CN103367539B - Ibc太阳能电池的制作方法及ibc太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明所提供的IBC太阳能电池的制作方法，采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺形成第一导电指区，采用丝网印刷工艺形成第二导电指区，无需丝网印刷阻挡层、刻蚀、再次丝网印刷阻挡层、扩散、去玻璃层、清洗等多个步骤，简化了IBC太阳能电池的制作方法，提高了生产效率，且降低了生产成本。另外本发明所提供的IBC太阳能电池的第二导电指区与硅片基体结合形成电池的发射极，不需要掺杂硼，因此第二导电指区处的硼氧复合作用较弱，光致衰减作用更小，从而电池的转换效率更高。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种IBC太阳能电池的制作方法及IBC太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且利用的是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池具有广阔的发展前景。
太阳能电池的种类繁多，其中，IBC(Interdigitated back contact，叉指背接触)太阳能电池以其较高的转换效率、较低的串联电阻、简化的互联技术及良好的外观等优点受到越来越多业内人士的关注，成为太阳能电池技术领域较为前沿的高效电池技术之一。
以N型IBC太阳能电池为例，如图1所示，IBC太阳能电池的基本结构包括：N型的硅片基体100，覆盖在硅片基体100正面的N+(N型重掺杂)层101和减反射层102，N+层101位于硅片基体100与减反射层102之间；位于硅片基体100背面、间隔排列的、栅状的N+第一导电指区103和P+(P型重掺杂)第二导电指区104，第二导电指区104与硅片基体100结合形成电池的发射极；位于第一导电指区103背离硅片基体100一侧表面上的第一电极105，位于第二导电指区104背离硅片基体100一侧表面上的第二电极106。
常规制作IBC太阳能电池的工艺流程大致为：清洗-表面制绒-双面扩散掺杂-去玻璃层-丝网印刷阻挡层-刻蚀形成第一导电指区-扩散形成第二导电指区-正面制备减反射层-背面制备背钝化层-丝网印刷第一电极和第二电极-烧结-激光烧结。
以上仅是制作IBC太阳能电池的主要步骤，在实际生产过程制作IBC太阳能电池的技术细节及相应的操作步骤非常多，繁多的步骤和复杂的操作使IBC太阳能电池的生产效率较低，并且生产成本也较高，给IBC太阳能电池的发展造成了困难。
发明内容
本发明提供了一种IBC太阳能电池及其制作方法，以简化IBC太阳能电池的制作方法，提高生产效率，并降低其生产成本。
为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：
一种IBC太阳能电池的制作方法，包括：
提供硅片，所述硅片包括硅片基体，覆盖在所述硅片基体正面的第一掺杂层及背面的第二掺杂层，所述硅片基体、第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型均为N型；
采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层，剩余的第二掺杂层形成第一导电指区，所述第一导电指区为栅状结构；
采用丝网印刷工艺在所述待形成第二导电指区位置处形成第二导电指区，所述第二导电指区为栅状结构，所述第二导电指区与第一导电指区间隔排布，且通过隔离区相互隔离，所述第二导电指区为铝导电区；
在所述第一掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面上形成减反射层；
在所述第一导电指区和第二导电指区背离所述硅片基体的一侧形成背钝化层，所述背钝化层覆盖所述第一导电指区、第二导电指区及所述隔离区；
在所述背钝化层背离所述硅片基体一侧的表面上形成第一电极，所述第一电极位于所述第一导电指区位置处；
对形成完所述第一电极的硅片进行烧结。
优选的，所述采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层具体为：
采用激光器输出的激光对所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层进行扫描，去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层。
优选的，所述扫描为点扫描。
优选的，所述扫描的频率范围为30Hz～120Hz，包括端点值，功率范围为1W～30W，包括端点值，速度范围为100mm/s～3000mm/s，包括端点值。
优选的，所述激光器为绿光激光器、紫外激光器或红外激光器。
优选的，所述激光为绿光。
优选的，所述背钝化层的形成材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任一种或几种。
优选的，所述第一电极的形成材料为银浆。
本发明还提供了一种IBC太阳能电池，采用以上所述的制作方法制作，所述IBC太阳能电池包括：
硅片基体，所述硅片基体的掺杂类型为N型；
覆盖在所述硅片基体正面的第一掺杂层和减反射层，所述第一掺杂层位于所述硅片基体和所述减反射层之间，所述第一掺杂层的掺杂类型为N型；
位于所述硅片基体背面的第一导电指区，所述第一导电指区为栅状结构，所述第一导电指区的掺杂类型为N型；
位于所述硅片基体背面的第二导电指区，所述第二导电指区为栅状结构，所述第二导电指区与第一导电指区间隔排布，且通过隔离区相互隔离，所述第二导电指区为铝导电区；
覆盖所述第一导电指区、第二导电指区背离所述硅片基体一侧的表面及所述隔离区的背钝化层；
位于所述背钝化层背离所述硅片基体一侧的表面上、且位于所述第一导电指区位置处的第一电极。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明所提供的IBC太阳能电池的制作方法，采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺形成第一导电指区，激光消融工艺或激光刻蚀工艺可以对硅片基体背面进行选择性的去除，无需在硅片基体背面形成阻挡层，而现有技术中形成第一导电指区需要进行丝网印刷阻挡层、刻蚀等多个步骤，可见本发明中形成第一导电指区的方法较为简单；并且，本发明中采用丝网印刷工艺形成第二导电指区，无需其它步骤，而现有技术中形成第二导电指区需要丝网印刷阻挡层、扩散、去玻璃层、清洗等多个步骤，可见本发明中形成第二导电指区的方法较为简单；因此，本发明简化了IBC太阳能电池的制作方法，提高了生产效率。
并且，本发明所提供的制作方法由于避免了丝网印刷工艺(多次)、刻蚀工艺、扩散工艺、去玻璃层和清洗等多种操作的使用，仅采用激光消融工艺和一次丝网印刷工艺即可形成交叉分布的第一导电指区和第二导电指区，因此降低了IBC太阳能电池的生产成本。
本发明所提供的IBC太阳能电池的第二导电指区与硅片基体结合形成电池的发射极，不需要掺杂硼，而现有技术中为使第二导电指区处形成发射极，需要对裸露的硅片基体进行P型硼掺杂，造成第二导电指区处的硼氧复合作用较强，光致衰减较大，可见，本发明所提供的IBC太阳能电池的光致衰减作用更小，从而电池的转换效率更高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中IBC太阳能电池的基本结构图；
图2为本发明实施例一所提供的IBC太阳能电池的制作方法的流程图；
图3为本发明实施例二所提供的IBC太阳能电池的基本结构图；
图4为本发明实施例二所提供的IBC太阳能电池背面的俯视图。
具体实施方式
正如背景技术所述，常规的IBC太阳能电池的生产效率较低。发明人研究发现：现有技术中硅片双面扩散后，在硅片基体的背面制备第一导电指区，首先需要在硅片基体背面丝网印刷遮挡待形成第一导电指区的阻挡层，然后进行刻蚀去除裸露的待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的掺杂层，剩余的、被阻挡层遮挡的掺杂层形成第一导电指区。形成第二导电指区时，需要再次使用丝网印刷遮挡待形成隔离区的阻挡层，然后进行扩散在裸露的待形成第二导电指区位置处形成第二导电指区，然而扩散过程有伴随产生玻璃层，所以在扩散完毕后还需进行去玻璃层的操作，之后还需要去除阻挡层、清洗硅片的等一系列的步骤。由于多次使用丝网印刷工艺，每次所印刷的图形均不同，所以所采用的网版需要特别定制，且丝印(丝网印刷的简称)时网版与硅片基体背面的对准等问题都使电池制作方法复杂化。并且采用扩散工艺所带来的去玻璃层、清洗等繁琐的步骤均使IBC电池的生产时间延长，降低其生产效率，复杂的制作方法显而易见的也会另电池的生产成本增多。
基于此，本发明提供了一种IBC太阳能电池的制作方法，包括：
提供硅片，所述硅片包括硅片基体，覆盖在所述硅片基体正面的第一掺杂层及背面的第二掺杂层，所述硅片基体、第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型均为N型；
采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层，剩余的第二掺杂层形成第一导电指区，所述第一导电指区为栅状结构；
采用丝网印刷工艺在所述待形成第二导电指区位置处形成第二导电指区，所述第二导电指区为栅状结构，所述第二导电指区与第一导电指区间隔排布，且通过隔离区相互隔离，所述第二导电指区为铝导电区；
在所述第一掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面上形成减反射层；
在所述第一导电指区和第二导电指区背离所述硅片基体的一侧形成背钝化层，所述背钝化层完全覆盖所述第一导电指区、第二导电指区及所述隔离区；
在所述背钝化层背离所述硅片基体一侧的表面上形成第一电极，所述第一电极位于所述第一导电指区位置处；
对形成完所述第一电极的硅片进行烧结。
上述制作方法采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺形成第一导电指区，激光消融工艺或激光刻蚀工艺可以对硅片基体背面进行选择性的去除，无需在硅片基体背面形成阻挡层，而现有技术中形成第一导电指区需要进行丝网印刷阻挡层、刻蚀等多个步骤，可见本发明中形成第一导电指区的方法较为简单；并且，本发明中采用丝网印刷工艺形成第二导电指区，无需其它步骤，而现有技术中形成第二导电指区需要丝网印刷阻挡层、扩散、去玻璃层、清洗等多个步骤，可见本发明中形成第二导电指区的方法较为简单；因此，本发明简化了IBC太阳能电池的制作方法，提高了生产效率。
并且，上述制作方法由于避免了丝网印刷工艺(多次)、刻蚀工艺、扩散工艺、去玻璃层和清洗等多种操作的使用，仅采用激光消融工艺和一次丝网印刷工艺即可形成交叉分布的第一导电指区和第二导电指区，因此降低了IBC太阳能电池的生产成本。
以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
实施例一
本实施例提供了一种IBC太阳能电池的制作方法，如图2所示，该方法包括：
提供硅片，所述硅片包括硅片基体，覆盖在所述硅片基体正面的第一掺杂层及背面的第二掺杂层，所述硅片基体、第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型均为N型；
上述硅片是原始的成品硅片经过清洗-表面制绒-双面扩散掺杂-去玻璃层制备得到的。硅片基体的正面为IBC太阳能电池的受光面，第一掺杂层的掺杂相对于硅片基体的掺杂来说为重掺杂，该重掺杂层形成前场，利用前场高低结形成势垒，遮挡少子空穴向硅片基体正面扩散，减少载流子复合，对硅片基体的正面起到钝化的作用，有利于提高电池的转换效率。第二掺杂层掺杂相对于硅片基体的掺杂来说也为重掺杂，第二掺杂层上的区域可分为待形成第一导电指区、待形成第二导电指区和隔离区，其中待形成第一导电指区和待形成第二导电指区为相互交叉的栅状区域。
采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层，剩余的第二掺杂层形成第一导电指区，所述第一导电指区为栅状结构；
其中，所述采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层具体为：采用激光器输出的激光对所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层进行扫描，去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层。
需要说明的是，激光消融工艺或激光刻蚀工艺均为基于激光高能量在瞬间将材料气化消除的技术，二者的原理大致相同，具体到本实施例中即为：激光所扫描到的待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层，其硅材料从固态材质直接升华为气态，并瞬间蒸发，从而达到去除材料的目的。本实施例优选的可使用激光消融工艺。
激光扫描的方式可根据实际情况的不同相应选择，本实施例中所述扫描优选为点扫描。
激光扫描的各项参数需要根据不同的工艺要求进行调整，发明人经过不断的试验和调整，得到当所述扫描的频率范围为30Hz～120Hz，包括端点值，功率范围为1W～30W，包括端点值，速度范围为100mm/s～3000mm/s，包括端点值时，第二掺杂层材料的去除效果较好，同时硅片基体的性能良好。
本实施例给出本步骤所用激光器的几个优选的种类，所述激光器可以为绿光激光器、紫外激光器或红外激光器。更为优选的是绿光激光器，其所输出激光为绿光，绿光的波长可根据实际需要进行设置。
本步骤中通过采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺，利用激光技术具有选择性的特点，去除第二掺杂层的部分材料，一步到位的形成第一导电指区，相对于现有技术中丝印阻挡层+刻蚀形成第一导电指区的方法，本步骤更为简便易行，提高了电池的生产效率。
并且，制备阻挡层、丝网印刷等本身便是成本较昂贵的工艺，本步骤避免使用制备阻挡层、丝网印刷等工艺，降低了IBC太阳能电池的生产成本。
采用丝网印刷工艺在所述待形成第二导电指区位置处形成第二导电指区，所述第二导电指区为栅状结构，所述第二导电指区与第一导电指区间隔排布，且通过隔离区相互隔离，所述第二导电指区为铝导电区；
本步骤中第二导电指区的形成材料为铝浆，常规丝网印刷铝浆形成的是整片的背面场，本步骤中丝印铝浆形成的为具有栅状图形结构的铝导电区，因此，本步骤中丝印的各项参数需要进行匹配的调整，丝印所需要的网版需要具有第二导电指区图形。
本步骤中采用丝网印刷工艺实现了第二导电指区的一步形成，而现有技术中形成第二导电指区需要丝印隔离区阻挡层-扩散-去玻璃层-去阻挡层-清洗等一系列的步骤，其中每个步骤所包含的细节步骤也较多，比如看似最简单的清洗步骤也需要利用多种试剂进行多道清洗，可见，本步骤大大简化了形成第二导电指区的方法，并且本步骤由于避免使用了多道工序，降低了IBC太阳能电池的制作成本。
并且，现有技术中采用扩散工艺掺杂形成第二导电指区，扩散所需的高温环境会对硅片基体形成不可逆的损伤，降低基体寿命，本步骤中采用的丝网印刷工艺形成第二导电指区，在常温环境下进行操作，不会对硅片基体形成损伤，提高了硅片基体的性能，有利于IBC太阳能电池转换效率的提高。
在所述第一掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面上形成减反射层；
减反射层优选的采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)工艺制备。
减反射层的主要材料为氮化硅，覆盖在电池的正面(即受光面)，具有减少光线反射，提高光能利用率的作用；同时减反射层内含有大量的钝化基，能够修复电池表面和内部的缺陷，降低载流子复合。
需要说明的是，本实施例并不限定减反射层的形成时间，减反射层可以在制备完第一导电指区和第二导电指区后形成，也可以在制备第一导电指区和第二导电指区和第二导电指区之前形成，本实施例中减反射层优选的在硅片双面扩散掺杂，形成玩第一掺杂层和第二掺杂层之后，制备第一导电指区和第二导电指区和第二导电指区之前形成。
在所述第一导电指区和第二导电指区背离所述硅片基体的一侧形成背钝化层，所述背钝化层覆盖所述第一导电指区、第二导电指区及所述隔离区；
背钝化层优选的采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)工艺或ALD(Atomic layer deposition，原子层沉积)工艺制备。
所述背钝化层的形成材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任一种或几种，背钝化层的主要功能是减少电池背面的载流子复合，提高IBC太阳能电池的转换效率。
需要说明的是，所述第二导电指区包括多条相互平行的副栅和垂直于所述副栅的主栅，所述背钝化层并不完全覆盖所述第一导电指区、第二导电指区及所述隔离区，而是覆盖三者的部分区域，具体的，所述背钝化层覆盖所述第一导电指区、第二导电指区的副栅及所述隔离区。
在所述背钝化层背离所述硅片基体一侧的表面上形成第一电极，所述第一电极位于所述第一导电指区位置处；
所述第一电极的形成材料为银浆，呈栅状结构，主要用于收集电流，并连接焊条，通过焊条将电池所产生的电能输出。
对形成完所述第一电极的硅片进行烧结。
烧结过程中，第二导电指区的与靠近硅片基体的部分铝浆与硅片基体结合，形成铝硅合金，作为IBC太阳能电池的发射极；其余远离硅片基体、未与硅片基体结合的铝浆作为IBC太阳能电池的第二电极，用于连接焊条，将收集的电流通过焊条输出。
实施例二
与实施例一相对应的，本实施例提供了一种IBC太阳能电池，该电池采用实施例一所述的制作方法制作，如图3所示，所述IBC太阳能电池包括：
硅片基体300，所述硅片基体300的掺杂类型为N型；
覆盖在所述硅片基体300正面的第一掺杂层301和减反射层302，所述第一掺杂层301位于所述硅片基体300和所述减反射层302之间，所述第一掺杂层301的掺杂类型为N型；
位于所述硅片基体300背面的第一导电指区303，所述第一导电指区303为栅状结构，所述第一导电指区303的掺杂类型为N型；
位于所述硅片基体300背面的第二导电指区304，所述第二导电指区304为栅状结构，所述第二导电指区304与第一导电指区303间隔排布，且通过隔离区306相互隔离，所述第二导电指区304为铝导电区；
结合图4，第一导电指区303与第二导电指区304均为栅状结构，第一导电指区包括多条相互平行的、条状结构的第一导电叉指，第二导电指区包括多条相互平行的、条状结构的第二导电叉指，第一导电叉指与第二导电叉指间隔排布，并且二者之间具有间隙，该间隙为隔离区306。
通过在硅片基体的背面形成交叉排列的第一导电指区303与第二导电指区304，使电池的正面不受正面电极栅线的遮挡，能够全部受光，大大提高了光能利用率，进而大幅度提升了太阳能电池的转换效率。
覆盖所述第一导电指区303、第二导电指区304背离所述硅片基体300一侧的表面及所述隔离区306的背钝化层307；
位于所述背钝化层307背离所述硅片基体300一侧的表面上、且位于所述第一导电指区位置处的第一电极305。
传统的太阳能电池正面和背面均仅仅依靠3条主栅连接焊条，串联电阻较大，IBC太阳能电池背面用于连接焊条的区域(即第一电极和第二导电指区)几乎覆盖电池背面的全部区域，使串联电阻大幅度降低，有效地减少了电能的损耗，提高了太阳能电池的转换效率。
本实施例中第二导电指区靠近硅片基体的部分与硅片基体结合，形成铝硅合金，作为IBC太阳能电池的发射极，而现有技术中为使第二导电指区处形成发射极，需要对裸露的硅片基体进行P型硼掺杂，硼氧复合作用会导致电池的光致衰减较大，可见，本实施例中由于不需掺杂硼即可形成电池的发射极，光致衰减作用较小，从而有利于提高IBC太阳能电池的转换效率。
第二导电指区中远离硅片基体、未与硅片基体结合的部分作为IBC太阳能电池的第二电极，相对于现有技术中形成材料为银浆的第二电极，本实施例中由铝浆形成的第二电极成本更低。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (8)
1.一种叉指背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供硅片，所述硅片包括硅片基体，覆盖在所述硅片基体正面的第一掺杂层及背面的第二掺杂层，所述硅片基体、第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型均为N型；
采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层，剩余的第二掺杂层形成第一导电指区，所述第一导电指区为栅状结构；
采用丝网印刷工艺在所述待形成第二导电指区位置处形成第二导电指区，所述第二导电指区为栅状结构，所述第二导电指区与第一导电指区间隔排布，且通过隔离区相互隔离，所述第二导电指区为铝导电区；
在所述第一掺杂层背离所述硅片基体一侧的表面上形成减反射层；
在所述第一导电指区和第二导电指区背离所述硅片基体的一侧形成背钝化层，所述背钝化层覆盖所述第一导电指区、第二导电指区及所述隔离区；
在所述背钝化层背离所述硅片基体一侧的表面上形成第一电极，所述第一电极位于所述第一导电指区位置处；
对形成完所述第一电极的硅片进行烧结。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用激光消融工艺或激光刻蚀工艺去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层具体为：
采用激光器输出的激光对所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层进行扫描，去除所述硅片基体背面待形成第二导电指区和待形成隔离区位置处的第二掺杂层。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述扫描为点扫描。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述扫描的频率范围为30Hz～120Hz，包括端点值，功率范围为1W～30W，包括端点值，速度范围为100mm/s～3000mm/s，包括端点值。
5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述激光器为绿光激光器、紫外激光器或红外激光器。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背钝化层的形成材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的任一种或几种。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极的形成材料为银浆。
8.一种叉指背接触太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1～7任一项所述的制作方法制作，所述叉指背接触太阳能电池包括：
硅片基体，所述硅片基体的掺杂类型为N型；
覆盖在所述硅片基体正面的第一掺杂层和减反射层，所述第一掺杂层位于所述硅片基体和所述减反射层之间，所述第一掺杂层的掺杂类型为N型；
位于所述硅片基体背面的第一导电指区，所述第一导电指区为栅状结构，所述第一导电指区的掺杂类型为N型；
位于所述硅片基体背面的第二导电指区，所述第二导电指区为栅状结构，所述第二导电指区与第一导电指区间隔排布，且通过隔离区相互隔离，所述第二导电指区为铝导电区；
覆盖所述第一导电指区、第二导电指区背离所述硅片基体一侧的表面及所述隔离区的背钝化层；
位于所述背钝化层背离所述硅片基体一侧的表面上、且位于所述第一导电指区位置处的第一电极。
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