５″図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）試料表面に探針を接近させて配置し、前記探針に
   バイアス電圧を印加させて前記試料表面を走査させ、探
   針試料間に流れるトンネル電流を検出してトンネル電流
   像を得た後、このトンネル電流像をフーリエ変換して逆
   格子空間像を得ることを特徴とする逆格子空間像の測定
   方法。
2. （２）試料表面に探針を接近させて配置し、前記探針に
   バイアス電圧を印加させて前記試料表面を走査させ、探
   針試料間に流れるトンネル電流を検出してトンネル電流
   像を得る工程と、 このトンネル電流像をフーリエ変換して逆格子空間像を
   得る工程と、 この逆格子空間像から特定の周期構造の像を選択する工
   程と、 この周期構造の像を逆フーリエ変換して、特定の周期構
   造をもつ電流像を得る工程とを有することを特徴とする
   電流像の測定方法。
3. （３）前記逆格子空間像を表示装置に表示することを特
   徴とする請求項１記載の逆格子空間像の測定方法。
4. （４）前記電流像を表示装置に表示することを特徴とす
   る請求項２記載の電流像の測定方法。