CN114388634A - 叠层太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法，叠层太阳能电池包括：第一背接触子电池的背光面具有第一正极和第一负极；第二背接触子电池叠置于第一背接触子电池的背光面，第二背接触子电池的背光面具有第二正极和第二负极；第二背接触子电池设置有贯通其自身向光面和背光面的第一通道和第二通道；第一导电件，形成于第一通道，第一导电件一端与第一正极电连接，另一端暴露于第二背接触子电池的背光面；第二导电件，形成于第二通道，第二导电件一端与第一负极电连接，另一端暴露于第二背接触子电池的背光面；第一正极、第一负极、第二正极和第二负极，任意两者相互绝缘。上述方案克服了位于上层的第一背接触子电池开压损失的问题。

Description

叠层太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明一般涉及太阳能光伏发电技术领域，具体涉及一种叠层太阳能电池及其制备方法。
背景技术
随着太阳电池技术的发展，为了提高太阳光的转化率，出现了叠层太阳能电池，即由上下两层太阳电池堆叠形成。现有的叠层太阳能电池其上层太阳电池和下层太阳电池共用电极，这样上层太阳电池和下层太阳电池实质上是并联关系，电压会向下趋同。一般地，单独来看，上层太阳电池的开压会高于下层太阳电池的开压，因此上层太阳电池和下层太阳电池共用电极而发生并联，会造成上层太阳电池电压损失的问题。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种叠层太阳能电池及其制备方法，用以解决现有技术中上层太阳电池电压损失的问题。
本发明提供一种叠层太阳能电池，包括：
第一背接触子电池，所述第一背接触子电池的背光面具有第一正极和第一负极；
第二背接触子电池，所述第二背接触子电池叠置于所述第一背接触子电池的背光面，所述第二背接触子电池的背光面具有第二正极和第二负极；所述第二背接触子电池设置有贯通其自身向光面和背光面的第一通道和第二通道；
第一导电件，形成于所述第一通道，所述第一导电件一端与所述第一正极电连接，另一端暴露于所述第二背接触子电池的背光面；
第二导电件，形成于所述第二通道，所述第二导电件一端与所述第一负极电连接，另一端暴露于所述第二背接触子电池的背光面；
所述第一正极、所述第一负极、所述第二正极和所述第二负极，任意两者相互绝缘。
作为可实现方式，所述第一背接触子电池与所述第二背接触子电池之间设置有第一介电层。
作为可实现方式，至少所述第一通道和/或所述第二通道的内壁面设置有第二介电层。
作为可实现方式，所述第一背接触子电池的带隙宽度大于所述第二背接触子电池的带隙宽度。
作为可实现方式，所述第一背接触子电池为硅基太阳能电池、钙钛矿电池或薄膜太阳能电池；所述第二背接触子电池为硅基太阳能电池。
作为可实现方式，所述钙钛矿电池包括：
透明基底；
钙钛矿吸收层，形成在所述透明基底的背光面；所述钙钛矿吸收层具有相互隔离的第一区域以及第二区域；
空穴传输层，形成于所述钙钛矿吸收层上的第一区域；
第一正极，形成于所述空穴传输层上；
电子传输层，形成于所述钙钛矿吸收层上的第二区域；
第一负极，形成于所述电子传输层上。
作为可实现方式，所述第一背接触子电池的吸收层的材料为钙钛矿材料、量子点材料、a-Si、a-SiC、CIGS、CdTe和GaAs中的至少任一种。
作为可实现方式，所述硅基太阳能电池包括基底，所述基底的向光面设置有向光面钝化减反射层，所述基底的背光面依次设置有背光面隧穿钝化层、背光面掺杂层及背光面介质膜层，所述背光面掺杂层包括p型掺杂层区域和n型掺杂层区域；所述p型掺杂层区域与所述 n型掺杂层区域呈叉指状间隔排列；所述背光面介质膜层设置有暴露所述n型掺杂层区域的负电极栅线图案，以及暴露所述p型掺杂层区域的正电极栅线图案；所述负电极栅线图案内形成有负极栅线，所述正电极栅线图案内形成有正极栅线，还包括负极连接电极和正极连接电极，所述负极连接电极连接多条所述负极栅线，所述正极连接电极连接多条所述正极栅线。
作为可实现方式，所述硅基太阳能电池为MWT电池。
第二方面，本发明提供一种上述的叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成所述第二背接触子电池；
在所述第二背接触子电池上形成所述第一通道和所述第二通道，在所述第一通道形成第一导电件，在所述第二通道形成第二导电件；
在所述第二背接触子电池的向光面形成所述第一背接触子电池。
上述方案，位于上层的第一背接触子电池背光面的第一正极及第一负极，通过位于下层的第二背接触子电池的第一导电件和第二导电件，引入到第二背接触子电池的背光面，形成了叠层的四端太阳能电池，使得第一背接触子电池与第二背接触子电池不共用电极，克服了因第一背接触子电池与第二背接触子电池共用电极，造成第一背接触子电池与第二背接触子电池实际上处于并联，导致位于上层的第一背接触子电池开压损失的问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的叠层太阳能电池的仰视图；
图2为图1的A-A剖视图；
图3为本发明另一实施例提供的叠层太阳能电池的仰视图；
图4为图3的B-B剖视图；
图5为本发明实施例提供的钙钛矿电池的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的薄膜太阳能电池的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的叠层太阳能电池的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。(图示仅为示意图，图中大小和比例关系并不代表实际的大小和比例关系)
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
如图1、图2所示，本发明实施例提供的叠层太阳能电池，包括：
第一背接触子电池1，所述第一背接触子电池1的背光面具有第一正极和第一负极；这里不对第一背接触子电池1的类型进行具体限定，只要其第一正极、第一负极位于背光面即可。第一正极、第一负极的数量可以根据实际情况设定。
第二背接触子电池11，所述第二背接触子电池11叠置于所述第一背接触子电池1的背光面，所述第二背接触子电池11的背光面具有第二正极61和第二负极62；所述第二背接触子电池11设置有贯通其自身向光面和背光面的第一通道和第二通道；这里不对第二背接触子电池11的类型进行具体限定，只要其第二正极61、第二负极62位于背光面即可。第二正极61、第二负极62的数量可以根据实际情况设定。
第一导电件51，形成于所述第一通道，所述第一导电件51一端与所述第一正极电连接，另一端暴露于所述第二背接触子电池11的背光面；第一通道的形状可以是任意的形状，只要其是贯通第二背接触子电池11向光面和背光面的即可。可以通过沉积的方式，在第一通道内形成第一导电件51，第一导电件51的材料可以是金属或导电氧化物。第二导电件52，形成于所述第二通道，所述第二导电件52一端与所述第一负极电连接，另一端暴露于所述第二背接触子电池11的背光面；第二通道的形状可以是任意的形状，只要其是贯通第二背接触子电池11向光面和背光面的即可。可以通过沉积的方式，在第二通道内形成第二导电件52，第二导电件52的材料可以是金属或导电氧化物。
本文所指的第一导电件51、第二导电件52的一端暴露于第二背接触子电池11的背光面，可以指第一导电件51、第二导电件52的一端从对应的第一通道、第二通道内凸出，并高于第二背接触子电池11 的背光面，也可以是第一导电件51、第二导电件52的一端位于的第一通道、第二通道内，与第二背接触子电池11的背光面相平或略低于第二背接触子电池11的背光面(也即没有从对应的第一通道、第二通道内凸出)。
所述第一正极、所述第一负极、所述第二正极61和所述第二负极 62，任意两者相互绝缘。
上述方案，位于上层的第一背接触子电池1背光面的第一正极及第一负极，通过位于下层的第二背接触子电池11的第一导电件51和第二导电件52，引入到第二背接触子电池11的背光面，形成了叠层的四端太阳能电池，使得第一背接触子电池1与第二背接触子电池11 不共用电极，克服了因第一背接触子电池1与第二背接触子电池11共用电极，造成第一背接触子电池1与第二背接触子电池11实际上处于并联，导致位于上层的第一背接触子电池1开压损失的问题。
作为可实现方式，为了对第一背接触子电池1与所述第二背接触子电池11进行电气隔离，在第一背接触子电池1与第二背接触子电池 11之间设置有第一介电层202，第一介电层202例如但不限于可以是 SiNx的单层膜或者是SiNx、SiOx的复合膜。
作为可实现方式，为了使第一导电件51、第二导电件52不与第二子太阳电池的部件之间产生导电的接触，至少在第一通道和/或第二通道的内壁面设置有第二介电层203。第二介电层203例如但不限于可以是SiNx的单层膜或者是SiNx、SiOx的复合膜。在该示例中，第一通道和第二通道的内壁面均设置有第二介电层203。
作为可实现方式，所述第一背接触子电池1的带隙宽度大于所述第二背接触子电池11的带隙宽度即可。作为举例，例如第一背接触子电池1的带隙宽度可以为1.5eV-2.3eV。由于第一背接触子电池1的带隙宽度大于第二背接触子电池11的带隙宽度，可以使第一背接触子电池1基本上在电磁波频谱的可见区域捕获辐射，并让红外辐射通过；第二背接触子电池11基本上在电磁波频谱的红外区域捕获辐射，达到了提高太阳光利用率的效果。
作为可实现方式，所述第一背接触子电池1为硅基太阳能电池、钙钛矿电池或薄膜太阳能电池；所述第二背接触子电池11为硅基太阳能电池。
作为可实现方式，所述硅基太阳能电池包括硅基底2，所述硅基底2的向光面设置有向光面钝化减反射层，所述硅基底2的背光面依次设置有背光面隧穿钝化层、背光面掺杂层及背光面介质膜层204，所述背光面掺杂层包括p型掺杂层区域3和n型掺杂层区域4；所述p 型掺杂层区域3与所述n型掺杂层区域4呈叉指状间隔排列；所述背光面介质膜层204设置有暴露所述n型掺杂层区域的负电极栅线图案，以及暴露所述p型掺杂层区域的正电极栅线图案；所述负电极栅线图案内形成有负极栅线，所述正电极栅线图案内形成有正极栅线，还包括负极连接电极和正极连接电极，所述负极连接电极连接多条所述负极栅线，所述正极连接电极连接多条所述正极栅线。其中，负电极栅线图案和负极连接线可以称为第二正极61，正电极栅线图案和正极连接线可以称为第二负极62。
作为可实现方式，如图3、图4所示，所述硅基太阳能电池为MWT 电池，该MWT电池包括基底，所述基底上布设有多个通孔，所述基底的向光面、背光面及通孔的内壁设置有掺杂层31，该掺杂层为P型掺杂，其作为发射极，所述向光面掺杂层上设置有位于所述通孔上方的副栅7，所述通孔内形成有第三导电件，所述第三导电件与对应的所述副栅7电连接，所述背光面掺杂层上设置所述第二正极6和所述第二负极32，所述第二正极6和所述第二负极32二者之一与所述第三导电件电连接，该示例中是第二负极32与第三导电件电连接。
作为可实现方式，如图5所示，所述钙钛矿电池包括透明基底1011；钙钛矿吸收层1023，形成在所述透明基底1011的背光面；所述钙钛矿吸收层1023具有相互隔离的第一区域W1以及第二区域W2；空穴传输层1021，形成于所述钙钛矿吸收层1023上的第一区域W1；第一正极1012，形成于所述空穴传输层1021上；电子传输层1022，形成于所述钙钛矿吸收层1023上的第二区域W2；第一负极1013，形成于所述电子传输层1022上。
作为可实现方式，第一背接触子电池的吸收层的材料为钙钛矿材料、量子点材料、a-Si、a-SiC、CIGS、CdTe和GaAs中的至少任一种。
第二方面，如图7所示，本发明提供一种上述的叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：形成所述第二背接触子电池11；
S2：在所述第二背接触子电池11上形成所述第一通道和所述第二通道，在所述第一通道形成第一导电件51，在所述第二通道形成第二导电件52；
S3：在所述第二背接触子电池11的向光面形成所述第一背接触子电池1。
下面以多个示例，来对上述叠层太阳能电池的制备方法进行说明。本发明实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是相关技术中成熟的制备工艺。本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光和显影，是相关技术中成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，生长外延也采用已知的方法，在此不做具体的限定。
在本实施例的描述中，需要理解的是，“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或生长工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺或光刻工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺或光刻工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺或光刻工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
第一种示例，另参见图1、图2。
形成第二背接触子电池11，包括：
1、对n型基底进行正表面结构化。
具体的，取用n型单晶硅片作为硅基底2，使用含有KOH的溶液对硅基底2向光面进行制绒，以完成正表面织构化。其中，KOH溶液的浓度可以为5％wt，温度80℃。并在此过程使用含有氢氟酸的溶液进行清洗，并在清洗后进行水洗及烘干等工序。
2、在n型基底2的背光面形成背光面隧穿钝化层。
例如，可以采用氧化硅作为背光面隧穿钝化层，此背光面隧穿钝化层可以使用炉管氧化生长形成。背光面隧穿钝化层的厚度可以为 1～2nm。
3、在背光面隧穿钝化层上形成背光面掺杂层。
具体地，可以使用低压化学气相沉积方法在背光面隧穿钝化层上沉积本征多晶硅薄膜。此本征多晶硅薄膜的厚度例如可为100nm、 150nm等。然后使用丝网印刷含硼掺杂浆料进行涂布，并使含硼掺杂浆料的料涂布区域间隔出现，以为后续形成叉指状结构做准备。在涂布过含硼掺杂浆料后，通过900℃热扩散完成背光面p型掺杂层区域3 的制备。此外，在p型掺杂层区域3的制备过程中，向炉内通入足量的氧气，至少使未涂布含硼掺杂浆料的本征多晶硅，在900℃条件下氧化，形成较厚的氧化硅氧化层。然后，使用氧化硅刻蚀掩膜在氧化层上进行局部开膜，局域化预留出待进行n型掺杂层区域4制备的区域。随后，对开膜区域进行腐蚀并清洗后进行POCl3热扩散形成背光面n型掺杂层区域4。至此，形成了呈叉指状结构的p型掺杂层区域3 和n型掺杂层区域4。其中，在形成p型掺杂层区域3的过程中，不需要对p型掺杂层区域3进行高浓度的硼掺杂，即可和后续的含铝电极形成较好的接触，也不需要高温推进。从而可以降低工艺的温度，从而避免了较高温度的热过程带来的负面效果。
4、在n型硅基底2的向光面形成向光面钝化减反射层。
将上述第3步骤形成过背光面掺杂层后的构件，送入含氢氟酸的漕式清洗机以去除硼硅玻璃和磷硅玻璃。随后使用增强型等离子化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition；PECVD)在n 型硅基底2向光面制绒后的表面沉积SiNx薄膜作为向光面钝化减反射层，其厚度例如可为80nm，折射率为2.03。
5、在背光面掺杂层上形成背光面介质膜层204。
例如但不限于背光面介质膜层204可以是复合膜层，即可以在背光面掺杂层上通过原子层沉积(Atomic Layer Deposition；ALD)沉积 5-15nm氧化铝作为背光面钝化层，例如为5nm、10nm或15nm等，然后背光面钝化层通过PECVD沉积60-90nm厚的氮化硅，例如为70nm、85nm等。氮化硅的折射率可以为2.10。
6、电极制备。
在背光面介质膜层204上刻蚀形成负电极栅线图案及正电极栅线图案，通过丝网印刷的方式分别在负电极栅线图案及正电极栅线图案处涂布含导电成分的电极浆料层，例如，在负电极栅线图案处涂布含银浆料，在正电极栅线图案处涂布含铝浆料。随后，将其在烧结炉中完成金属化热处理形成相应的第二正极61和第二负极62，其中，第二正极61可以包括负极栅线和/或负极连接电极，第二负极62可以包括正极栅线和/或正极连接电极等。其中，负极栅线、负极连接电极与正极栅线、正极连接电极之间绝缘。作为一种实现方式，正极连接电极的宽度可以为50um，厚度可以为10um，负极连接电极的宽度可以为50um，厚度可以为10um等。
在金属化热处理过程中，加热峰值温度可以为400-750℃，例如，优选的加热峰值温度为650℃。
为了提高电流的收集能力，进而提高第二背接触子电池11的光电转换能力，还可以在向光面钝化减反射层与p型基底之间形成有向光面掺杂层；向光面掺杂层12为n型掺杂层或p型掺杂层。
在所述第二背接触子电池11上形成所述第一通道和所述第二通道，在所述第一通道形成第一导电件51，在所述第二通道形成第二导电件52，包括：
在向光面钝化减反射层上沉积SiNx的单层薄膜或者是SiNx、SiOx 的复合薄膜，作为第一介电层202。
通过激光打孔的方式自第一介电层202在第二背接触子电池11上进行打孔以形成第一通道和第二通道，通过沉积的方式在第一通道内形成第一导电件51，在第二通道内形成第二导电件52。
在所述第二背接触子电池11的向光面形成所述第一背接触子电池1，第一背接触子电池1例如为钙钛矿电池，如图5所示，该钙钛矿电池包括透明基底1011；钙钛矿吸收层1023，形成在所述透明基底 1011的背光面；所述钙钛矿吸收层1023具有相互隔离的第一区域W1 以及第二区域W2；空穴传输层1021，形成于所述钙钛矿吸收层1023 上的第一区域W1；第一正极1012，形成于所述空穴传输层1021上；电子传输层1022，形成于所述钙钛矿吸收层1023上的第二区域W2；第一负极1013，形成于所述电子传输层1022上。
如图6所示，在该示例中，多个第一背接触子电池1相互串联，该示例中示出了三个第一背接触子电池1，该第一背接触子电池1例如但不限于为薄膜太阳能电池。在该结构中，可以先沉积第一正极薄膜，其材料可以是氟掺杂锡氧化物(Fluorine-doped Tin Oxide；FTO)。采用激光进行开槽511，第一正极薄膜形成多个独立的部分，在开槽后的第一正极薄膜上沉积第一功能薄膜，第一功能薄膜的材料可以为 SnOx，在第一功能薄膜上涂覆钙钛矿材料形成吸收薄膜，在吸收薄膜上沉积第一功能薄膜，第二功能薄膜的材料可以为2,2',7,7'-四[N,N-二 (4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)。采用激光自第二功能薄膜向下开槽512，直至延伸到第一正极薄膜，开槽后在第二功能层上沉积第一负极薄膜，第一负极薄膜的材料例如为金，在沉积完成后，再次采用激光自第一负极薄膜向下开槽513，直至延伸到第一功能薄膜，以形成多个相互串联的第一背接触子电池1，经过上述三步开槽，第一功能薄膜、吸收薄膜第二功能薄膜及第一负极薄膜分别形成了第一功能层1022、吸收层1023、第二功能层1021及透明电极层1011。对于多个第一背接触子电池1相互串联的情况，只需要将最外侧的两个第一背接触子电池1中其中一个的正极、另一个的负极分别穿过下层设置的第二背接触子电池引出即可。也即在该示例的三个第一背接触子电池1中，左侧的第一背接触子电池1的正极穿过下层设置的第二背接触子电池引出，相应地，最右侧的第一背接触子电池 1的负极穿过下层设置的第二背接触子电池引出；或者，左侧的第一背接触子电池1的负极穿过下层设置的第二背接触子电池引出，相应地，最右侧的第一背接触子电池1的正极穿过下层设置的第二背接触子电池引出。
第二种示例
该示例与上述示例的主要不同在于形成的第二背接触子电池11 不同，其他部分可以采用相同的结构，故该示例中仅对形成第二背接触子电池11予以说明，其余部分参见上述各示例的描述。
在该示例中，另参见图3、图4所示，形成第二背接触子电池11 包括：
1、在硅基底2上进行打孔。
可以采用激光打孔的方式，在硅基底2上均匀的打多个孔。例如孔径可以为80微米。孔的数量根据硅基底的大小来确定。
2、表面结构化。
对打过孔的硅基底2，使用含有KOH的溶液对硅基底2表面进行制绒，以完成表面织构化。其中，KOH溶液的浓度可以为5％wt，温度80℃。并在此过程使用含有氢氟酸的溶液进行清洗，并在清洗后进行水洗及烘干等工序。
3、发射极扩散。
用POCl3作为磷源，采用管式扩散炉进行扩散，在各孔的内壁及硅基底的表面形成掺杂层31，该掺杂层31为P型掺杂层，该P型掺杂层作为发射极，发射极扩散后的构件，送入含氢氟酸的漕式清洗机以去除硼硅玻璃和磷硅玻璃。
4、制备向光面钝化减反射层
将上述第3步骤发射极扩散后的构件，使用增强型等离子化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)在硅基底向光面制绒后的表面沉积SiNx薄膜作为向光面钝化减反射层，其厚度例如可为80nm，折射率为2.03。
5、电极制备。
采用丝网印刷或沉积等工艺，用导电材料将上述各孔填满，并在背光面印制与各孔对一个电连接的n型接触的主栅，其作为第二正极 32，然后通过丝网印刷的方式在向光面印制副栅7及背光面的P型接触主栅其作为第二负极6，并对通过丝网印刷的材料进行烧结。
6、电极隔离。
可以在第5步骤形成的构件的向光面及背光面，通过激光打隔离槽，使第二正极32与第二负极6相互隔离。
需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种叠层太阳能电池，其特征在于，包括：
第一背接触子电池，所述第一背接触子电池的背光面具有第一正极和第一负极；
第二背接触子电池，所述第二背接触子电池叠置于所述第一背接触子电池的背光面，所述第二背接触子电池的背光面具有第二正极和第二负极；所述第二背接触子电池设置有贯通其自身向光面和背光面的第一通道和第二通道；
第一导电件，形成于所述第一通道，所述第一导电件一端与所述第一正极电连接，另一端暴露于所述第二背接触子电池的背光面；
第二导电件，形成于所述第二通道，所述第二导电件一端与所述第一负极电连接，另一端暴露于所述第二背接触子电池的背光面；
所述第一正极、所述第一负极、所述第二正极和所述第二负极，任意两者相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一背接触子电池与所述第二背接触子电池之间设置有第一介电层。
3.根据权利要求1或2所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一通道和/或所述第二通道的内壁面设置有第二介电层。
4.根据权利要求1或2所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一背接触子电池的带隙宽度大于所述第二背接触子电池的带隙宽度。
5.根据权利要求4所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一背接触子电池为硅基太阳能电池、钙钛矿电池或薄膜太阳能电池；所述第二背接触子电池为硅基太阳能电池。
6.根据权利要求5所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿电池包括：
透明基底；
钙钛矿吸收层，形成在所述透明基底的背光面；所述钙钛矿吸收层具有相互隔离的第一区域以及第二区域；
空穴传输层，形成于所述钙钛矿吸收层上的第一区域；
第一正极，形成于所述空穴传输层上；
电子传输层，形成于所述钙钛矿吸收层上的第二区域；
第一负极，形成于所述电子传输层上。
7.根据权利要求5所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一背接触子电池的吸收层的材料为钙钛矿材料、量子点材料、a-Si、a-SiC、CIGS、CdTe和GaAs中的至少任一种。
8.根据权利要求5所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述硅基太阳能电池包括基底，所述基底的向光面设置有向光面钝化减反射层，所述基底的背光面依次设置有背光面隧穿钝化层、背光面掺杂层及背光面介质膜层，所述背光面掺杂层包括p型掺杂层区域和n型掺杂层区域；所述p型掺杂层区域与所述n型掺杂层区域呈叉指状间隔排列；所述背光面介质膜层设置有暴露所述n型掺杂层区域的负电极栅线图案，以及暴露所述p型掺杂层区域的正电极栅线图案；所述负电极栅线图案内形成有负极栅线，所述正电极栅线图案内形成有正极栅线，还包括负极连接电极和正极连接电极，所述负极连接电极连接多条所述负极栅线，所述正极连接电极连接多条所述正极栅线。
9.根据权利要求5所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述硅基太阳能电池为MWT电池。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成所述第二背接触子电池；
在所述第二背接触子电池上形成所述第一通道和所述第二通道，在所述第一通道形成第一导电件，在所述第二通道形成第二导电件；
在所述第二背接触子电池的向光面形成所述第一背接触子电池。
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