CN103346222A - 一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）与N型GaN层（3）之间设置有N—SLS层（4），N—SLS层（4）、MQW发光层（5）构成发光区（7），本发明有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED外延片技术领域，具体涉及一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片。
背景技术
目前，蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。现有的外延片在生产过程中，通常是在生长完N型GaN层后直接生长MQW发光层InGaN/GaN的多量子阱层,导致发光效率低，抗静电能力差。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，该技术方案有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
本发明通过以下技术方案实现：
一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）与N型GaN层（3）之间设置有N—SLS层（4），N—SLS层（4）、MQW发光层（5）构成发光区（7）。
本发明进一步技术改进方案是：
所述N—SLS层（6）为GaN/InGaN超晶格层, 厚度为20nm；所述GaN/InGaN超晶格层为参杂硅的GaN/InGaN超晶格材料制成。
本发明与现有技术相比，具有以下明显优点：本发明在传统外延片的生长完N型GaN层后生长一层N—SLS层，然后再生长MQW发光层InGaN/GaN的多量子阱层，N—SLS层、MQW发光层构成发光区，不但改善了量子阱界面质量，增强了量子阱发光强度，提高了GaN基LED芯片的发光效率，而且提升了抗静电能力，避免芯片击穿的问题。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图1中11为蓝宝石衬底层；2为Buffer—缓冲层；3为N型GaN层；4为N—SLS层；5为MQW发光层；6为P型GaN层；7为发光区。
具体实施方式
如图1所示，本发明一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层1、Buffer—缓冲层2、N型GaN层3、MQW发光层5以及P型GaN层6，所述MQW发光层5与N型GaN层3之间设置有N—SLS层4，N—SLS层4、MQW发光层5构成发光区7，所述N—SLS层6为GaN/InGaN超晶格层, 厚度为20nm，所述GaN/InGaN超晶格层为参杂硅的GaN/InGaN超晶格材料制成。
本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
Claims (3)
1.一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）与N型GaN层（3）之间设置有N—SLS层（4），N—SLS层（4）、MQW发光层（5）构成发光区（7）。
2.根据权利要求1所述的一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，其特征在于：所述N—SLS层（6）为GaN/InGaN超晶格层，厚度为20nm。
3.根据权利要求2所述的一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，其特征在于：所述GaN/InGaN超晶格层为参杂硅的GaN/InGaN超晶格材料制成。
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| CN106299067A (zh) * | 2015-05-18 | 2017-01-04 | 南通同方半导体有限公司 | 一种高抗静电能力的led外延结构 |
| CN108807622A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-11-13 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED及其制备方法 |
| WO2023206877A1 (zh) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种led外延片及其制造方法 |
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2013
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|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C04 | Withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20131009 |